专利汇可以提供一种真空磁控镀膜工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 真空 磁控 镀 膜 工艺,本发明利用多弧离子磁控镀膜机进行镀膜,镀膜过程中通过调节充入到真空室内的放 电介质 气体的成分、比例或流量而使同一种金属靶材镀覆在产品表面的镀膜具有不同的色彩效果;本发明工艺简单,易于实施,成本低,能够用一种单纯的靶材而达到五颜六色的镀膜效果。,下面是一种真空磁控镀膜工艺专利的具体信息内容。
1.一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:包括以下步骤:
选用多弧离子磁控镀膜机,选用金属靶材进行镀膜;
将产品放入多弧离子磁控镀膜机的真空室;
-2
多弧离子磁控镀膜机对真空室进行抽真空,在真空室的真空度达到10×10 Pa~-2
2×10 Pa后,关闭光栅阀;
向真空室充入至少一种放电介质气体,使真空室的真空度达到1~5Pa;
进行镀膜,镀膜过程中通过调节充入到真空室内的放电介质气体的成分、比例或流量而使同一种金属靶材镀覆在产品表面的镀膜具有不同的色彩效果;
镀膜时间为10~50分钟;
完成镀膜,取出产品。
2.根据权利要求1所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:所述金属靶材选用钛靶、不锈钢靶、铬靶、镍靶、钛合金靶中的一种。
3.根据权利要求2所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:所述放电介质气体为惰性气体和非惰性气体的混合气体或者单一惰性气体。
4. 根据权利要求3所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:所述放电介质气体为氩气,镀膜过程中通过调节充入到真空室内的氩气的流量而使镀覆在产品表面的镀膜具有不同的色彩效果。
5.根据权利要求3所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:所述放电介质气体为氩气和氮气的混合气体,镀膜过程中通过调节充入到真空室内的氩气和氮气的比例、流量而使镀覆在产品表面的镀膜具有不同的色彩效果。
6.根据权利要求3所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:所述放电介质气体为氩气和氧气的混合气体,镀膜过程中通过调节充入到真空室内的氩气和氧气的比例、流量而使镀覆在产品表面的镀膜具有不同的色彩效果。
7.根据权利要求1至6之一所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:在镀膜过程
2
中,真空室内的压力为3-5Kg/cm,温度为200~350℃。
8.根据权利要求7所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:在向真空室充入放电-2
介质气体前,真空室的真空度达到5×10 Pa。
9.根据权利要求8所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:在向真空室充入放电介质气体后,真空室的真空度达到2Pa。
10.根据权利要求9所述的一种真空磁控镀膜工艺,其特征在于:所述镀膜时间为
15~45分钟。
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