溅射用靶、溅射装置及溅射方法
专利汇可以提供溅射用靶、溅射装置及溅射方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了溅射用靶、溅射装置及溅射方法，溅射导体靶包括：中心部分；围绕中心部分并且比中心部分厚的边缘部分；以及位于中心部分和边缘部分之间的倾斜部分，倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向形成大约30°－70°的 角 。，下面是溅射用靶、溅射装置及溅射方法专利的具体信息内容。
1.一种用于溅射沉积而安装在溅射室上的溅射导体靶，该靶包括：中心部分；围绕中心部分并且具有比中心部分更大厚度的边缘部分；和位于中心部分和边缘部分之间的倾斜部分，并且倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成大约30°-70°的角度。
2.如权利要求1所述的靶，其中溅射室包括具有可移动磁性阴极的扫描类型扫描室。
3.一种用于液晶显示基底的溅射装置，该装置包括：用于支撑基底的支撑件；用于安装导体靶的板，所述导体靶包括中心部分，围绕中心部分并且具有比中心部分更大厚度的边缘部分，和位于中心部分与边缘部分之间的倾斜部分，并且倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成大约30°-70°的角度；和相对于板位于支撑件对面的磁性阴极，用于控制带电粒子。
4.如权利要求3所述的装置，其中磁性阴极是可移动的。
5.如权利要求3所述的装置，其中基底对准以使基底的边缘位于倾斜部分的对面。
6.如权利要求3所述的装置，其中靶包括多个分开的具有不同厚度的部分。
7.一种使用至少一个磁性阴极在液晶显示基底上溅射沉积导电层的方法，该方法包括：安装溅射靶，所述溅射靶包括中心部分，围绕中心部分并且具有比中心部分更大厚度的边缘部分，和安装在中心部分与边缘部分之间的倾斜部分，并且倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成大约30°-70°的角度；将基底设置在靶的对面；和将靶溅射到基底上。
8.如权利要求7所述的方法，还包括：相对于所述靶将可移动磁性阴极设置在基底的对面。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述基底设置成基底边缘位于倾斜部分处。
10.如权利要求4所述的方法，其中所述靶包括多个分开的具有不同厚度的部分。
溅射用靶、溅射装置及溅射方法
技术领域
背景技术
用于导电层的溅射工艺是在真空状态下的溅射室中进行的，并包括下列步骤：通过使用磁力击打导体靶来感应轰击粒子；从靶中释放出导电粒子；和释放出的粒子指向基底以在基底上形成导电层。
在溅射工艺期间靶固定在板上，并且为了感应轰击粒子提供了移动磁性阴极。
由于磁性阴极在两个转向位置之间往复运动，其中磁性阴极在此处要比在其它位置花费更长的时间，靠近转向位置的靶的部分比其它部分遭到更多的腐蚀。这种不均匀的腐蚀降低了效率，靶的调换时间高达大约20％-30％。
发明内容
提供了溅射导体靶，其包括：中心部分；围绕中心部分并且比中心部分具有更大厚度的边缘部分；和安装在中心部分与边缘部分之间的倾斜部分，倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成一个大约30°-70°的角度。
靶可以安装在诸如包括可移动磁性阴极的扫描类型溅射室的溅射装置上。
提供了用于液晶显示基底的溅射装置，该装置包括：用于支撑基底的支撑件；用于安装导体靶的板，该导体靶包括中心部分，围绕中心部分并且具有比中心部分更大厚度的边缘部分，和位于中心部分与边缘部分之间的倾斜部分，倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成一个大约30°-70°的角度；以及相对于用于控制带电粒子的板设置在支撑件对面的(可移动的)磁性阴极。
基底可以对准以使基底的边缘设置在倾斜部分的对面。
靶可以包括多个分开的具有不同厚度的部分。
提供了使用至少一个磁性阴极在液晶显示基底上溅射沉积导电层的方法，该方法包括：安装溅射靶，该溅射靶包括中心部分，围绕中心部分并且具有比中心部分更大厚度的边缘部分，和位于中心部分与边缘部分之间的倾斜部分，倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向成一个大约30°-70°的角度；面对靶安装基底；和将靶溅射到基底上。
可以将可移动磁性阴极相对于靶设置在基底的对面。
优选的是，将基底设置成基底的边缘位于倾斜部分处。
靶可以包括多个分开的具有不同厚度的部分。
附图说明
通过结合附图详细描述具体实施方式，本发明将会变得更加显而易见：图1A是根据本发明实施例的在溅射室内的导体靶和板的截面图；图1B是图1所示的导体靶的平面图；和图2示出了根据本发明实施例的采用导体靶的溅射工艺中所用的溅射室。
具体实施方式
附图中，为了清楚，将层、膜和区域的厚度放大。附图标记始终代表相同的元件。应该理解的是，提及当诸如层、膜、区域或基底这样的元件在另一种元件之“上”时，它可以是直接在另一种元件上或可存在有插入二者之间的元件。相反，当提及元件“直接形成在”另一种元件“上”时，不存在有插入二者之间的元件。
现在，将结合附图描述根据本发明实施例的溅射靶。
图1A是根据本发明实施例的在溅射室中的导体靶和板的截面图，图1B是如图1所示的导体靶平面图。
通过溅射沉积导电层所用的导体靶10，如图1A所示，包括中心部分10b，比中心部分10b更厚的多个边缘部分10a，和位于边缘部分10a与中心部分10b之间并且具有变化的厚度的多个倾斜部分10c。每个倾斜部分10c具有沿边缘部分10a的顶表面向中心部分10b的顶表面延伸的倾斜表面，倾斜表面与垂直于边缘部分10a顶表面的方向成一个圆滑的倾角θ。优选的是，倾角θ大于约10°，更优选的是，倾角变化范围为大约30°至大约70°。
如图1A所示，溅射装置包括：安装导体靶10的板20，以及用于感应轰击粒子而相对于板20与导体靶10相对安装的磁性阴极30。磁性阴极30(如箭头所示)在导体靶10的边缘部分10a之间移动。设置了其上沉积有溅射粒子的基底(未示出)，使基底的边缘位于倾斜部分10c处。
参照图1B，倾斜部分10c垂直于磁性阴极30的移动方向而延伸。
尽管作为磁性阴极30转向部分的导体靶10的边缘部分10a与其它部分相比腐蚀更严重，由于边缘部分10a比其它部分厚，因而导体靶10也可使用较长时间。
由于导体靶10的倾斜部分10c的倾角是圆滑的30°-70°，可以避免在边缘部分10a与溅射靶10的倾斜部分10c之间的边缘上溅射粒子的再沉积。尤其是，溅射粒子的再沉积导致在待溅射以形成用于液晶显示器(LCD)透明电极的氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)靶上的黑点生长(black growths)，而这可通过使用具有上述结构的溅射靶10而避免。
虽然图1A和1B所示的溅射靶10的部分10a，10b和10c结合为一体，但为简化制造工艺，它们也可以单独地制造和单独地安装在板20上。
当基底(特别是用于LCD的基底)大时，例如，用于LCD的基底具有比大约680mm×880mm更大的面积，可以利用多个磁性阴极30，并且如果需要，磁性阴极30的数目可以变化。
用于导体靶10的代表性材料是铝，铝合金，铬，铬合金，钼，钼合金，铜，铜合金以及上述ITO和IZO。
导体靶10的边缘部分10a的厚度大约为10mm，而中心部分10b的厚度大约为5mm。当中心部分10b和倾斜部分10c的腐蚀厚度大约为1-2mm且边缘部分10b的腐蚀厚度大约为7-8mm时，可以调换靶10。
现在，参照图2详细描述根据本发明实施例的溅射室。
图2说明了根据本发明实施例的使用导体靶的溅射工艺中所用的溅射室。图2中所示的溅射室可以用于LCD用带有可移动磁性阴极的扫描类型溅射工艺中。
根据本发明实施例的溅射装置包括：传送室(未示出)，用于在真空状态下运送LCD用基底通过负载封闭(load-lock)室(未示出)；和溅射室，用于在从传送室运送的基底上溅射沉积导电层。
如图2所示，排空溅射室1以使等离子放电，并且经过气体管线5提供Ar气。在溅射室1中设置有：用于支撑基底3的包括多个销钉7的支撑件9；和用于安装导体靶10的板20。
支撑件9的边缘绕铰链轴17铰接以使支撑件9接收以水平状态进入设置在溅射室1的门15中的基底3，并且将基底3旋转到垂直状态以使基底平行于导体靶10。
板20固定在溅射室1的侧壁上，以使在支撑件9处于垂直状态时，安装在板20上的导体靶10与支撑件9的基底3平行。磁性阴极30相对于靶10和板20安装在基底3的对面，并沿与铰链轴17平行的方向运动。
如图1A所示，当向板20提供动力并且磁性阴极30运动时，通过放置在导体靶10和基底3之间的等离子体，由于磁性阴极30产生的磁感应，导电粒子从导体靶10中释放出并且沉积到基底3上。
如上所述，溅射靶10的厚边缘部分10a改善了导体靶10的效率，并且平滑倾斜的部分10c防止了溅射粒子在靶上的再沉积也防止了黑点生长。
虽然本发明以优选实施例为参考详细地进行了描述，但本领域的熟练技术人员在不偏离权利要求中的本发明的精神和范围的前提下可以进行各种修改和替换。
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