专利汇可以提供一种柔性有机发光二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种基于 石墨 烯复合 阳极 的柔性 有机发光 二极管 器件,所述柔性有机 发光二极管 器件包括:柔性 基板 (1)、阳极(2)、空穴注入层(3)、有机功能层(4)、 电子 注入层(5)和 阴极 (6),其中,所述阳极(2)为 石墨烯 复合阳极,包括石墨烯 薄膜 和金属涂层。本发明通过对石墨烯薄膜阳极进行改进,得到了透过率与方阻非常优良的 有机发光二极管 阳极,从而获得了具有良好的可弯曲性、弱微腔效应的 柔性有机发光二极管 器件。本发明解决了石墨烯阳极方阻高,从而不利于有机发光二极管器件制作的问题,有利于提高柔性有机发光二极管器件的性能, 加速 石墨烯阳极在有机发光器件中的应用。,下面是一种柔性有机发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性有机发光二极管的阳极为石墨烯复合阳极,包括石墨烯薄膜和金属涂层;
其中,所述石墨烯薄膜通过掺杂沉积和/或沉积于金属纳米线上以降低表面电阻。
2.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性有机发光二极管依次包括:柔性基板(1)、阳极(2)、空穴注入层(3)、有机功能层(4)、电子注入层(5)和阴极(6),其中,所述阳极(2)为石墨烯复合阳极,包括石墨烯薄膜和金属涂层。
3.如权利要求1或2所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性有机发光二极管依次包括:柔性基板(1)、内光提取层(7)、阳极(2)、空穴注入层(3)、有机功能层(4)、电子注入层(5)和阴极(6),其中,所述阳极(2)为石墨烯复合阳极,包括石墨烯薄膜和金属涂层。
4.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述石墨烯薄膜厚度为1~
8层。
5.如权利要求4所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述石墨烯薄膜厚度为1~
6层。
6.如权利要求5所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述石墨烯薄膜厚度为1~
5层。
7.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属涂层厚度为0.1~
120nm。
8.如权利要求7所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属涂层厚度为0.1~
110nm。
9.如权利要求8所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属涂层 厚度为
0.1~100nm。
10.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属涂层的金属为铝、银、金、镍、铬或钼中的任意1种单质金属或至少2种金属构成的合金。
11.如权利要求10所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属涂层的金属为铝、银或金中的任意1种单质金属或至少2种金属构成的合金。
12.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述石墨烯薄膜为真空直接沉积薄膜或还原氧化石墨烯薄膜。
13.如权利要求12所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述真空直接沉积石墨烯薄膜的掺杂物为硝酸、盐酸或分散于硝基甲烷溶液的氯化金中的1种或至少2种的混合物。
14.如权利要求13所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述真空直接沉积石墨烯薄膜的掺杂物为分散于硝基甲烷溶液的氯化金。
15.如权利要求12所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述还原氧化石墨烯的掺杂物为导电高分子材料。
16.如权利要求15所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述还原氧化石墨烯的掺杂物为聚乙炔、聚咔唑、聚对苯、聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺及它们的衍生物中的1种或至少2种的混合物。
17.如权利要求16所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述还原氧化石墨烯的掺杂物为聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺及它们的衍生物中的1种或至少2种的混合物。
18.如权利要求17所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述还原氧化石墨烯的掺杂物为聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐。
19.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属纳米线为不连续状态。
20.如权利要求1所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述金属纳米线为银纳米线。
21.如权利要求2所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述柔性基板为塑料基板、超薄玻璃基板或超薄金属基板中的1种或至少2种结合的复合结构基板;
所述空穴注入层为具有空穴注入效能的有机材料、具有空穴注入效能的无机材料或具有空穴注入效能的复合结构中的任意1种。
22.如权利要求21所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的有机材料为酞菁铜、4,4',4"-三-[(N-苯基-N-2-萘基)胺基]三苯胺、掺杂聚噻吩、N,N'-双(三苯胺基)芴二胺衍生物、六氮杂三苯或聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐中的1种或至少2种的组合。
23.如权利要求22所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的有机材料为六氮杂三苯和/或聚3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐。
24.如权利要求21所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的无机材料为氧化硅、氧化铜、氧化铽、氧化锌、氧化钇、氧化铌、氧化镨、氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化钽或氧化铝中的任意1种或至少2种的组合。
25.如权利要求24所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的无机材料为氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化钽或氧化铝中的任意1种或至少2种的组合。
26.如权利要求25所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的无机材料为氧化钼和/或氧化钨。
27.如权利要求21所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的复合结构为有机材料的多层复合结构和/或有机材料与无机材料的多层复合结构。
28.如权利要求27所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述具有空穴注入效能的复合结构为六氮杂三苯与4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]交替多层复合结构、六氮杂苯与氧化钼的多层复合结构或氧钛酞菁与氧化钒的多层复合结构中的任意1种。
29.如权利要求3所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述内光提取层为氧化钽、氧化钼、氧化钨或氧化钒中的任意1种或至少2种的组合。
30.如权利要求29所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述内光提取层为氧化钽和/或氧化钼。
31.如权利要求2所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述有机发光二极管器件有机功能层至少包括发光层。
32.如权利要求2所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述有机功能层依次包括空穴传输层、发光层和电子传输层。
33.如权利要求2所述的柔性有机发光二极管,其特征在于,所述有机功能层依次包括空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层。
34.一种如权利要求1所述的柔性有机发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)对柔性衬底进行清洗;
(2)在衬底之上制作石墨烯复合阳极并图案化;
(3)沉积空穴注入层材料于复合阳极之上;
(4)沉积有机功能层于空穴注入层之上;
(5)沉积电子注入层于有机功能层之上;
(6)沉积阴极于电子注入层之上,
(7)对器件进行柔性封装。
35.如权利要求34所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)对柔性衬底进行清洗;
(2)沉积内光提取层于柔性衬底之上;
(2′)在内光提取层之上制作石墨烯复合阳极并图案化;
(3)沉积空穴注入层材料于复合阳极之上;
(4)沉积有机功能层于空穴注入层之上;
(5)沉积电子注入层于有机功能层之上;
(6)沉积阴极于电子注入层之上;
(7)对器件进行柔性封装。
36.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在制作石墨烯薄膜之前,在衬底之上沉积一层不连续、分散态的金属纳米线。
37.如权利要求35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,在制作石墨烯薄膜之前,在内光提取层之上沉积一层不连续、分散态的金属纳米线。
38.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述石墨烯复合阳极的石墨烯薄膜制作方法选自打印、旋涂、转印、印刷或直接沉积中的任意一种。
39.如权利要求38所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述石墨烯复合阳极的金属涂层的涂覆方法选自真空蒸镀、溅射、转印、印刷或旋涂中的任意一种。
40.如权利要求35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述内光提取层的沉积方法选自溅射和/或真空蒸镀。
41.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述空穴注入层的沉积方法选自真空蒸镀、打印、旋涂、转印或印刷方法中的任意1种。
42.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述有机功能层的沉积方法选自真空蒸镀、打印、旋涂、转印或印刷中的任意1种。
43.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述电子注入层的沉积方法选自真空蒸镀、打印、旋涂、转印或印刷方法中的任意1种。
44.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述阴极的沉积方法选自真空蒸镀、溅射、打印、旋涂、转印或印刷中的任意1种。
45.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述柔性封装的方法采用有机物、无机物交替叠层方法或直接无机物层封装法,其中无机物层封装工艺选自磁控溅射、真空蒸镀、旋涂、等离子体增强化学气相沉积、脉冲激光沉积或原子层沉积中的任意一种;有机物层封装工艺选自真空蒸镀、磁控溅射或旋涂中的任意一种。
46.如权利要求34或35所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述石墨烯复合阳极的图案化采用黄光制程法或激光直接刻蚀法。
47.如权利要求46所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述石墨烯复合阳极的图案化采用激光直接刻蚀法。
48.如权利要求46所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述黄光制程包括涂光刻胶、烘胶、光学曝光、显影、刻蚀金属涂层与石墨烯薄膜及去胶。
49.如权利要求48所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述金属涂层刻蚀选自湿法腐蚀或干法刻蚀。
50.如权利要求48所述的柔性有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述石墨烯薄膜刻蚀采用氧等离子体干法刻蚀。
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