电子器件和用于制造电子器件的方法
阅读：983发布：2023-02-09
专利汇可以提供电子器件和用于制造电子器件的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且在各种 实施例 中， 电子 器件（100）具有：第一 电极 （104）；在第一电极（104）上或上方的有机功能层结构（106）；在有机功能层结构（106）上或上方的第二电极（112）；在第二电极（112）上或上方的介电层（114）；和在介电层（114）上或上方的反射层结构（116）。，下面是电子器件和用于制造电子器件的方法专利的具体信息内容。
1.电子器件（100），具有：
-第一电极（104）；
-在所述第一电极（104）上或上方的有机功能层结构（106）；
-在所述有机功能层结构（106）上或上方的第二电极（112）；
-在所述第二电极（112）上或上方的介电层（114）；和
-在所述介电层（114）上或上方的反射层结构（116），
其中所述有机功能层结构（106）在所述第一电极（104）和所述第二电极（112）之间形成第一微腔，并且所述介电层（114）在所述第二电极（112）和所述反射层结构（116）之间形成第二微腔。
2.根据权利要求1所述的电子器件（100），其中所述第二电极（112）构建为使得所述第一微腔经由所述第二电极（112）与所述第二微腔光学耦合。
3.根据权利要求2所述的电子器件（100），其中所述第二电极（112）对于由所述有机功能层结构（106）发射的辐射是半透明的。
4.根据权利要求1至3之一所述的电子器件（100），
其中所述介电层（114）是对于至少在波长范围为380nm至780nm的子范围中的辐射是透明的层。
5.根据权利要求1至4之一所述的电子器件（100），
其中所述介电层（114）是借助于下述方法中的一个施加的层：
-化学气相沉积法；
-物理气相沉积法；
-旋涂法；
-印刷；
-刮涂；
-喷涂；以及
-浸没沉积法。
6.根据权利要求1至5之一所述的电子器件（100），
其中所述介电层（114）是原子层外延层。
7.根据权利要求1至6之一所述的电子器件（100），
其中所述介电层（114）具有大约50nm至大约2μm范围中的层厚度、优选具有大约
70nm至大约200nm范围中的层厚度。
8.根据权利要求1至7之一所述的电子器件（100），
其中所述介电层（114）具有一种材料或材料的混合物或材料的层的堆叠，所述材料选自：SiO2；Si3N4；SiON；Al2O3；ZrO2；TiO2；Ta2O5；SiO2；ZnO；和HfO2；或所述材料的组合。
9.用于制造电子器件（100）的方法（200），其中所述方法包括：
-形成（202）第一电极（104）；
-在所述第一电极（104）上或上方形成（204）有机功能层结构（106）；
-在所述有机功能层结构（106）上或上方形成（206）第二电极（112）；
-在所述第二电极（112）上或上方形成（208）介电层（114）；以及
-在所述介电层（114）上或上方形成（210）反射层结构（116），
使得所述有机功能层结构（106）在所述第一电极（104）和所述第二电极（112）之间形成第一微腔
并且
所述介电层（114）在所述第二电极（112）和所述反射层结构（116）之间形成第二微腔。
10.根据权利要求9所述的方法，
其中所述第二电极（112）形成为使得所述第一微腔与所述第二微腔光学耦合。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中所述第二电极（112）形成为对于由所述有机功能层结构（106）发射的辐射是半透明的。
12.根据权利要求9至11之一所述的方法，
其中所述介电层（114）形成为对于至少在波长范围为380nm至780nm的子范围中的辐射是透明的层。
13.根据权利要求9至12之一所述的方法，
其中所述介电层（114）借助于下述方法中的一个形成：
-化学气相沉积法；
-物理气相沉积法；
-旋涂法；
-印刷；
-刮涂；
-喷涂；以及
-浸没沉积法。
14.根据权利要求9至13之一所述的方法，
其中借助于原子层外延法施加所述介电层（114）。
15.根据权利要求9至14之一所述的方法，
其中形成具有大约50nm至大约2μm范围中的、优选大约70nm至大约200nm的范围中的层厚度的所述介电层（114）。
16.根据权利要求9至15之一所述的方法，
其中所述介电层（114）由一种材料或材料的混合物或材料的层的堆叠形成，所述材料选自：SiO2；Si3N4；SiON；Al2O3；ZrO2；TiO2；Ta2O5；SiO2；ZnO；和HfO2；或所述材料的组合。
电子器件和用于制造电子器件的方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种电子器件和一种用于制造电子器件的方法。
背景技术
[0002] 在M.Mazzeo等著的Shaping white light through electroluminescent fully organic coupled-microcavities，Advanced Materials，Doi10.1002/adma.201001631，2010年9月中描述一种具有两个彼此光学耦合的微腔（英语：coupled microcavities（耦合的微腔））的有机发光二极管。除了由有机发光二极管（OLED）形成的原本常规的微腔以外，借助于第二微腔，能够影响OLED的发射光谱，由此尤其能够实现高的显色性指数。所述附加的微腔由设置在两个金属镜之间的、透明的有机层形成，其中位于两个微腔之间的镜是半透明的，使得得到两个微腔之间的光学耦合。
[0003] 发明人确定，具有两个彼此光学耦合的微腔的这种OLED在可实现的显色性指数还有OLED的可实现的效率方面，相对于在材料沉积时的已极其小的层厚度波动
而言是极其易受影响的。借助于用于施加有机层的传统的蒸镀法例如得到±5%范围
内的典型的层厚度波动。由此，大规模地实现具有两个彼此光学耦合的微腔的OLED
（Coupled-Microcavity OLED（耦合微腔OLED））的是极其困难的。
而言是极其易受影响的。借助于用于施加有机层的传统的蒸镀法例如得到±5%范围
内的典型的层厚度波动。由此，大规模地实现具有两个彼此光学耦合的微腔的OLED
（Coupled-Microcavity OLED（耦合微腔OLED））的是极其困难的。
发明内容
[0004] 因此，提出目的：克服上述缺点并且提供一种结构或方法，使得实现具有两个彼此光学耦合的微腔的OLED的大规模的实现方案。
[0007] 在不同的实施例中，提供电子器件、例如发射光的电子器件和用于制造电子器件、例如发射光的电子器件的方法，所述电子器件与耦合微腔OLED相比确保能够可靠实现的高显色性指数，并且所述电子器件也实现这种电子器件的大规模的实现和制造。
[0008] 在不同的实施例中，提供电子器件、例如发射光的电子器件。电子器件能够具有第一电极；在第一电极上或上方的有机功能层结构；在有机功能层结构上或上方的第二电极；在第二电极上或上方的介电层；和在介电层上和上方的反射层结构。
[0009] 代替在常规的耦合微腔OLED中通常设置的第二有机层，实现在施加的介电层的厚度方面进行更精确地施加根据不同实施例设置的介电层。根据不同的实施例，施加的介电层不受上述显著的层厚度波动影响，如其在施加有机层时那样。因此，根据不同的实施例，实现更精确地层厚度控制，由此即使在大规模实现时还能够保证可实现的高的显色性指数。
[0010] 因此，在不同的实施例中直观的是，提供一种耦合微腔OLED，其中设置有仅一个有机功能层结构，并且所述层结构与介电层耦合、例如光学耦合，使得达到用于提高显色性指数的耦合作用。
[0011] 此外指出，在不同的实施例中，通过介电层代替有机层来提供所形成的发射光的电子器件的包封作用。在常规的耦合微腔OLED中通常需要的是，将所形成的耦合微腔OLED再通过下述附加的措施以保护免受氧气和水影响：例如在耦合微腔OLED上附加施加的层、例如ALD层（ALD：原子层外延沉积，英语：Atomic Layer Deposition（原子层沉积））或具有所谓的吸气剂的腔玻璃包封部。
[0012] 因此，通过使用介电层而直观地提供耦合微腔OLED结构，其中在实现包封作用的同时，解决层厚度波动的上述问题。这指出，如果期望，在不同的实施例中显然还能够设有附加的层或措施，以用于附加地包封发射光的电子器件。
[0013] 在不同的实施例中，术语“包封”或“包封部”例如理解为，提供相对于湿气和/或氧气的阻挡部，使得有机功能层结构不能被所述物质穿透。
[0014] 在一个设计方案中，第二电极能够构建为，使得介电层与有机功能层结构光学耦合。
[0016] 在一个改进方案中，介电层是对于波长范围至少在380nm至780nm的子范围中的辐射是透明的。
[0017] 介电层能够是借助于下述方法之一施加的层：化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）；物理气相沉积法（physical vapor deposition，PVD）；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；喷涂；和浸没沉积法。
[0018] 在不同的实施例中，等离子增强化学气相沉积法（plasma enhanced chemical vapor deposition，PE-CVD）能够用作CVD法。在此，在上面应施加待施加的层的元件上方和/或周围，在一定体积中能够产生等离子，其中将至少两个气相的初始化合物输送给所述体积，所述初始化合物在等离子中离子化并且进行诱导以用以相互反应。通过产生等离子能够实现的是，与无等离子的CVD法相比能够降低为了实现产生例如介电层而要将元件表面所加热到的温度。例如，当例如要形成的发射光的电子器件的元件在温度高于最高温度的情况下被损害时，上述方式能够是有利的。最大温度例如能够在根据不同实施例的要形成的发射光的电子器件中大约是120℃，使得例如施加介电层的温度能够小于或等于120℃，并且例如小于或等于80℃。
[0020] 在不同的设计方案中，介电层能够是原子层外延层、换言之是借助于原子层外延法（atomic layer deposition，ALD）施加的层。
[0021] 原子层外延法能够理解为下述方法，其中与其他CVD法相比首先将至少两种气相的初始化合物中的第一种输送给提供有元件的体积，在所述元件的表面上应借助于ALD法施加层。第一初始化合物能够例如有规律地或无规律地（进而在没有远程有序的情况下）在表面上吸收。在用第一初始化合物完全地或近似完全地覆盖表面之后，能够输送至少两种初始化合物中的第二种。第二初始化合物能够与在表面上例如无规律但是例如完全面覆盖地吸收的第一初始化合物进行反应，由此能够形成第二层的单层。如在另一CVD法中能够提出，将表面加热到超过室温的温度。由此，能够热诱导用于形成单层的反应。要设置的表面温度能够取决于分解物，换言之，取决于第一初始化合物或第二初始化合物。因此，在重复该过程时，能够依次彼此重叠地施加多个单层，因此实现极其精确地（可复现地）调节要借助于ALD法施加的层的期望的层厚度。
[0022] 介电层能够具有大约50nm至大约2μm范围中的、例如大约70nm至大约200nm范围中的层厚度。
[0023] 介电层能够具有一种材料或多种材料的混合物或材料的层的堆叠，例如Al2O3；ZrO2；TiO2；Ta2O5；SiO2；ZnO；和/或HfO2。这意味着，介电层例如能够由一种材料或多种材料形成的单独的层形成，或由多个由例如与上述相同的或不同的材料制成的、彼此重叠地堆叠的层形成。原则上，能够使用任意适合的材料/所有适合的材料，所述材料能够以在可达到的层厚度波动方面足够高的精确度施加，例如能够被沉积。
[0024] 在层厚度控制中的特别高的精确性能够在使用用于施加介电层的原子层外延法的情况下实现，因此例如能够使用所有能够借助于原子层外延法来沉积的材料，这对于上述材料而言是适当的。
[0025] 在不同的实施例中，在使用ALD法时，用于介电层的第一初始化合物和/或第二初始化合物能够是或包含金属有机化合物，例如三甲基金属化合物以及含氧化合物。例如，为了ALD沉积具有Al2O3的介电层，三甲基铝能够设为第一初始化合物以及水（H2O）或N2O能够设为第二初始化合物。替选于此，水（H2O）或N2O例如能够设为第一初始化合物。
[0026] 在不同的实施例中，无等离子的ALD法（plasmaless atomic layer deposition，PLALD法）能够设为ALD法的变型方案，对于所述无等离子的ALD法而言不产生等离子，而是其中为了形成单层仅以超过待覆层的表面的温度诱导上述初始化合物的反应。在不同的实施例中，在PLALD法中，上面应沉积有层的表面的温度能够大于或等于60℃和/或小于或等于120℃。
[0027] 在不同的实施例中，能够将等离子增强ALD法（plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD法）设为ALD法的变型方案，其中在产生等离子的同时输送第二初始化合物，由此如在PECVD法中可能的是，第二初始化合物被诱导。由此，与PLALD法相比能够降低将表面所加热到的温度，并且尽管如此，通过产生等离子引发初始化合物之间的反应。在此，例如能够在小于120℃的温度和例如小于或等于80℃的温度下施加单层。为了产生其他的单层，能够重复输送第一初始化合物和随后输送第二初始化合物的过程。
[0028] 在不同的实施例中，提供用于制造电子器件、例如发射光的电子器件的方法。所述方法能够具有：形成第一电极；在第一电极上或上方形成有机功能层结构；在有机功能层结构上或上方形成第二电极；在第二电极上或上方形成介电层；并且在介电层上或上方形成反射层结构。
[0029] 第二电极能够形成为，使得介电层与有机功能层机构光学耦合。
[0030] 此外，第二电极能够形成为关于由有机功能层结构所发射的辐射是半透明的。
[0031] 在一个设计方案中，介电层能够形成为对于波长范围至少380nm至780nm的子范围中的辐射透明的层。
[0032] 在又一设计方案中，介电层能够借助于下述方法之一形成：化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）；物理气相沉积法（physical vapor deposition，PVD）；旋涂法（spin coating）；印刷；刮涂；喷涂；和浸没沉积法。
[0033] 此外，介电层能够借助于原子层外延法施加。
[0034] 根据又一改进方案，介电层能够以大约50nm至大约2μm范围中的、例如大约70nm至大约200nm范围中的层厚度形成。
[0036] 在附图中示出并且接下来详细阐述本发明的实施例。
[0037] 附图示出：
[0038] 图1示出根据一个实施例的发射光的电子器件；以及
[0039] 图2示出描述根据一个实施例的用于制造发射光的电子器件的方法的流程图。
具体实施方式
[0040] 在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且其中示出能够实施本发明的具体的实施形式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个（多个）附图的定向而使用方向术语例如是“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施形式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施形式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例的实施形式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围不通过附上的权利要求来限定。
[0041] 在所述描述的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。
[0042] 图1示出根据不同的实施例的电子器件100，例如发射光的电子器件100。
[0043] 在不同的实施例中，电子器件能够构成为有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）、有机光电二极管（organic photodiode，OPD）、有机太阳能电池（organic solar cell，OSC）、或例如是有机薄膜晶体管（organic thin film transistor，OTFT）的有机晶体管。发射光的电子器件100在不同的实施例中能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个（例如发射光的）电子器件100，例如将其安装在共同的壳体中。
[0044] （例如发射光的）电子器件100能够具有基底102。基底102例如能够用作为用于电子元件或层的、例如光电子元件的承载元件。例如，基底102能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，基底102能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃（例如具有高密度或低密度的聚乙烯（PE）或聚丙烯（PP））或由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯（PVC）、聚苯乙烯（PS）、聚酯和/或聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚醚砜（PES）和/或聚萘二甲酸乙二酯（PEN）或由其形成。此外，基底102例如能够具有金属薄膜，例如铝薄膜、不锈钢薄膜、铜薄膜或组合或对此的层堆叠。基底102能够具有一种或多种上述材料。基底102能够构成为是透明的、部分透明的或也能够构成为是不透明的。
[0045] 在基底102上或上方能够施加第一电极104。第一电极104（接下来也称为下部电极104）能够由导电材料形成或是导电材料，所述第一电极例如由金属或透明导电氧化物（transparent conductive oxide，TCO）形成或由相同的或不同的金属的和/或相同的或不同的TCO的多个层的层堆叠来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物、例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物（ITO）。除了二元的金属氧化物、例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物、例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p掺杂的或n掺杂的。第一电极104能够构造为阳极、即构造为注入空穴的材料。
[0046] 在不同的实施例中，能够由在TCO层上的金属的层或相反的组合的层堆叠形成第一电极104。一个实例是施加在铟锡氧化物层（ITO）上的银层（ITO上的Ag）。在不同的实施例中，第一电极104能够具有金属（例如Ag、Pt、Au、Mg）或具有所描述的材料的金属合金（例如AgMg合金）。在不同的实施例中，第一电极104能够具有AlZnO或类似的材料。
[0047] 在不同的实施例中，第一电极104能够具有例如能够用作阴极材料、即用作注入电子的材料的金属。另外，在不同的实施例中，例如Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca或Li以及这些材料的化合物、组合或合金能够设为阴极材料。
[0048] 对于将发射光的电子器件100构建为底部发射体的情况而言，第一电极104例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极104例如能够具有大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极104能够具有大约10nm至大约25nm范围内的层厚度、例如大约10nm至大约18nm范围内的层厚度、例如大约
15nm至大约18nm范围内的层厚度。
15nm至大约18nm范围内的层厚度。
[0049] 那么，对于将发射光的电子器件100构建为顶部发射体的情况而言，第一电极104例如能够具有大于或等于大约40nm的层厚度、例如大于或等于大约50nm的层厚度。
[0050] 此外，（例如发射光的）电子器件100具有有机功能层结构106，所述有机功能层结构施加或要施加在第一电极104上或上方。
[0052] 用于能够根据供一个（多个）发射体层108的不同的实施例而使用在根据不同实施例的电子器件中的发射体材料的实例包括，有机的或金属有机的化合物，例如聚荧光素、聚噻吩和聚苯（例如2-或2,5-取代的聚对苯撑乙烯）的衍生物以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光FIrPic（二（3,5-二氟-2-（2-吡啶）苯基-（2-羧基吡啶基）-铱III）、发绿色磷光Ir(ppy)（3 三（2-苯基吡啶基）铱III）、发红色磷光Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)（三[4,4’-二叔丁基（2,2’）-双吡啶]钌（III）络合物）和发蓝色荧光DPAVBi（4,4-双[4-（二对甲苯氨基）苯乙烯基]联苯）、发绿色荧光的TTPA（9,10-二[N,N-二对甲苯基氨基]蒽）和发红色荧光的DCM2（4-二氰亚甲基）-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃）作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂来沉积。
[0053] 发射体材料能够以适合的方式嵌入到基体材料中。
[0054] 电子器件100的一个（多个）发射体层108的发射体材料例如能够选择为，使得电子器件100发射白光。一个（多个）发射体层108能够具有发射多种不同颜色的（例如蓝色和黄色或蓝色、绿色和红色）的发射体材料，替选地一个（多个）发射体材料108也能够由多个子层形成，如发蓝色荧光的发射体层108或发蓝色磷光的发射体层108、发绿色磷光发射体层108和发红色磷光的发射体层108。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色色觉的光的发射。替选地，也能够设置，在通过所述层产生的初级发射的辐射路径中设置转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射，并且发射其他波长的次级辐射，使得从（还不是白色的）初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色觉。
[0055] 有机功能层结构106一般能够具有一个或多个功能层。一个或多个功能层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的、非聚合物的分子（“小分子（small molecules）”）或上述材料的组合。例如，有机功能层结构106能够具有构成为空穴运输层110的一个或多个功能层，使得在OLED的情况下实现将空穴有效低注入到电致发光的层中或电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层110的材料。在不同的实施例中，一个或多个功能层能够构成为电致发光的层。
[0056] 在不同的实施例中，空穴传输层110能够施加、例如沉积在第一电极104上或上方，并且发射体层108能够施加、例如沉积在空穴运输层110上或上方。
[0057] 电子器件100一般能够具有其他的有机功能层，所述有机功能层用于进一步改进功能性进而进一步改进电子器件100的效率。
[0058] 发射光的电子器件100能够构成为“底部发射体”和/或“顶部发射体”。
[0059] 在不同的实施例中，有机功能层结构106能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构106例如能够具有由多个直接彼此重叠设置的OLED的堆叠，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构106例如能够具有三个或四个直接彼此重叠设置的OLED的堆叠，在此情况下，有机功能层结构106例如能够具有最大大约3μm的层厚度。
[0060] 在有机功能层结构106上或上方能够施加第二电极112。
[0061] 第二电极112能够设置为，使得在第二电极112上或上方施加的介电层114与有机功能层结构106光学耦合。第二电极112能够对于由有机功能层结构106发射的辐射是半透明的。在不同的实施例中，第二电极112能够具有下述层厚度：使得在有机功能层结构106和介电层114间的足够的耦合强度（第二电极112的层厚度越大，耦合强度越小）与可实现的效率进而发射光的器件100的显色性指数（第二电极112的层厚度越大，效率越高）之间选择期望的折衷方案。在不同的实施例中，第二电极112能够具有与第一电极104相同的材料或由其形成，其中在不同的实施例中，金属是特别适合的。
[0062] 在不同的实施例中，第二电极112例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约10nm的层厚度。
[0063] 在第二电极112上或上方能够施加或要施加介电层114（接下来也称为（透明的）中间层）。
[0064] 介电层114能够是对于波长范围至少380nm至780nm的子范围中的辐射是透明的层。对于例如要提供发射单色光的或限定在发射光谱中的电子器件的情况而言足够的是，介电层114是对于至少在期望的单色光的波长范围的子范围中的辐射或对于限定的发射光谱是透明。
[0065] 在不同的实施例中，借助于ALD法沉积介电层114，因此介电层114形成为原子层外延层。在不同的实施例中，以大约50nm至大约2μm的范围中、例如大约70nm至200nm的范围中、例如大约100nm至大约120nm的范围中的层厚度沉积介电层114。在所述层厚度的情况下确保包封作用，并且例如能够极其精确地调节耦合微腔的厚度。介电层114能够具有一种材料或材料的混合物或材料的层的堆叠，例如SiO2；Si3N4；SiON（所述材料例如借助于CVD法沉积）；Al2O3；ZrO2；TiO2；Ta2O5；SiO2；ZnO；和/或HfO2（所述材料例如借助于ALD法沉积）或上述材料的组合。
[0066] 在介电层114上或上方能够施加或要施加反射层结构116。
[0067] 反射层结构116能够由与第一电极102相同的材料形成，其中层厚度能够选择为，使得对于将发射光的电子器件100构建为顶部发射体的情况而言，反射层结构116能够具有例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极104能够具有例如大于或等于大约10nm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，反射层结构116能够具有大约10nm至大约25nm范围中的层厚度、例如大约10nm至大约18nm范围中的层厚度、例如大约
15nm至大约18nm范围中的层厚度。
15nm至大约18nm范围中的层厚度。
[0068] 因此，对于将发射光的电子器件100构建为底部发射体的情况而言，反射层结构116例如能够具有大于或等于大约40nm的层厚度、例如大于或等于大约50nm的层厚度。
[0070] 在图1中示出的发射光的电子器件100构建为底部发射体，例如借助于光束118象征性地表示。
[0071] 借助于在制造发射光的电子器件100时的ALD法和CVD法，能够借助于ALD法以可极其精确地调节的层厚度沉积介电层114。在不同的实施例中直观地，通过紧密的介电层来替代在常规有机发光二极管中设有的两个彼此光学耦合的微腔的第二有机层。
[0072] 在不同的实施例中，所施加的介电层114具有包封作用，使得保护所形成的电子器件和在此例如有机功能层结构106免于空气渗入或水渗入。
[0073] 由工艺所决定的是，ALD法具有比有机材料的蒸镀明显更小的层厚度波动，因此根据不同的实施例实现例如大规模利用耦合微腔OLED。例如，由此也得到经由例如介电层114的层厚度的调节来补偿有机层的层厚度波动的可能性，这能够提高在大规模的设备中的生量。
[0074] 在不同的实施例中，能够提供具有多个或大量根据不同实施例的发射光的电子器件100的照明装置或显示装置（显示器）。照明装置或显示装置能够具有大面积构成的有源发光面。在不同的实施例中，“大面积”能够意味着，发光面具有大于或等于几平方毫米、例如大于或等于几平方厘米、例如大于或等于几平方分米的面积。
[0075] 图2示出流程图200，其中示出用于制造根据一个实施例的发射光的电子器件的方法。
[0076] 在202中形成第一电极，并且在204中在第一电极上或上方形成有机功能层结构。此外，在206中在有机功能层结构上或上方形成第二电极，并且在208中在第二电极上或上方形成介电层。最后，在210中在介电层上或上方形成反射层结构。
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