技术领域
[0001] 本实用新型涉及晶片技术领域，尤其涉及一种
半导体晶片。
背景技术
[0002] 以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能，在卫星通讯、
微波器件、
激光器及发光
二极管领域有着十分广泛的应用。
异质结双极晶体管、高
电子迁移率晶体管、LED等器件的制作需要高
质量的衬底表面，用分子束
外延或者有机
金属化合物
气相外延技术生长外延结构。
[0003] 目前，半导体晶片以砷化镓为代表，本说明以4英寸晶片为例，LED外延芯片用砷化镓衬底规格及相关标准为GB/T 30856—2014，标准规定砷化镓主参照面长度为32mm±1mm，主参照面取向[0-1-1]±0.5°属于1个镓面。
[0004] 按此标准加工好的衬底，进行清洗后，达到EPI-Ready，待需使用时，将清洗后的晶片放入mocvd中，采用有机金属化合物气相外延技术生长外延结构，衬底放在MOCVD反应腔的小
石墨盘中，在
外延生长过程中，小石墨盘会根据工艺要求进行旋转，砷化镓加工标准中有主参照面和副参考面，为防止衬底在石墨盘中不固定，而造成外延层不均匀，所以小石墨盘会设计有一个
定位边，其长度与衬底主参照面长度相当，起固定衬底防止衬底在石磨盘中旋转的作用。在外延生长中，石墨盘顺
时针旋转，由于衬底已经被石磨盘的定位边固定，所以衬底不会在石墨盘中旋转，但是由于惯性的作用，衬底在石墨盘中会有一个顺时针旋转的
动能，所以衬底的主参照面会与石磨盘的定位边碰撞，且容易
接触石墨盘的边缘，一方面，由于衬底比较薄，碰撞有可能对衬底边缘产生影响，另一方面，衬底主参照面与石墨盘接触会形成一个应
力集中点，在外延生长中，衬底受热会产生
变形，且衬底表面会外延形成新的
薄膜外延层结构，产生的
应力也会集中在接触点的
位置。以上两个因素均会造成外延片的
缺陷，在主参照面与衬底圆弧的结点处。此缺陷很容易造成外延片沿晶片的解理线破裂，从而造成外延片的报废。
[0005] 因此，如何提供一种半导体晶片，以减少衬底在外延生长中的破片率，提高外延的成品率，降低成本，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。实用新型内容
[0006] 有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种半导体晶片，以减少衬底在外延生长中的破片率，提高外延的成品率，降低成本。
[0007] 为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
[0008] 一种半导体晶片，包括位于所述半导体晶片的
侧壁上的主参照面和圆弧面，所述主参照面与所述圆弧面的边连接处设置有
倒角。
[0009] 优选的，上述主参照面的一端与所述圆弧面的边连接处设置有倒角。
[0010] 优选的，上述主参照面的两端与所述圆弧面的边连接处设置有倒角。
[0011] 优选的，上述主参照面的一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角，与所述主参照面的另一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角相同。
[0012] 优选的，上述主参照面的一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角，与所述主参照面的另一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角不同。
[0013] 优选的，上述倒角为R1-R50。
[0014] 优选的，上述主参照面的长度为17±1mm，或者22±1mm，或者32.5mm±1mm，或者48±2mm。
[0015] 优选的，上述的半导体晶片其材质为砷化镓。
[0016] 优选的，上述的半导体晶片其材质为磷化铟。
[0017] 优选的，上述的半导体晶片其材质为锗。
[0018] 本实用新型提供的半导体晶片，包括位于所述半导体晶片的侧壁上的主参照面和圆弧面，所述主参照面与所述圆弧面的边连接处设置有倒角。
[0019] 本实用新型提供的半导体晶片，通过改变晶片的边型来降低衬底在外延中因碰撞或者应力集中点而造成衬底在外延过程中形成的“平边缺陷”或者外延片破裂的问题。在主参照面的两端与圆弧边连接处由之前的不倒角更改为倒角，能够减少衬底在外延生长中的破片率，提高外延的成品率，降低成本。
附图说明
[0020] 为了更清楚地说明本实用新型
实施例或
现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021] 图1为本实用新型实施例提供的半导体晶片的结构示意图。
[0022] 上图1中：
[0023] 半导体晶片1、主参照面2、倒角3、圆弧面4。
具体实施方式
[0024] 为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0025] 请参考图1，图1为本实用新型实施例提供的半导体晶片的结构示意图。
[0026] 本实用新型实施例提供的半导体晶片1，包括位于半导体晶片1的侧壁上的主参照面2和圆弧面4，主参照面2与圆弧面4的边连接处设置有倒角3。
[0027] 其中，半导体晶片的材料可以为砷化镓(GaAs)，或者磷化铟(InP)，或者锗(Ge)等。主参照面的长度可以为17±1mm，或者22±1mm，或者32.5mm±1mm，或者48±2mm。具体的，半导体晶片包含2、3、4、6等尺寸(是目前使用范围最多的尺寸大小)，当然，同时也包含未来更大尺寸晶片；其中，2英寸晶片的主参照面长度为17±1mm，3英寸晶片的主参照面长度为22±1mm，4英寸晶片的主参照面长度为32.5±1mm，6英寸晶片的主参照面长度为48±2mm。
[0028] 本实用新型实施例提供的半导体晶片，主要通过改变晶片主参照面的长度以及边型来降低衬底在外延中因碰撞或者应力集中点而造成衬底在外延过程中形成的“平边缺陷”或者外延片破裂的问题。将主参照面长度进行更改，在主参照面的两端与圆弧边连接处由之前的不倒角更改为倒角，能够减少衬底在外延生长中的破片率，提高外延的成品率，降低成本。
[0029] 具体的，主参照面2的一端与圆弧面4的边连接处设置有倒角3。或者，主参照面2的两端与圆弧面4的边连接处设置有倒角3。
[0030] 其中，主参照面2的一端与圆弧面4的边连接处设置的倒角3，与主参照面2的另一端与圆弧面4的边连接处设置的倒角3相同。或者，主参照面2的一端与圆弧面4的边连接处设置的倒角3，与主参照面2的另一端与圆弧面4的边连接处设置的倒角3不同。倒角3为R1-R50。
[0031] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种
修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
