专利汇可以提供制程处理室中阴极的射频接地专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种用以在一制程 处理室 壁以及一基材 支撑 件间提供一短RF 电流 返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送埠之上,其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性 接触 ,以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一 实施例 至少包含一或多个低阻抗可弯曲幕状物,其可电性连接至接地处理室壁,并接至一或多个低阻抗档体,其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个低阻抗可弯曲条体,其可电性连接至接地处理室壁,并接至一或多个低阻抗档体,其在基材制程期间可与基材支撑件接触。该RF接地设备的另一实施例包含数个探针,其可电性连接至接地处理室壁或由其它装置作接地,以及数个附有探针的 致动器 。该等致动器可移动探针以在基材制程期间电性接触基材支撑件。,下面是制程处理室中阴极的射频接地专利的具体信息内容。
1.一种用以在一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑 件之间提供一RF电流返回路径的设备,其特征在于,至少包含:
一制程处理室壁,其具有一基材传送埠;
一基材支撑件,由制程处理室壁封围,且适于移动于一制程位置及 一非制程位置之间;以及
一RF接地组件,安装至制程处理室壁,该RF接地组件位于基材传 送埠之上,且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述的RF接地组件还包 含:
一或多个低阻抗档体(block),其在基材制程期间可接触基材支撑 件;以及
一或多个低阻抗可弯曲幕状物,其具有第一端及第二端,第一端可 电性连接至制程处理室壁,而第二端可连接至一或多个低阻抗档体。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的每一低阻抗可弯曲 幕状物(curtain)包括一或多个开口,适于让反应性物种通过。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述的一或多个开口的至 少一者是位于该低阻抗可弯曲幕状物的第二端附近。
5.如权利要求4所述的设备,其特征在于,所述的一或多个开口宽度 约0.5英寸至约1英寸,且采每2英寸至约每4英寸间隔方式设置。
6.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗可 弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆有导电金属涂层的可弯曲材料及 其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
7.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗可 弯曲幕状物是由铝制成,且厚约0.008英寸至约0.016英寸。
8.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗可 弯曲幕状物宽约3英寸至约5英寸,且长约5英寸至约6英寸。
9.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的每一幕状物的第一 端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至上处理室本体。
10.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的每一幕状物的第 二端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至低阻抗档体。
11.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体可支撑一遮蔽框。
12.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体于非基材制程期间是由一或多个安置架(rest-pieces)所支撑。
13.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且数个低阻抗档体是设置彼此邻近以大致绕该基材支撑件本体的整 个边缘延伸,且至少一档体是接触该多边形基材支撑件的每一边缘。
14.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组 成的群组中所选出的材料制成。
15.如权利要求2所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体的截面约1/4英寸至约3/4英寸乘以约1/4英寸至约3/4英寸。
16.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件具有 一凸架,环绕基材支撑件上表面的外缘。
17.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述的凸架宽度至少为 0.01英寸。
18.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述的凸架宽度至少为 0.1英寸。
19.如权利要求16所述的设备,其特征在于,在基材制程期间凸架可 接取一或多个低阻抗档体,以让这些档体可电性接触基材支撑件。
20.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述的RF接地组件还包 含:
一或多个低阻抗档体,可于基材制程期间接触基材支撑件;以及
多个低阻抗可弯曲条体,具有第一端及第二端,以及至少一位于第 一端及第二端间的弯曲部;其中第一端电性连接至制程处理室壁,而第二 端电性连接至一或多个低阻抗档体。
21.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的低阻抗可弯曲条 体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成 的群组中所选出的材料制成。
22.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的低阻抗可弯曲条 体是由铝制成,且厚约0.008英寸至约0.016英寸厚。
23.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的每一低阻抗可弯 曲条体宽度约1/4英寸至3/4英寸,而长度约4英寸至约6英寸。
24.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一低阻抗可弯曲条体。
25.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的反应物种可通过 低阻抗可弯曲条体之间。
26.如权利要求20所述的设备,其特征在于,还至少包含:
一或多个低阻抗连接块,以让RF接地组件可耦接至制程处理室壁。
27.如权利要求26所述的设备,其特征在于,所述的一或多个连接块 是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的 群组中所选出的材料制成。
28.如权利要求26所述的设备,其特征在于,所述的每一低阻抗可弯 曲条体的第一端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至一或多个 连接块。
29.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的每一低阻抗可弯 曲条体的第二端是以熔接、焊接、焊铜或接附装置的方式耦接至一或多个 低阻抗档体。
30.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体可支撑一遮蔽框。
31.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体于非基材制程期间是以一或多个安置架支撑。
32.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且数个低阻抗档体设置彼此邻近以大致绕基材支撑件本体的整个边 缘延伸,且至少一档体是接触多边形基材支撑件的每一边缘。
33.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组 成的群组中所选出的材料制成。
34.如权利要求20所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体的截面约1/4英寸至约3/4英寸乘以约1/4英寸至约3/4英寸。
35.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述的制程处理室为一 PECVD处理室。
36.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述的制程处理室为一 等离子蚀刻处理室。
37.一种用以在一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支 撑件之间提供一RF电流返回路径的设备,其特征在于,至少包含:
一制程处理室壁,其具有一基材传送埠;
一基材支撑件,由制程处理室壁封围,且适于移动在一制程位置及 一非制程位置之间;以及
一RF接地组件,安装至制程处理室壁,该RF接地组件是位于基材 传送埠之上,且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件。
38.如权利要求37所述的设备,其特征在于,所述的RF接地组件还至 少包含:
数个RF接地探针,可移动于一在该基材支撑件移至一制程位置时接 触该基材支撑件的位置以及一在该基材支撑件移至一非制程位置时未接 触该基材支撑件的位置之间;以及
数个致动器,耦接至这些探针,且适于控制这些探针的移动。
39.如权利要求38所述的设备,其特征在于,所述的这些探针是由铝、 钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所 选出的材料制成。
40.如权利要求38所述的设备,其特征在于,所述的这些探针是由铝 制成,且这些探针的直径约3/8英寸至约1/2英寸。
41.如权利要求38所述的设备,其特征在于,介于基材支撑件及探针 接触的一制程室壁(且RF接地)间的探针长度约10英寸或更短。
42.如权利要求38所述的设备,其特征在于,介于基材支撑件及探针 接触的一制程室壁(且RF接地)间的探针长度约3英寸或更短。
43.如权利要求38所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一探针。
44.如权利要求38所述的设备,其特征在于,沿基材支撑件外缘约每 4英寸至约每8英寸设有一探针。
45.如权利要求38所述的设备,其特征在于,所述的反应性物种可通 过这些探针之间。
46.如权利要求38所述的设备,其特征在于,所述的这些探针可经由 具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
47.如权利要求38所述的设备,其特征在于,所述的这些致动器是螺 线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
48.如权利要求37所述的设备,其特征在于,所述的制程处理室为一 PECVD制程处理室。
49.如权利要求37所述的设备,其特征在于,所述的制程处理室为一 等离子蚀刻处理室。
50.一种用以在一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑 件之间提供一RF电流返回路径的设备,其特征在于,至少包含:
一制程处理室壁,其具有一基材传送埠;
一基材支撑件,由制程处理室壁封围,且适于移动于一制程位置及 一非制程位置之间;以及
一RF接地组件,安装至制程处理室壁,该RF接地组件位于基材传 送埠之上,且在基材支撑件位于制程位置时可接触该基材支撑件,而RF 接地组件至少包含一或多个低阻抗档体,以在基材制程期间接触基材支撑 件;以及一或多个低阻抗可弯曲幕状物,其具有一第一端及第二端,其中 第一端电性连接至制程处理室壁,而第二端连接至一或多个低阻抗档体。
51.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的每一低阻抗可弯 曲幕状物包含一或多个开口,适于让反应性物种通过。
52.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其 组合物组成的群组中所选出的材料制成。
53.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的每一幕状物的第 一端是通过熔接、焊接、焊铜或借一连接装置的方式耦接至上处理室本体。
54.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体可支撑一遮蔽框。
55.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体于非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
56.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且多个低阻抗档体设置彼此邻近以大致绕基材支撑件本体的整个边 缘延伸,且至少一档体是接触多边形基材支撑件的每一边缘。
57.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组 成的群组中所选出的材料制成。
58.如权利要求50所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件具有 一凸架,环绕基材支撑件上表面的外缘。
59.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支 撑件之间提供一RF电流返回路径的设备,其特征在于,至少包含:
一制程处理室壁,其具有一基材传送埠;
一基材支撑件,由制程处理室壁封围,且适于移动于一制程位置及 一非制程位置之间;以及
一RF接地组件,安装至制程处理室壁,该RF接地组件是位于基材 传送埠之上,且在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑件,而RF 接地组件至少包含一或多个低阻抗档体,以于基材制程期间接触基材支撑 件;以及数个低阻抗可弯曲条体,其具有一第一端及第二端,以及第一端 及第二端间的至少一弯曲部,其中第一端电性连接至制程处理室壁,而第 二端连接至一或多个低阻抗档体。
60.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的低阻抗可弯曲条 体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成 的群组中所选出的材料制成。
61.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一低阻抗可弯曲条体。
62.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的反应性物种可通 过这些低阻抗可弯曲条体之间。
63.如权利要求59所述的设备,其特征在于,还至少包含:
一或多个低阻抗连接块,以让RF接地组件可耦接至制程处理室壁。
64.如权利要求63所述的设备,其特征在于,所述的一或多个连接块 是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的 群组中所选出的材料制成。
65.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体可支撑一遮蔽框。
66.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体于非基材制程期间是由一或多个安置架支撑。
67.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且数个低阻抗档体设置彼此邻近以大致绕基材支撑件本体的整个边 缘延伸,且至少一低阻抗档体是接触多边形基材支撑件的每一边缘。
68.如权利要求59所述的设备,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组 成的群组中所选出的材料制成。
69.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支 撑件的间提供一RF电流返回路径的设备,其特征在于,至少包含:
一制程处理室壁,其具有一基材传送埠;
一基材支撑件,由制程处理室壁封围,且适于移动于一制程位置及 一非制程位置之间;以及
一RF接地组件,安装至制程处理室壁,该RF接地组件位于基材传 送端口之上,且经配置以在基材支撑件位于制程位置时可接触基材支撑 件,而RF接地组件至少包含多个RF接地探针,其等可移动于一在基材 支撑件移至一制程位置时接触基材支撑件的位置以及一在基材支撑件移 至一非制程位置时未接触基材支撑件的位置之间;以及数个致动器,耦接 至这些探针,且适于控制这些探针的移动。
70.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述的这些探针是由铝、 钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所 选出的材料制成。
71.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述的基材支撑件为多 边形,且多边形基材支撑件的各边缘处具有至少一低阻抗可弯曲条体。
72.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述的反应性物种可通 过这些探针之间。
73.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述的这些探针可经由 具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
74.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述的这些致动器为螺 线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
75.一种用以于一制程处理室壁及一由制程处理室壁封围的基材支撑 件之间提供一RF电流返回路径的RF接地组件,其特征在于,其至少包 含:
一或多个低阻抗档体,其可于基材制程期间接触基材支撑件;以及
一或多个低阻抗可弯曲幕状物,具有第一端及第二端,第一端电性 连接制程处理室壁,而第二端连接一或多个低阻抗档体。
76.如权利要求75所述的RF接地组件,其特征在于,所述的每一低 阻抗可弯曲幕状物包含一或多个开口,适于让反应性物种通过。
77.如权利要求75所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体 材料及其组合物组成的群组中所选出的材料制成。
78.如权利要求75所述的RF接地组件,其特征在于,所述的每一幕 状物的第一端是借熔接、焊接、焊铜或借一连接装置的方式耦接至上处理 室本体。
79.如权利要求75所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
80.如权利要求75所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗档体在非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
81.如权利要求75所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其 组合物组成的群组中所选出的材料制成。
82.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支 撑件之间提供一RF电流返回路径的RF接地组件,其特征在于,至少包 含:
一或多个低阻抗档体,其可于基材制程期间接触基材支撑件;以及
数个低阻抗可弯曲条体,具有第一端及第二端以及第一及第二端间 的至少一弯曲部,其中第一端是电性连接至制程处理室壁,而第二端电性 连接至一或多个低阻抗档体。
83.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,所述的低阻抗 可弯曲条体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组 合物组成的群组中所选出的材料制成。
84.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,所述的反应性 物种可通过等低阻抗可弯曲条体之间。
85.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,还至少包含:
一或多个低阻抗连接块,可让RF接地组件耦接至制程处理室壁。
86.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个连接块是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合 物组成的群组中所选出的材料制成。
87.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗档体可支撑一遮蔽框。
88.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗档体在非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
89.如权利要求82所述的RF接地组件,其特征在于,所述的一或多 个低阻抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其 组合物组成的群组中所选出的材料制成。
90.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支 撑件之间提供一RF电流返回路径的RF接地组件,其特征在于,至少包 含:
数个RF接地探针,其可移动于一在基材支撑件移至一制程位置时接 触基材支撑件的位置以及一在基材支撑件移至非制程位置时未接触基材 支撑件的位置之间;以及
数个致动器,耦接至这些探针并适于控制这些探针的移动。
91.如权利要求90所述的RF接地组件,其特征在于,所述的这些探 针是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成 的群组中所选出的材料制成。
92.如权利要求90所述的RF接地组件,其特征在于,所述的反应性 物种可通过这些探针之间。
93.如权利要求90所述的RF接地组件,其特征在于,所述的这些探 针可经由具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
94.如权利要求90所述的RF接地组件,其特征在于,所述的致动器 为螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
95.一种用以于一制程处理室壁及一由该制程处理室壁封围的基材支 撑件之间提供一RF电流返回路径的方法,其特征在于,至少包含:
将基材支撑件移至一制程位置;以及
以一RF接地组件接触基材支撑件,该RF接地组件安装至制程处理 室壁,并位于基材传送埠上,其中RF接地组件在基材支撑件位于制程位 置时仅接触基材支撑件。
96.如权利要求95所述的方法,其特征在于,所述的RF接地组件至 少包含一或多个低阻抗档体,可于基材制程期间接触基材支撑件;以及一 或多个低阻抗可弯曲幕状物,其具有第一端及第二端,第一端电性连接至 制程处理室壁,而第二端连接至一或多个低阻抗档体。
97.如权利要求96所述的方法,其特征在于,所述的各低阻抗可弯曲 幕状物包含一或多个开口,适于让反应性物种通过。
98.如权利要求96所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 可弯曲幕状物是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其 组合物组成的群组中所选出的材料制成。
99.如权利要求96所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻抗 档体可支撑一遮蔽框。
100.如权利要求96所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻 抗档体在非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
101.如权利要求96所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻 抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物 组成的群组中所选出的材料制成。
102.如权利要求95所述的方法,其特征在于,所述的RF接地组件至 少包含一或多个低阻抗档体,其可于基材制程期间接触基材支撑件;以及 数个低阻抗可弯曲条体,其具有第一端及第二端以及第一及第二端间的至 少一弯曲部,其中第一端电性连接至制程处理室壁,而第二端电性连接至 一或多个低阻抗档体。
103.如权利要求102所述的方法,其特征在于,所述的低阻抗可弯曲 条体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组 成的群组中所选出的材料制成。
104.如权利要求102所述的方法,其特征在于,所述的反应性物种可 通过低阻抗可弯曲条体之间。
105.如权利要求102所述的方法,其特征在于,所述的RF接地组件 更包含一或多个低阻抗连接块,以让RF接地组件耦接至制程处理室壁。
106.如权利要求105所述的方法,其特征在于,所述的一或多个连接 块是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成 的群组中所选出的材料制成。
107.如权利要求102所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻 抗档体可支撑一遮蔽框。
108.如权利要求102所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻 抗档体于非基材制程期间由一或多个安置架支撑。
109.如权利要求102所述的方法,其特征在于,所述的一或多个低阻 抗档体是由铝、钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物 组成的群组中所选出的材料制成。
110.如权利要求95所述的方法,其特征在于,所述的RF接地组件至 少包含数个RF接地探针,其可移动于一在基材支撑件移至一制程位置时 接触基材支撑件的位置以及一在该基材支撑件移至一非制程位置时未接 触基材支撑件的位置之间,且数个致动器是耦接至这些探针,并适于控制 这些探针的移动。
111.如权利要求110所述的方法,其特征在于,所述的探针是由铝、 钛、不锈钢、一涂覆导电金属涂层的固体材料及其组合物组成的群组中所 选出的材料制成。
112.如权利要求110所述的方法,其特征在于,所述的反应性物种可 通过这些探针之间。
113.如权利要求110所述的方法,其特征在于,所述的这些探针可经 由具有真空密封装置或真空密封折箱的处理室壁插入。
114.如权利要求110所述的方法,其特征在于,所述的这些致动器为 螺线管线性致动器、气动式或液压汽缸。
本发明的实施例大致关于用于大面积基材处理的等离子制程设备,且 更明确而言,是关于用于前述设备的RF电流返回路径。
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