通常，印刷电路板(PCB)是通过以下过程来制造的。就是说，由铜 等制成的薄膜被附着于由酚或环氧树脂制成的绝缘板的表面。接下来，具 有薄膜的绝缘板根据电路的布线图形而被蚀刻以使除了电路以外的部分被 去除，从而获得所需电路。之后，钻孔以便于安装部件。
就是说，PCB用来电互连根据布线图形安装的部件。此外，PCB用来 向所述部件供电并且在机械上支持该部件。
最近，随着PCB的小型化和薄度在包括工业设备、办公室设备、通信 设备、广播设备和便携计算机，特别是移动通信设备和数字家用电器的各 种领域中日益增加的需要，已开发了诸如微球栅阵列(BGA)、带式载体封 装(TCP)和芯片尺寸封装(CSP)的封装技术。这样，本领域的技术人员 对使用上述封装技术来制造其上安装芯片的封装基板的方法发生了日益增 长的兴趣。
将参照图1a到1k来详述通过常规堆积(build-up)方法来制造封装基 板的方法。
在此情况下，所述堆积方法被限定为这样一种方法，其中具有电路图 形的内层被形成，并且外层被逐一放置在内层上。
首先，如图1a中所示，绝缘层11被提供，并且铜箔层12被放置在绝 缘层11的两个表面上以使绝缘层11被插入在铜箔层12之间。由此准备了 覆铜积层10。
覆铜积层10是用于制造PCB的基板，并且被配置成使铜12被薄薄地 涂敷在绝缘层11的两个表面上。玻璃/环氧覆铜积层被用作覆铜积层10。
接下来，如图1b中所示，通路孔13通过钻孔过程而形成于覆铜积层 10上。通路孔13用来将几个层彼此电连接。随后，无电镀铜或电解镀铜 被实施以在铜箔层12和通路孔13上形成镀层，如图1c中所示。
在无电镀铜或电解镀铜被实施之后，糊20被填充在通路孔13中以保 护在通路孔13的内壁上形成的镀层14，如图1d中所示。
在此情况下，绝缘墨材料通常被用作糊20。然而，可根据PCB的预 期目的而使用导电糊。
在糊20被填充在通路孔13之后，抗蚀剂图形30被形成以在覆铜积层 10的镀层14上形成内层电路图形，如图1e中所示。
为了形成抗蚀剂图形30，在图形膜(artwork film)上印刷的电路图形 必须被传递到覆铜积层10。迄今为止已使用了几种传递方法。然而，使用 光致抗蚀剂(photoresist)干膜的传递方法是最广泛使用的。依照该方法，在 图形膜上印刷的电路图形通过紫外线而传递到干膜。
在此情况下，被传递了电路图形的干膜用作抗蚀剂。这样，当蚀刻过 程被实施时，没有抗蚀剂图形30的镀层14的一部分被去除。由此获得具 有预定内层电路图形15的基础基板，如图1f中所示。
之后，为了在具有内层电路图形15的基础基板上形成预定堆积层，树 脂层40被层积以提供层间电绝缘，如图1g中所示。随后，如图1h中所示， 盲通路孔50被形成于树脂层40上以电连接在基础基板上形成的内层电路 图形15和将在稍后描述的外层电路图形。
在此情况下，盲通路孔50可通过机械钻孔方法来形成。然而，由于与 通孔相比，盲通路孔50必须被更精确地加工，因而优选的是使用钇铝石榴 石(YAG)激光或CO2激光来形成盲通路孔50。
在盲通路孔50被形成之后，盲通路孔50被镀以铜。同时，其上形成 了预定外层电路图形的镀层60被提供，如图li中所示。
之后，掩模工艺被实施以在镀层60上形成外层电路图形，如图1j中 所示。最后，感光阻焊掩模(photo imageable solder resist mask)(PSR)墨 如图1k中所示而被涂敷，由此保护在镀层60上形成的外层电路图形61， 并且在焊接过程中防止在外部电路图形61上形成焊桥。因此完成了最终的 封装板。
如以上所述，在使用半添加(semi-additive)方法来制造封装基板的方 法中，覆铜积层10被用作芯层并且堆积层被放置在覆铜积层10的上和下 表面上，该方法具有以下问题。就是说，由于覆铜积层10被使用，封装基 板的厚度不可避免地被增加，从而不可能遵循对信号处理速度和封装密度 的增加和系统的小型化的要求，并且难以实现封装中的系统。
此外，依照韩国公开出版物No.2003-73919制造封装基板的常规方法 具有以下问题。就是说，由于电解铜通过无电镀而放置在种子层(seed layer) 上，然后使用干膜来形成精细电路，不可能实现50微米或以下的精细电路 图形。此外，随着电路图形的精细度变高，干膜的脱层频繁发生，由此导 致有缺陷的产品。

因此，已考虑到本领域中出现的以上问题而进行了本发明，并且本发 明的目的是提供一种制造具有精细电路图形的封装基板的方法，其是通过 以下来实现的：通过阳极氧化在金属芯的开口区域上形成氧化层，并且对 氧化层之间的部分进行电镀铜或者在氧化层之间填充糊。
为了实现以上目的，本发明提供了一种制造封装基板的方法，包括： 通过掩模工艺在金属芯的表面上形成开口区域；通过阳极化金属芯经过所 述开口区域而生长氧化层；通过在被提供于金属芯的表面上的氧化层之间 形成导电层来形成精细电路图形；在具有所述精细电路图形的金属芯的表 面上形成树脂层；以及选择性地蚀刻金属芯的相反表面。
此外，本发明提供了一种制造封装基板的方法，包括：通过掩模工艺 在金属芯的表面上形成开口区域；通过阳极化金属芯经过所述开口区域而 生长氧化层；通过在被提供于金属芯的表面上的氧化层之间形成导电层来 形成精细电路图形；通过掩模工艺选择性地蚀刻氧化层；在具有所述精细 电路图形的金属芯的表面上形成树脂层；以及选择性地蚀刻金属芯的相反 表面，由此提供用于封装的基础基板。
而且，本发明提供了一种制造封装基板的方法，包括：通过掩模工艺 在金属芯的表面上形成开口区域；通过阳极化金属芯经过所述开口区域而 生长氧化层；在具有氧化层的金属芯的表面上形成树脂层；选择性地蚀刻 金属芯的相反表面；通过掩模工艺选择性地蚀刻氧化层；以及在选择性地 蚀刻氧化层之后剩下的部分中形成导电层，由此提供具有精细电路图形的 用于封装的基础基板。
本发明提供了一种制造封装基板的方法，包括：通过掩模工艺在金属 芯的表面上形成开口区域；通过阳极化金属芯经过所述开口区域而生长氧 化层；通过在被提供于金属芯的表面上的氧化层之间形成导电层来形成精 细电路图形；在具有所述电路图形的金属芯的表面上形成镀柱(plating post)，该镀柱提供层间电连接；在具有镀柱的金属芯的表面上形成树脂层； 选择性地蚀刻金属芯的相反表面，由此提供用于封装的基础基板；以及使 几个基础基板层积并压在一起，由此提供用于封装的多层基础基板。
在此情况下，本发明可进一步包括在形成镀柱之后通过掩模工艺选择 性地蚀刻氧化层。
附图说明
从结合附图进行的以下详述将较为清楚地理解本发明的以上和其它目 的、特点和其它优点，在附图中：
图1a到1k是示出通过常规堆积方法来制造封装基板的过程的视图；
图2a到2k是示出依照本发明第一实施例使用阳极化氧化来制造具有 精细电路图形的封装基板的过程的视图；
图3a到31是示出依照本发明第二实施例使用阳极化氧化来制造具有 精细电路图形的封装基板的过程的视图；
图4a到4k是示出依照本发明第三实施例使用阳极化氧化来制造具有 精细电路图形的封装基板的过程的视图；并且
图5a到5r是示出依照本发明第四实施例使用阳极化氧化来制造具有 精细电路图形的封装基板的过程的视图。

以下将参照附图来详述依照本发明使用阳极氧化来制造具有精细电路 图形的封装基板的方法。
将参照图2a到2k来描述依照本发明第一实施例使用阳极氧化来制造 具有精细电路图形的封装基板的方法。
首先，如图2a中所示，用作无芯封装基板的芯的金属芯100被准备。
在此情况下，金属芯100具有0.2mm到1.0mm的厚度，并且由诸如铝 (Al)、镍(Ni)、镁(Mg)、钛(Ti)、锌(Zn)或钽(Ta)的金属制成。
在金属芯100被提供之后，掩模工艺被实施以在金属芯100上形成开 口区域。在该开口区域中，使用阳极氧化来生长氧化层。
详细说来，待固化的干膜200被成层于金属芯100上，并且具有预定 电路图形的图形膜300被与干膜200对准，如图2b中所示。
随后，紫外线经过图形膜300而照射到干膜200，从而使干膜200被 固化，除了对应于开口区域的部分以外，如图2c中所示。干膜200的非固 化部分被蚀刻，由此形成其中生长了氧化层的开口区域400，如图2d中所 示。
在其中生长了氧化层的开口区域400被形成于金属芯100上之后，通 过阳极化金属芯100，使电路图形的部分彼此绝缘的氧化层500被生长于 开口区域400中。
详细说来，金属芯100被浸泡在诸如硼酸、磷酸、硫酸或铬酸的电解 液中。接下来，阳极被施加给金属芯100，而阴极被施加给电解液，从而 使电绝缘电路图形的氧化层，例如Al2O3被生长经过在金属芯100的表面 上形成的开口区域400，如图2e中所示。在此情况下，氧化层Al2O3是通 过使铝芯氧化而生长的。
考虑到硬阳极化涂层的硬度和特性，氧化层500被生长得具有大约100 微米的厚度是优选的。
接下来，如图2f中所示，除了开口区域400以外覆盖金属芯100的干 膜200被剥离，从而完成氧化层500，其电绝缘在金属芯100上形成的电 路图形的部分。
在此情况下，氧化层500以预定深度穿过金属芯100的部分以具有槽 的形状，由此防止发生脱层。
此外，氧化层亦用作热沉以将在最终封装基板中生成的热耗散到外部。
在氧化层500被形成经过金属芯100的开口区域400之后，导电层被 形成于氧化层500之间，由此提供具有预定形状的精细电路图形。
就是说，在从金属芯100的表面生长的氧化层500之间提供的部分被 电镀了导电金属，如铜，由此形成导电层。由此获得具有预定形状并传送 电信号的精细电路图形，如图2g中所示。
可替换的是，可从通过使用丝网在氧化层500之间填充导电糊并干燥 该导电糊而形成的导电层来获得精细电路图形600，如图2h中所示。
在精细电路图形600被形成于金属芯100的表面上之后，树脂层700 如图2i中所示而被形成。树脂层700覆盖在金属芯100的表面上形成的精 细电路图形600，由此保护精细电路图形不受外部环境的影响。
在此情况下，树脂层700通常由环氧树脂制成，其是通过对环氧基 (epoxy group)的聚合作用而产生的并且是一种热固性树脂。环氧树脂具 有1.230到1.189的比重，并且在机械特性，例如弯曲强度和硬度上是优良 的。此外，即使当环氧树脂被固化时，挥发性物质不被产生并且环氧树脂 不收缩。
同样，在树脂层700被形成以覆盖在金属芯100的表面上形成的精细 电路图形之后，金属芯100的相反表面被选择性地蚀刻。由此实现用于封 装的最终基础基板，如图2j和2k中所示。
在此情况下，图2j是示出具有精细电路图形600的封装基板的断面图， 该电路图形是用诸如铜的导电金属来电镀氧化层500之间的部分而获得 的。图2k是示出具有精细电路图形600的封装基板的断面图，该电路图形 是通过使用丝网在氧化层500之间填充导电糊并干燥该导电糊而形成的导 电层来获得的。
以下将参照图3a到31来描述依照本发明第二实施例使用阳极氧化来 制造具有精细电路图形的封装基板的方法。
首先，如图3a中所示，用作无芯封装基板的芯的金属芯100被准备。 金属芯100由诸如铝(Al)、镍(Ni)、镁(Mg)、钛(Ti)、锌(Zn)或钽 (Ta)的金属制成。
在金属芯100被提供之后，掩模工艺被实施以在金属芯100上形成开 口区域。在该开口区域中，使用阳极氧化来生长氧化层。
详细说来，待固化的干膜200被覆盖于金属芯100上，并且具有预定 电路图形的图形膜300被与干膜200对准，如图3b中所示。
随后，紫外线经过图形膜300而照射到干膜200，从而使干膜200被 固化，除了对应于开口区域的部分以外，如图3c中所示。干膜200的非固 化部分被蚀刻，由此形成其中生长了氧化层的开口区域400，如图3d中所 示。
在其中生长了氧化层的开口区域400被形成于金属芯100上之后，如 图3e中所示，通过阳极化金属芯100，氧化层500被经过开口区域400生 长。接下来，如图3f中所示，除了开口区域400以外的覆盖金属芯100的 干膜200被剥离，从而完成氧化层500，其使电路图形的部分彼此电绝缘。
在此情况下，考虑到硬阳极化涂层的硬度和特性，氧化层500被生长 经过开口区域以具有大约20到100微米的厚度是优选的。
在氧化层500被形成经过金属芯100的开口区域400之后，导电层被 形成于氧化层500之间，由此提供具有预定形状的精细电路图形。
就是说，在从金属芯100的表面生长的氧化层500之间提供的部分被 电镀了导电金属，如铜，由此形成导电层。由此获得具有预定形状并传送 电信号的精细电路图形，如图3g中所示。
可替换的是，可从通过使用丝网在氧化层500之间填充导电糊并干燥 该导电糊而形成的导电层来获得精细电路图形600，如图3h中所示。
在精细电路图形600被形成于金属芯100的表面上之后，氧化层通过 掩模工艺来选择性地蚀刻和去除，如图3i中所示。接下来，树脂层700被 形成以保护在金属芯100的表面上形成的精细电路图形600，如图3j中所 示。
随后，金属芯100的相反表面被选择性地蚀刻。由此实现用于封装的 最终基础基板，如图3k和31中所示。
在此情况下，图3k是示出具有精细电路图形600的封装基板的断面图， 该电路图形是用诸如铜的导电金属来电镀氧化层500之间的部分而获得 的。图31是示出具有精细电路图形600的封装基板的断面图，该电路图形 是通过使用丝网在氧化层500之间填充导电糊并干燥该导电糊而形成的导 电层来获得的。
同时，将参照图4a到4k来描述依照本发明第三实施例使用阳极氧化 来制造具有精细电路图形的封装基板的方法。
首先，如图4a中所示，用作无芯封装基板的芯的金属芯100被准备。 金属芯100由诸如铝(Al)、镍(Ni)、镁(Mg)、钛(Ti)、锌(Zn)或钽 (Ta)的金属制成。
在金属芯100被提供之后，掩模工艺被实施以在金属芯100上形成开 口区域。在该开口区域中，使用阳极氧化来生长氧化层。
详细说来，待固化的干膜200被成层于金属芯100上，并且具有预定 电路图形的图形膜300被与干膜200对准，如图4b中所示。
随后，紫外线经过图形膜300而照射到干膜200，从而使干膜200被 固化，除了对应于开口区域的部分以外，如图4c中所示。干膜200的非固 化部分被蚀刻，由此形成其中生长了氧化层的开口区域400，如图4d中所 示。
在其中生长了氧化层的开口区域400被形成于金属芯100上之后，通 过阳极化金属芯100，氧化层500被生长于开口区域400中，如图4e中所 示。接下来，如图4f中所示，覆盖除了开口区域400以外的金属芯100的 干膜200被剥离，从而完成氧化层500，其使电路图形的部分彼此电绝缘。
在此情况下，考虑到硬阳极化涂层的硬度和特性，氧化层500被生长 经过开口区域以具有大约20到100微米的厚度是优选的。
在氧化层500被形成经过金属芯100的开口区域400之后，树脂层700 被形成以保护在金属芯100的表面上形成的精细电路图形600不受外部环 境的影响，如图4g中所示。
之后，金属芯100的相反表面被选择性地蚀刻和去除，如图4h中所示。
在金属芯100被选择性地蚀刻之后，氧化层500通过掩模工艺来选择 性地蚀刻和去除，如图4i中所示。
之后，导电层被形成于在选择性地蚀刻氧化层500之后剩下的部分中， 从而制造了具有精细电路图形600的封装基板，所述电路图形具有预定形 状。
在此情况下，如图4j中所示，精细电路图形600是通过导电层来实现 的，该导电层是通过用诸如铜的导电金属来电镀在选择性地蚀刻氧化层500 之后剩下的部分而形成的。
可替换的是，可从通过使用丝网在选择性地蚀刻氧化层500之后剩下 的部分中填充导电糊然后干燥该导电糊而形成的导电层来获得精细电路图 形600，如图4k中所示。
在此情况下，图4j是示出具有精细电路图形600的封装基板的断面图， 该电路图形是用诸如铜的导电金属来电镀在选择性地蚀刻氧化层500之后 剩下的部分而获得的。图4k是示出具有精细电路图形600的封装基板的断 面图，该电路图形是通过使用丝网在选择性地蚀刻氧化层500之后剩下的 部分中填充导电糊然后干燥该导电糊而形成的导电层来获得的。
此外，将参照图5a到5r来描述依照本发明第四实施例使用阳极氧化 来制造具有精细电路图形的封装基板的方法。
首先，如图5a中所示，用作无芯封装基板的芯的金属芯100被准备。 金属芯100由诸如铝(Al)、镍(Ni)、镁(Mg)、钛(Ti)、锌(Zn)或钽 (Ta)的金属制成。
在金属芯100被提供之后，掩模工艺被实施以在金属芯100上形成开 口区域。在该开口区域中，使用阳极氧化来生长氧化层。
详细说来，待固化的干膜200被成层于金属芯100上，并且具有预定 电路图形的图形膜300被与干膜200对准，如图5b中所示。
随后，紫外线经过图形膜300而照射到干膜200，从而使干膜200被 固化，除了对应于开口区域的部分以外，如图5c中所示。干膜200的非固 化部分被蚀刻，由此形成其中生长了氧化层的开口区域400，如图5d中所 示。
在其中生长了氧化层的开口区域400被形成于金属芯100上之后，通 过阳极化金属芯100，氧化层500被生长经过开口区域400，如图5e中所 示。接下来，如图5f中所示，覆盖除了开口区域400以外的金属芯100的 干膜200被剥离，从而完成氧化层500，其使电路图形的部分彼此电绝缘。
在此情况下，考虑到硬阳极化涂层的硬度和特性，氧化层500被生长 经过开口区域以具有大约20到100微米的厚度是优选的。
在氧化层500经过金属芯100的开口区域400被形成之后，导电层被 形成于氧化层500之间，由此提供具有预定形状的精细电路图形。
就是说，在从金属芯100的表面生长的氧化层500之间提供的部分被 电镀了导电金属，如铜，由此形成导电层。由此获得具有预定形状并传送 电信号的精细电路图形，如图5g中所示。
可替换的是，可从通过使用丝网在氧化层500之间填充导电糊并干燥 该导电糊而形成的导电层来获得精细电路图形600，如图5h中所示。
在精细电路图形600被形成于金属芯100的表面上之后，在具有精细 电路图形600的金属芯100的表面上形成镀柱。该镀柱提供层间电连接。
为了容易地理解本发明，以下将参照通过电镀来制造具有精细电路图 形的封装基板的过程来描述镀柱。
首先，待固化的干膜200’被覆盖于具有精细电路图形600的金属芯100 的表面上，如图5i中所示。紫外线经过图形膜而照射到干膜200以固化干 膜200’，由此形成其上形成了镀柱的开口区域400’，如图5j中所示。
接下来，开口区域400’被电镀铜，由此形成导电层。干膜200’被剥离， 除了形成镀柱的部分以外。之后，镀柱800被提供在预定位置上以在层之 间传送电信号，如图5k中所示。
在这个情况下，可通过使用丝网在开口区域400’中填充导电糊并干燥 该导电糊来获得镀柱800。
此外，可添加氧化层除去过程，如图51中所示。该过程是通过以下来 进行的：通过掩模工艺选择性地蚀刻使精细电路图形600的部分彼此电绝 缘的氧化层500。
在具有电连接功能的镀柱800被形成之后，树脂层700被提供以覆盖 在金属芯100的表面上形成的精细电路图形600，由此保护精细电路图形 600不受外部环境的影响，如图5m中所示。
接下来，金属芯100的相反表面被选择性地蚀刻，由此制造了没有金 属芯100的用于封装的基础基板，如图5n中所示。许多基础基板被相互叠 加以使提供层间电连接的镀柱800被相互对准。在这样的状态下，基板被 压在一起，由此制造用于封装的多层基础基板，如图5o到5r中所示。
在此情况下，图5o是多层封装基板的断面图，该封装基板是通过层积 具有精细电路图形600的基础基板和通过电镀形成的镀柱800来制造的。 图5p是多层封装基板的断面图，该封装基板是通过层积具有精细电路图形 600的基础基板和通过丝网印刷方法形成的镀柱800来制造的。
此外，图5q是多层封装基板的断面图，该封装基板是通过层积具有精 细电路图形600的基础基板和镀柱800来制造的，所述镀柱是通过电镀通 过选择性地蚀刻氧化层500而去除的部分来形成的。图5r是多层封装基板 的断面图，该封装基板是通过层积具有精细电路图形600的基础基板和镀 柱800来制造的，所述镀柱是通过丝网印刷方法来处理通过选择性地蚀刻 氧化层500而去除的部分来形成的。
如以上所述，本发明提供了一种使用阳极氧化来制造具有精细电路图 形的封装基板的方法，其通过阳极化金属芯的开口区域来形成氧化层，并 且通过电镀在氧化层之间提供的部分或在被提供于氧化层之间的部分中填 充糊来实现精细电路图形，由此使较为精细的电路能被应用于现有设备， 并且防止发生脱层。
此外，本发明提供了一种无芯的封装基板，由此实现封装基板的轻、 薄、紧凑、小规模和多功能性，并且提高系统的集成度，因此实现封装中 的系统。
尽管已为了说明性目的而公开了本发明的优选实施例，本领域的技术 人员将理解，如被公开于所附权利要求中的本发明的精神和范围内的各种 修改、添加和替换是可能的。