磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置
阅读：1028发布：2020-07-11
专利汇可以提供磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 实施例 提供了 磁控溅射 设备、载板的传输控制方法及装置。该磁控溅射设备包括： 控制器 ，依次连通的缓冲室、分子 泵 室和靶室；缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；分子泵室内靠近缓冲室一侧设置有第一 位置 传感器 ，第一 位置传感器 用于在感应到载板时向控制器发送第一感应 信号 ；分子泵室内靠近靶室的一侧设置有第二位置传感器，第二位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第二感应信号；控制器分别与第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带的运行速度。通过调整第一传送带的运行速度，可以缩小靶室内传输的载板之间的距离，以减小溅射到 真空 腔室底部的靶材数量。，下面是磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置专利的具体信息内容。
1.一种磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备包括：
控制器，依次连通的缓冲室、分子泵室和靶室；
所述缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；
所述分子泵室内靠近所述缓冲室一侧设置有第一位置传感器，所述第一位置传感器用于在感应到所述载板时向所述控制器发送第一感应信号；
所述分子泵室内靠近所述靶室的一侧设置有第二位置传感器，所述第二位置传感器用于在感应到所述载板时向所述控制器发送第二感应信号；
所述控制器分别与所述第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据所述第一感应信号和所述第二感应信号来调整所述第一传送带的运行速度。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述分子泵室内靠近所述靶室一侧还设置第三位置传感器，所述第三位置传感器用于在感应到载板时向所述控制器发送第三感应信号；
所述控制器还与所述第三位置传感器连接，用于当检测未同时接收到所述第二感应信号和所述第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一位置传感器、所述第二位置传感器和所述第三位置传感器均包括激光传感器。
4.一种载板的传输控制方法，其特征在于，所述方法应用于对如权利要求1-3任一项所述的磁控溅射设备的控制，所述方法包括：
当控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向所述第一传送带发送第一控制信号，所述第一控制信号指示所述第一传送带以预设的第一速度运行；
当接收到所述第一位置传感器发送的第一感应信号时，向所述第一传送带发送第二控制信号，所述第二控制信号指示所述第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；
当接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号时，向所述第一传送带发送第三控制信号，所述第三控制信号用于指示所述第一传送带以第二速度运行；所述第二速度小于第一速度；
当检测到所述第一传送带传输完载板时，控制下一个载板进入所述第一传送带。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述第一速度、所述第二速度、以及所述第一位置传感器与所述第二位置传感器之间的距离，确定所述加速度。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：控制相邻两个载板以预设时间间隔进入所述第一传送带。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当检测到所述缓冲室的传输带传输完当前载板时，控制下一个载板进入所述缓冲室中的传输带。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当检测未同时接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号和所述第三位置传感器发送的第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。
9.一种载板的传输控制装置，其特征在于，所述装置包括：
第一发送模块，用于当控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向所述第一传送带发送第一控制信号，所述第一控制信号指示所述第一传送带以预设的第一速度运行；
第二发送模块，用于当接收到所述第一位置传感器发送的第一感应信号时，向所述第一传送带发送第二控制信号，所述第二控制信号指示所述第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；
第三发送模块，用于当接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号时，向所述第一传送带发送第三控制信号，所述第三控制信号用于指示所述第一传送带以第二速度运行；所述第二速度小于第一速度。
磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置
技术领域
[0001] 本发明涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置。
背景技术
[0002] 磁控溅射设备可以制备各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等纳米级的单层及多层功能膜。它的特点是：可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料、以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质，尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜，因此，磁控溅射镀膜是目前常用的一种镀膜方法。目前的磁控溅射设备中载板与载板之间的距离较大，导致大量靶材材料不会溅射到载板上，而是溅射到磁控溅射设备底部(例如：真空腔室底部)，从而造成靶材材料的利用率较低。
发明内容
[0003] 为克服相关技术中存在的问题，本发明实施例提供了磁控溅射设备、载板的传输控制方法及装置。
[0004] 根据本发明实施例的第一方面，提供一种磁控溅射设备，所述磁控溅射设备包括：
[0006] 所述缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；
[0008] 所述分子泵室内靠近所述靶室的一侧设置有第二位置传感器，所述第二位置传感器用于在感应到所述载板时向所述控制器发送第二感应信号；
[0009] 所述控制器分别与所述第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据所述第一感应信号和所述第二感应信号来调整所述第一传送带的运行速度。
[0010] 本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：该磁控溅射设备包括：控制器、依次连通的缓冲室、分子泵室和靶室；缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；分子泵室内靠近缓冲室一侧设置有第一位置传感器，第一位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第一感应信号；分子泵室内靠近靶室的一侧设置有第二位置传感器，第二位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第二感应信号；控制器分别与第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带的运行速度。通过调整第一传送带的运行速度，使得前后载板之间的距离是可控的，通过选择合适的第一传送带的运行速度，便可以达到缩小在靶室内传输的两个载板之间距离的目的，从而有效减小溅射到真空腔室底部的靶材数量，提升靶材材料的利用率，以节约靶材成本。
[0011] 在一个实施例中，所述分子泵室内靠近所述靶室一侧还设置第三位置传感器，所述第三位置传感器用于在感应到载板时向所述控制器发送第三感应信号；
[0012] 所述控制器还与所述第三位置传感器连接，用于当检测未同时接收到所述第二感应信号和所述第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。
[0013] 在一个实施例中，所述第一位置传感器、所述第二位置传感器和所述第三位置传感器均包括激光传感器。
[0014] 根据本发明实施例的第二方面，提供一种载板的传输控制方法，所述方法应用于对上述第一方面任一项所述的磁控溅射设备的控制，所述方法包括：
[0015] 控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向所述第一传送带发送第一控制信号，所述第一控制信号指示所述第一传送带以预设的第一速度运行；
[0016] 当接收到所述第一位置传感器发送的第一感应信号时，向所述第一传送带发送第二控制信号，所述第二控制信号指示所述第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；
[0017] 当接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号时，向所述第一传送带发送第三控制信号，所述第三控制信号用于指示所述第一传送带以第二速度运行；所述第二速度小于第一速度；
[0018] 当检测到所述第一传送带传输完载板时，控制下一个载板进入所述第一传送带。
[0019] 本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：当控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向第一传送带发送第一控制信号，第一控制信号指示第一传送带以预设的第一速度运行；当接收到第一位置传感器发送的第一感应信号时，向第一传送带发送第二控制信号，第二控制信号指示第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；当接收到第二位置传感器发送的第二感应信号时，向第一传送带发送第三控制信号，第三控制信号用于指示第一传送带以第二速度运行；第二速度小于第一速度。其中，控制器通过第一位置传感器发送的第一感应信号和第二位置传感器发送的第二感应信号来变更缓冲室中的第一传送带的传输速度，从而可以有效控制进入靶室中的两个载板之间的距离，进而减小进入靶室中的两个载板之间的距离，从而减小从前后两个载板之间的空隙溅射到真空腔室底部的靶材数量，有效提升靶材材料的利用率，并节约了靶材成本。
[0020] 在一个实施例中，所述方法还包括：
[0021] 根据所述第一速度、所述第二速度、以及所述第一位置传感器与所述第二位置传感器之间的距离，确定所述加速度。
[0022] 在一个实施例中，所述方法还包括：控制相邻两个载板以预设时间间隔进入所述第一传送带。
[0023] 在一个实施例中，所述方法还包括：
[0024] 当检测到所述缓冲室的传输带传输完当前载板时，控制下一个载板进入所述缓冲室中的传输带。
[0025] 在一个实施例中，所述方法还包括：
[0026] 当检测未同时接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号和所述第三位置传感器发送的第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。
[0027] 根据本发明实施例的第三方面，提供一种载板的传输控制装置，所述装置包括：
[0028] 第一发送模块，用于当控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向所述第一传送带发送第一控制信号，所述第一控制信号指示所述第一传送带以预设的第一速度运行；
[0029] 第二发送模块，用于当接收到所述第一位置传感器发送的第一感应信号时，向所述第一传送带发送第二控制信号，所述第二控制信号指示所述第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；
[0030] 第三发送模块，用于当接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号时，向所述第一传送带发送第三控制信号，所述第三控制信号用于指示所述第一传送带以第二速度运行；所述第二速度小于第一速度。
[0031] 在一个实施例中，所述装置还包括：确定模块；
[0032] 所述确定模块，用于根据所述第一速度、所述第二速度、以及所述第一位置传感器与所述第二位置传感器之间的距离，确定所述加速度。
[0033] 在一个实施例中，所述装置还包括：第一控制模块；
[0034] 所述第一控制模块，用于控制相邻两个载板以预设时间间隔进入所述第一传送带。
[0035] 在一个实施例中，所述装置还包括：第二控制模块；
[0036] 所述第二控制模块，用于当检测到所述第一传送带传输完当前载板时，控制下一个载板进入所述第一传送。
[0037] 在一个实施例中，所述装置还包括：输出模块；
[0038] 所述输出模块，用于当检测未同时接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号和所述第三位置传感器发送的第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。
[0041] 图1是根据一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0042] 图2是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0043] 图3是根据一示例性实施例示出的载板的传输控制方法的流程图。
[0044] 图4是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0045] 图5是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0046] 图6是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0047] 图7是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0048] 图8是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0049] 图9是根据另一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图。
[0050] 图10是根据一示例性实施例示出的一种载板的传输控制装置的框图。
[0051] 图11是根据另一示例性实施例示出的一种载板的传输控制装置的框图。
[0052] 图12是根据另一示例性实施例示出的一种载板的传输控制装置的框图。
[0053] 图13是根据另一示例性实施例示出的一种载板的传输控制装置的框图。
[0054] 图14是根据另一示例性实施例示出的一种载板的传输控制装置的框图。
具体实施方式
[0055] 这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0056] 图1是根据一示例性实施例示出的磁控溅射设备的结构示意图，如图1所示，该磁控溅射设备10包括：
[0057] 控制器11、依次连通的缓冲室12、分子泵室13和靶室14；
[0058] 缓冲室12中设置有用以传输载板的第一传送带121；
[0059] 分子泵室13内靠近缓冲室一侧设置有第一位置传感器131，第一位置传感器131用于在感应到载板时向控制器11发送第一感应信号；
[0060] 分子泵室14内靠近靶室的一侧设置有第二位置传感器132，第二位置传感器132用于在感应到载板时向控制器发送第二感应信号；
[0061] 控制器11分别与第一传送带121、第一位置传感器131和第二位置传感器132连接，用于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带的运行速度。
[0062] 由于靶室14中的磁控靶是持续溅射靶材的，那么，靶室14内溅射到真空腔室底部的靶材数量与靶室14内前后两个载板之间的距离成正比，也即，如果靶室14内前后两个载板之间的距离较大，那么就会有较多的靶材从前后两个载板之间的空隙溅射到真空腔室底部，而如果靶室14内前后两个载板之间的距离较小，那么就会有较少的靶材从前后两个载板之间的空隙溅射到真空腔室底部，因此，通过缩小靶室14内前后两个载板之间的距离，便可以有效减小溅射到真空腔室底部的靶材数量，从而有效提升靶材材料的利用率，以节约靶材成本。
[0063] 而在磁控溅射设备中，靶室14中的第二传送带141是匀速运行的，因此无法通过调整靶室14中的第二传送带141的传输速度来缩小靶室14内传输的前后两个载板之间的距离，而缓冲室12中的第一传送带121是可以实现高低速互相转换的，为了减小靶室14内传输的前后两个载板之间的距离，可以通过控制缓冲室12中的第一传送带121的运行速度，以调整在缓冲室12中的第一传送带121上传输的载板的速度，从而减小在靶室14中传输的两个载板之间的距离。
[0064] 具体的，本发明中通过在分子泵室13内靠近缓冲室12一侧设置第一位置传感器131，在分子泵室13内靠近靶室14的一侧设置第二位置传感器132，当第一位置传感器131感应到载板时，向控制器11发送第一感应信号，当第二位置传感器132感应到载板时，向控制器11发送第二感应信号，而控制器11便可以基于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带121的运行速度，通过调整第一传送带121的运行速度，就可以使得传输至靶室
14内的两个载板之间的距离是可控的，通过选择合适的第一传送带的运行速度，便可以达到缩小在靶室14内传输的两个载板之间距离的目的。示例的，当控制载板进入缓冲室12中的第一传送带121时，第一传送带121以预设的第一速度运行，而当载板以预设的第一速度传输至第一位置传感器131的位置时，第一位置传感器131向控制器11发送第一感应信号，当控制器11接收到第一感应信号后，便控制第一传送带121以预设的加速度逐渐减速运行，当载板继续传输至第二位置传感器132的位置时，第二位置传感器132向控制器11发送第二感应信号，当控制器11接收到第二感应信号时，便控制第一传送带121以小于第一速度的第二速度运行。由于载板会在缓冲室12内减速运行一段时间，当载板以第二速度脱离缓冲室
12时，载板的速度是小于预设的第一速度的，而当下一个载板进入缓冲室12中的第一传送带121时，第一传送带121的速度又变为预设的第一速度，进而继续执行上述在缓冲室12内减速运行的过程，通过该种方法可以使得前后载板之间的距离是可控的，而选择合适的加速度便可以达到缩小靶室14中前后两个载板之间的距离的目的。
14内的两个载板之间的距离是可控的，通过选择合适的第一传送带的运行速度，便可以达到缩小在靶室14内传输的两个载板之间距离的目的。示例的，当控制载板进入缓冲室12中的第一传送带121时，第一传送带121以预设的第一速度运行，而当载板以预设的第一速度传输至第一位置传感器131的位置时，第一位置传感器131向控制器11发送第一感应信号，当控制器11接收到第一感应信号后，便控制第一传送带121以预设的加速度逐渐减速运行，当载板继续传输至第二位置传感器132的位置时，第二位置传感器132向控制器11发送第二感应信号，当控制器11接收到第二感应信号时，便控制第一传送带121以小于第一速度的第二速度运行。由于载板会在缓冲室12内减速运行一段时间，当载板以第二速度脱离缓冲室
12时，载板的速度是小于预设的第一速度的，而当下一个载板进入缓冲室12中的第一传送带121时，第一传送带121的速度又变为预设的第一速度，进而继续执行上述在缓冲室12内减速运行的过程，通过该种方法可以使得前后载板之间的距离是可控的，而选择合适的加速度便可以达到缩小靶室14中前后两个载板之间的距离的目的。
[0065] 本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：该磁控溅射设备包括：控制器、依次连通的缓冲室、分子泵室和靶室；缓冲室中设置有用以传输载板的第一传送带；分子泵室内靠近缓冲室一侧设置有第一位置传感器，第一位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第一感应信号；分子泵室内靠近靶室的一侧设置有第二位置传感器，第二位置传感器用于在感应到载板时向控制器发送第二感应信号；控制器分别与第一传送带、第一位置传感器和第二位置传感器连接，用于根据第一感应信号和第二感应信号来调整第一传送带的运行速度。通过调整第一传送带的运行速度，使得前后载板之间的距离是可控的，通过选择合适的第一传送带的运行速度，便可以达到缩小在靶室内传输的两个载板之间距离的目的，从而有效减小溅射到真空腔室底部的靶材数量，提升靶材材料的利用率，以节约靶材成本。
[0066] 在一个实施例中，如图2所示，分子泵室13内靠近靶室14一侧还设置第三位置传感器133，第三位置传感器133用于在感应到载板时向控制器11发送第三感应信号。
[0067] 控制器11还与第三位置传感器133连接，用于当检测未同时接收到第二感应信号和第三感应信号时，输出提示信息；提示信息用于提示磁控溅射设备出现故障。
[0068] 通过在分子泵室13内设置第三位置传感器133，从而使得控制器11可以根据第三位置传感器133发送的第三感应信号和第二位置传感器132发送的第二感应信号来确定前后两个载板是否传输到各自的预设位置，当前后两个载板同时传输至各自的预设位置时，便表明前后两个载板正常传输，磁控溅射设备运行正常，当前后两个载板未同时传输至各自的预设位置时，便表明前后两个载板传输异常，此时，可以及时输出提示信息，以提示用户磁控溅射设备运行异常，需要检修，从而有效提升了磁控溅射设备运行的可靠性。
[0069] 在一个实施例中，上述的第一位置传感器131、第二位置传感器132和第三位置传感器133均包括激光传感器。
[0070] 由于激光传感器的光斑较小，从而感应载板的精度较高，因此，本发明中的第一位置传感器131、第二位置传感器132和第三位置传感器133可以均包括激光传感器，当然也可以包括其他类型的位置传感器，例如：红外传感器等，本发明不对位置传感器的类型加以限制。
[0071] 图3是根据一示例性实施例示出的载板的传输控制方法的流程图，如图3所示，方法应用于对上述任一项实施例的磁控溅射设备的控制，该方法包括以下步骤S101-S103：
[0072] 在步骤S101中，当控制载板进入缓冲室12中的第一传送带121时，向第一传送带121发送第一控制信号，第一控制信号指示第一传送带121以预设的第一速度运行。
[0073] 在步骤S102中，当接收到第一位置传感器131发送的第一感应信号时，向第一传送带121发送第二控制信号，第二控制信号指示第一传送带121以预设的加速度逐渐减速运行。
[0074] 在步骤S103中，当接收到第二位置传感器132发送的第二感应信号时，向第一传送带121发送第三控制信号，第三控制信号用于指示第一传送带121以第二速度运行；第二速度小于第一速度。
[0075] 在一个实施例中，如图4所示，当控制载板15进入缓冲室12中的第一传送带121时，控制器11会向缓冲室12中的第一传送带121发送指示第一传送带121以预设的第一速度运行的第一控制信号，当缓冲室12中的第一传送带121接收到第一控制信号后，第一传送带121便以第一速度运行，此时载板15在第一传送带121的带动下向分子泵室13的方向传输。
[0076] 而由于要保证载板15在靶室14中以较小的速度运行，以提升镀膜效果，因此，在载板15进入靶室14时，便需要将载板15的传输速度降低为靶室14中所需的工艺速度(也即，第二速度)，这是因为，如果在载板15进入靶室14中的第二传送带141后才将载板15的传输速度降低为工艺速度，那么由于载板15自身的惯性，载板15可能会沿着靶室14中的第二传送带141向前冲，或者，载板15可能会以低于靶室14中的第二传送带141的速度传输一段距离，然后才以靶室14中的第二传送带141的工艺速度继续传输，该种情况下会导致载板15的镀膜效果不好，因此，在载板15进入靶室14时，需要将载板15的传输速度降低为第二速度，此时便可以保证载板15以第二速度匀速进入靶室14中的第二传送带141，从而提升载板15的镀膜效果，所以，缓冲室12中的第一传送带121需要执行减速运行。
[0077] 在本发明中，如图5所示，当载板15的端部传输至第一位置传感器131所在的位置时，第一位置传感器131便感应到载板15，此时，第一位置传感器131便向控制器11发送第一感应信号，当控制器11接收到第一位置传感器131发送的第一感应信号时，便向第一传送带121发送指示第一传送带121以预设的加速度逐渐减速运行的第二控制信号，此时，第一传送带121便减速运行，而执行减速运行的最终目标速度便为靶室14中的第二传送带141运行的第二速度，这样便可以保证载板15以第二速度匀速进入靶室14中的第二传送带141，而为了控制进入靶室14时前后两个载板15之间的距离，便需要控制缓冲室12中的第一传送带
121的减速距离(或减速时间)，如图6所示，当载板15的端部传输至第二位置传感器132所在的位置时，第二位置传感器132便感应到载板15，此时，第二位置传感器132便向控制器11发送第二感应信号，当控制器11接收到第二位置传感器132发送的第二感应信号时，此时便确定缓冲室12中的第一传送带的减速过程完成，需要执行匀速运动，那么控制器11便会向缓冲室12中的第一传送带121发送第三控制信号，以指示缓冲室12中的第一传送带121以第二速度运行，当缓冲室12中的第一传送带121接收到第三控制信号，第一传送带121便按照第二速度匀速运行，以将载板15以第二速度送入靶室14中的第二传送带141。
121的减速距离(或减速时间)，如图6所示，当载板15的端部传输至第二位置传感器132所在的位置时，第二位置传感器132便感应到载板15，此时，第二位置传感器132便向控制器11发送第二感应信号，当控制器11接收到第二位置传感器132发送的第二感应信号时，此时便确定缓冲室12中的第一传送带的减速过程完成，需要执行匀速运动，那么控制器11便会向缓冲室12中的第一传送带121发送第三控制信号，以指示缓冲室12中的第一传送带121以第二速度运行，当缓冲室12中的第一传送带121接收到第三控制信号，第一传送带121便按照第二速度匀速运行，以将载板15以第二速度送入靶室14中的第二传送带141。
[0078] 在本发明中，还需控制相邻两个载板进入缓冲室12中的第一传送带121的时机，因为，如果不控制相邻两个载板进入缓冲室12中的传输带的时机，会出现前一个载板还在缓冲室12的传输带内进行减速传输，而后一个载板已经以第一速度传输过来，那么会造成前后两个载板相撞的情况出现，因此，本发明中，还需控制相邻两个载板进入缓冲室12中的传输带的时机。
[0079] 在一个实施例中，上述方法还包括以下子步骤：控制相邻两个载板以预设时间间隔进入缓冲室12中的传输带。
[0080] 其中，通过预设时间间隔可以保证在缓冲室12中前后两个载板不会出现上述的碰撞问题出现，上述的预设时间间隔可以通过实验数据获取，本发明不对预设时间间隔的获取方式加以限制。
[0081] 在一个实施例中，上述方法还包括以下子步骤：当检测到缓冲室12的传输带传输完当前载板时，控制下一个载板进入缓冲室12中的传输带。
[0082] 为了有效避免在缓冲室12中前后两个载板不会上述的碰撞问题，可以当缓冲室12的传输带传输完当前载板后，再控制下一个载板进入缓冲室12中的传输带。
[0083] 如图7所示，当检测到第一传送带121传输完载板15时，控制下一个载板16进入第一传送带121，在第一传送带121传输下一个载板16时，同样执行上述调整第一传送带121传输速度的方法步骤，通过该种方式可以控制前后两个载板之间距离，如图8所示，当通过上述的方法控制缓冲室12中的第一传送带121的运行速度，便可以控制前一个载板15的尾部与后一个载板16的端部之间的距离，而通过调整第一位置传感器131和第二位置传感器132之间的距离，便可以达到减小前一个载板15的尾部与后一个载板16的端部之间距离的目的，其中，由于后一个载板16的端部传输至第二位置传感器132的位置时，便以第二速度匀速前行，此后，前一个载板15的尾部与后一个载板16的端部之间的距离便为此时的距离，由于减小了前一个载板15的尾部与后一个载板16的端部之间的距离，从而减小从前后两个载板之间的空隙溅射到真空腔室底部的靶材数量，有效提升靶材材料的利用率，并节约了靶材成本。
[0084] 其中，第一位置传感器131发送的第一感应信号可以设置为当第一位置传感器131感应到从无遮挡变更为有遮挡时(也即此时载板的端部传输至第一位置传感器131的位置)，第一位置传感器131才发送的第一感应信号(以第一位置传感器131为激光传感器为例，激光传感器可以根据接收到反射光线的时间来确定是否从无遮挡变更为有遮挡)；当然也可以设置为当第一位置传感器131感应到有遮挡时，便向控制器11发送第一感应信号(以第一位置传感器131为激光传感器为例，此时激光传感器发送的第一感应信号中可以携带激光传感器接收到反射光线的时间，以让控制器11根据接收到反射光线的时间来确定是载板的端部还是载板的尾部)，此时可以由控制器11检测是载板的端部还是尾部传输至第一位置传感器131的位置，当控制器11检测到是载板的端部传输至第一位置传感器131的位置时，便向缓冲室12中的传输带发送第一控制信号。
[0085] 相应的第二位置传感器132发送的第二感应信号的实现方式与上述第一位置传感器131发送第一感应信号的实现方式相同，此处不再赘述。
[0086] 本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：当控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向第一传送带发送第一控制信号，第一控制信号指示第一传送带以预设的第一速度运行；当接收到第一位置传感器发送的第一感应信号时，向第一传送带发送第二控制信号，第二控制信号指示第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；当接收到第二位置传感器发送的第二感应信号时，向第一传送带发送第三控制信号，第三控制信号用于指示第一传送带以第二速度运行；第二速度小于第一速度。其中，控制器通过第一位置传感器发送的第一感应信号和第二位置传感器发送的第二感应信号来变更缓冲室中的第一传送带的传输速度，从而可以有效控制进入靶室中的两个载板之间的距离，进而减小进入靶室中的两个载板之间的距离，从而减小从前后两个载板之间的空隙溅射到真空腔室底部的靶材数量，有效提升靶材材料的利用率，并节约了靶材成本。
[0087] 通过本发明中的方法，可以有效控制进入靶室14时，前后两个载板之间距离，并且可以将该距离精确控制到很小，例如：10mm。而前后两个载板之间距离缩小后，靶室14中的磁控靶溅射到真空腔室底部的材料会减少，从而延长了工艺室的清理时间，提高了整线的工作效率。
[0088] 在一个实施例中，上述方法还包括以下子步骤：
[0089] 根据第一速度、第二速度、以及第一位置传感器131与第二位置传感器132之间的距离，确定加速度。
[0090] 可以根据 和 便可以确定加速度其中，S为第一位置传感器131与第二位置传感器132之间的距离；V1为第一速度；V2为第二速度。
[0091] 为了保证载板在进入靶室14中的第二传送带141时，载板的传输速度即为第二速度，那么便需要控制缓冲室12中的第一传送带121进行减速运行的加速度，从而当缓冲室12中的第一传送带121以该加速度减速运行时，在载板传输至第二位置传感器132的位置时，载板的传输速度为第二速度，也即，在载板传输至第二位置传感器132的位置时，缓冲室12中的第一传送带121的运行速度为第二速度，从而有效控制了前后两个载板之前的距离。
[0092] 在一个实施例中，上述方法还包括以下子步骤：当检测未同时接收到第二位置传感器132发送的第二感应信号和第三位置传感器133发送的第三感应信号时，输出提示信息；提示信息用于提示磁控溅射设备出现故障。
[0093] 示例的，如图9所示，第三位置传感器133可以在感应到从有遮挡变更为无遮挡时(也即此时载板的尾部传输至第三位置传感器133的位置)，向控制器11发送第三感应信号，此时第三位置传感器133的实现方式与上述实施例中的第一位置传感器131和第二位置传感器132的实现方式相同此处不再赘述。为了控制载板和载板进入靶室14的传输带时，载板的尾部和载板的端部之间的距离，避免距离发生变化，就可以通过在分子泵室13内设置第三位置传感器133，从而使得控制器11可以根据第三位置传感器133发送的第三感应信号和第二位置传感器132发送的第二感应信号来确定前后两个载板是否正常运行，当前后两个载板未正常运行时，可以及时输出提示信息，以提示用户磁控溅射设备运行异常，出现故障，需要检修，从而有效提升了磁控溅射设备运行的可靠性。
[0094] 其中，第三位置传感器133与第二位置传感器132之间的距离即为本发明中所要控制的前后两个载板进入靶室14中的传输带时，前一个载板的尾部和后一个载板的端部之间的距离。
[0095] 下述为本发明装置实施例，可以用于执行本发明方法实施例。
[0096] 图10是根据一示例性实施例示出的一种载板的传输控制装置的框图，如图10所示，该载板的传输控制装置包括：
[0097] 第一发送模块21，用于当控制载板进入缓冲室中的第一传送带时，向所述第一传送带发送第一控制信号，所述第一控制信号指示所述第一传送带以预设的第一速度运行；
[0098] 第二发送模块22，用于当接收到所述第一位置传感器发送的第一感应信号时，向所述第一传送带发送第二控制信号，所述第二控制信号指示所述第一传送带以预设的加速度逐渐减速运行；
[0099] 第三发送模块23，用于当接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号时，向所述第一传送带发送第三控制信号，所述第三控制信号用于指示所述第一传送带以第二速度运行；所述第二速度小于第一速度。
[0100] 在一个实施例中，如图11所示，所述装置还包括：确定模块24；
[0101] 所述确定模块24，用于根据所述第一速度、所述第二速度、以及所述第一位置传感器与所述第二位置传感器之间的距离，确定所述加速度。
[0102] 在一个实施例中，如图12所示，所述装置还包括：第一控制模块25；
[0103] 所述第一控制模块25，用于控制相邻两个载板以预设时间间隔进入所述缓冲室中的传输带。
[0104] 在一个实施例中，如图13所示，所述装置还包括：第一检测模块26和第二控制模块27；
[0105] 所述第一检测模块26，用于检测所述缓冲室的传输带是否传输完当前载板；
[0106] 所述第二控制模块27，用于当所述第一检测模26检测到所述缓冲室的传输带传输完当前载板时，控制下一个载板进入所述缓冲室中的传输带。
[0107] 在一个实施例中，如图14所示，所述装置还包括：第二检测模块28和输出模块29；
[0108] 所述第二检测模块28，用于检测是否同时接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号和所述第三位置传感器发送的第三感应信号；
[0109] 所述输出模块29，用于当所述第二检测模块28检测未同时接收到所述第二位置传感器发送的第二感应信号和所述第三位置传感器发送的第三感应信号时，输出提示信息；所述提示信息用于提示所述磁控溅射设备出现故障。
[0110] 关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
[0111] 本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未发明的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
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