磁控溅射系统
阅读：913发布：2020-05-13
专利汇可以提供磁控溅射系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 磁控溅射 系统，包括腔体，所述腔体内设置有靶材 支撑 架和 基板 支架 ，所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板，所述磁控磁控溅射系统还包括一 磁场 产生部件，所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。本发明可以避免靶材产生的带电分子和阴离子以较高的 能量 轰击待溅射涂覆的基板，既可以保护该待溅射涂覆的基板不被损伤，又能降低基板上沉积 薄膜 的应 力 ，进而提高了产品的良率。，下面是磁控溅射系统专利的具体信息内容。
1.一种磁控溅射系统，包括腔体，所述腔体内包括有相对设置的靶材支撑架和基板支架，所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板；其特征在于：
所述磁控溅射系统还包括一磁场产生部件，所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述磁场产生部件为永磁板，所述永磁板设置于所述基板支架内。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述基板支架包括用于放置待溅射涂覆的基板的防屏蔽板，所述防屏蔽板与所述基板支架一体成型，所述防屏蔽板由非导磁材料制成。
4.根据权利要求2所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述永磁板和所述腔体的底面之间设置一屏蔽板，所述屏蔽板由导磁材料制成。
5.根据权利要求3所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述磁场产生部件包括至少两个的永磁板；所述至少两个的永磁板沿水平方向等间距排列，其中所述水平方向与所述基板穿过所述腔体的方向垂直。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征在于：沿所述水平方向，所述至少两个的永磁板构成的宽度大于所述待溅射涂覆的基板的宽度；沿所述基板穿过所述腔体的方向，每个所述永磁板的长度大于所述待溅射涂覆的基板的长度。
7.根据权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述至少两个的永磁板包括有彼此交叉设置的第一永磁板和第二永磁板，且彼此相邻的第一永磁板和第二永磁板的极性方向相反。
8.根据权利要求3所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述防屏蔽板和所述永磁板之间设置有永磁楔，所述永磁楔为楔形，所述永磁楔的极性与其对应的永磁板的极性相同。
9.根据权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征在于：所述磁控溅射系统还包括第一平移控制器，用于控制所述至少两个的永磁板沿所述水平方向来回运动。
10.根据权利要求5所述的磁控溅射系统，其特征在于：一竖直方向垂直于所述防屏蔽板的水平面；
所述磁控溅射系统还包括第二平移控制器，用于控制所述至少两个的永磁板沿所述竖直方向运动。
磁控溅射系统
【技术领域】
[0002] 随着液晶显示技术的不断发展，对液晶生产效率提出了很高的要求。
[0003] 以磁控溅射系统为例，由于磁控溅射系统能够在基板上大面积溅射成膜，溅射形成的膜不仅均匀，而且与基板的附着力高，因此磁控溅射系统被广泛的应用于液晶显示器
的制造工艺中，尤其是薄膜沉积的制造工艺中。
的制造工艺中，尤其是薄膜沉积的制造工艺中。
[0004] 在制造液晶显示器的过程中，磁控溅射系统可进行金属薄膜或者金属氧化物透明电极薄膜的沉积，所述金属薄膜譬如铝（Al）、铝钕合金(AlNd)，钼（Mo）以及铜（Cu）；所述金属氧化物透明电极薄膜譬如氧化铟锡（ITO）、铟锌氧化物（IZO）。譬如在制造有机电致发光显示器(Organic Light-Emitting Diode ，OLED)的工艺中，磁控溅射系统可用来进行位于发光有机层两侧的阴极层和阳极层的薄膜沉积。
[0005] 请参阅图1，图1为现有技术的磁控溅射系统10在溅射镀膜时的结构示意图。所述磁控溅射系统10包括金属腔体11，所述金属腔体11用于实现对外界环境的隔绝，保持
所述金属腔体11内的真空环境。所述金属腔体11内设置有靶材支撑架12以及基板支架
13，所述基板支架13和所述靶材支撑架12相对设置。其中所述靶材支撑架12内设置有磁
石14。
所述金属腔体11内的真空环境。所述金属腔体11内设置有靶材支撑架12以及基板支架
13，所述基板支架13和所述靶材支撑架12相对设置。其中所述靶材支撑架12内设置有磁
石14。
[0006] 在通过所述磁控溅射系统10对基板16进行溅射镀膜时，将靶材15固定于所述靶材支撑架12上，将所述基板16放置于所述基板支架13上，将所述靶材15连接电源（图未
示出）的阴极，将所述金属腔体11以及所述基板16连接电源的阳极，同时通过惰性气体供
应管路（图未标示）向所述金属腔体11内充入氩原子。之后接通电源，则所述靶材15与所
述基板16之间产生一电场，所述靶材15和所述基板16之间的电子在上述电场的作用下高
速运动，上述电子与所述金属腔体11内的氩原子发生碰撞，电离产生出氩正（Ar+）离子和新的电子；Ar+离子在上述电场作用下加速向所述靶材15运动，并以较高的能量轰击所述
靶材15的表面。
示出）的阴极，将所述金属腔体11以及所述基板16连接电源的阳极，同时通过惰性气体供
应管路（图未标示）向所述金属腔体11内充入氩原子。之后接通电源，则所述靶材15与所
述基板16之间产生一电场，所述靶材15和所述基板16之间的电子在上述电场的作用下高
速运动，上述电子与所述金属腔体11内的氩原子发生碰撞，电离产生出氩正（Ar+）离子和新的电子；Ar+离子在上述电场作用下加速向所述靶材15运动，并以较高的能量轰击所述
靶材15的表面。
[0007] 由于所述靶材支撑架12内设置有所述磁石14，所述磁石产生一磁场，在所述靶材15的表面，除了存在上述电场外，还存在上述磁场。Ar+离子在轰击所述靶材15时放出二
次电子，所述二次电子在上述磁场的作用下，被束缚在靠近所述靶材15的表面区域内，在
上述电场和磁场的共同作用下，所述二次电子的运动轨迹为沿电场方向加速，同时绕磁场
方向螺旋前进的复杂曲线，从而使得所述二次电子的运动路径变长，在运动过程中不断与
所述金属腔体11内的氩原子发生碰撞并电离出大量的Ar+离子继续轰击靶材。
次电子，所述二次电子在上述磁场的作用下，被束缚在靠近所述靶材15的表面区域内，在
上述电场和磁场的共同作用下，所述二次电子的运动轨迹为沿电场方向加速，同时绕磁场
方向螺旋前进的复杂曲线，从而使得所述二次电子的运动路径变长，在运动过程中不断与
所述金属腔体11内的氩原子发生碰撞并电离出大量的Ar+离子继续轰击靶材。
[0008] 由于所述靶材15连接电源的阴极，在所述Ar+离子的高速轰击下，所述靶材15发生溅射，溅射出靶材原子、分子或阴离子，呈中性的靶材原子沉积在所述基板16的表面形
成一层薄膜，从而实现对所述基板16的镀膜。而所述靶材15溅射产生的带电分子或阴离
子在离开所述靶材15后，在上述电场的作用下以较高的能量（譬如几十电子伏）溅射至所
述基板16，而且几乎是以直线运动方式溅射至所述基板16以及所述基板16的周边。当所
述带电分子或阴离子以较高的能量冲击所述基板16时，极易造成所述基板16表面的损伤，
并使得所述基板16上沉积薄膜的应力较大。尤其是是在OLED的生产过程中，由于需要在
OLED中有机塑料分子构成的发光层上沉积阴极薄膜，因此利用所述磁控溅射系统10在发
光层上沉积阴极薄膜时，所述靶材15溅射产生的带电分子或阴离子极易对有机塑料分子
构成的发光层造成损伤，导致产品的良率降低。
成一层薄膜，从而实现对所述基板16的镀膜。而所述靶材15溅射产生的带电分子或阴离
子在离开所述靶材15后，在上述电场的作用下以较高的能量（譬如几十电子伏）溅射至所
述基板16，而且几乎是以直线运动方式溅射至所述基板16以及所述基板16的周边。当所
述带电分子或阴离子以较高的能量冲击所述基板16时，极易造成所述基板16表面的损伤，
并使得所述基板16上沉积薄膜的应力较大。尤其是是在OLED的生产过程中，由于需要在
OLED中有机塑料分子构成的发光层上沉积阴极薄膜，因此利用所述磁控溅射系统10在发
光层上沉积阴极薄膜时，所述靶材15溅射产生的带电分子或阴离子极易对有机塑料分子
构成的发光层造成损伤，导致产品的良率降低。
[0009] 综上，如何避免溅射产生的带电分子或阴离子对基板的损伤，降低沉积薄膜的应力，是液晶生产技术需要解决的技术问题之一。
【发明内容】
【发明内容】
[0010] 本发明的一个目的在于提供一种磁控溅射系统，以避免溅射产生的带电分子或阴离子对基板的损伤，以及降低沉积薄膜的应力。
[0011] 为达到上述有益效果，本发明构造了一种磁控溅射系统，包括腔体，所述腔体内包括有相对设置的靶材支撑架和基板支架，所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板；
[0012] 所述磁控溅射系统还包括一磁场产生部件，所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。
[0013] 在本发明一实施例中，所述磁场产生部件为永磁板，所述永磁板设置于所述基板支架内。
[0014] 在本发明一实施例中，所述基板支架包括用于放置基板的防屏蔽板，所述防屏蔽板与所述基板支架一体成型，所述防屏蔽板由非导磁材料制成。
[0015] 在本发明一实施例中，所述永磁板和所述腔体的底面之间设置一屏蔽板，所述屏蔽板由导磁材料制成。
[0017] 在本发明一实施例中，沿所述水平方向，所述至少两个的永磁板构成的宽度大于所述待溅射涂覆的基板的宽度；沿所述基板穿过所述腔体的方向，每个所述永磁板的长度
大于所述待溅射涂覆的基板的长度。
大于所述待溅射涂覆的基板的长度。
[0018] 在本发明一实施例中，所述至少两个的永磁板包括有彼此交叉设置的第一永磁板和第二永磁板，且彼此相邻的第一永磁板和第二永磁板的极性方向相反。
[0019] 在本发明一实施例中，所述防屏蔽板和所述永磁板之间设置有永磁楔，所述永磁楔为楔形，所述永磁楔的极性与其对应的永磁板的极性相同。
[0020] 在本发明一实施例中，所述磁控溅射系统还包括第一平移控制器，用于控制所述至少两个的永磁板沿所述水平方向来回运动。
[0021] 在本发明一实施例中，一竖直方向垂直于所述防屏蔽板的水平面；
[0022] 所述磁控溅射系统还包括第二平移控制器，所述第二平移控制器用于控制所述至少两个的永磁板沿所述竖直方向运动。
[0023] 相对于现有技术，本发明通过在待溅射涂覆的基板的下方设置永磁板作为磁场产生部件，该永磁板可在待溅射涂覆的基板表面产生一磁场，该磁场可以对靶材溅射时产生
并射向待溅射涂覆的基板的带电分子和阴离子产生一磁力的作用，避免了上述带电分子和
阴离子以较高的能量轰击所述基板，既可以保护基板不被损伤，又能降低沉积薄膜的应力，进而提高了产品的良率。
并射向待溅射涂覆的基板的带电分子和阴离子产生一磁力的作用，避免了上述带电分子和
阴离子以较高的能量轰击所述基板，既可以保护基板不被损伤，又能降低沉积薄膜的应力，进而提高了产品的良率。
[0025] 图1为现有技术中磁控溅射系统的结构示意图；
[0026] 图2为本发明中磁控溅射系统的第一较佳实施例的结构示意图；
[0027] 图3为图2中永磁板和防屏蔽板的结构示意图；
[0028] 图4为图2中永磁板、防屏蔽板和屏蔽板的结构示意图；
[0029] 图5为应用图2所示的第一较佳实施例对基板进行溅射涂膜时的结构示意图；
[0030] 图6为图5中永磁板产生的磁场的效果示意图；
[0031] 图7为应用图2所示的第一较佳实施例溅射涂覆成膜的OLED板结构示意图；
[0032] 图8为本发明中磁控溅射系统的第二较佳实施例的结构示意图；
[0033] 图9为图8所示的第二较佳实施例中磁场效果示意图；
[0034] 图10为图8中永磁楔和永磁板一体成型的结构示意图。【具体实施方式】
[0035] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0036] 请参阅图2，图2为本发明中磁控溅射系统的第一较佳实施例的结构示意图。
[0037] 所述磁控溅射系统20包括腔体21，所述腔体21优选由金属材质制成。所述腔体21内设置有靶材支撑架22、基板支架23以及磁场产生部件，在该第一较佳实施例中，所述
磁场产生部件为多个永磁板24。所述永磁板24优选为金属材质，譬如铁氧体或钕铁硼等，
所述永磁板24作为磁场产生部件用来产生磁场。
磁场产生部件为多个永磁板24。所述永磁板24优选为金属材质，譬如铁氧体或钕铁硼等，
所述永磁板24作为磁场产生部件用来产生磁场。
[0038] 所述基板支架23和所述靶材支撑架22相对设置，所述腔体21内设置有至少一个的靶材支撑架22，所述靶材支撑架22内设置有磁石25。
[0039] 请继续参阅图2，所述基板支架23包括有支架主体231，所述支架主体231上固定连接有防屏蔽板232，所述防屏蔽板232优选与所述支架主体231一体成型，当然也可以通
过其它方式固定于所述支架主体231上，譬如螺接。所述防屏蔽板232优选由不导磁的金
属材料制成，譬如铝（Al）、铜（Cu）等，以保证所述永磁板24产生的磁场可以穿过所述防屏蔽板232。
过其它方式固定于所述支架主体231上，譬如螺接。所述防屏蔽板232优选由不导磁的金
属材料制成，譬如铝（Al）、铜（Cu）等，以保证所述永磁板24产生的磁场可以穿过所述防屏蔽板232。
[0040] 所述永磁板设24置于所述基板支架23内，而所述永磁板24与所述腔体21的底面211之间设置有屏蔽板233，更具体的，所述屏蔽板233与所述防屏蔽板232是分居所述
永磁板24的两端，且所述屏蔽板233是位于所述基板支架23内。所述屏蔽板233优选由
导磁材料制成，譬如导磁金属铁，镍等，由导磁材料制成的所述屏蔽板233可对所述永磁板
24产生的磁场进行屏蔽，以避免所述永磁板24产生的磁场对所述磁控溅射系统20的其它
机构造成影响。
永磁板24的两端，且所述屏蔽板233是位于所述基板支架23内。所述屏蔽板233优选由
导磁材料制成，譬如导磁金属铁，镍等，由导磁材料制成的所述屏蔽板233可对所述永磁板
24产生的磁场进行屏蔽，以避免所述永磁板24产生的磁场对所述磁控溅射系统20的其它
机构造成影响。
[0041] 请一并参阅图3，图3为图2中永磁板和防屏蔽板的结构示意图。一方向B为待溅射涂覆的基板40在所述磁控溅射系统20内的运动方向，一水平方向A平行于所述防屏蔽
板232的水平面，并垂直于所述方向B。本发明中，所述永磁板24为长条形，其长度方向为
方向B。而沿所述水平方向A，所述至少两个的永磁板24以相同的间距P均匀排列。在所
述方向B，所述永磁板24具有一长度M1，所述防屏蔽板232具有一长度G1，所述基板40具
有一长度N1，其中，G1> M1，而M1> N1；在所述水平方向A，所述至少两个的永磁板24形成一宽度M2，其中该宽度M2指的是从图3中沿所述水平方向排列的第一个永磁板的外侧至
最后一个永磁板的外侧之间的宽度，该宽度M2由各永磁板24的宽度和各永磁板之间的间
距P形成，而沿所述水平方向A，所述防屏蔽板232具有一宽度G2，所述基板40具有一宽度
N2，其中G2>M2，而M2> N2。本发明中，所述防屏蔽板232的长度G1大于所述永磁板24的
长度M1，且所述防屏蔽板232的宽度G2大于所述至少两个的永磁板24形成的宽度M2，保
证了在对所述基板40进行溅射涂覆时，不会溅射损伤所述永磁板24。而所述防屏蔽板232
的长度G1大于所述基板40的长度N1，且所述防屏蔽板232的宽度G2大于所述基板40的
宽度N2，以保证所述基板40能固定放置于所述防屏蔽板232上。
板232的水平面，并垂直于所述方向B。本发明中，所述永磁板24为长条形，其长度方向为
方向B。而沿所述水平方向A，所述至少两个的永磁板24以相同的间距P均匀排列。在所
述方向B，所述永磁板24具有一长度M1，所述防屏蔽板232具有一长度G1，所述基板40具
有一长度N1，其中，G1> M1，而M1> N1；在所述水平方向A，所述至少两个的永磁板24形成一宽度M2，其中该宽度M2指的是从图3中沿所述水平方向排列的第一个永磁板的外侧至
最后一个永磁板的外侧之间的宽度，该宽度M2由各永磁板24的宽度和各永磁板之间的间
距P形成，而沿所述水平方向A，所述防屏蔽板232具有一宽度G2，所述基板40具有一宽度
N2，其中G2>M2，而M2> N2。本发明中，所述防屏蔽板232的长度G1大于所述永磁板24的
长度M1，且所述防屏蔽板232的宽度G2大于所述至少两个的永磁板24形成的宽度M2，保
证了在对所述基板40进行溅射涂覆时，不会溅射损伤所述永磁板24。而所述防屏蔽板232
的长度G1大于所述基板40的长度N1，且所述防屏蔽板232的宽度G2大于所述基板40的
宽度N2，以保证所述基板40能固定放置于所述防屏蔽板232上。
[0042] 请一并参阅图4，所述永磁板24包括有第一永磁板241和第二永磁板242，所述第一永磁板241和所述第二永磁板242间隔排列，且彼此相邻的第一永磁板241和第二永磁
板242的极性相反。具体说来，在图4中，所述第一永磁板241靠近所述防屏蔽板232的一
端为第一阳极端2411，靠近所述屏蔽板233的一端为第一阴极端2412；而所述第二永磁板
242靠近所述防屏蔽板232的一端为第二阴极端2422，靠近所述屏蔽板233的为第二阳极
端2421。
板242的极性相反。具体说来，在图4中，所述第一永磁板241靠近所述防屏蔽板232的一
端为第一阳极端2411，靠近所述屏蔽板233的一端为第一阴极端2412；而所述第二永磁板
242靠近所述防屏蔽板232的一端为第二阴极端2422，靠近所述屏蔽板233的为第二阳极
端2421。
[0043] 本发明提供的磁控溅射系统20还包括第一平移控制器和第二平移控制器（图未示出）。其中，所述第一平移控制器用于控制所述至少两个的永磁板24沿所述水平方向A
来回运动。一竖直方向C为垂直于所述防屏蔽板232水平面的方向（请参阅图3），所述第二平移控制器用于控制所述至少两个的永磁板24沿所述竖直方向C移动，以实现所述永磁板
24与所述防屏蔽板232之间的距离的自由调节。
来回运动。一竖直方向C为垂直于所述防屏蔽板232水平面的方向（请参阅图3），所述第二平移控制器用于控制所述至少两个的永磁板24沿所述竖直方向C移动，以实现所述永磁板
24与所述防屏蔽板232之间的距离的自由调节。
[0044] 本发明提供的磁控溅射系统20还包括电源以及惰性气体供应管路（图未示出）。请一并参阅图5，图5为对基板40进行溅射涂布过程中的结构示意图。其中电源的阴极连接所述靶材30，电源的阳极连接所述腔体21和所述基板40。在对所述基板40进行溅射涂覆
时，所述惰性气体供应管路用于向所述腔体21内提供惰性气体，譬如氩原子；而所述电源
用于提供直流电压，使得所述靶材30和所述基板40之间产生一电场，当然所述电源也可以
提供交流的电压，此处不再赘述。
时，所述惰性气体供应管路用于向所述腔体21内提供惰性气体，譬如氩原子；而所述电源
用于提供直流电压，使得所述靶材30和所述基板40之间产生一电场，当然所述电源也可以
提供交流的电压，此处不再赘述。
[0045] 图2至图5所示的磁控溅射系统的第一较佳实施例的工作原理描述如下：
[0046] 在对所述基板40进行溅射涂覆前，将所述靶材30固定于所述靶材支撑架22，将所述基板40放置于所述基板支架23的防屏蔽板232上。
[0047] 之后，所述磁控溅射系统20的接通电源，同时通过所述磁控溅射系统20的惰性气体供应管路向所述腔体21内充入惰性气体，如氩气。由于所述电源的阴极连接所述靶材
30，而电源的阳极连接所述腔体21和所述基板40，因此在对所述电源通电后，所述靶材30
与所述基板40之间产生一电场E，在所述电场E的作用下，所述腔体21的氩气电离形成氩
正（Ar+）离子和电子。Ar+离子在所述电场E的作用下加速向所述靶材30运动，并以较高
的能量撞击所述靶材30的表面，由于所述靶材30连接所述电源的阴极，在Ar+离子的高能
量撞击下，所述靶材30溅射出靶材原子、带电分子和阴离子。
30，而电源的阳极连接所述腔体21和所述基板40，因此在对所述电源通电后，所述靶材30
与所述基板40之间产生一电场E，在所述电场E的作用下，所述腔体21的氩气电离形成氩
正（Ar+）离子和电子。Ar+离子在所述电场E的作用下加速向所述靶材30运动，并以较高
的能量撞击所述靶材30的表面，由于所述靶材30连接所述电源的阴极，在Ar+离子的高能
量撞击下，所述靶材30溅射出靶材原子、带电分子和阴离子。
[0048] 而且，Ar+离子在轰击所述靶材30过程中放出二次电子，所述靶材支撑架22内设置有磁石25，所述磁石25产生磁场B1，所述二次电子在所述电场E和所述磁场D1作用下，
以近似摆线形式在所述靶材30的表面做圆周运动，该圆周运动的运动路径较短，而且被束
缚在靠近所述靶材30表面的区域内，并且在该区域中继续产生大量的Ar+离子来轰击所述
靶材30，使得所述靶材30进一步的溅射出靶材原子、带电分子和阴离子，并朝向所述基板
40高速运动。
以近似摆线形式在所述靶材30的表面做圆周运动，该圆周运动的运动路径较短，而且被束
缚在靠近所述靶材30表面的区域内，并且在该区域中继续产生大量的Ar+离子来轰击所述
靶材30，使得所述靶材30进一步的溅射出靶材原子、带电分子和阴离子，并朝向所述基板
40高速运动。
[0049] 而所述永磁板24产生一磁场D2，请参阅图6，图6为所述永磁板24产生的所述磁场D2的效果示意图。当所述靶材30溅射出的靶材原子、带电分子和阴离子以较高的能量
（几十eV）到达所述基板40或所述基板40周边时，呈中性的靶材原子溅落至所述基板40形
成薄膜，而带电分子和阴离子会受到所述电场E和所述磁场D2的双重作用，不再以直线的
形式溅落到所述基板40上，而是以不规则的螺旋运动的方式溅落到所述基板40上。而且由
于上述带电分子以及阴离子在到达所述基板40前的运动路径加大，相互碰撞的机会增多，
使得携带的能量在螺旋运动和相互碰撞过程中得到消耗，在到达所述基板40时，能量已经
变小，使得上述靶材原子、带电分子和阴离子沉积到所述基板40时，对所述基板40或所述
基板40上的其它膜层的损伤就变小，沉积薄膜的应力也相应的减小。
（几十eV）到达所述基板40或所述基板40周边时，呈中性的靶材原子溅落至所述基板40形
成薄膜，而带电分子和阴离子会受到所述电场E和所述磁场D2的双重作用，不再以直线的
形式溅落到所述基板40上，而是以不规则的螺旋运动的方式溅落到所述基板40上。而且由
于上述带电分子以及阴离子在到达所述基板40前的运动路径加大，相互碰撞的机会增多，
使得携带的能量在螺旋运动和相互碰撞过程中得到消耗，在到达所述基板40时，能量已经
变小，使得上述靶材原子、带电分子和阴离子沉积到所述基板40时，对所述基板40或所述
基板40上的其它膜层的损伤就变小，沉积薄膜的应力也相应的减小。
[0050] 由于所述永磁板24沿水平方向A均匀排列，因此可保证其产生的磁场均匀；而且所述第一永磁板241和所述第二永磁板242彼此交叉设置且彼此相邻的第一永磁板241和
第二永磁板242极性相反，进一步保证了磁场D2的均匀性，使得所述磁场D2对射向所述基
板40的带电分子和阴离子产生的磁力均匀，进一步的保证了薄膜的涂覆效果。
第二永磁板242极性相反，进一步保证了磁场D2的均匀性，使得所述磁场D2对射向所述基
板40的带电分子和阴离子产生的磁力均匀，进一步的保证了薄膜的涂覆效果。
[0051] 而且，在对所述基板40进行溅射涂覆时，所述磁控溅射系统的第一平移控制器可控制所述永磁板24沿所述水平方向A来回运动，以使得所述基板40表面受到所述磁场D2
的磁力强度总和相对比较均匀，有利于提高沉积薄膜的均匀性。
的磁力强度总和相对比较均匀，有利于提高沉积薄膜的均匀性。
[0052] 而所述磁控溅射系统的第二平移控制器可控制所述永磁板24沿所述竖直方向C运动，实现所述永磁板24与所述防屏蔽板23之间距离的自由调节。譬如当所述永磁板24
与所述防屏蔽板232距离调小时，所述基板40表面受到的磁场D2的磁力强度增大，所述靶
材30溅射出的带电分子和阴离子在到达所述基板40时，做螺旋运动的分量就越大，带电分
子、阴离子以及靶材原子之间的碰撞机会就越大，到达所述基板40时能量损失就越多。反
之，当所述永磁板24与所述防屏蔽板232距离调大时，所述靶材30溅射出的带电分子和阴
离子在到达所述基板40时，做螺旋运动的分量就越微弱，直线运动的分量就越大，带电分
子、阴离子以及靶材原子之间的碰撞机会就减少，到达所述基板40时还拥有较高的能量。
因此本实施例可根据所述靶材30的材质以及所述基板40的材质，适当的调整永磁板24与
所述防屏蔽板232的距离，在减少对所述基板40的损伤的同时，使得沉积薄膜的应力最小，均匀性最佳。
与所述防屏蔽板232距离调小时，所述基板40表面受到的磁场D2的磁力强度增大，所述靶
材30溅射出的带电分子和阴离子在到达所述基板40时，做螺旋运动的分量就越大，带电分
子、阴离子以及靶材原子之间的碰撞机会就越大，到达所述基板40时能量损失就越多。反
之，当所述永磁板24与所述防屏蔽板232距离调大时，所述靶材30溅射出的带电分子和阴
离子在到达所述基板40时，做螺旋运动的分量就越微弱，直线运动的分量就越大，带电分
子、阴离子以及靶材原子之间的碰撞机会就减少，到达所述基板40时还拥有较高的能量。
因此本实施例可根据所述靶材30的材质以及所述基板40的材质，适当的调整永磁板24与
所述防屏蔽板232的距离，在减少对所述基板40的损伤的同时，使得沉积薄膜的应力最小，均匀性最佳。
[0053] 而且，沿所述水平方向A，所述至少两个的永磁板24形成的宽度M2大于所述基板40的宽度N2，而沿所述垂直方向B，所述永磁板24的长度M1大于所述基板40的长度N1，
保证了所述磁场D2能够完全覆盖所述基板40，避免所述磁场D2受到边缘效应的影响，保证
所述基板40表面受到的磁场D2的均匀性。
保证了所述磁场D2能够完全覆盖所述基板40，避免所述磁场D2受到边缘效应的影响，保证
所述基板40表面受到的磁场D2的均匀性。
[0054] 由于所述磁场D2的衰减较快，譬如在离所述基板40表面上方大约5cm~10cm后，所述磁场D2将会快速衰减。而所述磁控溅射系统20中所述基板40与所述靶材30之间一
般有15cm左右的距离，因而所述永磁板24产生的磁场D2不会影响所述靶材30表面的磁
场D1。
般有15cm左右的距离，因而所述永磁板24产生的磁场D2不会影响所述靶材30表面的磁
场D1。
[0055] 请参阅图7，图7为应用本发明提供的磁控溅射系统溅射涂覆成膜的OLED板50的结构示意图。其中所述OLED板50包括玻璃基板51、第一电极层52（阳极层），空穴运输层
53、发光层54、电子运输层55以及第二电极层56（阴极层）。譬如在所述电子运输层55上
溅射涂覆形成第二电极层56时，即便是所述发光层54和所述电子运输层55均由有机塑料
分子构成，而使用本发明提供的磁控溅射系统，可保证在溅射涂覆形成第二电极层56时，
所述靶材30溅射产生的靶材原子，带电分子以及阴离子在到达所述电子运输层55时，能量
已得到较大的降低，因而不会对所述电子运输层55造成损伤，而且沉积的第二电极层56均
匀，进而保证了产品的良率。
53、发光层54、电子运输层55以及第二电极层56（阴极层）。譬如在所述电子运输层55上
溅射涂覆形成第二电极层56时，即便是所述发光层54和所述电子运输层55均由有机塑料
分子构成，而使用本发明提供的磁控溅射系统，可保证在溅射涂覆形成第二电极层56时，
所述靶材30溅射产生的靶材原子，带电分子以及阴离子在到达所述电子运输层55时，能量
已得到较大的降低，因而不会对所述电子运输层55造成损伤，而且沉积的第二电极层56均
匀，进而保证了产品的良率。
[0056] 图8为本发明中磁控溅射系统的第二较佳实施例结构示意图。
[0057] 与图2所示的第一较佳实施例不同之处在于，图8所示的第二较佳实施例中，所述磁控溅射系统还包括有永磁楔26，所述永磁楔26为楔形，由导磁材料制成，设置于所述防
屏蔽板232和所述永磁板24之间。其中，所述永磁楔26的极性与其对应的永磁板24的极
性相同，所述永磁楔26包括第一永磁楔261和第二永磁楔262，所述第一永磁楔261对应所
述第一永磁板241，并与所述第一永磁板241的极性相同；所述第二永磁楔262对应所述第
二永磁板242，并与所述第二永磁板242的极性相同。
屏蔽板232和所述永磁板24之间。其中，所述永磁楔26的极性与其对应的永磁板24的极
性相同，所述永磁楔26包括第一永磁楔261和第二永磁楔262，所述第一永磁楔261对应所
述第一永磁板241，并与所述第一永磁板241的极性相同；所述第二永磁楔262对应所述第
二永磁板242，并与所述第二永磁板242的极性相同。
[0058] 由于所述永磁板24产生的磁场B2的磁感线从阳极出发，回到阴极，因此在所述永磁板24的一端增加一永磁楔26，所述永磁楔26的极性与其对应的永磁板24相同，因此所
述永磁楔26的磁感线与其对应的永磁板24的分布趋势一致，可以增加所述磁场D2的均匀
性，譬如请参阅图9，图9为该第二较佳实施例中基板40上方的磁场D3的磁感线分布示意
图，相对图6所示的磁场B2，图9中的磁场D3的均匀性更佳。当然，在具体实施过程中，所
述永磁楔26可与其对应的永磁板24一体成型，该方式可节省单独制作永磁楔26的成本，
譬如请参阅图10。
述永磁楔26的磁感线与其对应的永磁板24的分布趋势一致，可以增加所述磁场D2的均匀
性，譬如请参阅图9，图9为该第二较佳实施例中基板40上方的磁场D3的磁感线分布示意
图，相对图6所示的磁场B2，图9中的磁场D3的均匀性更佳。当然，在具体实施过程中，所
述永磁楔26可与其对应的永磁板24一体成型，该方式可节省单独制作永磁楔26的成本，
譬如请参阅图10。
[0059] 本发明通过在待溅射涂覆的基板的下方设置永磁板作为磁场产生部件，该永磁板可在待溅射涂覆的基板表面产生一磁场，该磁场可以对靶材溅射时产生的、并射向待溅射
涂覆的基板的带电分子和阴离子产生一磁力的作用，避免了上述带电分子和阴离子以较高
的能量轰击所述基板，既可以保护基板不被损伤，又能降低所述基板上已沉积的薄膜的应
力，进而提高了产品的良率。
涂覆的基板的带电分子和阴离子产生一磁力的作用，避免了上述带电分子和阴离子以较高
的能量轰击所述基板，既可以保护基板不被损伤，又能降低所述基板上已沉积的薄膜的应
力，进而提高了产品的良率。
[0060] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
磁控溅射热门专利
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈