基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途
阅读：12发布：2023-01-27
专利汇可以提供基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机 激光器 ，包括：在 硅 衬底的 正面 自下而上 依次沉积有第一ZnO 薄膜 、第一SiO2薄膜、第二ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和半透明 电极 ，在硅衬底背面沉积有欧姆 接触 电极。本发明还提供了该激光器的制备方法，其步骤为：1)在硅衬底正面沉积第一ZnO薄膜，2)在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，3)在第一SiO2薄膜上沉积第二ZnO薄膜，4)在第二ZnO薄膜上沉积第二SiO2薄膜，5)在第二SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射 欧姆接触 电极，即制得基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器。本发明方法制得的双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器的 阈值 电流 显著降低，光输出功率明显提高。并且，本发明的制备方法工艺简单，且能够与现有的CMOS工艺兼容，有利于器件的大规模生产及应用。，下面是基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法及用途专利的具体信息内容。
1.一种电抽运随机激光器，所述的激光器在硅衬底(1)背面沉积有欧姆接触电极(7)，其特征在于：在硅衬底(1)的正面自下而上依次沉积有第一ZnO薄膜(2)、第一SiO2薄膜(3)、第二ZnO薄膜(4)、第二SiO2薄膜(5)和半透明电极(6)。
2.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的第一ZnO薄膜(2)、第二ZnO薄膜(4)的厚度为30nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的第一SiO2薄膜(3)、第二SiO2薄膜(5)的厚度为30～100nm。
4.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的半透明电极(6)的厚度为10～30nm。
5.根据权利要求1所述的电抽运随机激光器，其特征在于：所述的半透明电极(6)为半透明Au电极。
6.一种电抽运随机激光器的制备方法，包括如下步骤：
1)在硅衬底(1)正面沉积第一ZnO薄膜(2)；
2)在第一ZnO薄膜(2)上沉积第一SiO2薄膜(3)；
3)在第一SiO2薄膜(3)上沉积第二ZnO薄膜(4)；
4)在第二ZnO薄膜(4)上沉积第二SiO2薄膜(5)；
5)在第二SiO2薄膜(5)上溅射半透明电极(6)，在硅衬底(1)背面溅射欧姆接触电极(7)，制得基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的第一SiO2薄膜(3)、第二SiO2薄膜(5)采用溶胶-凝胶法制得。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：分别将步骤1)沉积的第一ZnO薄膜(2)、步骤3)沉积的第二ZnO薄膜(4)进行热处理，所述热处理的温度为300～900℃，时间为0.5～5小时。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：分别将所述步骤2)沉积的第一SiO2薄膜(3)、步骤4)沉积的第二SiO2薄膜(5)进行热处理，所述热处理的温度为300～700℃，时间为0.5～3小时。
10.权利要求1～5任一项所述的电抽运随机激光器在形成激光成像的光源中的应用。
基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器、其制备方法
及用途
技术领域
背景技术
[0002] 随机激射是一种产生于无规增益介质中的发光现象，利用光在无规介质中的多重散射来获得持续的光增益，因此制备工艺简单，无需像传统激光一样制备精密的谐振腔。随机激射的发光峰线宽很窄，发光方向随机分布，其独特的性能在成像、平面显示、生物医药、军事方面具有潜在的应用价值。ZnO材料由于具有较高的光增益系数和折射率，被认为是制备紫外随机激光器的理想材料。
[0003] 马向阳等利用金属-氧化物-半导体（MOS）结构实现了ZnO多晶薄膜的电抽运随机激射（X. Y. Ma, P. L. Chen, D. S. Li, Y. Y. Zhang, and D. R. Yang, Electrically pumped ZnO film ultraviolet random lasers on silicon substrate. Appl. Phys. Lett. 91, 2007, 251109）；随后，马向阳等利用MOS结构实现了ZnO纳米棒阵列的电抽运随机激射（X. Y. Ma, J. W. Pan, P. L. Chen, D. S. Li, H. Zhang, Y. Yang, and D. R. Yang, Room temperature electrically pumped ultraviolet random lasing from ZnO nanorod arrays on Si. Opt. Express. 17, 2009, 14426）；专利CN 101588021 B 公布了一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器，该激光器以ZnO多晶薄膜为籽晶层生长出的ZnO纳米线为发光层，在正向偏压下实现了室温电抽运随机激射。以上几种电抽运ZnO随机激光器均为单重SiO2-ZnO结构，即硅衬底上依次为ZnO发光层、SiO2势垒层以及Au半透明电极，其随机激射的阈值电流在70 mA左右。
[0004] 近年来出现的其他结构的ZnO电抽运随机激光器，如pn结结构、p-i-n结构等（S. Chu, M. Olmedo, Z. Yang, J. Y. Kong, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 93,181106，2008，H. Zhu, C. X. Shan, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, B. Yao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Z. K. Tang, X. H. Hou, and K. L. Choy, Adv. Mater.
22, 1877，2010），其随机激射阈值电流基本在30 mA以下，个别器件可低至6 mA。对于电抽运随机激光器来说，过高的电流产生的热效应会使器件的发光效率下降，同时增大了器件集成化的难度。从单重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器与其他结构的ZnO电抽运随机激光器的性能对比来看，较高的阈值电流已成为限制单重SiO2-ZnO结构器件集成化、应用化的重要因素。因此，降低阈值电流成为器件性能优化的首要目标。另外，器件的输出光功率为纳瓦量级，距离实际应用还有很大距离，因此提高器件的输出光功率也是一个重要的目标。
22, 1877，2010），其随机激射阈值电流基本在30 mA以下，个别器件可低至6 mA。对于电抽运随机激光器来说，过高的电流产生的热效应会使器件的发光效率下降，同时增大了器件集成化的难度。从单重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器与其他结构的ZnO电抽运随机激光器的性能对比来看，较高的阈值电流已成为限制单重SiO2-ZnO结构器件集成化、应用化的重要因素。因此，降低阈值电流成为器件性能优化的首要目标。另外，器件的输出光功率为纳瓦量级，距离实际应用还有很大距离，因此提高器件的输出光功率也是一个重要的目标。
发明内容
[0005] 为克服现有技术的不足，本发明提供一种基于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器，解决了器件随机激射的阈值电流过高的问题，同时提高了器件的输出光功率。
[0006] 本发明采用的技术方案为：
[0008] 本发明提供的电抽运随机激光器为双重SiO2-ZnO结构，即硅衬底上依次为第一ZnO薄膜、第一SiO2薄膜、第二ZnO薄膜、第二SiO2薄膜以及Au半透明电极，其中第一、第二ZnO薄膜为发光层，第一、第二SiO2薄膜为势垒层，相对于单重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器，本发明方法提供的电抽运随机激光器的阈值电流显著降低，输出光功率明显提高。这种效果来自两方面原因：第一，在单重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器中，作为发光层的ZnO薄膜与高折射率的硅衬底相邻，ZnO薄膜发出的光有很大一部分会被硅衬底吸收，从而造成光损失；在双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器中，第二ZnO薄膜被夹在两层低折射率的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜之间，形成了SiO2/ZnO/SiO2的波导结构，将光有效地限制在发光层第二ZnO薄膜中，更有利于获得较高水平的光增益，减少硅衬底对光的吸收。第二，在单重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器中，一部分电子会隧穿过SiO2层，无法与空穴复合产生光发射，这样就降低了器件的发光效率；在双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器中，第一ZnO薄膜中的电子隧穿过第一SiO2薄膜，还有机会在第二ZnO薄膜中与空穴复合，这样就提高了载流子的利用效率。
[0009] 作为优选，
[0010] 所述的第一ZnO薄膜、第二ZnO薄膜的厚度为30nm～500nm，更优选的厚度为50～150nm；
[0011] 所述的第一SiO2薄膜、第二SiO2薄膜的厚度为30～100nm，更优选的厚度为40～60nm；
[0012] 所述的半透明电极的厚度为10～30nm，更优选的厚度为20nm；
[0013] 所述的半透明电极为半透明Au 电极。
[0014] 本发明的第二个目的是提供一种电抽运随机激光器的制备方法，包括如下步骤：
[0015] 1) 在硅衬底正面沉积第一ZnO薄膜；
[0016] 2) 在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜；
[0017] 3) 在第一SiO2薄膜上沉积第二ZnO薄膜；
[0018] 4) 在第二ZnO薄膜上沉积第二SiO2薄膜；
[0019] 5) 在第二SiO2薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极，制得基于双重SiO2-ZnO电抽运随机激光器。
[0020] 其中，
[0021] 所述的第一SiO2薄膜、第二SiO2薄膜采用溶胶-凝胶法制得。
[0023] 其中，热处理气氛优选为氧气，热处理温度优选为600～800℃，时间优选为1～3小时。
[0024] 为去除溶剂及提高薄膜的绝缘性能，可分别将所述步骤2) 沉积的第一SiO2薄膜(3)、步骤4)沉积的第二SiO2薄膜(5)进行热处理，所述热处理的温度为300～700℃，时间为0.5～3小时；
[0025] 其中，热处理气氛优选为空气，热处理温度优选为450～650℃，时间为1～2小时。
[0026] 此外，本发明还提供了上述的电抽运随机激光器在形成激光成像的光源中的应用，与常用于成像光源的Nd：YAG激光光源相比，采用本发明提供的电抽运随机激光器的激光成像光源能有效地消除像散，提供分辨率更高的成像效果。
[0027] 本发明的有益效果在于：
[0028] 1） 本发明提供的电抽运随机激光器为双重SiO2-ZnO结构，使得随机激光器的阈值电流显著降低，输出光功率明显提高，具有广阔的应用前景；
[0029] 2） 本发明提供的制备方法工艺简单，且能够与现有的CMOS工艺兼容，有利于器件的大规模生产及应用；
[0031] 图1为本发明的双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器的结构示意图；
[0033] 图3为对比实施例1中单重SiO2-ZnO结构的ZnO薄膜电抽运随机激光器在不同电流下的发光谱图；
[0034] 图4为实施例1和对比实施例1中的两种电抽运随机激光器在不同电流下的输出光功率曲线，“○”对应于双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器，“●”对应于单重SiO2-ZnO结构的ZnO薄膜电抽运随机激光器；
[0035] 图5为实施例2中双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器在不同电流下的发光谱图。
[0036] 图中所示：1为硅衬底，2为第一ZnO薄膜，3为第一SiO2薄膜，
[0037] 4为第二ZnO薄膜，5为第二SiO2薄膜，6为半透明电极，
[0038] 7为欧姆接触电极。
具体实施方式
[0039] 下面结合实施例和附图详细说明本发明。
[0040] 如图1所示：
[0041] 本发明的双重SiO2-ZnO结构的电抽运随机激光器的包括：在硅衬底1的正面自下而上依次沉积有第一ZnO薄膜2、第一SiO2薄膜3、第二ZnO薄膜4、第二SiO2薄膜5和半透明电极6，在硅衬底1背面沉积有欧姆接触电极7。
[0042] 作为优选，
[0043] 所述的第一ZnO薄膜2、第二ZnO薄膜4的厚度为30nm～500nm，更优选的厚度为50～150nm；
[0044] 所述的第一SiO2薄膜3、第二SiO2薄膜5的厚度为30～100nm，更优选的厚度为40～60nm；
[0045] 所述的半透明电极6的厚度为10～30nm，更优选的厚度为20nm；
[0046] 所述的半透明电极6为半透明Au 电极。
[0047] 实施例1
[0048] 1）取电阻率为0.005欧姆�厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积100 nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0049] 2）在氧气气氛、700 ℃的温度下对第一ZnO薄膜进行热处理2小时；
[0050] 3）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以3500转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为50nm的第一SiO2薄膜；
[0051] 4）在空气中于550 ℃对第一SiO2薄膜进行1小时热处理；
[0052] 5）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积100 nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0053] 6）将制得的第二ZnO薄膜在氧气气氛、700℃的温度下进行热处理2小时；
[0054] 7）利用溶胶-凝胶法在热处理后的第二ZnO薄膜上沉积厚度为50nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤3）相同；
[0055] 8）在空气中于550 ℃对第二SiO2薄膜进行1小时热处理；
[0056] 9）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 20nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0057] 对比实施例1
[0058] 单重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器的制备
[0059] 重复实施例1的步骤1)～步骤4)、步骤9)，省略步骤5)～步骤8)，制得基于单重SiO2/ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0060] 分别将实施例1和对比实施例1制得的两种电抽运随机激光器的正面Au电极连接直流电源的正极，硅衬底背面的Au电极连接直流电源的负极，测试两个器件在不同注入电流下的电致发光光谱，其发光谱图如分别如图2、图3所示，光谱中的尖锐峰是由ZnO的随机激光引起的。对双重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器而言，当注入电流仅为2 mA时，随机激射即可发生（如图2所示）；而对单重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器而言，注入电流需达到15 mA时，随机激射才能发生（如图3所示）。
[0061] 图4是双重SiO2/ZnO结构、单重SiO2/ZnO结构两种电抽运随机激光器在不同电流下的输出光功率曲线，可以看到：当注入电流大于某一阈值时，输出功率随电流增长得更快，这是激光的典型特征。另外还可以看到：双重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器的阈值电流约为2 mA，而单重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器的阈值电流为14 mA。在相同电流下，双重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器的实测光输出功率为单重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器的2倍左右。这一结果有力地说明，相比于单重SiO2/ZnO结构，双重SiO2/ZnO结构可以显著地降低电抽运随机激光的阈值电流，提高光输出功率。
[0062] 实施例2
[0063] 1）取电阻率为0.005欧姆�厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积300 nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0064] 2）在氧气气氛、600 ℃的温度下对第一ZnO薄膜进行热处理1小时；
[0065] 3）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以2500转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为100nm的第一SiO2薄膜；
[0066] 4）在空气中于650 ℃对第一SiO2薄膜进行1小时热处理；
[0067] 5）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积300 nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0068] 6）将制得的第二ZnO薄膜在氧气气氛、600 ℃的温度下进行热处理1小时；
[0069] 7）利用溶胶-凝胶法在热处理后的第二ZnO薄膜上沉积厚度为100nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤3）相同；
[0070] 8）在空气中于650 ℃对第二SiO2薄膜进行1小时热处理；
[0071] 9）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 20nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0072] 将上述随机激光器中的正面Au电极连接直流电源的正极，硅衬底背面的Au电极连接负极，测试该随机激光器在不同注入电流下的电致发光光谱，以对比实施例1中的单重SiO2/ZnO结构器件为参比器件。如图5所示，当注入电流仅为4 mA时，随机激射即可发生。而对单重SiO2/ZnO结构的电抽运随机激光器而言，注入电流需达到15 mA时，随机激射才能发生（如图3所示）。这一结果说明，相比于单重SiO2/ZnO结构，双重SiO2/ZnO结构可以显著地降低电抽运随机激射的阈值电流；当ZnO、SiO2薄膜制备条件改变时，电抽运随机激射的阈值电流降低的程度会随之改变。
[0073] 实施例3
[0074] 1）取电阻率为0.005欧姆�厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积30 nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0075] 2）在氧气气氛、300 ℃的温度下对第一ZnO薄膜进行热处理0.5小时；
[0076] 3）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以4500转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为30nm的第一SiO2薄膜；
[0077] 4）在空气中于300 ℃对第一SiO2薄膜进行0.5小时热处理；
[0078] 5）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积30 nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0079] 6）将制得的第二ZnO薄膜在氧气气氛、300 ℃的温度下进行热处理0.5小时；
[0080] 7）利用溶胶-凝胶法在热处理后的第二ZnO薄膜上沉积厚度为30nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤3）相同；
[0081] 8）在空气中于300 ℃对第二SiO2薄膜进行0.5小时热处理；
[0082] 9）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 20nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0083] 实施例4
[0084] 1）取电阻率为0.005欧姆�厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积500 nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0085] 2）在氧气气氛、900 ℃的温度下对第一ZnO薄膜进行热处理5小时；
[0086] 3）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以4000转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为40nm的第一SiO2薄膜；
[0087] 4）在空气中于700 ℃对第一SiO2薄膜进行3小时热处理；
[0088] 5）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积500 nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0089] 6）将制得的第二ZnO薄膜在氧气气氛、900 ℃的温度下进行热处理5小时；
[0090] 7）利用溶胶-凝胶法在热处理后的第二ZnO薄膜上沉积厚度为40nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤3）相同；
[0091] 8）在空气中于700 ℃对第二SiO2薄膜进行3小时热处理；
[0092] 9）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 10nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0093] 实施例5
[0094] 1）取电阻率为0.005欧姆�厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积200nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0095] 2）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以3000转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为60nm的第一SiO2薄膜；
[0096] 3）在空气中于450 ℃对第一SiO2薄膜进行2小时热处理；
[0097] 4）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积200nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0098] 5）利用溶胶-凝胶法在第二ZnO薄膜上沉积厚度为60nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤2）相同；
[0099] 6）在空气中于450 ℃对第二SiO2薄膜进行2小时热处理；
[0100] 7）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 30nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0101] 实施例6
[0102] 1）取电阻率为0.005欧姆�厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积80 nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0103] 2）在氧气气氛、800 ℃的温度下对第一ZnO薄膜进行热处理3小时；
[0104] 3）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以2800转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为80nm的第一SiO2薄膜；
[0105] 4）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积80 nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0106] 5）将制得的第二ZnO薄膜在氧气气氛、800 ℃的温度下进行热处理3小时；
[0107] 6）利用溶胶-凝胶法在热处理后的第二ZnO薄膜上沉积厚度为80nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤3）相同；
[0108] 7）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 15nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
[0109] 实施例7
[0110] 1）取电阻率为0.005欧姆∙厘米、大小为15´15 mm2、厚度为675微米的N型<100>硅片作为衬底，清洗后放入射频溅射装置的反应室中，在硅衬底正面利用射频溅射的方法-3沉积80 nm厚的第一ZnO薄膜，溅射条件为：真空度为5×10 Pa，采用陶瓷ZnO靶进行溅射，衬底温度500 ℃，溅射功率100 W，通以O2和Ar混合气体，O2和Ar的流量比为1:2，工作压强为4 Pa；
[0111] 2）利用溶胶-凝胶法在第一ZnO薄膜上沉积第一SiO2薄膜，具体步骤如下：配制正硅酸乙酯（TEOS）:乙醇（EtOH）=1:10（摩尔比）的前驱体溶液，并加入微量的HCl作为催化剂，搅拌2小时后，作为SiO2的前驱体溶胶，在第一ZnO薄膜上以2800转/分钟的速度旋涂一层SiO2的前驱体溶胶薄膜，接着在100 ℃下烘干20 分钟，在第一ZnO薄膜上沉积厚度为80nm的第一SiO2薄膜；
[0112] 3）利用射频溅射的方法在第一SiO2薄膜上沉积80 nm厚的第二ZnO薄膜，溅射条件与步骤1）相同；
[0113] 4）利用溶胶-凝胶法在第二ZnO薄膜上沉积厚度为80nm的第二SiO2薄膜，制备方法与步骤2）相同；
[0114] 5）在第二SiO2薄膜上溅射沉积 15nm厚的半透明Au 电极，在硅衬底背面溅射沉积100 nm厚的Au电极，制得基于双重SiO2-ZnO结构（由硅衬底向上依次为Si/ZnO/SiO2/ZnO/SiO2/Au）的电抽运随机激光器。
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