无缺陷选择性外延的生长方法
专利汇可以提供无缺陷选择性外延的生长方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种无 缺陷 选择性 外延 的生长方法，包括：1)在 外延生长 前，对 硅 片 进行预处理，形成厌 氧 表面；2)在厌氧表面，淀积介质层后，经 光刻 、干法 刻蚀 后，形成晶向 沟道 侧壁 和外延生长窗口；并采用炉管热氧化工艺，消耗表面硅损伤层，并通过湿法刻蚀，消除炉管生长在外延生长窗口表面的介质层；3) 硅片 进入外延腔体进行 烘烤 ；4)利用含Si淀积源和含卤族元素 腐蚀 源的反应系统，进行选择性外延淀积，使外延生长。本发明通过对外延淀积晶向调整，并优化淀积 温度 及其他生长条件，生长出无缺陷表面平整的选择性外延，为平面光 波导 功率分路器工艺实现打下坚实 基础 ，并且该选择性外延工艺，也可应用于其他产品。，下面是无缺陷选择性外延的生长方法专利的具体信息内容。
1.一种无缺陷选择性外延的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在外延生长前，对硅片进行预处理，形成厌氧表面；
(2)在厌氧表面，淀积介质层后，经光刻、干法刻蚀后，形成晶向沟道侧壁和外延生长窗口；并采用在900～1200℃的炉管热氧化工艺15～60min，消耗表面硅损伤层，并通过湿法刻蚀，消除炉管生长在外延生长窗口表面的介质层；
所述介质层，包括：SiO2，其厚度为0.1～4μm；
对所述沟道侧壁的晶向调整用以消除后续选择性外延淀积时在沟道底部和侧壁形成缺陷；
(3)硅片进入外延腔体进行烘烤；所述烘烤中，其烘烤气氛，包括：氢气；烘烤温度为
650～1200℃，烘烤时间为30～3000s；
(4)利用含Si淀积源和含卤族元素腐蚀源的反应系统，进行选择性外延淀积，使外延生长；所述含Si淀积源，包括：SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2或SiH4；含卤族元素腐蚀源，包括：HCL腐蚀气体；所述淀积的温度为450～1250℃；外延生长的压力为20～760Torr、外延生长膜厚为0.1～10μm。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，采用RCA标准清洗方法，通过增加HF-Last清洗步骤，将硅表面悬挂键替换成不稳定H-Si键，阻止表面硅氧化。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，淀积方法，包括：炉管工艺方法、LPCVD或PECVD。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，晶向沟道侧壁，为晶向平行或垂直沟道侧壁。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述烘烤气氛为氢气，其流量为5～40slm。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含卤族元素腐蚀源为HCL腐蚀气体，其流量为0.01～5slm。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，外延生长为N型或P型，其掺杂浓度根据器件要求进行调节。
无缺陷选择性外延的生长方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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