上-下材料沉积的系统和方法
专利汇可以提供上-下材料沉积的系统和方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种在基底上沉积膜的方法和设备包括从位于基底上方的源引入可 蒸发 材料。使可蒸发材料被蒸发并将其引导为从源离开基底的蒸气供给流。蒸气供给流从再引导器被再引导为朝向基底的柱，并在基底上沉积为膜。，下面是上-下材料沉积的系统和方法专利的具体信息内容。
1.一种材料沉积系统，所述材料沉积系统包括：
蒸气供给流的源；
朝基底位置引导的蒸气供应孔；
再引导器，被构造为将蒸气供给流朝蒸气供应孔引导。
2.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括：下再引导器，被定位成使蒸气供给流与基底位置隔离。
3.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括容纳所述源和所述再引导器的室壁。
4.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，源是蒸气船。
5.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，源为矩形。
6.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，源为圆柱形。
7.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括蒸气供给流的第二源。
8.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，所述源被构造为容纳可蒸发材料。
9.如权利要求8所述的材料沉积系统，其中，可蒸发材料呈液态。
10.如权利要求8所述的材料沉积系统，其中，可蒸发材料呈固态。
11.如权利要求8所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括：电子束源，被构造为使可蒸发材料蒸发以形成蒸气供给流。
12.如权利要求8所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括：加热器，能够使可蒸发材料热蒸发以形成蒸气供给流。
13.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，所述源连接到连续的材料供给源。
14.如权利要求10所述的材料沉积系统，其中，连续的材料供给源是供给线。
15.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器是弯曲的。
16.如权利要求1所述的分布器组件，其中，再引导器包括多个平面部分。
17.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器使蒸气供给流成形为具有中心角的蒸气柱，蒸气柱沿基底位置的方向扩展。
18.如权利要求17所述的材料沉积系统，其中，所述中心角与基底位置基本垂直。
19.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器被构造为将蒸气供给流引导为朝基底位置上的多个位置中的各个位置引导的多个蒸气柱。
20.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器被加热。
21.如权利要求20所述的材料沉积系统，其中，再引导器被直接加热。
22.如权利要求20所述的材料沉积系统，其中，再引导器被间接加热。
23.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括金属。
24.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括陶瓷。
25.如权利要求24所述的材料沉积系统，其中，陶瓷从由碳化硅、热解氮化硼、石墨和涂覆有热解氮化硼的石墨组成的组中选择。
26.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器在其宽度上分段。
27.如权利要求26所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括在再引导器的宽度上使再引导器分段的肋。
28.如权利要求1所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括非对称的剖面，使得蒸气供给流被引导离开所述源。
29.如权利要求28所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括靠近所述源的电连接件，使得蒸气供给流被引导离开所述电连接件。
30.如权利要求1所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括形成在再引导器中以用于观察所述系统的观察孔。
31.如权利要求30所述的材料沉积系统，其中，观察孔用于低速率流测量。
32.如权利要求30所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括用于观察系统的电子仪器。
33.如权利要求32所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括电子碰撞发射光谱仪器。
34.如权利要求33所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括石英晶体微天平仪器。
35.如权利要求7所述的材料沉积系统，其中，所述源和第二源独立地可控。
36.如权利要求7所述的材料沉积系统，其中，第二源与蒸气供应孔之
间的距离不等于所述源与蒸气供应孔之间的距离。
37.如权利要求2所述的材料沉积系统，所述材料沉积系统还包括蒸气供给流的第二源。
38.如权利要求37所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源与由再引导器和下再引导器形成的喷嘴之间的距离不同于蒸气供给流的所述源与所述喷嘴之间的距离。
39.如权利要求7所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源位于蒸气供给流的所述源下方，使得所述系统能够在基底上沉积多层膜。
40.一种在基底上沉积膜的系统，所述系统包括：
材料沉积系统，包括位于基底位置上方的蒸气供给流源和再引导器，蒸气供给流源将蒸气供给流引导离开基底位置，再引导器被构造为将蒸气供给流朝基底位置引导；
输送器，将基底传输至足够靠近材料沉积系统的基底位置中，使得蒸气供给流可在基底上沉积为膜。
41.如权利要求40所述的系统，所述系统还包括下再引导器，被定位成使蒸气供给流与基底位置隔离并朝向再引导器。
42.如权利要求40所述的系统，所述系统还包括容纳所述源和所述再引导器的室壁。
43.如权利要求40所述的系统，其中，源是蒸气船。
44.如权利要求40所述的系统，其中，源为矩形。
45.如权利要求40所述的系统，其中，源为圆柱形。
46.如权利要求40所述的系统，所述系统还包括蒸气供给流的第二源。
47.如权利要求40所述的系统，其中，源被构造为容纳可蒸发材料。
48.如权利要求47所述的系统，其中，可蒸发材料呈液态。
49.如权利要求47所述的系统，其中，可蒸发材料呈固态。
50.如权利要求47所述的系统，所述系统还包括：电子束源，被构造为使可蒸发材料蒸发以形成蒸气供给流。
51.如权利要求47所述的系统，所述系统还包括：加热器，能够使可蒸发材料热蒸发以形成蒸气供给流。
52.如权利要求40所述的系统，其中，源连接到连续的材料供给源。
53.如权利要求52所述的系统，其中，连续的材料供给源是供给线。
54.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器是弯曲的。
55.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器包括多个平面部分。
56.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器使蒸气供给流成形为具有中心角的蒸气柱，蒸气柱沿基底位置的方向扩展。
57.如权利要求56所述的系统，其中，所述中心角与基底位置基本垂直。
58.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器被构造为将蒸气供给流引导为朝基底位置上的多个位置中的各个位置引导的多个蒸气柱。
59.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器被加热。
60.如权利要求59所述的系统，其中，再引导器被直接加热。
61.如权利要求59所述的系统，其中，再引导器被间接加热。
62.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器包括金属。
63.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器包括陶瓷。
64.如权利要求63所述的系统，其中，陶瓷从由碳化硅、热解氮化硼、石墨和涂覆有热解氮化硼的石墨组成的组中选择。
65.如权利要求40所述的系统，其中，再引导器在其宽度上分段。
66.如权利要求65所述的系统，所述系统还包括在再引导器的宽度上使再引导器分段的肋。
67.如权利要求40所述的材料沉积系统，其中，再引导器包括非对称的剖面，使得蒸气供给流被引导离开所述源。
68.如权利要求67所述的材料沉积系统，所述系统还包括靠近所述源的电连接件，使得蒸气供给流被引导离开所述电连接件。
69.如权利要求40所述的材料沉积系统，所述系统还包括形成在再引导器中以用于观察所述系统的观察孔。
70.如权利要求69所述的材料沉积系统，其中，观察孔用于低速率流测量。
71.如权利要求69所述的材料沉积系统，所述系统还包括用于观察所述系统的电子仪器。
72.如权利要求71所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括电子碰撞发射光谱仪器。
73.如权利要求72所述的材料沉积系统，其中，电子仪器包括石英晶体微天平仪器。
74.如权利要求46所述的材料沉积系统，其中，所述源和第二源独立地可控。
75.如权利要求46所述的材料沉积系统，其中，第二源与蒸气供应孔之间的距离不等于所述源与蒸气供应孔之间的距离。
76.如权利要求41所述的材料沉积系统，所述系统还包括蒸气供给流的第二源。
77.如权利要求76所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源与由再引导器和下再引导器形成的喷嘴之间的距离不同于蒸气供给流的所述源与所述喷嘴之间的距离。
78.如权利要求46所述的材料沉积系统，其中，蒸气供给流的第二源位于蒸气供给流的所述源下方，使得所述系统能够在基底上沉积多层膜。
79.一种在基底上沉积材料的方法，所述方法包括：
将基底传输到基底位置中；
使可蒸发材料的至少一部分蒸发为蒸气；
将蒸气从蒸气供给流源作为蒸气供给流引导离开基底并朝向再引导器；
从再引导器将蒸气供给流的一部分再引导为朝向基底的蒸气柱，从而在基底上沉积材料。
80.如权利要求79所述的方法，其中，从源中的开口引导蒸气的步骤包括将蒸气引导至再引导器和下再引导器之间的空间中。
81.如权利要求79所述的方法，其中，膜包括铜铟镓硒。
82.如权利要求79所述的方法，其中，膜包括碲化镉。
83.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括加热再引导器的步骤。
84.如权利要求83所述的方法，其中，再引导器被直接加热。
85.如权利要求83所述的方法，其中，再引导器被间接加热。
86.如权利要求79所述的方法，其中，使可蒸发材料蒸发的步骤包括电子束蒸发所述材料。
87.如权利要求79所述的方法，其中，使所述材料蒸发的步骤包括热蒸发所述材料。
88.如权利要求79所述的方法，其中，从再引导器将蒸气供给流再引导为蒸气柱的步骤包括以基本垂直于基底的中心角引导蒸气柱。
89.如权利要求79所述的方法，其中，从再引导器将蒸气供给流再引导为蒸气柱的步骤包括基本跨过基底的整个宽度朝着基底引导蒸气柱。
90.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括使蒸气柱沿基底的方向扩展。
91.如权利要求90所述的方法，其中，使蒸气柱沿基底的方向扩展的步骤包括使蒸气柱扩展为基本覆盖基底的整个长度。
92.如权利要求79所述的方法，将可蒸发材料引入到源中的步骤包括将所述材料连续地供给到所述源中。
93.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括从再引导器将蒸气供给流的第二部分再引导为朝向基底的第二蒸气柱的步骤，使得在第二蒸气柱中的材料在基底上沉积为膜。
94.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括观察系统的步骤。
95.如权利要求94所述的方法，其中，观察系统的步骤包括通过形成在再引导器中的观察孔来观察。
96.如权利要求94所述的方法，其中，观察系统的步骤包括低速率流测量。
97.如权利要求94所述的方法，其中，观察系统的步骤包括利用电子仪器进行测量。
98.如权利要求97所述的方法，其中，观察系统的步骤包括使用电子碰撞发射光谱仪器。
99.如权利要求97所述的方法，其中，观察系统的步骤包括使用石英晶体微天平仪器。
100.如权利要求79所述的方法，所述方法还包括从第二蒸气供给流源引导第二蒸气的步骤。
101.一种材料沉积系统，所述材料沉积系统包括：
蒸气供给流的源；
蒸气供应孔，朝基底位置引导；
再引导器，被构造为将蒸气供给流朝蒸气供应孔引导，其中，再引导器包括非对称的剖面，使得蒸气供给流从所述源引导离开。
上-下材料沉积的系统和方法
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
22并在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间。再引导器26可具有凹入的以在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间的弯曲形式。再引导器26还可包括平面再引导部分27，以在膜沉积室16中限定引导蒸气供给流25的空间。蒸气供给流25可以以第一角度入射到再引导器26的第一位置上。再引导器26可被构造为以第二角度朝基底14或朝再引导器26上的第二位置再引导蒸气供给流25。如果蒸气供给流25被朝向再引导器
26上的第二位置再引导，则蒸气供给流25随后可以以第三角度被再引导。最后，以最终朝着基底14的角度再引导蒸气供给流25。通过将再引导器26构造成产生蒸气供给流25的有角度的路径，可以以提高了的控制性和精确度朝着基底引导蒸气供给流25。
29可包括金属。下再引导器29可包括陶瓷，例如碳化硅、热解氮化硼、石墨或涂覆有热解氮化硼的石墨。下再引导器29可被直接或间接地加热，以使蒸气供给流25保持为蒸气形式并防止蒸气供给流25沉积在下再引导器29的表面上。
如图3中所示，蒸气供应孔30可通过再引导器26和下再引导器29形成，使得蒸气柱31比在图2中描述的蒸气柱28窄，并且能够随着蒸气柱31沿基底14的方向行进而更精确地控制和限制蒸气柱31的扩展。结果，能够校准较窄的蒸气柱31以在基底14的表面的更小的部分上沉积膜。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 基于电子束蒸发设备的自动换靶装置 | 2020-05-11 | 699 |
| 电子束蒸发镀膜膜厚均匀性的修正方法 | 2020-05-14 | 334 |
| 电子束蒸发器、涂布设备和涂布方法 | 2020-05-13 | 327 |
| 基于电子束蒸发的双钨坩埚结构 | 2020-05-13 | 240 |
| 材料表面改性用电子束蒸发金属离子源 | 2020-05-15 | 993 |
| 磁偏转电子束蒸发源 | 2020-05-11 | 258 |
| 一种电子束蒸发式真空镀膜机 | 2020-05-12 | 481 |
| 电子束蒸发源装置 | 2020-05-13 | 209 |
| 电子束蒸发器 | 2020-05-11 | 954 |
| 磁偏转电子束蒸发源 | 2020-05-13 | 910 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
