专利汇可以提供一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种MEMS压 力 敏感芯片。其能有效提高芯片的 稳定性 ,其误差小、 精度 高。其包括 硅 片 、基底、敏感 电阻 排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件,其特征在于:所述基底具体为衬底 硅片 ,所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽,所述衬底硅片的上表面为 二 氧 化硅 (SiO2)的氧化层,所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。,下面是一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种MEMS压力敏感芯片,其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件,其特征在于:所述基底具体为衬底硅片,所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽,所述衬底硅片的上表面为二氧化硅(SiO2)的氧化层,所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面;所述硅片的正面排布有敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件;所述MEMS压力敏感芯片为MEMS相对压力敏感芯片,所述相对压力敏感芯片其通气孔贯穿所述衬底硅片;所述通气孔位于所述浅槽的中心位置;所述敏感电阻排布+
区内包括压敏电阻、P 连接、金属引线。
+
2.MEMS压力敏感芯片的制作方法,其包括硅片、敏感电阻、P 连接和金属引线,其特征在于:在衬底硅片双面光刻腐蚀出浅槽后,将硅片的底面和衬底硅片上表面键合在一起,通过对硅片进行减薄、抛光后得到由理论分析确定的薄膜,之后通过离子注入工艺形成敏感+
电阻、P 连接,进而完成所述硅片的正面的金属引线、电气连接;
MEMS压力敏感芯片为MEMS绝对压力敏感芯片,其具体工艺步骤如下:
(1)根据压力传感器量程及芯片尺寸的要求进行理论分析,在硅片上确定压力敏感膜的尺寸及压力敏感膜上最大的线性应力区,布置敏感电阻排布区,制作光刻版;
(2)在衬底硅片双面生长二氧化硅(SiO2)的氧化层;
(3)利用双面光刻在衬底硅片双面腐蚀出浅槽,浅槽深度为5μm ~10μm,其中一面的浅槽作为压力传感器背腔,另一面的浅槽作为后续光刻工艺对准的标记;
(4)在衬底硅片上表面生长二氧化硅(SiO2)的氧化层,将硅片的底面和衬底硅片上表面键合在一起;
(5)对硅片进行减薄、抛光后得到由理论分析确定的薄膜厚度;
(6)在硅片的正面生长二氧化硅(SiO2)的氧化层,采用离子注入工艺分别在敏感电阻+
排布区注入形成敏感电阻、P 连接;
(7)采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺在硅片的正面淀积氮化硅层,在硅片的正面光刻引线孔;
(8)淀积金属并反刻,然后进行合金化,生成金属引线,进而完成芯片的电气连接;
MEMS压力敏感芯片为MEMS相对压力敏感芯片,其具体工艺步骤如下:
(1)根据压力传感器量程及芯片尺寸的要求进行理论分析,在硅片上确定压力敏感膜的尺寸及压力敏感膜上最大的线性应力区,布置敏感电阻排布区,制作光刻版;
(2)在衬底硅片双面生长二氧化硅(SiO2)的氧化层;
(3)利用双面光刻在衬底硅片双面腐蚀出浅槽,浅槽深度为5~10μm,其中一面的浅槽作为压力传感器背腔,另一面的浅槽作为后续光刻工艺对准的标记;
(4)利用各向异性腐蚀在衬底硅片上表面腐蚀出通气孔的上半部分;
(5)在衬底硅片上表面生长二氧化硅(SiO2)的氧化层,将硅片的底面和衬底硅片上表面键合在一起;
(6)对硅片进行减薄、抛光后得到由理论分析确定的薄膜厚度;
(7)在衬底硅片的下表面、硅片的正面生长二氧化硅(SiO2)的氧化层,采用离子注入工+
艺分别在敏感电阻排布区注入形成敏感电阻、P 连接;
(8)采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺在衬底硅片的下表面和硅片的正面淀积氮化硅层,在硅片的正面光刻引线孔;
(9)淀积金属并反刻,然后进行合金化,生成金属引线,进而完成芯片的电气连接;
(10)对硅片的正面保护,衬底硅片的下表面进行通气孔下半部分的腐蚀,最后利用干法刻蚀将衬底硅片的下表面的氮化硅层、二氧化硅(SiO2)的氧化层去除。
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