镀膜装置
专利汇可以提供镀膜装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 镀 膜 装置，其包括： 外壳 ，其设置有一用于通入第一反应气体的第一进气管以及一用于通入第二反应气体的第二进气管；反应装置，包括外筒及内筒，外筒收容于外壳内。外壳与外筒之间形成一个镀膜腔，外筒与内筒之间形成一个与第一进气管连通的第一腔体，内筒形成有一与第二进气管连通的第二腔体。外筒上开设有第一通孔、第二通孔及用于收容待镀 基板 的基板槽。第一通孔连通第一腔体与该镀膜腔。该内筒上设有多个对应第二通孔的导气管，每个导气管穿过第二通孔连通第二腔体与镀膜腔；及控制装置，其用于在预定的不同时间段内控制第一反应气体与第二反应气体分别通入所述第一腔体与所述第二腔体。，下面是镀膜装置专利的具体信息内容。
1.一种镀膜装置，其特征在于，其包括：
外壳，呈中空状，其上设置有至少一个用于通入第一反应气体的第一进气管以及一个用于通入第二反应气体的第二进气管；
反应装置，其包括一外筒及一内筒，该外筒收容于该外壳内，该内筒与该外筒同轴设置，该外壳与该外筒之间形成一个镀膜腔，该外筒与该内筒之间形成一个与该第一进气管连通的第一腔体，该第一腔体用于容纳第一反应气体；该内筒形成有一个与该第二进气管连通的第二腔体，该第二腔体用于收容第二反应气体；该外筒侧壁上开设有至少一个第一通孔、至少一个第二通孔及至少一个基板槽，该基板槽用于收容待镀基板并使得待镀基板暴露在镀膜腔内；该第一通孔连通该第一腔体与该镀膜腔以允许该第一腔体的第一反应气体沉积在基板上；该内筒上设有多个对应第二通孔的导气管，每个导气管穿过该第二通孔连通第二腔体与该镀膜腔以允许该第二反应气体沉积在基板上；及
控制装置，其用于在预定的不同时间段内控制该反应装置内的第一反应气体与第二反应气体分别通入所述第一腔体与所述第二腔体，以使得第一反应气体与第二反应气体在不同时间段内沉积在基板上，从而获得多层膜。
2.如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，该外壳包括筒体以及位于筒体下方的底盘；该筒体包括一个上端板及多个连接该上端板的侧板，该底盘与该上端板相对设置；
该底盘上设有多个抽真空管用于将外壳内的空间抽为真空。
3.如权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，该上端板中心开设有一个通孔，该外筒靠近该上端板的端面中央设置有一个垂直该外筒端面的旋转轴；该旋转轴通过该通孔与一旋转马达连接，所述旋转马达用于驱动该旋转轴带动该外筒在外壳内旋转。
4.如权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，该外筒包括一个外筒侧板以及在靠近上端板的一端形成有一个外筒上盖；该内筒包括一个内筒侧板，内筒靠近外筒上盖的顶部固定在外筒上盖上，其靠近底盘的底部利用底盘进行密封。
5.如权利要求4所述的镀膜装置，其特征在于，该底盘上形成有同轴设置的第一圆台凸缘以及第二圆台凸缘，其分别用于封闭该外筒以及该内筒，该外筒侧板、该外筒上盖及该第一圆台凸缘围成所述第一腔体，该内筒侧板、该内筒上盖及该第二圆台凸缘围成所述第二腔体，所述第一腔体与第二腔体均各自通过至少一进气管与外界气源连通。
6.如权利要求4所述的镀膜装置，其特征在于，该外筒侧板包括两个平行其中心轴且相互背对的第一表面、两个平行其中心轴且相互背对的第二表面以及两个平行其中心轴且相互背对的第三表面，第一表面、第二表面以及第三表面依次相连；该两个第一表面上分别开设所述至少一个基板槽，每个基板槽内开设有一个连通到底盘上的抽真空管的吸附槽；
该两个第二表面上分别开设有所述至少一个第一通孔，该两个第三表面上分别开设有所述至少一个第二通孔。
7.如权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于，该底盘对应第一腔体以及第二腔体的位置分别设置有电子管，其用于发射电子束使得第一反应气体以及第二反应气体发生化学反应。
8.如权利要求4所述的镀膜装置，其特征在于，该控制装置包括多个挡板组件以及一控制面板，该挡板组件可活动地遮盖该至少一个第一通孔以及该至少一个导气管的开口，该控制面板用于自动或手动控制该挡板组件遮盖该第一通孔或导气管。
9.如权利要求8所述的镀膜装置，其特征在于，每个挡板组件包括一个马达、一个支架及一个方形的挡板；该马达连接控制面板；支架包括固定连接的两部分，支架一端固定螺接在外筒侧板上，另一端连接马达，马达上设置有一个开设有螺纹的转轴，挡板中间设置有一个固定栓，固定栓上开设有对应转轴的螺孔，转轴螺入螺孔中，马达通过转轴旋转驱动挡板沿平行外筒侧板的方向移动。
镀膜装置
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
121以及第二圆台凸缘123，第一圆台凸缘121的外径大于第二圆台凸缘123的外径。该底盘12上对应于反应装置20的位置还设置有电子管16，其用于向反应装置20发射电子束。
211a、两个平行中心轴101且背对的第二表面211b及两个平行中心轴101且背对的第三表面211c。第一表面211a、第二表面211b及第三表面211c依次连接构成外筒21的多棱柱状的外表面。该两个第一表面211a上分别开设至少一个基板槽211d，该基板槽211d用于收容待镀基板并使得待镀基板暴露在镀膜腔23内。本实施方式中，第一表面211a上开设有5个基板槽211d。每个基板槽211d内开设有一个连通到底盘12上的抽真空管13的吸附槽211e，当待镀基板容置于基板槽211d内时，可通过吸附槽211e利用真空吸附力将基板吸附在基板槽211d中。该两个第二表面211b上分别开设有至少一个第一通孔211f，该两个第三表面211c上分别开设有至少一个第二通孔211g（请参阅图4）。该第一通孔211f连通该第一腔体24与该镀膜腔23，以允许该第一腔体24的第一反应气体分布在镀膜腔23中，并沉积在待镀基板上。该外筒上盖213的端面中央设置有一个平行该中心轴101的旋转轴215，该旋转轴215通过该外壳10上的通孔115与一旋转马达217连接，所述旋转马达217用于驱动该旋转轴215带动该外筒21相对于外壳10旋转，使得镀膜过程中待镀基板一直在外壳10内旋转，膜层更加均匀，且可同时对多个待镀基板进行镀膜。
24内的第一反应气体被电解成正离子，电解后的气体因气压增加而从第一通孔211f(导气管223)中喷出至镀膜腔23，并在镀膜腔23内发生化学反应，产生的反应物部分沉积在待镀基板上，形成第一个膜层。本实施方式中，第一反应气体在镀膜腔23内发生的化学反应式为：SiH4+H2=Si+3H2。当镀完第一层膜后，即到达预定时间后，通过控制挡板组件31释放第一通孔211f(导气管223)，并控制另外的挡板组件31遮挡导气管223(第一通孔211f)，再使得电子管16向反应装置20的第二腔体25发射电子束，第二腔体25内的第二反应气体被电解成正离子，电解后的气体因气压增加而从导气管223(第一通孔211f)中喷出至镀膜腔
23，并在镀膜腔23内发生化学反应，产生的反应物部分沉积在待镀基板上，形成另一个膜层。本实施方式中，第二反应气体在镀膜腔23内发生的化学反应式为：SiH4+O2=SiO2+2H2。
由此，在待镀基板上可交替形成硅膜层以及二氧化硅膜层。
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