具有效率优化的EEFL型荧光灯
专利汇可以提供具有效率优化的EEFL型荧光灯专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种用于显示器或 荧光 屏背景照明的EEFL型 荧光灯 ，其中，设计有 外壳 玻璃和/或位于外壳玻璃内表面的(部分)涂层，该外壳玻璃和/或(部分)涂层提供了低的 电子 逸出功优选在0eV＜Wa＜5eV的范围内，特别优选在0eV＜Wa＜4eV范围内，完全特别优选在0eV＜Wa＜3eV范围内。因此实现了效率的优化以及启动 电压 的降低。，下面是具有效率优化的EEFL型荧光灯专利的具体信息内容。
1.一种用于显示器或荧光屏背景照明的EEFL型荧光灯，包括玻璃外壳，其中(1)所述玻璃外壳具有低的电子逸出功Wa为＜6eV，并且含有至少一种掺杂物，选自：
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内；
和/或
(2)所述玻璃外壳具有内涂层，所述内涂层具有低的电子逸出功Wa为＜6eV其中，所述内涂层包括至少一种掺杂物或者由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、BaO、Bi2O3和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内。
2.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，包括玻璃外壳，其中
(1)所述玻璃外壳具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，并且含有至少一种掺杂物，选自：
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内；
和/或
(2)所述玻璃外壳具有内涂层，所述内涂层具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，其中，所述内涂层包括至少一种掺杂物或者由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、BaO、Bi2O3和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内。
3.根据权利要求2所述的EEFL型荧光灯，包括玻璃外壳，其中
(1)所述玻璃外壳具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，并且含有至少一种掺杂物，选自：
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内；
和/或
(2)所述玻璃外壳具有内涂层，所述内涂层具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，其中，所述内涂层包括至少一种掺杂物或者由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、BaO、Bi2O3和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内。
4.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，在所述玻璃外壳中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥15重量％，和具有的上限为≤80重量％。
5.根据权利要求4所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，在所述玻璃外壳中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥30重量％，和具有的上限为≤70重量％。
6.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，在所述内涂层中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥15重量％，和具有的上限为≤80重量％。
7.根据权利要求6所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，在所述内涂层中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥30重量％，和具有的上限为≤70重量％。
8.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述EEFL型荧光灯具有被优化的效率。
9.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述EEFL型荧光灯具有低启动电压。
10.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述玻璃外壳和/或所述内涂层以这样的量含有一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物，即具有高的二次电子发射率γ＞0.01。
11.根据权利要求10所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述二次电子发射率γ＞
0.1。
12.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述玻璃外壳和/或所述内涂层在价带中具有高的电子态密度。
13.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，为了使内涂层在荧光颜料上成为可能，所述内涂层具有＞4eV的带隙。
14.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述EEFL型荧光灯包括含有氖的混合气体。
15.根据权利要求14所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述混合气体具有在10-99体积％范围内的氖。
16.根据权利要求1所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，所述玻璃外壳的内涂层为部分内涂层。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的EEFL型荧光灯，其特征在于，以0.3nm到10μm的厚度来涂覆所述内涂层。
18.一种EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其中
(1)所述玻璃外壳具有低的电子逸出功Wa为＜6eV，并且含有至少一种掺杂物，选自：
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内；
和/或
(2)所述玻璃外壳具有内涂层，所述内涂层具有低的电子逸出功Wa为＜6eV，其中，所述内涂层包括至少一种掺杂物或者由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、BaO、Bi2O3和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内。
19.根据权利要求18所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其中
(1)所述玻璃外壳具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，并且含有至少一种掺杂物，选自：
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内；
和/或
(2)所述玻璃外壳具有内涂层，所述内涂层具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，其中，所述内涂层包括至少一种掺杂物或者由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、BaO、Bi2O3和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内。
20.根据权利要求19所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其中(1)所述玻璃外壳具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，并且含有至少一种掺杂物，选自：
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内；
和/或
(2)所述玻璃外壳具有内涂层，所述内涂层具有低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，其中，所述内涂层包括至少一种掺杂物或者由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、BaO、Bi2O3和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内。
21.根据权利要求18所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，在所述玻璃外壳中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥15重量％，和具有的上限为≤80重量％。
22.根据权利要求21所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，在所述玻璃外壳中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥30重量％，和具有的上限为≤70重量％。
23.根据权利要求18所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，在所述内涂层中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥15重量％，和具有的上限为≤80重量％。
24.根据权利要求23所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，在所述内涂层中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥30重量％，和具有的上限为≤70重量％。
25.根据权利要求23所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，所述玻璃外壳和/或所述内涂层以这样的量含有一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物，即具有高的二次电子发射率γ＞0.01。
26.根据权利要求25所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，所述二次电子发射率γ＞0.1。
27.根据权利要求18所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，所述玻璃外壳和/或所述内涂层在价带中具有高电子态密度。
28.根据权利要求18所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，为了使内涂层在荧光颜料上成为可能，所述内涂层具有＞4eV的带隙。
29.根据权利要求18所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，所述玻璃外壳的内涂层为部分内涂层。
30.根据权利要求18-29中任一项所述的EEFL-荧光灯-玻璃外壳，其特征在于，以
0.3nm到10μm的厚度来涂覆所述内涂层。
31.一种通过喷涂、浸入、喷洒或煅烧含有至少一种掺杂物或由至少一种掺杂物组成的内涂层材料制造根据前述权利要求18到30中任一项所述的EEFL型荧光灯玻璃外壳的处于内表面的内涂层的方法。
32.根据权利要求31所述的制造方法，其特征在于，所述内涂层是通过浸入带有粉末的浆液来完成，所述粉末含有一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物或由一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物组成。
33.根据权利要求31所述的制造方法，其特征在于，用带有粉末的浆液喷射所述玻璃外壳的所述内表面，所述粉末含有一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物或由一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物组成。
34.一种根据前述权利要求1到17中任一项所述的EEFL型荧光灯在所有类型显示器的背景照明或背光系统中的应用。
35.根据权利要求34所述的应用，用于主动或被动显示器。
36.根据权利要求34或35所述的应用，用于计算机显示器、TFT-装置、LCD-显示器、等离子-显示器、扫描仪、广告屏、医疗仪器、航空航天设备、导航技术设备、电话屏幕，以及PDA。
37.一种用于多种应用的玻璃外壳的应用，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为＜6eV，
其中所述玻璃外壳含有至少一种掺杂物，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内。
38.根据权利要求37所述的应用，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，其中所述玻璃外壳含有至少一种掺杂物，选自-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内。
39.根据权利要求38所述的应用，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，其中所述玻璃外壳含有至少一种掺杂物，选自-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内。
40.根据权利要求37所述的应用，其特征在于，在玻璃外壳中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的所述存在量的总和具有的下限为≥15重量％，和具有的上限为≤80重量％。
41.根据权利要求40所述的应用，其特征在于，在所述玻璃外壳中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥30重量％，和具有的上限为≤70重量％。
42.根据权利要求37到41中任一项所述的应用，其特征在于，所述玻璃外壳以这样的量含有一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物，即具有高的二次电子发射率γ＞0.01。
43.根据权利要求37到41中任一项所述的应用，其特征在于，所述玻璃外壳在价带中具有高电子态密度。
44.一种用于多种应用的具有内涂层的玻璃外壳的应用，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为＜6eV，其中所述内涂层含有至少一种掺杂物或由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内。
45.根据权利要求44所述的应用，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，
其中所述内涂层含有至少一种掺杂物或由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内。
46.根据权利要求45所述的应用，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，其中所述内涂层含有至少一种掺杂物或由至少一种掺杂物组成，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内。
47.根据权利要求44所述的应用，其特征在于，在所述内涂层中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的所述存在量的总和具有的下限为≥15重量％，和具有的上限为≤80重量％。
48.根据权利要求47所述的应用，其特征在于，在所述内涂层中选自所述组(a)和组(b)的所述掺杂物的存在量的总和具有的下限为≥30重量％，和具有的上限为≤70重量％。
49.根据权利要求44到48中任一项所述的应用，其特征在于，所述内涂层以这样的量含有一种或多种选自所述组(a)和/或组(b)的掺杂物，即具有高的二次电子发射率γ＞
0.01。
50.根据权利要求49所述的应用，其特征在于，所述二次电子发射率γ＞0.05。
51.根据权利要求50所述的应用，其特征在于，所述二次电子发射率γ＞0.1。
52.根据权利要求44到48中任一项所述的应用，其特征在于，所述内涂层在价带中具有高电子态密度。
53.根据权利要求44到48中任一项所述的应用，其特征在于，为了使内涂层在荧光颜料上成为可能，所述内涂层具有＞4eV的带隙。
54.根据权利要求44到48中任一项所述的应用，其特征在于，以从0.3nm到10μm的厚度来涂覆所述内涂层。
55.一种用于多种应用的玻璃外壳，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为＜6eV，其中所述玻璃外壳通过向用于制造玻璃外壳的原料中添加至少一种掺杂物并且制造玻璃外壳来制造，所述掺杂物选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内。
56.根据权利要求55所述的玻璃外壳，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，其中所述玻璃外壳含有至少一种掺杂物，选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内。
57.根据权利要求56所述的玻璃外壳，所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子选出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，其中所述玻璃外壳含有至少一种掺杂物，选自-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内。
58.一种用于多种应用的玻璃外壳的内涂层，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为＜6eV，其中所述内涂层通过向用于制造内涂层的原材料添加至少一种掺杂物并且涂覆玻璃外壳来制造，所述掺杂物选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在3-70重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在3-80重量％范围内。
59.根据权利要求58所述的内涂层，在所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜5eV，其中所述内涂层通过向用于制造内涂层的原材料添加至少一种掺杂物并且涂覆玻璃外壳来制造，所述掺杂物选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在5-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在5-75重量％范围内。
60.根据权利要求59所述的内涂层，所述多种应用中低的逸出功Wa是必须的，其中所述低的电子逸出功Wa为0eV＜Wa＜3eV，其中所述内涂层通过向用于制造内涂层的原材料添加至少一种掺杂物并且涂覆玻璃外壳来制造，所述掺杂物选自
-组(a)，由BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2、AlN、Al2O3和/或Mg1-x-ySrxCayO组成，含量在10-60重量％范围内；和/或
-组(b)，由La2O3、Bi2O3、BaO和/或PbO组成，含量在10-65重量％范围内。
61.根据权利要求58-60中任一项所述的内涂层，其特征在于，所述内涂层为部分内涂层。
具有效率优化的EEFL型荧光灯
技术领域
背景技术
发明内容
在这里涉及到例如BaO、CaO、MgO、SrO、MgF2或Mg1-x-ySrxCayO。这些可以单独或者以两种、三种、四种或更多种的组合物来使用。
具体实施方式
130的离子140在阴极的表面被中和时，由于外壳玻璃110的掺杂和/或内涂层的掺杂，发射二次电子150的可能性明显增大。因此，实现了将荧光灯的效率设置得尽可能大。此外，与现有技术中已知的EEFL型荧光灯相比，产生了EEFL型荧光灯的明显低的启动电压。
例附加一真空，在其上电子波函数衰减。产生 (＝10 m)的厚度是足够了。作为下一步，周期边界条件被应用于导致沿特定方向的一对表面的堆叠。在这之后，不得不执行原子位置的结构驰豫。最后，功函数可以作为真空电子能量和接近表面的费米能之差而计算得出。该方法及其问题也在[S.Picozzi，R.Asahi，C.B.Geller，A.J.Freeman，Phys.Rev.Lett.89，197601，2002]中进行了描述。在表1中示出了BaO和MgO的结果。该结果很好的符合了[J.Y.Lim，J.S.Oh，B.D.Ko，J.W.Cho，S.O.Kang，G.Cho，H.S.Uhm，E.H.Choi，J.Appl.Phys.94，1，2003]的实验，并且解释了BaO和MgO的大的二次电子发射率[E.H.Choi，J.Y.Lim，Y.G.Kim，J.J.Ko，D.I.Kim，C.W.Lee，G.Cho，J.Appl.Phys.86，6525，1999]。然而，该实验非常难以进行。原因在于，在绝缘体上表面电荷增大，并且只可以从具有在放电等离子体中的不同轰击离子的大量实验程序来渐近地估计功函数。然而，在[J.Y.Lim，J.S.Oh，B.D.Ko，J.W.Cho，S.O.Kang，G.Cho，H.S.Uhm，E.H.Choi，J.Appl.Phys.94，1，2003]中测定了MgO单晶的实验值，其在(111)-方向为4.22eV，在(100)-方向为4.94eV以及在(110)-方向为5.07eV，很好的符合了表1的计算值。因此，这也可接受，即BaO的计算值是合理的。
材料 曲面法线 功函数/eV 测量结果参考 /eV
BaO (111) 4.05
BaO (100) 4.31
BaO (110) 6.38
MgO (111) 6.82 4.22
MgO (100) 4.54 5.07
MgO (110) 5.23 4.94
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