一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法
阅读：701发布：2022-03-20
专利汇可以提供一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且多 波长 分布反馈式 半导体 激光器 ，双波长半导体激光器器件，从下至上依次是： 电极 、n型InP衬底材料、 外延 n型InP 缓冲层 、非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层、应变InGaAsP多 量子阱 有源层1、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层；取样光栅1；取样光栅1上部的结构依次是，p型重掺杂的InP层和n型重掺杂的InP层形成反向隧道结层，重复非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱有源层2、重掺杂的品格匹配InGaAsP上限制层2、λ/4取样光栅2、第三次 外延生长 p型InP层和p型InGaAs的欧姆 接触 层和p电极；利用这种双波长激光器产生激光的 拍频 信号 ，可制作波长可调的 微波 信号源。，下面是一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法专利的具体信息内容。
1.多波长分布反馈式半导体激光器，基于两层以上的DFB半导体激光器材料组成的双波长或多波长激光器，其特征是结构是在每层半导体激光器有源层顶部限制层上方，被刻入一个光栅结构为真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，这里的光栅周期和取样周期使每个半导体有源层结构能激射独特波长的单纵模激光；
双波长半导体激光器器件，从下至上依次是：n电极、n型InP衬底材料、外延n型InP缓冲层、非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层、应变InGaAsP多量子阱有源层1、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层；取样光栅1；取样光栅1上部的结构依次是，p型重掺杂的InP层和n型重掺杂的InP层形成反向隧道结层，重复非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱有源层2、重掺杂的品格匹配InGaAsP上限制层2、取样光栅2、第三次外延生长p型InP层和p型InGaAs的欧姆接触层和p电极；
每层半导体激光器材料中被引入了真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，其每个激射波长由公式(1)和(9)决定：
真实相移光栅的布拉格波长为
λ＝2neffΛ0 (1)
这里，Λ0为DFB光栅的周期，neff是材料的有效折射率。
一个取样光栅看成是许多影子光栅的叠加，一个影子光栅对应一个信道；当有半个取样周期被插入到沿取样光栅的任意位置时，就会在其+1或-1级信道中引入一个等效λ/4相移；第m级影子光栅的周期表示为
因此在第m级影子光栅中，布拉格波长可表示为
P是取样周期。
2.根据权利要求1所述的多波长分布反馈式半导体激光器，其特征是三波长半导体激光器器件的结构：在上述取样光栅2之上，进行第三次外延生长p型重掺杂InP层、n型重掺杂InP层形成第二个反向隧道结层、之上是非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层3、应变InGaAsP多量子阱有源层3、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层3、取样光栅3，第四次外延生长p型InP层欧姆接触层和电极；更多波长半导体激光器器件的结构由上述结构类推得到。
3.多波长分布反馈式半导体激光器的制备方法，其特征是通过多次外延生长的方式，将两层或多层DFB半导体激光器材料生长叠加到同一块基底材料上；半导体激光器的有源层之间通过中间层(如反向隧道结层)叠加在一起；每层半导体激光器有源层顶部上限制层上方，被刻入一个光栅结构为真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，以保证每个半导体激光器有源层结构在设定波长下单模工作；与此同时，为使所得到的多波长半导体激光器具有特殊的性能，这些有源层结构也可以是其他任意大小的真实相移或等效相移光栅结构。
4.根据权利要求3所述的多波长分布反馈式半导体激光器的制备方法，其特征是所述的多层DFB半导体激光器材料组成的多波长激光器，每层半导体激光器材料中被引入了真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，其每个激射波长由公式(1)和(9)决定。
真实相移光栅的布拉格波长为
λ＝2neffΛ0 (1)
这里，Λ0为DFB光栅的周期，neff是材料的有效折射率。
一个取样光栅看成是许多影子光栅的叠加，一个影子光栅对应一个信道；当有半个取样周期被插入到沿取样光栅的任意位置时，就会在其+1或-1级信道中引入一个等效λ/4相移；第m级影子光栅的周期表示为
因此在第m级影子光栅中，布拉格波长可表示为
P是取样周期；
每层半导体激光器材料中被引入了真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，这种λ/4相移保证了这样的一个半导体激光器在其布拉格波长处单模激射。
5.根据权利要求3所述的双波长分布反馈式半导体激光器的制备方法，其特征是激射波长会因工作环境的温度变化而发生变化，随着温度的升高激射波长会变大，激射频率则变小；相应地两个激射波长的频率差(拍频)，随温度的升高会单调递增或单调递减；所述双波长激光器产生激光的拍频来制成的微波信号源，通过控制双波长激光器的工作温度，改变双波长激光器发出激光的波长(频率)来调节所获得微波信号的波长(频率)。
6.根据权利要求3所述的双波长分布反馈式半导体激光器的制备方法，其特征是所述双波长激光器产生激光的拍频来制成的温度传感器和由这种传感器通过光纤网络组成的网络传感器，通过探测产生的两种激光的拍频波长(频率)，来感知环境的温度。
7.根据权利要求3所述的多波长分布反馈式半导体激光器的制备方法，其特征是基于多层(两层以上)DFB半导体激光器材料组成的多波长激光器，其结构特征是多个光栅结构为真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，能独立发光的半导体激光器有源层结构通过中间层(如反向隧道结层)叠加组成；
由两个光栅结构为任意数值的真实相移光栅或等效相移取样光栅，能独立发光的半导体激光器有源层结构通过中间层(如反向隧道结层)叠加组成；
由多个光栅结构为任意数值的真实相移光栅或等效相移取样光栅，能独立发光的半导体激光器有源层结构通过中间层(如反向隧道结层)叠加组成。
8.根据权利要求3所述的多波长分布反馈式半导体激光器的制备方法，其特征是把多个能产生独特波长单纵模激光的DFB半导体有源层结构，在同一块半导体材料的基底上，通过多次光刻和外延生长叠加在一起，组成能同时激射两种或两种以上不同波长单纵模激光的激光器；双波长半导体激光器器件，可通过MOCVD技术进行三次外延生长来完成制作。
其细节描述如下：首先在n型InP衬底材料上一次外延n型InP缓冲层(厚度200nm、掺杂
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浓度约1.1×10 cm )、100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层1、应变InGaAsP多量子阱1(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材
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料)和100nm厚的p型品格匹配InGaAsP(掺杂浓度约1.1×10 cm )上限制层1；接下来是完成光栅1的制作，用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层1上部形成所需要的真实相移光栅结构，或通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层1上部形成所需激光器的取样光栅结构；当光栅
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1制作好后，再通过第二次外延生长p型InP层(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )和n
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型InP层(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )形成反向隧道结层，100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱2(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材料)和100nm厚的p型品格匹配InGaAsP(掺杂
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浓度约1.1×10 cm )上限制层2。再接着完成光栅2的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层2上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层2上部形成所需激光器的取样光栅结构；当光栅2制作好后，再通过第三次外延生长p型
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InP层(厚度1700nm，掺杂浓度约1.1×10 cm )和p型InGaAs(厚度100nm，掺杂浓度大于
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1×10 cm )欧姆接触层。在外延生长结束后，利用普通光刻结合化学湿法刻蚀，完成脊形波导的制作，脊波导长度一般为数百微米量级，脊宽3微米，脊侧沟宽20微米，深1.5微米。
然后再用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，在脊形波导周围沉积一层300nm厚的SiO2层或有机物BCB绝缘层。再接着利用光刻和化学湿法刻蚀，去除激光器脊形波导上方的SiO2层或有机物BCB绝缘层，露出其InGaAs欧姆接触层；再用磁控溅射的方法，在整个激光器结构的上方分别镀上100nm厚的Ti和
400nm厚的Au，结合光刻工艺和化学湿法刻蚀，在脊条上方露出InGaAs的欧姆接触层上形成Ti-Au金属P电极。此外，在把整个激光器晶片减薄到150μm后，在基底材料的下方蒸镀上500nm厚的Au-Ge-Ni(Au∶Ge∶Ni成分比例为84∶14∶2)合金作为n电极。最后在激光器两侧的出光面上分别镀上反射率为90％的高反膜和反射率为1％的增透膜。
一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法
技术领域
[0001] 本发明属于光电子技术领域，涉及光电材料，光子集成，光电传感以及其他光电信息处理。是一种由多层分布反馈式(Distributed feedback，DFB)半导体激光器材料组成多波长激光器的装置及制作方法。
背景技术
[0002] 双波长乃至多波长激光器，在光纤通信波分复用技术、激光雷达、光频谱学、微波光子技术、气体侦测和其他传感技术等方面有着十分广泛的应用。近几年物联网技术的发展，对传感信号的采集，提出了经光纤网络，甚至是经因特网传输的要求。半导体激光器结构紧凑，体积很小；而且通信波段的半导体激光器，其激光信号在光纤网络中几乎能无损耗地传输，利用这一类激光器制成的传感器，其传感信号能经光纤网络远距离传输而不失真。这些特点，对于传感网络的成网和远距离传感信号的采集处理，都是十分有利的。更为有利的是，双波长半导体激光器信号的频率(或波长)，能为外界物理量的变化(如温度、应力或应变等)所调制。对两种波长激光拍频信号的测量，能用来制作成测量某种物理量变化(如温度、应力或应变等)的传感器。特别是如果两种激光的频率(或波长)相差不太大时，这种拍频信号能用电频谱仪(GHz或10GHz量级)进行测量。所以其传感信号的分析处理将是十分方便的，且处理成本较低。反过来可通过控制外界物理量的变化(如温度、应力或应变等)，来改变两个激光信号的频率(或波长)，从而来获取需要的拍频信号，这可用来产生需要的微波信号(包括太赫兹波)。
[0003] 制造双波长半导体激光器的方法有很多，如用两个不同波长的分布反射式(Distributed Bragg reflection，DBR)或两个DFB激光器并联或串联在一起组成的双波长激光器，用Y波导联接两个波长不同的DBR或DFB激光器组成的双波长激光器，外腔二极管(External Cavity Diode，ECD)双波长激光器，两个有源层叠加在一起的垂直腔面发射(Vertical Cavity Surface Emitting，VCSE)双波长激光器，两个激光器有源层相互倒置共用一个电极的双波长激光器，量子级联双波长激光器和两个有源层叠加中间用反向隧道结进行隔离的双波长激光器等多种双波长半导体激光器。
[0004] 然而，这些上述的双波长半导体激光器存在着各自的缺点，例如DBR激光器本身结构比较复杂，且存在容易跳模等缺点，而两个DBR或DFB激光器串联时，两个激光器间存在着强烈的串扰，因此两种激射波长间的功率不容易进行平衡控制；而且两个DBR或DFB激光器并联组成双波长激光器时，由于它们之间的间距相对比较远，因而它们所感受的外界物理量变化可能不一致，而且两个波长耦合到同一根光纤中要用特别的装置(如Y型波导等)，这除了带来额外的损耗外还造成其结构复杂化。ECD双波长半导体激光器则由于结构复杂，制造工艺要求很高因而成本昂贵，且体积相对比较庞大。两个有源层叠加在一起的VCSE双波长半导体和两个激光器有源层相互倒置共用一个电极的双波长激光器，结构也十分复杂，制造工艺要求也很高。与前述的双波长激光器相比，量子级联双波长激光器和两个有源层叠加中间用反向隧道结进行电隔离的双波长激光器结构相对比较简单，但激光器产生激光的波长精确控制十分复杂，因而难以实际应用。
[0005] DFB半导体激光器因其良好的单模特性而受到青睐。早期的DFB半导体激光器，其折射率是被周期性地均匀调制的。这种激光器在布拉格波长两侧，对称地存在两个谐振腔损耗相同并且最低的模式，称之为两种模式简并。但如果在光栅的中心引入一个四分之一波长(λ/4)相移区，就可以消除双模简并。这种方法的最大优点在于其模式阈值增益差大，可以实现真正的动态单模工作，这是实现激光器单模工作的有效方法，在光通信系统中应用广泛。当然，λ/4相移的DFB半导体激光器本身也存在着一些缺陷。例如，在注入电流较大时，单模特性会因烧孔效应而被破坏，因而要使其保持单模特性，工作电流必须被限制在阈值附近。此外，如果激光器端面的增透膜有损坏，单模特性也会受到影响。此外，λ/4相移的DFB半导体激光器制造工艺也十分复杂，需要纳米精度的控制。这些因素综合起来，不仅导致现有市场上的激光器成本过高，还使其工作可靠性和稳定性受到了影响。为了得到单模特性更好的DFB激光器，研发人员提出了各种特殊结构，如啁啾结构，周期调制结构(CPM)，多相移结构(MPS)，λ/8相移结构等。虽然这些结构都有效地改善了激光器的性能，但是由于光栅结构更复杂，使得它们的制造成本更高，例如使用电子束曝光技术(E-Beam lithography)，高昂的制造成本限制了这些激光器的大规模应用。
[0006] 文献[12]和专利“基于重构-等效啁啾技术制备半导体激光器的方法及装置”(CN200610038728.9，国际PCT专利，申请号PCT/CN2007/000601)在该问题的解决上走出了关键的一步。文中提出，利用一种光纤布拉格光栅的设计技术——重构-等效啁啾(Reconstruction equivalent chirp，REC)技术来设计DFB半导体激光器。REC技术最早被应用于光纤光栅的设计，可追溯到2002年冯佳、陈向飞等人在中国发明专利“用于补偿色散和偏振模色散的具有新取样结构的布拉格光栅”(CN02103383.8，授权公告号：CN1201513)中提出的通过引入取样布拉格光栅的取样周期啁啾(CSP)来获得所需要的等效光栅周期啁啾(CGP)的方法。提出等效啁啾最早的文献可参考Xiangfei Chen et.al，“Analytical expression of sampled Bragg gratings with chirp in the sampling period and its application in dispersion management design in a WDM system”(带有取样周期啁啾的取样布拉格光栅的分析表达式和它在波分复用系统色散管理中的应用)，IEEE Photonics Technologv Letters，12，pp.1013-1015，2000。该技术的最大的优点是，种子光栅的周期和折射率调制不变，改变的仅仅是取样结构。通过改变取样结构，任意大小的相移啁啾，能够等效地引入到周期结构对应的子光栅(某一个信道)中，得到我们所需要的任意目标反射谱[13、14]。由于取样周期一般有几个微米，所以该方法利用亚微米精度实现了纳米精度的制造。更重要的是，该技术可以与当前的电子集成(IC)印刷技术相兼容。文献[15]给出了基于该技术的λ/4等效相移DFB半导体激光器的实验验证。由于这种技术设计的激光器改变的仅仅是取样结构，所以利用全息曝光技术和振幅掩膜版就能实现低成本的规模化生产。李静思，贾凌慧，陈向飞在中国发明专利“单片集成半导体激光器阵列的制造方法及装置”(申请号：200810156592.0)中，指出了依据该技术可以在同一个晶片上，通过改变取样周期而改变不同激光器的激射波长。
[0007] 在利用REC技术设计制造DFB半导体激光器时，通常是利用取样光栅技术来设计制作的。对于基于REC技术的DFB半导体激光器，由于是一种取样的技术，根据傅立叶变换，取样结构可以看成不同周期的子光栅的叠加。不同周期的子光栅对应了不同的信道，我们在设计时常常使用的是+1级或-1级信道(与零级信道布拉格中心波长左右对称的两个反射峰)，而不希望在0级信道发生激射。一般情况下，将+1级或-1级信道设计在半导体材料的增益区，而使0级远离增益区。这样做的原因是为了使所需要的+1级或-1级信道发生激射，而使不需要的0级信道不发生激射。但由于在占空比为γ的取样光栅中，+1级或-1级信道中的折射率调制强度是0级信道的 而且增益区以外的地方不是没有增益，而是增益小一点而已。与此同时，各种偶然因素都可能使得0级信道的增益有所增大。这些原因使得在实际制作取样光栅DFB半导体激光器时，0级信道可能先于所需要的+1级或-1级信道发生激射，或者是同时发生激射，这就破坏了激光器的单模特性，因而降低了获得的DFB半导体激光器的成品率。周亚亭发、施跃春、李思敏等人在中国发明专利“基于特殊等效相移的DFB半导体激光器”(申请号：201010280999.1)中，提出了一种特殊的等效相移，在DFB半导体激光器所需要的+1级或-1级信道中，利用这种特殊的等效相移方法引入λ/4相移。这种等效λ/4相移能使得0级信道与所需要的+1级或-1级信道，即使在的增益相同的情况下，也能够得到相当大的抑制。结合将+1级或-1级信道设计在半导体材料的增益区，而使0级远离增益区，这就能使得基于重构-等效啁啾技术设计的激光器的单模特性，得到进一步的提高。
[0008] 现有技术文献引用如下：
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[0027] 本发明的目的在于，为获得多波长半导体激光器，提出了一种特殊结构的设计方法及装置，即多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法，把多层的带有分布反馈式(DFB)光栅结构，对应能独立激射不同波长激光的半导体激光器材料层通过多次外延生长工艺，依次生长在同一个基底材料上，由此来获得能同时激射多个波长激光的半导体激光器，为多波长DFB半导体激光器的设计制造，提出一种新的结构和工艺。
[0028] 本发明的技术方案：一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法，基于多层真实相移或等效相移DFB光栅结构半导体激光器材料的多波长半导体激光器的制备方法及装置。
[0029] 多波长分布反馈式半导体激光器：基于两层以上的DFB半导体激光器材料组成的多波长激光器，其结构是在每层半导体激光器有源层顶部上限制层上方，被刻入一个光栅结构为真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，这里的光栅周期和取样周期是经过特别设计的，这就保证了每个半导体有源层结构能激射独特波长的单纵模激光。
[0030] 通过多次外延生长的方式，这个半导体激光器的各个有源层之间通过中间层(如反向隧道结层)叠加生长到同一块基底材料上。每层半导体激光器有源层顶部上限制层上方，被刻入一个光栅结构为真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，以保证每个半导体激光器有源层结构在设定波长下单模工作。与此同时，为使所得到的多波长半导体激光器具有特殊的性能，这些有源层结构也可以是其他任意大小的真实相移或等效相移光栅结构。
[0031] 根据对激射波长数的需要，可以通过控制所需外延生长叠加的有源层结构的层数，来获取能激射两个或更多波长激光的半导体激光器。用本发明制作的多波长半导体激光器，其拥有的多个有源层之间由于结构紧凑，多个波长的激光耦合出光十分方便；且组成有源层结构的材料受外界影响(如温度、应力或应变等)时，其激射的波长(频率)会发生同步的变化，可通过测定激射的波长(频率)的变化或相对变化(拍频)来感知外界影响。
[0032] 根据本发明制作的多波长半导体激光器，其每个激射波长由公式(1)和(9)决定。
[0033] 基于两层DFB半导体激光器材料组成的双波长激光器，激射波长会因工作环境的温度变化而发生变化，随着温度的升高激射波长会变大，激射频率则变小。相应地两个激射波长的频率差(拍频)，随温度的升高会单调递增或单调递减。
[0034] 用所述双波长激光器产生激光的拍频来制成的微波信号源，可通过控制双波长激光器的工作温度以改变双波长激光器发出激光的波长(频率)，来调节所获得微波信号的波长(频率)。
[0035] 用所述双波长激光器产生激光的拍频来制成的温度传感器和由这种传感器通过光纤网络组成的网络传感器，通过探测产生的两种激光的拍频波长(频率)，来感知环境的温度。
[0036] 基于多层(两层以上)DFB半导体激光器材料组成的多波长激光器，其结构特征是多个光栅结构为真实λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅，能独立发光的半导体激光器有源层结构通过中间层(如反向隧道结层)叠加组成。
[0037] 基于两层DFB半导体激光器材料组成的双波长激光器，由两个光栅结构为任意数值的真实相移光栅或等效相移取样光栅，能独立发光的半导体激光器有源层结构通过中间层(如反向隧道结层)叠加组成。
[0038] 基于多层(两层以上)DFB半导体激光器材料组成的多波长激光器，由多个光栅结构为任意数值的真实相移光栅或等效相移取样光栅，能独立发光的半导体激光器有源层结构通过中间层(如反向隧道结层)叠加组成。
[0039] 由所述双(或多)波长激光器产生激光的拍频来制成的温度传感器和由这种传感器通过光纤网络组成的网络传感器，通过探测激光器产生激光拍频的波长(频率)，来感知环境的温度。
[0040] 本发明提出一种全新的多波长半导体激光器制造方法，把多个能产生独特波长单纵模激光的DFB半导体有源层结构，在同一块半导体材料的基底上，通过多次光刻和外延生长叠加在一起，组成能同时激射两种或两种以上不同波长单纵模激光的激光器。
[0041] 每个能激射特定波长的单纵模激光的半导体有源层结构，在其有源层顶部上限制层的上方，被刻入一个有λ/4相移的布拉格光栅或等效λ/4相移的取样布拉格光栅(Sampling Bragg grating，SBG)，这里的光栅周期和取样周期设计，取样光栅结构对0级信道的激射具有抑制作用，提高等效相移DFB半导体激光器的单模特性的取样光栅结构。这就保证了每个半导体有源层结构能激射独特波长的单纵模激光。
[0042] 根据不同的加工工艺和要求，可以通过控制所需外延生长叠加的有源层结构层数，来获取两个或多个波长的半导体激光器。用这种方法制作的多波长半导体激光器，其拥有的多个有源层之间由于结构紧凑，多个波长的激光耦合出光十分方便；且组成有源层结构的材料受外界影响(如温度、应力或应变等)时，其激射的波长(频率)会发生同步的变化，这非常有利于通过测定激射的波长(频率)的变化或相对变化(拍频)来感知外界影响的大小。
[0043] (1)光栅掩膜板的制作：掩膜板采用加工精度为纳米量级的电子束曝光技术或普通微电子工艺来进行加工制作的掩模板。
[0044] (2)双波长半导体激光器器件，从下至上依次是：n电极、n型InP衬底材料、外延n型InP缓冲层、非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层、应变InGaAsP多量子阱有源层1、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层；取样光栅1；取样光栅1上部的结构依次是，p型重掺杂InP层和n型重掺杂InP层形成反向隧道结层，重复非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱有源层2、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层2、取样光栅2、第三次外延生长p型InP层和p型InGaAs的欧姆接触层和p电极。
[0045] (3)多波长半导体激光器器件的结构：根据上述取样光栅2之上，进行第三次外延生长p型InP层、n型InP形成第二个反向隧道结层、之上是非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层3、应变InGaAsP多量子阱有源层3、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层3、取样光栅3，第四次外延生长p型InP层欧姆接触层和电极。
[0046] 利用本发明的基于多层DFB半导体激光器材料组成的多波长半导体激光器，可以用于制备频率在一定范围内可调的微波信号源，还可用以作为远程网络传感器来感知温度等外部环境参量。本发明中所述的半导体激光器中的光栅结构，其相移可以是真实相移或等效相移，相移值也可以是根据激光器性能设计要求所需要的任意数值。
[0047] 本发明的有益效果是：本发明把多个(两个或更多)带有真实相移布拉格光栅或等效相移SBG的DFB半导体激光器结构，用金属有机物化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)方式，通过多次外延生长叠加在一起，组成一个结构紧凑的多波长半导体激光器。尤其是将多层的带有分布反馈式(DFB)光栅结构对应能独立激射不同波长激光的半导体激光器材料层通过多次外延生长工艺，依次生长在同一个基底材料上，由此来获得能同时激射多个波长激光的半导体激光器，为多波长DFB半导体激光器的设计制造，提出一种新的结构和工艺。本发明有助于提供高性能低成本结构紧凑的多波长尤其是双波长半导体激光器，为将来的光子集成、光通讯和光传感网络等领域进一步的发展，提供技术上的支持。附图说明
[0048] 图1是真实λ/4相移光栅示意图。
[0049] 图2中(1)普通的等效λ/4相移取样光栅示意图、(2)普通的任意大小等效相移取样光栅示意图、(3)特殊的等效λ/4相移取样光栅示意图、(4)特殊的任意大小等效相移取样光栅示意图。
[0050] 图3、取样光栅制作过程的示意图。
[0051] 图4、双波长DFB半导体激光器结构示意图。
[0052] 具体实施方法：
[0053] 1、传统的λ/4相移
[0054] 如图1所示，对于传统的折射率耦合DFB激光器来说，为使它保持单模工作，可在其DFB光栅结构中引入四分之一波长(简写为λ/4)相移，也称为π相移。在这样的光栅中，布拉格波长为
[0055] λ＝2neffΛ0 (1)
[0056] 这里，Λ0为DFB光栅的周期，neff是材料的有效折射率。这种λ/4相移保证了这样的一个半导体激光器在其布拉格波长处单模激射。
[0057] 传统的相移结构的相移值可以是其他任意数值。对于一个均匀的DFB光栅结构，把它的右边部分向右平移一段距离L(向左平移L可以看成是向右平移-L)，如果L是光栅周期Λ0的n倍(n为任意数值)，则就说它引入了n/2波长(nλ/2或2nπ)相移。在本发明中，我们把传统的相移结构称为真实相移结构，传统的相移被称作真实相移。
[0058] 2、普通的等效λ/4相移和特殊的等效λ/4相移
[0059] 图2(1)为普通的等效λ/4相移取样模板的示意图。从数学上来看，一个取样布拉格光栅的折射率调制可以表示为
[0060]
[0061] 在这里，Δns和Λ0分别是种子光栅的折射率调制深度和光栅周期。图2(1)中取样函数S(x)可用下式表示
[0062]
[0063] 根据傅里叶分析，有
[0064]
[0065]
[0066] 在这里，P是取样周期，大小从1微米到数十微米量级。图2(1)中取样光栅的第m级傅里叶系数可表示为
[0067]
[0068] 把式(3)到(6)代入式(2)，可得
[0069]
[0070] 从式(7)可知，一个取样光栅可以看成是许多影子光栅(一个影子光栅对应一个信道)的叠加。当有半个取样周期被插入到沿取样光栅的任意位置时，就会在其+1或-1级信道中引入一个等效λ/4相移。第m级影子光栅的周期可以表示为
[0071]
[0072] 因此在第m级影子光栅中，布拉格波长可表示为
[0073]
[0074] 需要指出的是，在图2(1)中，无论是取样函数的左边部分还是右边部分，0级傅里叶级数展开项均为常数 故式(7)中0级傅里叶级数展开项也均为
[0075] 基于特殊等效λ/4相移的DFB半导体激光器，其特殊等效相移结构，可由图2(3)示意地表示：所述的DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的两段取样布拉格光栅组成，取样周期P从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，也即两部分的占空比之和是1；同时占空比为γ的那段取样光栅，有无光栅结构的间隔顺序与占空比为(1-γ)的那段取样光栅中正好相反。γ值的大小在0.3到0.5之间；两段取样光栅结构之间的间距为0。
[0076] 图2(3)是基于特殊的等效λ/4相移的取样模板示意图。在这个特殊结构中，取样函数可以表示为
[0077]
[0078] 与普通的等效λ/4相移结构相比，关键的不同在它右边部分的取样函数，可表示为
[0079]
[0080] 把公式(4)、(6)和(10)代入(2)，可得
[0081]
[0082] 图2(1)与图2(3)相比，它们的取样函数右边部分是不同的。在图2(3)中，取样函数的右边部分0级傅里叶级数展开项变为常数项 对应地在式(11)中右边部分折射率调制的0级傅里叶级数展开项也改变为
[0083] 从式(12)可知，在图2(3)新型结构中，有一个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅(信道)中。此外，公式(8)和(9)同样适用于这个新型结构的所有影子光栅(信道)。因而在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅(信道)中获得不同的激射波长。每个取样布拉格光栅的折射率调制表示为Δn。在这里，Δns和Λ0分别是种子光栅的折射率调制的深度和光栅周期，Fm是取样光栅的第m级傅里叶系数，P是取样周期，c.c表示复共轭。
[0084] 3、普通的任意大小等效相移和特殊的任意大小等效相移
[0085] 把图2(1)右边的图向右移动L长度的距离就得到图2(2)，此时(7)式就变为[0086]
[0087] 从式(13)可以看出，图2(1)与图2(2)中取样函数左边部分和右边部分0级傅里叶级数展开项都是相同的，对应地在左边部分和右边部分折射率调制的0级傅里叶级数展开项也是相同的。也就是说，在它们的0级信道中，折射率调制是常数项。此时，在除0级外的第m级信道中，引入的等效相移大小是
[0088]
[0089] 通过改变这种等效相移结构右边部分平移的距离L，就可以在这种取样函数除0级外的所有影子光栅(信道)中，获得不同大小的等效相移。例如，如果把图2(1)右边部分向右平移P/8长度距离，则在其-1级信道内获得λ/16(π/4)的等效相移；如把图1(2)右边部分向左平移P/8(可理解为向右平移-P/8)长度距离，则在其1级信道内获得-λ/16(-π/4)等效相移。P是取样周期。
[0090] 把图2(3)右边的图向右移动L长度的距离就得到图2(4)，此时(12)式就变为[0091]
[0092] 类似地，在图2(3)与图2(4)中，它们的取样函数左边部分和右边部分0级傅里叶级数展开项也都是相同的，相应地在左边部分和右边部分折射率调制的0级傅里叶级数展开项也相同，即在它们的0级信道中，折射率调制是常数项。
[0093] 改变这种特殊等效相移结构中间平移的距离L，也可以在这种取样函数除0级外的所有影子光栅(信道)中，获得不同大小的等效相移。在除0级外的第m级信道中，引入的等效相移大小是
[0094]
[0095] 根据公式(16)，如果把图2(3)右边部分向右平移P/8长度距离，则在其-1级信道内获得5λ/16(-3π/4)的等效相移；如把图2(3)右边部分向左平移P/8(可理解为向右平移-P/8)长度距离，则在其-1级信道内获得3λ/16(3π/4)等效相移。通常情况下，移动相同距离时，在各级信道中引入的等效相移是不同的。
[0096] 根据周亚亭、施跃春和李思敏等人的中国发明专利——基于特殊等效相移的DFB半导体激光器(专利申请号：201010280999.1)，有特殊等效相移的取样光栅结构，对0级信道的激射具有抑制作用，因此特殊等效相移能被用来提高等效相移DFB半导体激光器的单模特性。结合选择不同数值的特殊等效相移，就能获得有独特性能且能抑制0级激射的等效相移DFB半导体激光器。
[0097] 需要指出的是，如果占空比等于0.5，所谓特殊等效波长相移结构，与普通等效相移结构是相同的。在本发明中，如果不作特别说明，所指的等效相移包括普通和特殊等效相移。
[0098] 4、多波长半导体激光器
[0099] 图4是用本发明技术制作的双波长半导体激光器的示意图。光栅1和2可以是真实相移布拉格光栅，只要光栅周期不同，就能同时激射不同波长的激光。为降低制作工艺的要求以降低生产的成本，光栅1和2也可以是等效相移的取样光栅(特殊等效相移的取样结构还有助于提高产生激光的单模成品率)。从图4可以看出，本发明中的多波长半导体激光器，实质上可以看成是多个独立的DFB半导体激光器的叠加，在各个独立的DFB半导体激光器之间，用中间层(如反向隧道结层)相间隔以减少它们之间可能产生的载流子的竞争。同时，每个有源层与其上下限制层形成三明治结构，则限定了其产生的激光只能在各自的多量子阱有源区传播。要获得多个波长的同时激射，就需要有对应数量的独立的DFB半导体激光器叠加。当然，受当前激光器加工工艺的限制，叠加的半导体激光器的数量越多，加工工艺的复杂性和困难就越大，得到的多波长半导体激光器的成品率就越低。因而具体地要制作多少个波长的半导体激光器，则应根据需要和加工工艺条件统筹兼顾。
[0100] 本发明中得到多波长DFB半导体激光器的关键，在于把多个半导体激光器有源层结构通过多次外延生长的方式，叠加到同一块基底材料上。为了保证每个半导体激光器有源层结构在设定波长下单模工作，这些有源层结构可以是带有λ/4相移光栅或等效λ/4相移取样光栅的结构。与此同时，为使所得到的多波长半导体激光器具有特殊的性能，这些有源层结构也可以是其他任意大小的真实相移或等效相移光栅结构。真实相移和等效相移光栅制作的具体方法如下：
[0101] (1)真实相移光栅的制作
[0102] ①对于真实相移的光栅，必须用加工精度为纳米量级加工精度的工艺手段，如经特殊处理过的电子束曝光技术，在光刻板(光掩膜)上把具有真实相移的光栅图案给刻制上去。
[0103] ②在晶片上刻上光栅图案，实施的步骤可分为两步：第一步，在晶片上甩上光刻胶，用①中所得到光刻掩膜板进行曝光，然后洗去不要的光刻胶，把光刻板上的光栅图案转移到晶片上的光刻胶上；第二步用腐蚀晶片的方法，在晶片上形成相应的光栅图案。
[0104] (2)等效相移光栅的制作
[0105] ①首先在光刻版(光掩膜)上，设计并制作具有等效相移的取样图案。这里值得注意的是，在这里有金属膜的地方对应有光栅区，没有金属膜的地方对应没有光栅区。
[0106] ②在晶片上刻光栅的方法，实施的步骤共分三步：第一步，在晶片上甩上光刻胶，然后如图3步骤I所示，使用两束相干光进行全息曝光的方法，在光刻胶上形成均匀的光栅图案；第二步如图3步骤II所示，用①中所得到的光刻版(光掩膜)进行普通曝光，把光刻板(光掩膜)上的取样图案也复制到晶片上的光刻胶上，然后洗去不要的光刻胶，在晶片上的光刻胶上形成取样光栅图案；第三步用腐蚀晶片的方法，在晶片上形成相应的取样光栅图案。第一和第二步的曝光顺序可根据工艺互换。
[0107] 本发明中的多波长半导体激光器的结构
[0108] (1)利用本发明设计的分布反馈式(DFB)双波长半导体激光器的结构，如图4所示，是在n型InP衬底材料上由外延n型InP缓冲层、非掺杂品格匹配的InGaAsP下限制层1、应变InGaAsP多量子阱1、非掺杂品格匹配的InGaAsP上限制层1、InGaAsP光栅材料层
1、重掺杂的p型InP层、重掺杂的n型InP层、非掺杂品格匹配的InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱2、非掺杂品格匹配的InGaAsP上限制层2、InGaAsP光栅材料层2、InP包层和InGaAs欧姆接触层顺次构成。在这里，重掺杂的p型InP层和重掺杂的n型InP层一起，构成了一个反向隧道结层；InGaAsP光栅材料层的光栅可以是真实相移的布拉格光栅，也可以是等效相移的取样布拉格光栅。
1、重掺杂的p型InP层、重掺杂的n型InP层、非掺杂品格匹配的InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱2、非掺杂品格匹配的InGaAsP上限制层2、InGaAsP光栅材料层2、InP包层和InGaAs欧姆接触层顺次构成。在这里，重掺杂的p型InP层和重掺杂的n型InP层一起，构成了一个反向隧道结层；InGaAsP光栅材料层的光栅可以是真实相移的布拉格光栅，也可以是等效相移的取样布拉格光栅。
[0109] (2)如果要用本发明中的技术，来获取更多波长的半导体激光器，则是用增加能独立产生激光的有源层的数目来实现的。以三波长半导体激光器为例，它的结构为：在n型InP衬底材料上由外延n型InP缓冲层、非掺杂品格匹配的InGaAsP下限制层1、应变InGaAsP多量子阱1、非掺杂品格匹配的InGaAsP上限制层1、InGaAsP光栅材料层1、重掺杂的p型InP层1、重掺杂的n型InP层1、非掺杂品格匹配的InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱2、非掺杂品格匹配的InGaAsP上限制层2、InGaAsP光栅材料层2、重掺杂的p型InP层2、重掺杂的n型InP层2、非掺杂品格匹配的InGaAsP下限制层3、应变InGaAsP多量子阱3、非掺杂品格匹配的InGaAsP上限制层3、InGaAsP光栅材料层3、InP包层和InGaAs欧姆接触层顺次构成；同样地，各组重掺杂的p型InP层和重掺杂的n型InP层一起，各自构成了一个反向隧道结层；InGaAsP光栅材料层的光栅可以是真实相移的布拉格光栅，也可以是等效相移的取样布拉格光栅。
[0110] 本发明中的多波长半导体激光器的制作：
[0111] 下面以工作波长在1550nm范围，具有真实λ/4相移或等效λ/4相移DFB多波长半导体激光器的制作过程，来说明本发明所述的多波长半导体激光器的具体制作方法。
[0112] (1)光栅掩膜板的制作：如果是真实λ/4相移的光栅，则其掩膜板必须使用经过特殊处理，加工精度为纳米量级的电子束曝光技术来进行加工制作。而如果是使用等效λ/4相移取样光栅，则可用普通微电子工艺制作所需要的取样图案的掩模板。
[0113] (2)双波长半导体激光器器件，可通过MOCVD技术进行三次外延生长来完成制作。其细节描述如下：首先在n型InP衬底材料上一次外延n型InP缓冲层(厚度200nm、掺杂
18 -2
浓度约1.1×10 cm )、100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层1、应变InGaAsP多量子阱1(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材
17 -3
料)和100nm厚的p型品格匹配InGaAsP(掺杂浓度约1.1×10 cm )上限制层1。接下来是完成光栅1的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层1上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层1上部形成所需激光器的取样光栅结构。
18 -2
当光栅1制作好后，再通过第二次外延生长p型InP层(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )
18 -2
和n型InP层(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )形成反向隧道结层，100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱2(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：
阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材料)和100nm厚的p型品格匹配InGaAsP(掺
17 -3
杂浓度约1.1×10 cm )上限制层2。再接着完成光栅2的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层2上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层2上部形成所需激光器的取样光栅结构。当光栅2制作好后，再通过第三次外延生
18 -2
长p型InP层(厚度1700nm，掺杂浓度约1.1×10 cm )和p型InGaAs(厚度100nm，掺
19 -2
杂浓度大于1×10 cm )欧姆接触层。在外延生长结束后，利用普通光刻结合化学湿法刻蚀，完成脊形波导的制作，脊波导长度一般为数百微米量级，脊宽3微米，脊侧沟宽20微米，深1.5微米。然后再用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，在脊形波导周围沉积一层300nm厚的SiO2层或有机物BCB绝缘层。
再接着利用光刻和化学湿法刻蚀，去除激光器脊形波导上方的SiO2层或有机物BCB绝缘层，露出其InGaAs欧姆接触层；再用磁控溅射的方法，在整个激光器结构的上方分别镀上
100nm厚的Ti和400nm厚的Au，结合光刻工艺和化学湿法刻蚀，在脊条上方露出InGaAs的欧姆接触层上形成Ti-Au金属P电极。此外，在把整个激光器晶片减薄到150μm后，在基底材料的下方蒸镀上500nm厚的Au-Ge-Ni(Au∶Ge∶Ni成分比例为84∶14∶2)合金作为n电极。最后在激光器两侧的出光面上分别镀上反射率为90％的高反膜和反射率为
1％的增透膜。激光器的阈值电流典型值为10-20mA左右，对每一个激射波长，所需要的边模抑制比达到70dB以上。
18 -2
浓度约1.1×10 cm )、100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层1、应变InGaAsP多量子阱1(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材
17 -3
料)和100nm厚的p型品格匹配InGaAsP(掺杂浓度约1.1×10 cm )上限制层1。接下来是完成光栅1的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层1上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层1上部形成所需激光器的取样光栅结构。
18 -2
当光栅1制作好后，再通过第二次外延生长p型InP层(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )
18 -2
和n型InP层(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )形成反向隧道结层，100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱2(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：
阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材料)和100nm厚的p型品格匹配InGaAsP(掺
17 -3
杂浓度约1.1×10 cm )上限制层2。再接着完成光栅2的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层2上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层2上部形成所需激光器的取样光栅结构。当光栅2制作好后，再通过第三次外延生
18 -2
长p型InP层(厚度1700nm，掺杂浓度约1.1×10 cm )和p型InGaAs(厚度100nm，掺
19 -2
杂浓度大于1×10 cm )欧姆接触层。在外延生长结束后，利用普通光刻结合化学湿法刻蚀，完成脊形波导的制作，脊波导长度一般为数百微米量级，脊宽3微米，脊侧沟宽20微米，深1.5微米。然后再用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，在脊形波导周围沉积一层300nm厚的SiO2层或有机物BCB绝缘层。
再接着利用光刻和化学湿法刻蚀，去除激光器脊形波导上方的SiO2层或有机物BCB绝缘层，露出其InGaAs欧姆接触层；再用磁控溅射的方法，在整个激光器结构的上方分别镀上
100nm厚的Ti和400nm厚的Au，结合光刻工艺和化学湿法刻蚀，在脊条上方露出InGaAs的欧姆接触层上形成Ti-Au金属P电极。此外，在把整个激光器晶片减薄到150μm后，在基底材料的下方蒸镀上500nm厚的Au-Ge-Ni(Au∶Ge∶Ni成分比例为84∶14∶2)合金作为n电极。最后在激光器两侧的出光面上分别镀上反射率为90％的高反膜和反射率为
1％的增透膜。激光器的阈值电流典型值为10-20mA左右，对每一个激射波长，所需要的边模抑制比达到70dB以上。
[0114] ③多波长半导体激光器器件的制作和双波长半导体激光器器件制作相似，只不过每增加一个激射波长，必须增加一次外延生长和一次光栅的制作，以三波长半导体激光器为例，在完成光栅2的制作后，进行第三次外延生长p型InP层(50nm厚，掺杂浓度18 -2 18 -2
约1.5×10 cm )和n型InP(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )形成第二个反向隧道结层，100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层3、应变InGaAsP多量子阱3(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材料)和100nm厚
17 -3
的p型品格匹配InGaAsP(掺杂浓度约1.1×10 cm )上限制层3。再接着完成光栅3的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层3上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层3上部形成所需激光器的取样光栅结构。当光栅3制
18 -2
作好后，再通过第四次外延生长p型InP层(厚度1700nm，掺杂浓度约1.1×10 cm )和p
19 -2
型InGaAs(厚度100nm，掺杂浓度大于1×10 cm )欧姆接触层。同样地，在外延生长结束后，利用普通光刻结合化学湿法刻蚀，完成脊形波导的制作，脊波导长度一般为数百微米量级，脊宽3微米，脊侧沟宽20微米，深1.5微米。然后再用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)，在脊形波导周围沉积一层300nm厚的SiO2层或有机物BCB绝缘层。再接着利用光刻和化学湿法刻蚀，去除激光器脊形波导上方的SiO2层或有机物BCB绝缘层，露出其InGaAs欧姆接触层；再用磁控溅射的方法，在整个激光器结构的上方分别镀上100nm厚的Ti和400nm厚的Au，结合光刻工艺和化学湿法刻蚀，在脊条上方露出InGaAs的欧姆接触层上形成Ti-Au金属P电极。此外，在把整个激光器晶片减薄到150μm后，在基底材料的下方蒸镀上500nm厚的Au-Ge-Ni(Au∶Ge∶Ni成分比例为84∶14∶2)合金作为n电极。最后在激光器两侧的出光面上分别镀上反射率为90％的高反膜和反射率为1％的增透膜。激光器的阈值电流典型值为10-20mA左右，对每一个激射波长，所需要的边模抑制比达到70dB以上。
约1.5×10 cm )和n型InP(50nm厚，掺杂浓度约1.5×10 cm )形成第二个反向隧道结层，100nm厚的非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层3、应变InGaAsP多量子阱3(光荧光波长1.52微米，7个量子阱：阱厚8nm，0.5％压应变，垒厚10nm，品格匹配材料)和100nm厚
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的p型品格匹配InGaAsP(掺杂浓度约1.1×10 cm )上限制层3。再接着完成光栅3的制作，可用真实相移光掩膜板通过曝光和材料刻蚀，在上限制层3上部形成所需要的真实相移光栅结构，也可以通过所设计的取样光掩模板普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法，然后施以材料刻蚀，在上限制层3上部形成所需激光器的取样光栅结构。当光栅3制
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作好后，再通过第四次外延生长p型InP层(厚度1700nm，掺杂浓度约1.1×10 cm )和p
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型InGaAs(厚度100nm，掺杂浓度大于1×10 cm )欧姆接触层。同样地，在外延生长结束后，利用普通光刻结合化学湿法刻蚀，完成脊形波导的制作，脊波导长度一般为数百微米量级，脊宽3微米，脊侧沟宽20微米，深1.5微米。然后再用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)，在脊形波导周围沉积一层300nm厚的SiO2层或有机物BCB绝缘层。再接着利用光刻和化学湿法刻蚀，去除激光器脊形波导上方的SiO2层或有机物BCB绝缘层，露出其InGaAs欧姆接触层；再用磁控溅射的方法，在整个激光器结构的上方分别镀上100nm厚的Ti和400nm厚的Au，结合光刻工艺和化学湿法刻蚀，在脊条上方露出InGaAs的欧姆接触层上形成Ti-Au金属P电极。此外，在把整个激光器晶片减薄到150μm后，在基底材料的下方蒸镀上500nm厚的Au-Ge-Ni(Au∶Ge∶Ni成分比例为84∶14∶2)合金作为n电极。最后在激光器两侧的出光面上分别镀上反射率为90％的高反膜和反射率为1％的增透膜。激光器的阈值电流典型值为10-20mA左右，对每一个激射波长，所需要的边模抑制比达到70dB以上。
[0115] 利用本发明的基于多层DFB半导体激光器材料组成的多波长半导体激光器，可以用于制备频率在一定范围内可调的微波信号源，还可用以作为远程网络传感器来感知温度等外部环境参量。本发明中所述的半导体激光器中的光栅结构，其相移可以是真实相移或等效相移，相移值也可以是根据激光器性能设计要求所需要的任意数值。
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