包含至少一种氟硅化合物的剥离层
阅读：1004发布：2021-09-22
专利汇可以提供包含至少一种氟硅化合物的剥离层专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 所公开的各种实施方案涉及包含至少一种氟 硅 化合物的剥离层，并且涉及相关的方面，诸如用于显示装置基底加工的方法。在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。所述方法可包括用 粘合剂 层离层和位于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将所述显示装置基底固定到载体基底。所述剥离层包含前体剥离层组合物的 固化 产物。所述前体剥离层组合物包含至少一种氟硅化合物。，下面是包含至少一种氟硅化合物的剥离层专利的具体信息内容。
1.一种加工显示装置基底的方法，所述方法包括：
利用粘合剂层离层和位于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将所述显示装置基底固定到载体基底，其中所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包含至少一种氟硅化合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离层组合物包含由式RNSiZ3表示的氟有机硅烷，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子、或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由为O、N或S的杂原子键合到所述式RNSiZ3中的Si原子；或由式RNSi(ORM)3表示的氟有机M N
硅烷，其中在每次出现时，R 独立地选自取代或未取代的(C1-C5)烷基，其中R为氟(C1-C200)烷基，其为未取代的或被进一步取代，并且为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-(O-全氟(C2-C3)亚烷基)n-；-(O-氟(C2-C3)亚烷基)n-；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si((C1-C5)烷基)2-；Si(氟(C1-C5)烷基)2-；以及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含：
组分(A)，氢有机聚硅氧烷；和
组分(B)，(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷，其中所述(C2-C20)烯基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-；
其中组分(A)和组分(B)中的至少一种为氟有机聚硅氧烷。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含下列中的至少一种：直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其由下式表示：
(RA3SiO1/2)w(RA2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z
其中
在每次出现时，RA独立地选自H、R1和Rf，
所述非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RA为H，
所述非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RA为Rf，
在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自：-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
f
在每次出现时，R 独立地为氟(Cm)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
y和z独立地为0至5,000，
y和z中的至少一者大于0，并且
w和x独立地为0至5,000。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其由下式表示：
(RA3SiO1/2)2(RA2SiO2/2)x，
其中
在每次出现时，RA独立地选自H、R1和Rf，
所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RA为H，
所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RA为Rf，
1
在每次出现时，R独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自：-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其在为未取代的或被进一步取代并且具有1至
2m+1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或
3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
x为0至5,000。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷，其由下式表示：
(RB3SiO1/2)w(RB2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，
其中
在每次出现时，RB独立地选自R1、R2和Rf，
所述非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RB为R2，
所述非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RB为Rf，
在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
y和z独立地为0至5,000，
y和z中的至少一者大于0，并且
w和x独立地为0至5,000。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离层前体组合物包含直链((C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷，其由下式表示：
(RB3SiO1/2)2(RB2SiO2/2)x，
其中
在每次出现时，RB独立地选自R1、R2和Rf，
所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RB为R2，
所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个RB为Rf，
在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且
x为0至5,000。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其由下式表示：
(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，并且
所述前体剥离层前体组合物包含直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷，其由下式表示：
(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中
在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体剥离层组合物还包含氢倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物，其中所述(C1-C20)烃基为取代或未取代的并且为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自：-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的固化产物，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、单体、低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟硅氧烷、氟硅烷、氟有机硅烷、紫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性的聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、氨基甲酸酯、天然粘合剂、基于环氧化物的粘合剂、基于呋喃的粘合剂、基于酚醛树脂的粘合剂、基于醛的粘合剂、脲醛粘合剂、基于丙烯酸的粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、能够固化以形成所述粘合剂中的任一种的前体、以及所述粘合剂中任一种的反应产物。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：
表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基基团的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状物质、有机硅、有机官能化硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅树胶、有机硅甲醇流体、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外光稳定剂、以及流量控制添加剂。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述固定提供显示装置加工中间体，其中所述粘附促进剂层位于所述载体基底和所述粘合剂层离层之间，其中所述粘附促进剂层包含粘附促进剂前体组合物的固化产物，所述粘附促进剂前体组合物包含下列中的至少一种：硅烷、有机硅烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸酯、磷酸酯、丙烯酸或其盐或酯、甲基丙烯酸或其盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或其盐或酯、乙烯基磺酸或其盐或酯、以及2-丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸或其盐或酯。
14.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述显示装置基底的所述固定之前，在所述载体基底和所述显示装置基底中的至少一者上形成所述粘合剂层离层。
15.根据权利要求1所述的方法，还包括加工所述显示装置基底，其中加工所述显示装置基底包括下列中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、暴露于光、显影、蚀刻、抗蚀剂去除、密封、气相沉积、粘合处理、加热、退火、照射、冷却，以及在所述显示装置基底上对下列中的至少一种进行放置、形成和改性中的至少一种：半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，还包括从所述载体基底中移除所述显示装置基底。
17.一种形成显示装置或显示装置部件的方法，包括根据权利要求1至16任一项所述的方法。
18.一种通过权利要求1至17中任一项所述的方法形成的显示装置或显示装置部件。
19.一种加工显示装置基底的方法，所述方法包括：
用粘合剂层离层和位于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将所述显示装置基底固定到载体基底，其中所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、和直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷；
其中
所述氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由杂原子键合到所述式RNSiZ3中的Si原子，所述杂原子为O、N或S；或所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，
其中
在每次出现时，RM独立地选自取代或未取代的(C1-C5)烷基，并且
RN为氟(C1-C200)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且为未被插入的或被1个、2个或
3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-(O-全氟(C2-C3)亚烷基)n-；-(O-氟(C2-C3)亚烷基)n-；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si((C1-C5)烷基)2-；Si(氟(C1-C5)烷基)2-；以及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-，
所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：
(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，并且
所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：
(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
20.一种显示装置加工中间体，包括：
载体基底；
位于所述载体基底上的粘合剂层离层；
经由所述粘合剂层离层固定到所述载体基底上的显示装置基底；和
位于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产物，所述前体剥离层包含至少一种氟硅化合物。
21.一种显示装置加工中间体，包括：
载体基底；
位于所述载体基底上的粘合剂层离层；
经由所述粘合剂层离层固定到所述载体基底上的显示装置基底；和
位于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产物，所述前体剥离层包含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷和直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷；
其中
所述氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由杂原子键合到所述式RNSiZ3中的Si原子，所述杂原子为O、N或S；或所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，
其中
在每次出现时，RM独立地选自取代或未取代的(C1-C5)烷基，并且
RN为氟(C1-C200)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且为未被插入的或被1个、2个或
3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-(O-全氟(C2-C3)亚烷基)n-；-(O-氟(C2-C3)亚烷基)n-；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si((C1-C5)烷基)2-；Si(氟(C1-C5)烷基)2-；以及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-，
所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：
(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，
所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：
2 1 f 1 1 2 1
(RR2SiO1/2)2(RRSiO2/2)1-5000(R2SiO2/2)1-5000(RRSiO2/2)1-5000，
在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，
2
在每次出现时，R独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其为未取代的或被进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团为未被插入的或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
包含至少一种氟硅化合物的剥离层
技术领域
[0001] 本发明整体涉及包含至少一种氟硅化合物的剥离层，和包括加工显示装置基底的方法在内的相关方面，并且涉及显示装置加工中间体。
背景技术
[0002] 在生产显示装置诸如液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器和有机发光二极管(OLED)显示器时，各种显示装置部件由薄显示装置基底制造，其包括柔性和非柔性的玻
璃和非玻璃基底。对一些薄显示装置基底进行制造加工可能具有挑战性，这是由于其易碎
性质、在特定制造加工期间所需的高精度，并且由于特定制造加工的苛刻条件(例如，高
温)。
璃和非玻璃基底。对一些薄显示装置基底进行制造加工可能具有挑战性，这是由于其易碎
性质、在特定制造加工期间所需的高精度，并且由于特定制造加工的苛刻条件(例如，高
温)。
发明内容
[0003] 一种加工显示装置基底的方法。所述方法的实施方案包括用粘合剂层离层和介于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将显示装置基底固定到载体基底。所
述剥离层包含固化前体剥离层组合物的固化产物。所述前体剥离层组合物可固化并且包含
至少一种氟硅化合物。
述剥离层包含固化前体剥离层组合物的固化产物。所述前体剥离层组合物可固化并且包含
至少一种氟硅化合物。
[0004] 一种显示装置加工中间体。所述显示装置加工中间体的实施方案包括载体基底和载体基底上的粘合剂层离层。所述显示装置加工中间体还包括经由粘合剂层离层固定到载
体基底的显示装置基底。所述显示装置加工中间体还包括介于粘合剂层离层和显示装置基
底之间的剥离层。所述剥离层包含固化前体剥离层组合物的固化产物。所述前体剥离层组
合物可固化并且包含至少一种氟硅化合物。
附图说明
体基底的显示装置基底。所述显示装置加工中间体还包括介于粘合剂层离层和显示装置基
底之间的剥离层。所述剥离层包含固化前体剥离层组合物的固化产物。所述前体剥离层组
合物可固化并且包含至少一种氟硅化合物。
附图说明
[0005] 附图以举例的方式而非限制的方式大体示出了本文献中讨论的各种实施方案。
[0006] 图1示出了根据各种实施方案的显示装置加工中间体。
[0007] 图2示出了根据各种实施方案的显示装置加工中间体。
具体实施方式
[0009] 提供以下示例性实施方案，其编号不应视为表示重要性程度：
[0010] 实施方案1是一种加工显示装置基底的方法，所述方法包括：利用粘合剂层离层和介于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将所述显示装置基底固定到载
体基底，其中所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包含
至少一种氟硅化合物。
体基底，其中所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包含
至少一种氟硅化合物。
[0011] 实施方案2是根据实施方案1所述的方法，其中所述显示装置基底包括玻璃、硅、陶瓷、塑料、金属或它们的组合。
[0012] 实施方案3是根据实施方案1-2中任一项所述的方法，其中所述显示装置基底包括下列中的至少一个的加工前体部件：发光二极管显示器(LED)、电致发光显示器(ELD)、电子纸显示器、等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、高性能寻址显示器(HPA)、薄膜晶体管显示器(TFT)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子发射显示器(SED)、激光TV显示器、碳纳米管显示器、量子点显示器和干涉调制器显示器(IMOD)。
[0013] 实施方案4是根据实施方案1-3中任一项所述的方法，其中所述显示装置基底具有1nm至5mm的厚度。
[0014] 实施方案5是根据实施方案1-4中任一项所述的方法，其中所述显示装置基底具有1nm至0.5mm的厚度。
[0015] 实施方案6是根据实施方案1-5中任一项所述的方法，其中所述载体基底包括玻璃、硅、陶瓷、塑料、金属或它们的组合。
[0016] 实施方案7是根据实施方案1-6中任一项所述的方法，其中利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底包括经由剥离层将显示装置基底固定到粘合剂层离层。
[0017] 实施方案8是根据实施方案1-7中任一项所述的方法，其中利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底包括将显示装置基底固定到剥离层，其中所述剥离层粘结到粘
合剂层离层，所述粘合剂层离层继而粘结到载体基底。
合剂层离层，所述粘合剂层离层继而粘结到载体基底。
[0018] 实施方案9是根据实施方案1-8中任一项所述的方法，其中利用粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底包括将剥离层固定到粘合剂层离层，其中所述剥离层粘结到显
示装置基底并且其中所述粘合剂层离层粘结到载体基底。
示装置基底并且其中所述粘合剂层离层粘结到载体基底。
[0019] 实施方案10是根据实施方案1-9中任一项所述的方法，其中所述固定提供显示装置加工中间体，其中所述剥离层介于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间。
[0020] 实施方案11是根据实施方案1-10中任一项所述的方法，其中所述剥离层具有0.0001μm至500μm的厚度。
[0022] 实施方案13是根据实施方案1-12中任一项所述的方法，其中所述剥离层前体组合物中的氟硅化合物为下列中的至少一种：氟硅烷、氟硅氮烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂和氟化倍半硅氧烷树脂。
[0023] 实施方案14是根据实施方案1-13中任一项所述的方法，其中所述剥离层组合物包含由式RNSiZ3表示的氟有机硅烷，其中每个Z独立地为可水解基团，即H、卤素原子、或有机杂基基团，其中所述有机杂基基团经由杂原子键合到式RNSiZ3中的Si原子，所述杂原子为O、N或S；或者O或N；或者O；或者N。在一些实施方案中，每个有机杂基基团独立地为-ORM、-NHRM、-M M M M M M M
NR2、-O2CR、-O-N＝CR2、-O-C(＝CR2)R或-N(R)COR。在一些实施方案中，所述剥离层组合物包含由式RNSi(ORM)3表示的氟有机硅烷。在每次出现时，RM独立地选自取代或未取代的
(C1-C22)烃基、取代或未取代的(C1-C22)烷基、或者取代或未取代的(C1-C5)烷基，或者其中任两个键合到相同N或C的RM可彼此键合以形成二价基团–RMa-RMb-，其为取代或未取代的(C1-N
C22)烷烃-二基。每个R 独立地为氟(C1-C200)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代并且未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自O-；-S-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-(O-全氟(C2-C3)亚烷基)n-；-(O-氟(C2-C3)亚烷基)n-；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si((C1-C5)烷基)2-；Si(氟(C1-C5)烷基)2-；以及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-。在一些实施方案中，所述有机杂基基团为(C1-C20)有机杂基基团。
NR2、-O2CR、-O-N＝CR2、-O-C(＝CR2)R或-N(R)COR。在一些实施方案中，所述剥离层组合物包含由式RNSi(ORM)3表示的氟有机硅烷。在每次出现时，RM独立地选自取代或未取代的
(C1-C22)烃基、取代或未取代的(C1-C22)烷基、或者取代或未取代的(C1-C5)烷基，或者其中任两个键合到相同N或C的RM可彼此键合以形成二价基团–RMa-RMb-，其为取代或未取代的(C1-N
C22)烷烃-二基。每个R 独立地为氟(C1-C200)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代并且未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自O-；-S-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-(O-全氟(C2-C3)亚烷基)n-；-(O-氟(C2-C3)亚烷基)n-；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；-Si(全氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si(氟(C1-C5)烷氧基)2-；-Si((C1-C5)烷基)2-；Si(氟(C1-C5)烷基)2-；以及-Si(全氟(C1-C5)烷基)2-。在一些实施方案中，所述有机杂基基团为(C1-C20)有机杂基基团。
[0024] 实施方案15是根据实施方案14所述的方法，其中所述氟有机硅烷由式F((CF2)3O)cc(CF2)0-100(CH2)0-100(O)0-1(CH2)0-100Si(ORM)3表示，其中cc为0至200并且RM如本文中任何适当的实施方案(例如，实施方案14)中所定义的。
[0025] 实施方案16是根据实施方案14-15中任一项所述的方法，其中所述氟有机硅烷由式F((CF2)3O)0-50(CF2)1-10(CH2)1-10O(CH2)1-10Si(OMe)3表示。
[0026] 实施方案17是根据实施方案14-16中任一项所述的方法，其中所述氟有机硅烷由式F((CF2)3O)15-30CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3表示。
[0027] 实施方案18是根据实施方案14-17中任一项所述的方法，其中所述氟有机硅烷由式F((CF2)3O)17-25CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3表示。
[0028] 实施方案19是根据实施方案1-18中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含：组分(A)，氢有机聚硅氧烷；和组分(B)，(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷，其中所述(C2-C20)烯基基团未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；
取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-；其中组分(A)和组分(B)中的至少一种为氟有机聚硅氧烷。
取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-；其中组分(A)和组分(B)中的至少一种为氟有机聚硅氧烷。
[0029] 实施方案20是根据实施方案1-19中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含下列中的至少一种：直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、非直链Si-H官能化氟有机聚
硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。
硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。
[0030] 实施方案21是根据实施方案1-20中任一项所述的方法，其中0.1重量％至99重量％前体粘合剂组合物为直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷和非直链Si-H官能化氟有机聚
硅氧烷中的至少一种。在一些实施方案中，0.1重量％至99重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷。在其它实施方案中，0.1重量％至99重量％为非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷。
在其它实施方案中，0.1至99重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷和非直链Si-H官能化
氟有机聚硅氧烷的总和。
硅氧烷中的至少一种。在一些实施方案中，0.1重量％至99重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷。在其它实施方案中，0.1重量％至99重量％为非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷。
在其它实施方案中，0.1至99重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷和非直链Si-H官能化
氟有机聚硅氧烷的总和。
[0031] 实施方案22是根据实施方案1-21中任一项所述的方法，其中0.2重量％至40重量％前体粘合剂组合物为直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷和非直链Si-H官能化氟有机聚
硅氧烷中的至少一种。在一些实施方案中，0.2重量％至40重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷。在其它实施方案中，0.2重量％至40重量％为非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷。
在其它实施方案中，0.2重量％至40重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷和非直链Si-H
官能化氟有机聚硅氧烷的总和。
硅氧烷中的至少一种。在一些实施方案中，0.2重量％至40重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷。在其它实施方案中，0.2重量％至40重量％为非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷。
在其它实施方案中，0.2重量％至40重量％为直链Si-H官能化氟有机硅氧烷和非直链Si-H
官能化氟有机聚硅氧烷的总和。
[0032] 实施方案23是根据实施方案1-22中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含由下式表示的非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷：(RA3SiO1/2)w(RA2SiO2/2)x
(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出现时，RA独立地选自H、R1和Rf，所述非直链Si-H官能化氟A A
有机聚硅氧烷中的至少一个R为H，所述非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个R
为Rf，在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代，并且具有1至2m+1氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000并且x为0至5,000。
(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出现时，RA独立地选自H、R1和Rf，所述非直链Si-H官能化氟A A
有机聚硅氧烷中的至少一个R为H，所述非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一个R
为Rf，在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代，并且具有1至2m+1氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000并且x为0至5,000。
[0033] 实施方案24是根据实施方案23所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
[0034] 实施方案25是根据实施方案23-24中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
[0035] 实施方案26是根据实施方案23-25中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
[0036] 实施方案27是根据实施方案23-26中任一项所述的方法，其中Rf为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代，并且具有1至2m+1个氟基团，其中m独立地为1至20。
[0037] 实施方案28是根据实施方案23-27中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
[0038] 实施方案29是根据实施方案23-28中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟丁基)乙基。
[0039] 实施方案30是根据实施方案1-29中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合A A
物包含由下式表示的直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷：(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)x，其中在每次出现时，RA独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23)中所定义的。
物包含由下式表示的直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷：(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)x，其中在每次出现时，RA独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23)中所定义的。
[0040] 实施方案31是根据实施方案30所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
[0041] 实施方案32是根据实施方案30-31中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
[0042] 实施方案33是根据实施方案30-32中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
[0043] 实施方案34是根据实施方案30-33中任一项所述的方法，其中x为1至200。
[0044] 实施方案35是根据实施方案30-34中任一项所述的方法，其中Rf为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代，并且具有1至2m+1个氟基团，其中m独立地为1至20。
[0045] 实施方案36是根据实施方案30-35中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
[0046] 实施方案37是根据实施方案30-36中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟丁基)乙基。
[0047] 实施方案38是根据实施方案30-37中任一项所述的方法，其中所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)X(HR1SiO2/2)X。在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-。在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代并且具有1至2m+1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,
000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。下标X为1至5,000。
000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。下标X为1至5,000。
[0048] 实施方案39是根据实施方案30-38中任一项所述的方法，其中所述直链Si-H官能f f
化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(Me3SiO1/2)2(RMeSiO2/2)1-200(HMeSiO2/2)1-400，其中R 如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23或38)中所定义的。
化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(Me3SiO1/2)2(RMeSiO2/2)1-200(HMeSiO2/2)1-400，其中R 如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23或38)中所定义的。
[0049] 实施方案40是根据实施方案30-39中任一项所述的方法，其中所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40，其中Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23或38)中所定义的。
[0050] 实施方案41是根据实施方案1-40中任一项所述的方法，其中1重量％至99.9重量％前体粘合剂组合物为直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基
官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一种。
官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一种。
[0051] 实施方案42是根据实施方案1-41中任一项所述的方法，其中40重量％至99.9重量％前体粘合剂组合物为直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基
官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一种。
官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一种。
[0052] 实施方案43是根据实施方案1-42中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含由下式表示的非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(RB3SiO1/2)w(RB2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z。在每次出现时，RB独立地选自R1、R2和Rf，其中非直链(C2-C20)烯基官能B 2
化氟有机聚硅氧烷中的至少一个R为R 并且非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中
的至少一个RB为Rf。在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-。在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为
1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000，并且x为0至5,000。
化氟有机聚硅氧烷中的至少一个R为R 并且非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中
的至少一个RB为Rf。在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-。在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
在每次出现时，Rf独立地为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代并且具有1至2m+
1个氟基团，其中m独立地为1至20，其中所述(Cm)烷基基团未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为
1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000，并且x为0至5,000。
[0053] 实施方案44是根据实施方案43所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
[0054] 实施方案45是根据实施方案43-44中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
[0055] 实施方案46是根据实施方案43-45中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
[0056] 实施方案47是根据实施方案43-46中任一项所述的方法，其中R2为(C2-C20)烯基。
[0057] 实施方案48是根据实施方案43-47中任一项所述的方法，其中R2为乙烯基基团。
[0058] 实施方案49是根据实施方案43-48中任一项所述的方法，其中组分(B)中的至少一个RB为Rf，其中Rf如本文任何合适的实施方案中所定义的。
[0059] 实施方案50是根据实施方案43-49中任一项所述的方法，其中Rf为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代，并且具有1至2m+1个氟基团，其中m独立地为1至20。
[0060] 实施方案51是根据实施方案43-50中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
[0061] 实施方案52是根据实施方案43-51中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟丁基)乙基。
[0062] 实施方案53是根据实施方案1-52中任一项所述的方法，其中所述剥离层前体组合B B
物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)x，其中每个RB如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)x，其中每个RB如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0063] 实施方案54是根据实施方案53所述的方法，其中R1为(C1-C20)烃基。
[0064] 实施方案55是根据实施方案53-54中任一项所述的方法，其中R1为(C1-C5)烷基。
[0065] 实施方案56是根据实施方案53-55中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
[0066] 实施方案57是根据实施方案53-56中任一项所述的方法，其中R2为(C2-C20)烯基。
[0067] 实施方案58是根据实施方案53-57中任一项所述的方法，其中R2为乙烯基基团。
[0068] 实施方案59是根据实施方案53-58中任一项所述的方法，其中组分(B)中的至少一个RB为Rf，其中Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
[0069] 实施方案60是根据实施方案53-59中任一项所述的方法，其中Rf为氟(Cm)烷基，其在其它位置未取代或进一步取代，并且具有1至2m+1个氟基团，其中m独立地为1至20。
[0070] 实施方案61是根据实施方案53-60中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。
[0071] 实施方案62是根据实施方案53-61中任一项所述的方法，其中Rf为(全氟丁基)乙基。
[0072] 实施方案63是根据实施方案53-62中任一项所述的方法，其中所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2、Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0073] 实施方案64是根据实施方案53-63中任一项所述的方法，其中所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000(ViMeSiO2/2)1-100，其中Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
[0074] 实施方案65是根据实施方案53-64中任一项所述的方法，其中所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15，其中Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
[0075] 实施方案66是根据实施方案1-65中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含由下式表示的直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000
(HR1SiO2/2)1-5000，并且所述前体剥离层前体组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
(HR1SiO2/2)1-5000，并且所述前体剥离层前体组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0076] 实施方案67是根据实施方案1-66中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含由下式表示的直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-5000
(HMeSiO2/2)1-5000，并且所述前体剥离层前体组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官f
能化氟有机聚硅氧烷：(ViMe2SiO1/2)2(R MeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000
(ViMeSiO2/2)1-100，其中在每次出现时，Rf如本文任何合适的实施方案中所定义的。
(HMeSiO2/2)1-5000，并且所述前体剥离层前体组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官f
能化氟有机聚硅氧烷：(ViMe2SiO1/2)2(R MeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000
(ViMeSiO2/2)1-100，其中在每次出现时，Rf如本文任何合适的实施方案中所定义的。
[0077] 实施方案68是根据实施方案1-67中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物包含由下式表示的直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-200
(HMeSiO2/2)1-400，并且所述前体剥离层前体组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15，其中在每次出现时，Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
(HMeSiO2/2)1-400，并且所述前体剥离层前体组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15，其中在每次出现时，Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
[0078] 实施方案69是根据实施方案1-68中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物还包含氢倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物，其中所述(C1-C20)烃基为取代或未取代的并且未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自：-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
[0079] 实施方案70是根据实施方案69所述的方法，其中所述氢倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物由下式表示：(HSiO3/2)y1(R1SiO3/2)y2，其中单元下标指示其摩尔比，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，摩尔比y1为0.001至5，并且摩尔比y2为0.001至5。
[0080] 实施方案71是根据实施方案70所述的方法，其中摩尔比y1为0.001至1.5。
[0081] 实施方案72是根据实施方案70-71中任一项所述的方法，其中摩尔比y1为0.01至0.5。
[0082] 实施方案73是根据实施方案70-72中任一项所述的方法，其中摩尔比y2为0.1至1.5。
[0083] 实施方案74是根据实施方案70-73中任一项所述的方法，其中摩尔比y2为0.5至1。
[0084] 实施方案75是根据实施方案70-74中任一项所述的方法，其中R1为取代或未取代的(C1-C20)烃基。
[0085] 实施方案76是根据实施方案70-75中任一项所述的方法，其中R1为取代或未取代的(C1-C10)烷基。
[0086] 实施方案77是根据实施方案70-76中任一项所述的方法，其中R1为取代或未取代的(C1-C5)烷基。
[0087] 实施方案78是根据实施方案70-77中任一项所述的方法，其中R1为甲基。
[0088] 实施方案79是根据实施方案70-78中任一项所述的方法，其中R1为取代或未取代的(C6-C20)芳基。
[0089] 实施方案80是根据实施方案70-79中任一项所述的方法，其中R1为(C6-C20)芳基。
[0090] 实施方案81是根据实施方案70-80中任一项所述的方法，其中R1为取代或未取代的苯基。
[0091] 实施方案82是根据实施方案70-81中任一项所述的方法，其中R1为苯基。
[0092] 实施方案83是根据实施方案70-82中任一项所述的方法，其中所述氢倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物由下式表示：(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)0.5-1，其中所述单元下标指示其摩尔比。
[0093] 实施方案84是根据实施方案70-83中任一项所述的方法，其中所述氢倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物由下式表示：(HSiO3/2)0.01-0.5(PhSiO3/2)0.5-1，其中所述单元下标指示其摩尔比。
[0094] 实施方案85是根据实施方案1-84中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物具有0.1:1至10:1的Si-H与烯基之比。
[0095] 实施方案86是根据实施方案1-85中任一项所述的方法，其中所述前体剥离层组合物具有0.7:1至2:1的Si-H与烯基之比。
[0096] 实施方案87是根据实施方案1-86中任一项所述的方法，其中所述粘合剂层离层包含前体粘合剂组合物的固化产物。
[0097] 实施方案88是根据实施方案87所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、单体、低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟硅氧烷、氟硅烷、氟有机硅烷、紫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性的聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、氨基甲酸酯、天然粘合剂、基于环氧化物的粘合剂、基于呋喃的粘合剂、基于酚醛树脂的粘合剂、基于醛的粘合剂、脲醛粘合剂、基于丙烯酸的粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、可固化以形成所述粘合剂中的任一种的前体、以及所述粘合剂中任一种的反应产物。
[0098] 实施方案89是根据实施方案87-88中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷、以及有机烯基硅氧烷。
[0099] 实施方案90是根据实施方案87-89中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷、以及((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
[0100] 实施方案91是根据实施方案87-90中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含由下式表示的直链氢有机聚硅氧烷：(RA3SiO1/2)2(RA2SiO2/2)x，其中在每次出现时，RA独立地选自H和R1，至少一个RA为H，在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-
NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，x为0至5,000。
NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，x为0至5,000。
[0101] 实施方案92是根据实施方案91所述的方法，其中所述直链氢有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，其中R1如上文定义的。
[0102] 实施方案93是根据实施方案91-92中任一项所述的方法，所述直链氢有机聚硅氧烷由下式表示：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-100(HMeSiO2/2)1-100。
[0103] 实施方案94是根据实施方案91-93中任一项所述的方法，其中所述直链氢有机聚硅氧烷由下式表示：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6。
[0104] 实施方案95是根据实施方案87-94中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含由下式表示的非直链氢有机聚硅氧烷：(RA3SiO1/2)w(RA2SiO2/2)x(RASiO3/2)y
A 1
(SiO4/2)z，其中在每次出现时，R独立地选自H和R1，至少一个RA为H，在每次出现时，R 独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000并且x为0至5,000。
A 1
(SiO4/2)z，其中在每次出现时，R独立地选自H和R1，至少一个RA为H，在每次出现时，R 独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000并且x为0至5,000。
[0105] 实施方案96是根据实施方案87-95中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷：(RB3SiO1/2)2(RB2SiO2/2)x，其中在每次出现时，RB独立地选自R1和R2，至少一个RB为R2，在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，并且x为0至5,000。
[0106] 实施方案97是根据实施方案96所述的方法，其中所述直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-5000，其中R1和R2如上文所定义的。
[0107] 实施方案98是根据实施方案96-97中任一项所述的方法，其中所述直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷由下式表示：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100-3000。
[0108] 实施方案99是根据实施方案96-98中任一项所述的方法，其中所述直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷由下式表示：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600。
[0109] 实施方案100是根据实施方案87-99中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含由下式表示的非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷：(RB3SiO1/2)w(RB2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，其中在每次出现时，RB独立地选自R1和R2，至少一个RB为R2，在每次出现时，R1独立地为取代或未取代的(C1-C20)烃基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自-O-、-S-、取代或未取代的-NH-、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、以及-Si((C1-C5)烷基)2-，在每次出现时，R2独立地为取代或未取代的(C2-C20)烯基，其未被插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团选自O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-，y和z独立地为0至5,000，y和z中的至少一者大于0，并且w为1至1,000，并且x为0至5,000。
[0110] 实施方案101是根据实施方案100所述的方法，其中所述非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)1-100(R13SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-500，其中R1和R2如上文所定义的。
[0111] 实施方案102是根据实施方案100-101中任一项所述的方法，其中所述非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷由下式表示：(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。
[0112] 实施方案103是根据实施方案100-102中任一项所述的方法，其中所述非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷由下式表示：((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)。
[0113] 实施方案104是根据实施方案87-103中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一个：(R2R12SiO1/2)1-20(R12SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5、
(R2R12SiO1/2)1-100(R12SiO2/2)5-200(SiO4/2)5-500、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)10-2000、(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R12SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)100-5000、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR12SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5，其中单元下标指
1 f 1 1 1 1
示其摩尔比，(R3SiO1/2)2(RR SiO2/2)1-100(HR SiO2/2)1-200、(HR2SiO1/2)2(R 2SiO2/2)10-2000和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中单元下标指示其摩尔比，并且其中在每次出现时，R1和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的，并且R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43、96或100)中所定义的。
(R2R12SiO1/2)1-100(R12SiO2/2)5-200(SiO4/2)5-500、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)10-2000、(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R12SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)100-5000、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR12SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5，其中单元下标指
1 f 1 1 1 1
示其摩尔比，(R3SiO1/2)2(RR SiO2/2)1-100(HR SiO2/2)1-200、(HR2SiO1/2)2(R 2SiO2/2)10-2000和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中单元下标指示其摩尔比，并且其中在每次出现时，R1和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的，并且R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43、96或100)中所定义的。
[0114] 实施方案105是根据实施方案87-104中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(R2R12SiO1/2)1-8(R12SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(R2R12SiO1/2)5-20(R12SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)75-225、(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R12SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)400-1200、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-6(HR1SiO2/2)3-9、(HR12SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5，其中单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80、(HR12SiO1/2)2(R12SiO2/2)50-200、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，R1和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的，并且R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43、96或100)中所定义的。
[0115] 实施方案106是根据实施方案87-105中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂2 1 1 2 1
组合物包含下列中的至少一种：(R R 2SiO1/2)4(R 2SiO2/2)120(SiO4/2)、(R R 2SiO1/2)11(R12SiO2/2)34(SiO4/2)55、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)150、(R2R12SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R12SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)600、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6、(HR12SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中所述单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2f 1 1 1 1 1 1
(RR SiO2/2)5-20(HR SiO2/2)10-40、(HR 2SiO1/2)2(R2SiO2/2)100、和(R 3SiO1/2)2(R2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、以及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5，其中单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，R1和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的，并且R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43、96或100)中所定义的。
组合物包含下列中的至少一种：(R R 2SiO1/2)4(R 2SiO2/2)120(SiO4/2)、(R R 2SiO1/2)11(R12SiO2/2)34(SiO4/2)55、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)150、(R2R12SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R12SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)600、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6、(HR12SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中所述单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2f 1 1 1 1 1 1
(RR SiO2/2)5-20(HR SiO2/2)10-40、(HR 2SiO1/2)2(R2SiO2/2)100、和(R 3SiO1/2)2(R2SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、以及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5，其中单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，R1和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的，并且R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43、96或100)中所定义的。
[0116] 实施方案107是根据实施方案87-106中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：非直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、
直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端
的聚(co-(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、直链乙烯基二甲
基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧
烷-氢甲基硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-
(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、直链氢二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧
烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(co-氢倍半硅
氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)、以及聚(co-氢倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧
烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有1至2m+1个氟基团并且m独立地为1至20。
直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端
的聚(co-(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、直链乙烯基二甲
基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧
烷-氢甲基硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-
(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、直链氢二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧
烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(co-氢倍半硅
氧烷-((C1-C20)烷基)倍半硅氧烷)、以及聚(co-氢倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧
烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有1至2m+1个氟基团并且m独立地为1至20。
[0117] 实施方案108是实施方案87-107中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(ViMe2SiO1/2)1-8(Me2SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)15-55(SiO4/2)25-85、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)75-225、(ViMe2SiO1/2)2
(RfMeSiO2/2)100-800(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)400-1200、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9、(HMe2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)2-40(HMeSiO2/2)5-80、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-200、(HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，以及(HSiO3/2)0.001-1f
(C6H5SiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，R 独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
(RfMeSiO2/2)100-800(Me2SiO2/2)400-2000(ViMeSiO2/2)2-30、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)400-1200、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-6(HMeSiO2/2)3-9、(HMe2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)2-40(HMeSiO2/2)5-80、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)50-200、(HSiO3/2)0.001-1(MeSiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，以及(HSiO3/2)0.001-1f
(C6H5SiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，R 独立地如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
[0118] 实施方案109是实施方案87-108中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(ViMe2SiO1/2)4(Me2SiO2/2)120(SiO4/2)、(ViMe2SiO1/2)11
f
(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150、(ViMe2SiO1/2)2(R MeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6、(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中所述单元下标指示其摩尔比，(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100、(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，以及(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，Rf独立地如本文任何合适的实施方案
(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
f
(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)150、(ViMe2SiO1/2)2(R MeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000(ViMeSiO2/2)5-15、(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600、(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6、(HMe2SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中所述单元下标指示其摩尔比，(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40、(HMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100、(HSiO3/2)0.01-0.5(MeSiO3/2)1-0.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，以及(HSiO3/2)0.01-0.5(C6H5SiO3/2)1-0.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，其中在每次出现时，Rf独立地如本文任何合适的实施方案
(例如，实施方案23、38或43)中所定义的。
[0119] 实施方案110是根据实施方案87-109中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物具有0.1:1至10:1的Si-H与烯基之比。
[0120] 实施方案111是根据实施方案87-110中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物具有0.7:1至2:1的Si-H与烯基之比。
[0121] 实施方案112为根据实施方案87-111中任一项所述的方法，其中所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基基团的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状物质、有机硅、有机官能化硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅树胶、有机硅甲醇流体、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘附促进剂、热稳定剂、紫外光稳定剂、以及流量控制添加剂。
[0122] 实施方案113是根据实施方案1-112中任一项所述的方法，其中所述粘合剂层离层具有0.1μm至500μm的厚度。
[0123] 实施方案114是根据实施方案1-113中任一项所述的方法，其中所述固定为显示装置加工中间体，其中所述粘合剂层离层直接在载体基底上而没有中间层。
[0124] 实施方案115是根据实施方案1-114中任一项所述的方法，其中所述固定提供显示装置加工中间体，其中粘附促进剂层介于所述载体基底和所述粘合剂层离层之间。
[0125] 实施方案116是根据实施方案115中任一项所述的方法，其中所述粘附促进剂层包含粘附促进剂前体组合物的固化产物，所述粘附促进剂前体组合物包含下列中的至少一
种：硅烷、有机硅烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸酯、磷酸酯、丙烯酸或其盐或酯、甲基丙烯酸或其盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或其盐或酯、乙烯基磺酸或其盐或酯、以及2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其盐或酯。
种：硅烷、有机硅烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸酯、磷酸酯、丙烯酸或其盐或酯、甲基丙烯酸或其盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或其盐或酯、乙烯基磺酸或其盐或酯、以及2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其盐或酯。
[0126] 实施方案117是根据实施方案115-116中任一项所述的方法，其中所述粘附促进剂层包含粘附促进剂前体组合物的固化产物，所述粘附促进剂前体组合物包含硅烷或硅氧烷
中的至少一种，所述硅烷或硅氧烷包含下列中的至少一种：三烷氧基甲硅烷氧基基团、三烷氧基甲硅烷基烷基基团、氢甲硅烷基基团、烯基基团、环氧官能团、氨基基团、卤代甲硅烷基基团、巯基甲硅烷基基团和氟烷基甲硅烷基基团。
中的至少一种，所述硅烷或硅氧烷包含下列中的至少一种：三烷氧基甲硅烷氧基基团、三烷氧基甲硅烷基烷基基团、氢甲硅烷基基团、烯基基团、环氧官能团、氨基基团、卤代甲硅烷基基团、巯基甲硅烷基基团和氟烷基甲硅烷基基团。
[0127] 实施方案118是根据实施方案115-117中任一项所述的方法，其中所述粘附促进剂层具有0.0001μm至500μm的厚度。
[0128] 实施方案119是根据实施方案115-118中任一项所述的方法，其中在所述粘附促进剂层和所述载体基底之间或在所述粘附促进剂层和所述粘合剂层离层之间不存在中间层。
[0129] 实施方案120是根据实施方案87-119中任一项所述的方法，其中所述固定包括利用前体粘合剂组合物和其间的粘合剂层离层中的至少一种将显示装置基底放置于载体基
底上。
底上。
[0130] 实施方案121是根据实施方案87-120中任一项所述的方法，其还包括在固定显示装置基底之前，在所述载体基底和所述显示装置基底中的至少一者上形成所述粘合剂层离
层。
层。
[0131] 实施方案122是根据实施方案121所述的方法，其中所述形成包括将前体粘合剂组合物放置于载体基底和显示装置基底中的至少一者上，并且将前体粘合剂组合物固化以形
成前体粘合剂组合物的固化产物。
成前体粘合剂组合物的固化产物。
[0133] 实施方案124是根据实施方案121-123中任一项所述的方法，其还包括将粘附促进剂层粘结到载体基底，然后在其上形成粘合剂层离层。
[0134] 实施方案125是根据实施方案121-124中任一项所述的方法，其还包括将粘附促进剂层粘结到粘合剂层离层，然后在其上固定载体基底。
[0135] 实施方案126是根据实施方案1-125中任一项所述的方法，其还包括加工所述显示装置基底。
[0136] 实施方案127是根据实施方案126所述的方法，其中加工所述显示装置基底包括下列中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施用液体光致抗蚀剂、暴露于光、显影、蚀刻、抗蚀剂去除、密封、气相沉积、粘合处理、加热、退火、照射、冷却，以及在显示装置基底上对下列中的一种进行放置、形成和改性中的至少一种：半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层。
[0137] 实施方案128是根据实施方案1-127中任一项所述的方法，其还包括从所述载体基底移除所述显示装置基底。
[0138] 实施方案129是根据实施方案128所述的方法，其中所述移除包括使用1g/cm至200g/cm的90度剥离力将所述显示装置基底从所述载体基底剥离。
[0139] 实施方案130是根据实施方案128-129中任一项所述的方法，其中所述移除包括使用2g/cm至60g/cm的90度剥离力将所述显示装置基底从所述载体基底剥离。
[0140] 实施方案131是一种形成显示装置或显示装置部件的方法，所述方法包括根据实施方案1-130中任一项所述的方法。
[0141] 实施方案132是由根据实施方案1-131所述的方法形成的显示装置或显示装置部件。
[0142] 实施方案133是一种加工显示装置基底的方法，所述方法包括：利用粘合剂层离层和介于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将所述显示装置基底固定到
载体基底，其中所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包
含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、以及直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷；其中所述氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，如实施方案14中所定义
的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中在每次出现时，RM和RN如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案14)中所定义的。所述直链Si-H官能化氟有机聚
硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，并且所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
载体基底，其中所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包
含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、以及直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷；其中所述氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，如实施方案14中所定义
的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中在每次出现时，RM和RN如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案14)中所定义的。所述直链Si-H官能化氟有机聚
硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，并且所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0143] 实施方案134是一种显示装置加工中间体，其包括：载体基底；所述载体基底上的粘合剂层离层；经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底；和介于所述粘合剂层
离层和所述显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产物，所述前
体剥离层包含至少一种氟硅化合物。
离层和所述显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产物，所述前
体剥离层包含至少一种氟硅化合物。
[0144] 实施方案135是根据实施方案134所述的加工中间体，其还包括在载体基底和粘合剂层离层之间的粘附促进剂层。
[0145] 实施方案136是一种显示装置加工中间体，其包括：载体基底；所述载体基底上的粘合剂层离层；经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底；和介于所述粘合剂层
离层和所述显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产物，所述前
体剥离层包含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、和直链
N
(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷；其中所述氟有机硅烷由式R SiZ3表示，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中在每次出现时，RM和RN如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案14)中所定义的。所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，并且所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000
(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
离层和所述显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产物，所述前
体剥离层包含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、和直链
N
(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷；其中所述氟有机硅烷由式R SiZ3表示，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中在每次出现时，RM和RN如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案14)中所定义的。所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，并且所述直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000
(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0146] 实施方案137是根据实施方案1-136中任一项或任何组合所述的设备或方法，其任选地被构造成使得所有所列举的元件或选项均可以使用或选择。
[0147] 实施方案138是如实施方案1-137中任一项所述的剥离层。
[0148] 在整个该文件中，以范围形式表达的值应当以灵活的方式理解为不仅包括明确列举出的作为范围限值的数值，而且还包括涵盖在该范围内的所有单个数值或子范围，如每
个数值和子范围被明确列举一样。例如，“0.1％至5％”或“0.1％至5％”的范围应当理解为不仅包括0.1％至5％，还包括在所指范围内的单个值(如，1％、2％、3％和4％)和子范围
(如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。
个数值和子范围被明确列举一样。例如，“0.1％至5％”或“0.1％至5％”的范围应当理解为不仅包括0.1％至5％，还包括在所指范围内的单个值(如，1％、2％、3％和4％)和子范围
(如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。
[0149] 在本文所述的制造方法中，除了在明确述及或明确暗示时间顺序或操作顺序时外，其行为或步骤可以任何顺序进行而不偏离本发明的原理。此外，指定的行为可同时进
行，除非有明确的权利要求语言述及它们单独进行。例如，进行步骤X的要求保护行为和进行步骤Y的要求保护行为可在单个操作内同时进行，并且所产生的方法将落在要求保护的
方法的字面范围内。在某些方面，行为或步骤按所写的顺序进行。
行，除非有明确的权利要求语言述及它们单独进行。例如，进行步骤X的要求保护行为和进行步骤Y的要求保护行为可在单个操作内同时进行，并且所产生的方法将落在要求保护的
方法的字面范围内。在某些方面，行为或步骤按所写的顺序进行。
[0150] 在本文件中，术语“一”、“一个”或“该”用于包括一个或不止一个，除非上下文明确地另外指明。术语“或”用于指代非排他性的“或”，除非另外指明。语句“A和B中的至少一种”具有与“A、B、或者A和B”相同的含义，其具有与A或B或者A和B相同的含义。任何章节标题的使用均旨在帮助本文件的阅读，但不是限制性的；与章节标题相关的信息可出现在特定章节之内或之外。
[0152] 如本文所用，术语“烯基”是指含有至少一个碳-碳双键(C＝C)的单价不饱和脂族基团。烯基可以为直链、支链或环状的。烯基可具有1个或2个C＝C。烯基基团可具有2至40个碳原子、或2至20个碳原子、或2至12个碳原子或在一些实施方案中2至8个碳原子。示例包括但不限于乙烯基、-CH＝CH(CH3)、-CH＝C(CH3)2、-C(CH3)＝CH2、-C(CH3)＝CH(CH3)、-C
(CH2CH3)＝CH2、环己烯基、环戊烯基、环己二烯基、丁二烯基、戊二烯基和己二烯基等。所述基团可以为未取代或取代的。
(CH2CH3)＝CH2、环己烯基、环戊烯基、环己二烯基、丁二烯基、戊二烯基和己二烯基等。所述基团可以为未取代或取代的。
[0153] 如本文所用，术语“烷氧基”是指单价饱和或不饱和脂族-O-基团，其中脂族基团为无环或环状的。直链烷氧基基团的示例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和己氧基。支链烷氧基的示例包括但不限于异丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基和异己氧基。环状烷氧基的示例包括但不限于环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基和环己氧基。烷氧基基团可包含键合到氧原子的1至12、1至20、或1至40个碳原子，并且还可包含双键或三键，并且还可包含杂原子。例如，烯丙氧基基团或甲氧基乙氧基基团也是在本文含义内的烷氧基基团，如在其中结构的两个相邻原子被其取代的上下文中的亚甲二氧基基团。所述基团可以为未取代或取代的。
[0154] 如本文所用，术语“烷基”是指直链、支链或环状的并且具有1至40个碳原子、1至20个碳原子、1至12个碳原子或在一些实施方案中1至8个碳原子的单价饱和烃基团。直链烷基基团的示例包括具有1至8个碳原子的那些，例如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基和正辛基基团。支链烷基基团的示例包括但不限于异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、新戊基、异戊基和2,2-二甲基丙基基团。如本文所用，术语“烷基”涵盖正烷基、异烷基和反异烷基基团以及其他支链形式的烷基。所述基团可以为未取代或取代的。代表性的取代烷基基团可由本文所列的任何基团例如氨基、羟基、氰基、羧基、硝基、硫基、烷氧基和卤素基团取代一次或多次。如本文所用，术语“亚烷基”表示烷二基，其中两个化合价可存在于其中的任两个碳原子上。
[0155] 如本文所用，术语“炔基”是指包含至少一个碳-碳三键(C≡C)并且可以为直链或支链的单价不饱和脂族基团。炔基基团可具有2至40个碳原子、2至20个碳原子、或2至12个碳或在一些实施方案中2至8个碳原子。示例包括但不限于-C≡CH、-C≡C(CH3)、-C≡C
(CH2CH3)、-CH2C≡CH、-CH2C≡C(CH3)和-CH2C≡C(CH2CH3)等。所述基团可以为未取代或取代的。
(CH2CH3)、-CH2C≡CH、-CH2C≡C(CH3)和-CH2C≡C(CH2CH3)等。所述基团可以为未取代或取代的。
[0156] “或者”应指独立的实施方案。
[0157] 如本文所用，术语“胺”是指在形式上通过用烃基基团独立地替换氨(NH3)上的1个、2个或3个氢原子而由氨衍生的化合物。所述胺可以为伯胺、仲胺和叔胺，其具有例如式N(基团)3，其中每个基团可独立地为H或非H，诸如烷基和芳基。胺包括但不限于R-NH2，例如烷基胺、芳基胺、烷基芳基胺；R2NH，其中每个R独立地选择，诸如二烷基胺、二芳基胺、芳烷基胺和杂环基胺；以及R3N，其中每个R独立地选择，诸如三烷基胺、二烷基芳基胺、烷基二芳基胺和三芳基胺。R可以为未取代或取代的。
[0158] 如本文所用，术语“芳基”是指单价碳环芳族烃基团。因此芳基基团包括但不限于苯基、薁基、庚搭烯基、联苯基、并茚苯基、芴基、菲基、苯并菲基(triphenylenyl)、芘基、并四苯基、 基(chrysenyl)、亚联苯基、蒽基和萘基基团。在一些实施方案中，芳基基团在基团的环部分中包含6至14个碳。芳基基团可以为未取代的或被有机基团或不含碳的基团取代，如本文所定义。所述基团可以为未取代或取代的。代表性的取代芳基基团可以是单取代的或多于一次取代的，诸如但不限于，在苯环的2位、3位、4位、5位或6位中的任一个或多个处取代的苯基基团，或在其2位至8位中的任一个或多个处取代的萘基基团。
[0159] 术语“可”赋予允许的选择，而不是必要的。
[0160] 如本文所用，术语“涂层”或“膜”是指连续或不连续的材料层。所述层可以是自立式或设置在制品的表面上。所述材料层可渗透制品的表面并且可填充诸如孔的区域，其中所述材料层可具有任何三维形状，包括平面或曲面。在一个示例中，可通过浸渍在涂料浴中而在一个或多个表面上形成涂层，任何所述表面可以是多孔的或无孔的。
[0161] 如本文所用，术语“烃”是指一种分子，其可以是未取代的并且由碳和氢原子组成，或可以是取代的并且包括碳和氢原子以及选自卤素、N、O、S、P和Si的至少一个杂原子。
[0162] 如本文所用，术语“烃基”是指通过从其中除去氢原子而在形式上衍生自直链、支链或环状烃的单价官能团，并且可以为烷基、烯基、炔基、芳基、环烷基、酰基、或它们的任何组合。烃基基团可示为(Ca-Cb)烃基，其中a和b为整数并且是指具有a至b中任一个的碳原子数。例如，(C1-C4)烃基是指可以为甲基(C1)、乙基(C2)、丙基(C3)、或丁基(C4)的烃基基团。(C0-Cb)烃基是指在某些实施方案中不存在烃基基团。
[0163] 如应用于在主链原子处具有自由基的单价基团时，术语“插入”是指(i)或(ii)：(i)在具有1个主链原子的单价基团中，该主链原子因此具有自由基：插入是指在形式上插
入1个主链原子和自由基之间(例如，二价插入基团Q在形式上插入H3C-中以产生H3C-Q-)；或(ii)在具有2个或更多个主链原子的单价基团中，其中自由基位于任一个主链原子上：插入是指在形式上插入主链原子和自由基之间(例如，如上所述)，或插入主链原子的任两个之
间(例如，二价插入基团Q在形式上插入H3C-CH2-中以产生H3C-Q-CH2-)。通常，被插入的每个单价基团可独立地被1个、2个或3个插入基团Q插入；或者被1个或2个插入基团Q插入；或者被2个或3个插入基团Q插入；或者被1个插入基团Q插入；或者被2个插入基团Q插入；或者被3个插入基团Q插入。当存在2个或3个Q基团时，它们通常不直接彼此键合(即，具有2或3个插入基团Q的被插入的单价基团可以不含Q-Q基团)。每个被插入的单价基团可独立地如本文
其它地方所述的那样定义(例如，被插入的烃基或被插入的(C2-C20)烯基)。每个插入基团Q可独立地如本文其它地方对于插入基团所述的那样定义(例如，-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；或-Si((C1-C5)烷基)2-)。术语“插入”可与如上所述类似的方式应用于分子或多价基团。术语“未插入”是指不含(缺乏)二价插入基团Q(即，0个Q)。
入1个主链原子和自由基之间(例如，二价插入基团Q在形式上插入H3C-中以产生H3C-Q-)；或(ii)在具有2个或更多个主链原子的单价基团中，其中自由基位于任一个主链原子上：插入是指在形式上插入主链原子和自由基之间(例如，如上所述)，或插入主链原子的任两个之
间(例如，二价插入基团Q在形式上插入H3C-CH2-中以产生H3C-Q-CH2-)。通常，被插入的每个单价基团可独立地被1个、2个或3个插入基团Q插入；或者被1个或2个插入基团Q插入；或者被2个或3个插入基团Q插入；或者被1个插入基团Q插入；或者被2个插入基团Q插入；或者被3个插入基团Q插入。当存在2个或3个Q基团时，它们通常不直接彼此键合(即，具有2或3个插入基团Q的被插入的单价基团可以不含Q-Q基团)。每个被插入的单价基团可独立地如本文
其它地方所述的那样定义(例如，被插入的烃基或被插入的(C2-C20)烯基)。每个插入基团Q可独立地如本文其它地方对于插入基团所述的那样定义(例如，-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；或-Si((C1-C5)烷基)2-)。术语“插入”可与如上所述类似的方式应用于分子或多价基团。术语“未插入”是指不含(缺乏)二价插入基团Q(即，0个Q)。
[0164] 术语“直链”是指缺乏或不含分支点。例如，直链聚硅氧烷(例如，直链氢有机聚硅氧烷和直链烯基官能化有机聚硅氧烷)在其主链中不具有(即，0个)分支点。因此，其主链仅由M单元(例如，R13SiO1/2、HR12SiO1/2或Me3SiO1/2)和D单元(例如，R12SiO2/2、HR1SiO2/2或Me2SiO2/2)组成。
[0165] 术语“非直链”是指具有至少一个分支点。例如，非直链聚硅氧烷(例如，非直链氢有机聚硅氧烷和非直链烯基官能化有机聚硅氧烷)在其主链中具有至少一个分支点。每个分支点独立地可以为T单元(例如，R1SiO3/2、R2SiO3/2或HSiO3/2)或Q单元(SiO4/2)，如根据情况而定。非直链聚硅氧烷还可具有、或者还可不具有M和/或D单元，如根据情况而定。
[0166] 如本文所用，术语“数均分子量”(Mn)是指样品中各个分子的分子量的普通算术平均值。其定义为样品中所有分子的总重量除以样品中的分子总数。在实验上，Mn通过按照公式Mn＝ΣMini/Σni分析样品来确定，所述样品分成具有ni个分子量Mi的分子的物质i的分子量级分。Mn可通过多种熟知的方法测量，包括凝胶渗透色谱法、光谱端基分析和渗透压法。所述测量可使用已知Mn的聚苯乙烯标准品。如果未指定，则本文给出的聚合物的分子量为
数均分子量。
数均分子量。
[0167] 如本文所用，术语“低聚物”是指具有中等相对分子质量的分子，其结构基本上包含2至4个重复单元，所述重复单元实际或概念性地衍生自具有更低相对分子质量的分子(例如，具有较少重复单元的单体或低聚物)。具有中等相对质量的分子可为性质随一个或
几个单元的移除而改变的分子。因所述一个或多个单元的移除所致的性质改变可以是显著
的改变。
几个单元的移除而改变的分子。因所述一个或多个单元的移除所致的性质改变可以是显著
的改变。
[0168] 如本文所用，术语“有机基团”是指任何单价或多价含碳官能团。每个有机基团可独立地未取代，或者未取代。例如，含氧基团，例如烷氧基基团、芳氧基基团、芳烷氧基基团、氧代基(羰基)基团、羧基基团(包括羧酸、羧酸盐和羧酸酯)；含硫基团，例如烷基和芳基硫化物基团；以及其他含杂原子的基团。有机基团的非限制性示例包括OR、OOR、OC(O)N(R)2、CN、CF3、OCF3、R、C(O)、亚甲基二氧基、亚乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R、C(＝NOR)R、以及取代或未取代的(C1-C100)烃基，其中R可以为氢(在包括其他碳原子的示例中)或基于碳的基团，并且其中基于碳的基团可以是取代或未取代的。
[0169] 有机硅氧烷可包含不同类型的单元，其中至少一种包含硅键合的有机基团(Si-C)。含甲基的硅氧烷单元是[(CH3)3SiO1/2]、[(CH3)2SiO2/2]和[(CH3)SiO3/2]，其有时被分别缩写为M、D和T，即，不具有上标。另一种类型的有机硅氧烷单元为[SiO4/2]，其被缩写为Q。其它类型的有机硅氧烷单元为M、D和T单元，其包含替换甲基的原子或基团的至少一次出现。例如，[(CH3)3SiO1/2]单元中的1个、2个或3个甲基；[(CH3)2SiO2/2]单元中的1个或2个甲基；以及[(CH3)SiO3/2]单元中的1个甲基可独立地被原子诸如H或卤素、无机基团诸如羟基、或不是甲基的有机基团替换。此类包含替换甲基的一个或多个替换原子或基团的M、D和T单元有时通过在相应M、D或T字母上方的上标中书写一个或多个替换原子或基团来缩写。已被替换Vi
的甲基数由具有上标的基团数表示。例如，M 指示具有一个乙烯基(Vi)和两个甲基的M单元(即，[Vi(CH3)2SiO1/2)，而M2Vi指示具有两个乙烯基和一个甲基的M单元(即，[Vi2(CH3)
SiO1/2])。类似地，DH指示具有一个氢原子和一个甲基的D单元(即，[H(CH3)SiO2/2]，而DH,Ph指示具有0个甲基、一个H原子和一个苯基的D单元(即，[H(Ph)SiO2/2])。TOAlk指示具有0个甲基和一个烷氧基基团的T单元(即，[AlkOSiO3/2])，其中AlkO和OAlk指示相同的烷氧基基团。
的甲基数由具有上标的基团数表示。例如，M 指示具有一个乙烯基(Vi)和两个甲基的M单元(即，[Vi(CH3)2SiO1/2)，而M2Vi指示具有两个乙烯基和一个甲基的M单元(即，[Vi2(CH3)
SiO1/2])。类似地，DH指示具有一个氢原子和一个甲基的D单元(即，[H(CH3)SiO2/2]，而DH,Ph指示具有0个甲基、一个H原子和一个苯基的D单元(即，[H(Ph)SiO2/2])。TOAlk指示具有0个甲基和一个烷氧基基团的T单元(即，[AlkOSiO3/2])，其中AlkO和OAlk指示相同的烷氧基基团。
[0170] 如本文所用，术语“聚合物”是指具有至少五个重复单元的分子，并且可包括均聚物和互聚物诸如共聚物。
[0171] 除非由化学命名或化合价要求另外指明，否则本文中的每个“R”基团是单价基团。“R”基团的示例为R、R1、R2、RA、RB和Rf。
[0172] 如本文所用，术语“树脂”是指具有任何粘度的聚硅氧烷材料，其包括含至少四个硅氧烷单元的分子，其中至少一个硅氧烷单元经由Si-O-Si键键合到三个或四个其它硅氧烷单元。在一个示例中，聚硅氧烷材料包括如本文所定义的大部分T和/或Q单元。
[0173] 如本文所用，术语“溶剂”是指可溶解固体、液体或气体的液体。溶剂的非限制性示例为有机硅流体、沸点为30℃至300℃的有机化合物诸如醇、水、离子液体、以及超临界流体。在本文的具体混合物实施方案中，溶剂可以完全溶解、或者可以不完全溶解特定成分。不完全溶解特定成分的溶剂可用作载体、稀释剂、分散剂、贮存介质(hosting medium)或上清液。
[0174] 如本文所用，术语“基本上”是指大多数或大部分，如至少60％、70％、80％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％或99.999％；或者100％。
[0175] 如本文所用，结合如本文所定义的分子或有机基团的术语“取代的”是指其中所含的一个或多个氢原子被一个或多个非氢原子所替换的状态。如本文所用，术语“官能团”或“取代基”是指可取代到或取代到分子上或有机基团上的基团。取代基或官能团的示例包括但不限于：卤素(例如，F、Cl、Br和I；或者F、Cl或Br；或者F或Cl；或者Cl或Br；或者F；或者Cl)；诸如羟基基团、烷氧基基团、芳氧基基团、芳烷氧基基团、氧代基(羰基)基团、羧基基团(包括羧酸、羧酸盐和羧酸酯)之类的基团中的氧原子；诸如硫醇基团、烷基硫化物和芳基硫化物基团、亚砜基团、砜基团、磺酰基基团和磺酰胺基团之类的基团中的硫原子；诸如胺、羟基胺、腈、硝基基团、N-氧化物、酰肼、叠氮化物和烯胺之类的基团中的氮原子；以及多种其他基团中的其他杂原子。可键合到被取代的碳(或其他)原子的取代基的非限制性示例包括F、Cl、Br、I、OR、OC(O)N(R)2、CN、NO、NO2、ONO2、叠氮基、CF3、OCF3、R、O(氧代基)、S(硫代基)、C(O)、S(O)、亚甲基二氧基、亚乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R和C(＝NOR)R，其中R可以是氢或基于碳的基团；例如，R可以为氢、(C1-C100)烃基、烷基、酰基、环烷基、芳基、芳烷基、杂环基、杂芳基或杂芳基烷基；或其中键合到氮原子或键合到相邻氮原子的两个R基团可与一个或多个氮原子
一起形成杂环基。在取代基中，每个R独立地为未取代的或被F取代。
一起形成杂环基。在取代基中，每个R独立地为未取代的或被F取代。
[0176] 如本文所用，“Vi”指示乙烯基基团，-CH2＝CH2。如本文所用，“Me”指示甲基基团，-CH3。“Ph”是指苯基，C6H5-。
[0177] 任何化合物均包括其所有“同位素形式”，包括天然丰度同位素、同位素富集的同位素以及它们的混合物。在一些方面，同位素形式为天然丰度同位素，或者同位素富集的同位素。含硅化合物的同位素富集形式具有大于天然丰度量的氘、氚、29Si、30Si、32Si或上述任意两种或更多种的组合。化合物的同位素富集形式可具有附加的用途，其中检测同位素富集的化合物或由其制备或合成的同位素富集的材料将是有帮助的。此类用途的示例为医学
研究和防伪应用。
研究和防伪应用。
[0178] 在一些方面，任何组合物可不含以下化学元素中的一个或多个：(i)至少一种来自第2族至第13族和第18族中任一族的化学元素，包括镧系和锕系元素；(ii)至少一种来自元素周期表第三排至第六排中任一排的化学元素，包括镧系和锕系元素；或者(iii)(i)和
(ii)二者，除了不排除Si、O、H、C、N、卤素、如本文别处所述的任何催化剂的金属。在一些方面，任何组合物均不包含具有下列原子序数中的任一者的化学元素：2、3、4、5、7、10、11、12、
13、15、16、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、
40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、
65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84。85、86、87、88、89、
90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、
111、112、113、114和116，除了本文别处所述的任何催化剂的金属。“化学元素”或“原子”、一族或多族化学元素或元素周期表均是指IUPAC在2013年5月1日所发布版本的化学元素、族
和元素周期表；(参见iupac.org/reports/periodic_table/)。
(ii)二者，除了不排除Si、O、H、C、N、卤素、如本文别处所述的任何催化剂的金属。在一些方面，任何组合物均不包含具有下列原子序数中的任一者的化学元素：2、3、4、5、7、10、11、12、
13、15、16、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、
40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、
65、66、67、68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84。85、86、87、88、89、
90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、
111、112、113、114和116，除了本文别处所述的任何催化剂的金属。“化学元素”或“原子”、一族或多族化学元素或元素周期表均是指IUPAC在2013年5月1日所发布版本的化学元素、族
和元素周期表；(参见iupac.org/reports/periodic_table/)。
[0179] 在为具有带正电抗衡离子的盐的化合物中，抗衡离子可以是任何合适的带正电的抗衡离子。例如，抗衡离子可以是铵(NH4+)，或碱金属诸如钠(Na+)、钾(K+)、或锂(Li+)。在一些实施方案中，抗衡离子可具有大于+1的正电荷，其在一些实施方案中可络合到多个离子
化基团，诸如Zn2+、Al3+，或碱土金属诸如Ca2+或Mg2+。
化基团，诸如Zn2+、Al3+，或碱土金属诸如Ca2+或Mg2+。
[0180] 在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。所述方法包括用粘合剂层离层和介于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将显示装置基底固定到
载体基底。所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物。所述前体剥离层组合物包含至
少一种氟硅化合物。
载体基底。所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物。所述前体剥离层组合物包含至
少一种氟硅化合物。
[0181] 在各种实施方案中，是一种加工显示装置基底的方法。所述方法包括用粘合剂层离层和介于所述粘合剂层离层和所述显示装置基底之间的剥离层将显示装置基底固定到
载体基底。所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物。前体剥离层组合物包含下列中
的至少一种：氟化有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷和直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中RN和RM如本文所定义的(例如，实施方案14)。所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000
(HR1SiO2/2)1-5000。直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000。R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
载体基底。所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物。前体剥离层组合物包含下列中
的至少一种：氟化有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷和直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中RN和RM如本文所定义的(例如，实施方案14)。所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000
(HR1SiO2/2)1-5000。直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000。R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0182] 在各种实施方案中，是一种显示装置加工中间体。所述显示装置加工中间体包括载体基底。所述显示装置加工中间体包括载体基底上的粘合剂层离层。所述显示装置加工
中间体包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。所述显示装置加工中间体
还包括介于粘合剂层离层和显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固
化产物，所述前体剥离层包含至少一种氟硅化合物。
中间体包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。所述显示装置加工中间体
还包括介于粘合剂层离层和显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固
化产物，所述前体剥离层包含至少一种氟硅化合物。
[0183] 在各种实施方案中，是一种显示装置加工中间体。所述显示装置加工中间体包括载体基底。所述显示装置加工中间体包括载体基底上的粘合剂层离层。所述显示装置加工
中间体包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。显示装置加工中间体还包
括介于粘合剂层离层和显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产
物，所述前体剥离层包含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧
烷、和直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中RN和RM如本文所定义的(例如，实施方案14)。所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000。直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：
(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000。R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
中间体包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。显示装置加工中间体还包
括介于粘合剂层离层和显示装置基底之间的剥离层，所述剥离层包含前体剥离层的固化产
物，所述前体剥离层包含下列中的至少一种：氟有机硅烷、直链Si-H官能化氟有机聚硅氧
烷、和直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。氟有机硅烷由式RNSiZ3表示，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，所述氟有机硅烷由式RNSi(ORM)3表示，其中RN和RM如本文所定义的(例如，实施方案14)。所述直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000。直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷由下式表示：
(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(R12SiO2/2)1-5000(R2R1SiO2/2)1-5000。R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0184] 在各种实施方案中，是优于加工显示装置基底的现有方法的某些优点，其中现有方法包括将显示装置基底安装在载体上。例如，在一些实施方案中，与现有方法相比，所述方法可更好地耐受在某些制造过程中使用的苛刻的化学处理(例如，具有≤3的对数酸解离
常数pKa的酸)或升高的温度(例如≥200℃)。在一些实施方案中，所述方法可在某些制造过程中比现有方法更牢固地保持显示装置基底。一些现有的安装方法允许在载体和显示基底
之间更大量的相对移动或者显示基底更大量的挠曲，从而导致显示基底上的电子部件的未
对准。在各种实施方案中，本方法可允许例如利用更小的剥离力，比现有方法更容易地将显示基底从载体上移除。由于在制造期间显示基底相对于载体的移动或者由于在安装、制造
或移除期间对显示基底的损坏而导致的故障可意味着整个生产线的关闭。在各种实施方案
中，是一种加工显示装置基底的方法，其具有比现有方法更低的故障率。
常数pKa的酸)或升高的温度(例如≥200℃)。在一些实施方案中，所述方法可在某些制造过程中比现有方法更牢固地保持显示装置基底。一些现有的安装方法允许在载体和显示基底
之间更大量的相对移动或者显示基底更大量的挠曲，从而导致显示基底上的电子部件的未
对准。在各种实施方案中，本方法可允许例如利用更小的剥离力，比现有方法更容易地将显示基底从载体上移除。由于在制造期间显示基底相对于载体的移动或者由于在安装、制造
或移除期间对显示基底的损坏而导致的故障可意味着整个生产线的关闭。在各种实施方案
中，是一种加工显示装置基底的方法，其具有比现有方法更低的故障率。
[0185] 在一些实施方案中，在从载体移除显示装置基底之后，载体可重复使用多次而不需要大量的再循环利用程序。在一些实施方案中，与现有方法所需的外来设备或化学品相
比，常规设备和化学品可在很少或没有修改的情况下用于进行所述方法。
比，常规设备和化学品可在很少或没有修改的情况下用于进行所述方法。
[0186] 显示装置基底可包括可形成为用于显示装置的部件的任何合适的材料。载体基底可以为任何合适的材料，使得所述方法可如本文所述进行。在各种实施方案中，载体基底包括或者为与显示装置基底相同的材料。。在一些实施方案中，显示装置基底和载体基底独立地包括硅酸盐玻璃、硅(例如，硅晶片)、陶瓷、塑料(例如，热塑性有机聚合物或有机硅聚合物)、金属(例如钢、铜)或它们的组合。显示装置基底和载体基底可独立地为经处理基底，其具有在其上进行的任何合适的一种或多种化学处理或物理处理，使得该显示装置基底和/
或载体基底在其上独立地包括一个或多个涂层或加工中间体，或包括具有任何合适形貌的
表面，诸如平滑、抛光或纹理化表面。在一些实施方案中，显示装置基底和/或载体基底可具有未涂覆和未处理的原始表面。显示装置基底可以为柔性或刚性的。显示装置基底可具有
任何合适的厚度，诸如1nm至5mm、1nm至0.5mm、或1nm至100μm、或大于5mm。载体基底可具有任何合适量的刚度，使得所述显示装置基底可在加工期间被牢固地保持并且随后从载体基
底移除。所述载体基底可具有任何合适的厚度，使得所述方法可以如本文所述进行。例如，所述载体基底可具有如0.1mm至1,000mm、或小于0.1mm、或0.2mm至500mm、或大于1,000mm的厚度。在各种实施方案中，载体基底和显示装置基底可包括或可以为具有相似线性膨胀系
数的材料，诸如相差不大于150×10-7/℃或更小、50×10-7/℃或更小、或不大于1×10-10/℃或更小、或不大于1×10-9/℃、1×10-8/℃、1×10-7/℃、1×10-6/℃、1×10-5/℃、1×10-4/℃、
1×10-3/℃、1×10-2/℃或1×10-1/℃。
或载体基底在其上独立地包括一个或多个涂层或加工中间体，或包括具有任何合适形貌的
表面，诸如平滑、抛光或纹理化表面。在一些实施方案中，显示装置基底和/或载体基底可具有未涂覆和未处理的原始表面。显示装置基底可以为柔性或刚性的。显示装置基底可具有
任何合适的厚度，诸如1nm至5mm、1nm至0.5mm、或1nm至100μm、或大于5mm。载体基底可具有任何合适量的刚度，使得所述显示装置基底可在加工期间被牢固地保持并且随后从载体基
底移除。所述载体基底可具有任何合适的厚度，使得所述方法可以如本文所述进行。例如，所述载体基底可具有如0.1mm至1,000mm、或小于0.1mm、或0.2mm至500mm、或大于1,000mm的厚度。在各种实施方案中，载体基底和显示装置基底可包括或可以为具有相似线性膨胀系
数的材料，诸如相差不大于150×10-7/℃或更小、50×10-7/℃或更小、或不大于1×10-10/℃或更小、或不大于1×10-9/℃、1×10-8/℃、1×10-7/℃、1×10-6/℃、1×10-5/℃、1×10-4/℃、
1×10-3/℃、1×10-2/℃或1×10-1/℃。
[0187] 所述显示装置基底可包括任何合适的显示装置加工前体，所述显示装置加工前体可被加工以形成下列中的至少一个的显示装置部件：发光二极管显示器(LED)、电致发光显示器(ELD)、电子纸显示器、等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、高性能寻址显示器(HPA)、薄膜晶体管显示器(TFT)、有机发光二极管显示器(OLED)、表面传导电子发射显示器(SED)、激光TV显示器、碳纳米管显示器、量子点显示器和干涉调制器显示器(IMOD)。
[0188] 粘合剂层离层可具有任何合适的厚度，使得所述方法可如本文所述进行。在一些实施方案中，粘合剂层离层可具有0.1μm至500μm、5μm至150μm、10μm至100μm、或大于500μm的厚度。
[0189] 经由粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底可以为任何合适的固定。所述固定可包括使显示装置基底及粘合剂层离层和前体粘合剂组合物中的至少一种接触。接触
可使用各种方式进行，诸如利用辊或压机的压力粘结，在适于实现显示装置基底与粘合剂
层离层的紧密粘附的条件下进行，诸如真空(例如，以移除空气并防止气泡)，并且任选地利用热、光或照射(例如，以固化前体粘合剂组合物)。通过在真空下进行压力粘结，即使一些气泡保留，在加热期间气泡的生长也被减少或消除，从而避免或减少了层压载体基底和显
示装置基底的变形缺陷的形成。在一些实施方案中，在将显示装置基底与粘合剂层离层接
触之前、或者之后、或者之前和之后，将粘合剂层离层固化。载体基底、显示装置基底或上述两者可在进行固定之前，诸如在使基底与粘合剂层离层或前体粘合剂组合物接触之前洗
涤。
可使用各种方式进行，诸如利用辊或压机的压力粘结，在适于实现显示装置基底与粘合剂
层离层的紧密粘附的条件下进行，诸如真空(例如，以移除空气并防止气泡)，并且任选地利用热、光或照射(例如，以固化前体粘合剂组合物)。通过在真空下进行压力粘结，即使一些气泡保留，在加热期间气泡的生长也被减少或消除，从而避免或减少了层压载体基底和显
示装置基底的变形缺陷的形成。在一些实施方案中，在将显示装置基底与粘合剂层离层接
触之前、或者之后、或者之前和之后，将粘合剂层离层固化。载体基底、显示装置基底或上述两者可在进行固定之前，诸如在使基底与粘合剂层离层或前体粘合剂组合物接触之前洗
涤。
[0190] 所述方法可包括在将显示装置基底固定到载体基底之前，在载体基底和显示装置基底中的至少一个上形成粘合剂层离层。所述形成可包括将前体粘合剂组合物放置于载体
基底和显示装置基底中的至少一者上，并且将前体粘合剂组合物固化以形成其固化产物。
将前体粘合剂组合物放置于载体基底和显示装置基底中的至少一者上可在将显示装置基
底固定到载体基底之前进行。将前体粘合剂组合物放置于载体基底和显示装置中的至少一
者上可包括任何合适的方法，诸如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种。
基底和显示装置基底中的至少一者上，并且将前体粘合剂组合物固化以形成其固化产物。
将前体粘合剂组合物放置于载体基底和显示装置基底中的至少一者上可在将显示装置基
底固定到载体基底之前进行。将前体粘合剂组合物放置于载体基底和显示装置中的至少一
者上可包括任何合适的方法，诸如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种。
[0191] 固化所述前体粘合剂组合物以形成粘合剂层离层可在将显示装置基底固定到载体基底之前、期间和/或之后进行。如本文所用，术语“固化”是指将预聚物或聚合物转化成较高分子质量的聚合物，然后转化成网络。固化可包括使前体粘合剂组合物暴露于呈任何
形式的辐射，加热，或者使其经历物理或化学反应，所述物理或化学反应导致硬化或在25℃下测量的动态粘度增加。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的固化可以是任何合适的
固化，诸如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如，氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合。固化可包括施用光(例如，可见光、红外光、紫外光)、热(例如，40℃或更低、或
50℃至500℃，例如80℃至300℃、或120℃至250℃，并持续适宜的时间，诸如1分钟或更少，或者2分钟至120分钟)、照射(例如，电子束、γ-射线、X-射线)或它们的组合。
形式的辐射，加热，或者使其经历物理或化学反应，所述物理或化学反应导致硬化或在25℃下测量的动态粘度增加。在一些实施方案中，前体粘合剂组合物的固化可以是任何合适的
固化，诸如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如，氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合。固化可包括施用光(例如，可见光、红外光、紫外光)、热(例如，40℃或更低、或
50℃至500℃，例如80℃至300℃、或120℃至250℃，并持续适宜的时间，诸如1分钟或更少，或者2分钟至120分钟)、照射(例如，电子束、γ-射线、X-射线)或它们的组合。
[0192] 在各种实施方案中，经由粘合剂层离层将显示装置基底固定到载体基底可提供显示装置加工中间体，其中粘合剂层离层直接位于载体基底上和/或显示装置基底上，并且其间没有中间层。在其它实施方案中，在粘合剂层离层和载体基底之间可形成或可存在一个
或多个附加的中间层，诸如粘附促进剂层和/或剥离层。在一些实施方案中，在粘合剂层离层和显示装置基底之间可存在一个或多个附加的中间层，诸如剥离层。在一些实施方案中，显示装置加工中间体可包含粘合剂层离层和载体基底之间的粘附促进层以及粘合剂层离
层和显示装置基底之间的剥离层。
或多个附加的中间层，诸如粘附促进剂层和/或剥离层。在一些实施方案中，在粘合剂层离层和显示装置基底之间可存在一个或多个附加的中间层，诸如剥离层。在一些实施方案中，显示装置加工中间体可包含粘合剂层离层和载体基底之间的粘附促进层以及粘合剂层离
层和显示装置基底之间的剥离层。
[0193] 在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括在包括粘附促进剂层的载体基底或显示装置基底上形成粘合剂层离层。在一些实施方案中，载体基底和显示装
置基底的固定可包括将粘附促进剂层粘结到载体基底，然后在载体基底或显示装置基底上
形成粘合剂层离层。所述固定可提供显示装置加工中间体，其中粘附促进剂层介于载体基
底和粘合剂层离层之间。在一些实施方案中，1)在粘附促进剂层和载体基底之间，2)在粘附促进剂层和粘合剂层离层之间，或者3)它们的组合之间不存在中间层。
置基底的固定可包括将粘附促进剂层粘结到载体基底，然后在载体基底或显示装置基底上
形成粘合剂层离层。所述固定可提供显示装置加工中间体，其中粘附促进剂层介于载体基
底和粘合剂层离层之间。在一些实施方案中，1)在粘附促进剂层和载体基底之间，2)在粘附促进剂层和粘合剂层离层之间，或者3)它们的组合之间不存在中间层。
[0194] 在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括经由剥离层将显示装置基底固定到粘合剂层离层，其中在固定之前，所述剥离层在粘合剂层离层上或在显示装
置基底上。在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括将剥离层粘结到显
示装置基底或将剥离层粘结到粘合剂层离层。所述固定可提供显示装置加工中间体，其中
剥离层介于所述显示装置基底和粘合剂层离层之间。在一些实施方案中，1)在剥离层和显
示装置基底之间，2)在剥离层和粘合剂层离层之间，或3)它们的组合之间不存在中间层。
置基底上。在一些实施方案中，载体基底和显示装置基底的固定可包括将剥离层粘结到显
示装置基底或将剥离层粘结到粘合剂层离层。所述固定可提供显示装置加工中间体，其中
剥离层介于所述显示装置基底和粘合剂层离层之间。在一些实施方案中，1)在剥离层和显
示装置基底之间，2)在剥离层和粘合剂层离层之间，或3)它们的组合之间不存在中间层。
[0195] 在一些实施方案中，所述方法不含显示装置基底的加工。在一些实施方案中，所述方法可包括加工显示装置基底。所述显示装置基底的加工可任何合适的加工，诸如下列中的至少一种：洗涤、干燥、形成膜、施加液体光致抗蚀剂、暴露于光、显影、蚀刻、抗蚀剂去除、密封、气相沉积、粘合处理、加热、退火、照射、冷却，以及在显示装置基底上对下列中的一种进行放置、形成和改性中的至少一种：半导体材料、半导体器件、二极管、发光二极管、晶体管、晶体管阵列、电容器、导电通路、电路图案、栅极线、数据线、电连接器、电极、透明电极、电绝缘体、电绝缘层、保护层、滤色器、液晶、空穴注入层、空穴传输层、发光层、钝化层、电泳膜和电子传输层。
[0196] 在各种实施方案中，所述方法可包括从载体基底移除显示装置基底。所述移除可在加工显示装置基底之前、或者之后发生。所述移除可以任何合适的方式进行，使得所述显示装置基底从载体基底移除。所述移除可包括从载体基底移除显示装置基底，使得在移除
之后，基本上没有粘合剂层离层粘附到显示装置基底，并且使得在移除之后基本上没有任
何其它层(例如，剥离层)粘附到显示装置基底。所述移除可包括从载体基底移除显示装置
基底，使得在移除之后，基本上没有粘合剂层离层粘附到显示装置基底，其中在移除之后另一层(例如，剥离层)的全部或一些粘附到显示装置基底。
之后，基本上没有粘合剂层离层粘附到显示装置基底，并且使得在移除之后基本上没有任
何其它层(例如，剥离层)粘附到显示装置基底。所述移除可包括从载体基底移除显示装置
基底，使得在移除之后，基本上没有粘合剂层离层粘附到显示装置基底，其中在移除之后另一层(例如，剥离层)的全部或一些粘附到显示装置基底。
[0197] 所述移除可包括物理移除诸如剥离、化学移除诸如利用酸或碱处理、或它们的组合。粘合剂层离层和任何其它层可以这样的方式形成，使得足以从载体基底移除显示装置
基底的90度剥离力可以为1克每厘米(g/cm)至200g/cm、2g/cm至60g/cm、或1g/cm或更小、或
100g/cm至200g/cm。长度指示显示装置基底和载体基底在移除位置处的重叠和粘附部分的
宽度。
基底的90度剥离力可以为1克每厘米(g/cm)至200g/cm、2g/cm至60g/cm、或1g/cm或更小、或
100g/cm至200g/cm。长度指示显示装置基底和载体基底在移除位置处的重叠和粘附部分的
宽度。
[0198] 在一些实施方案中，所述方法可包括诸如在移除之后，形成显示装置或显示装置部件。在其它实施方案中，可进行所述方法，但不形成显示装置或显示装置部件。
[0199] 前体粘合剂组合物可包含适用于固化形成粘合剂层离层的任一种或多种组分。在各种实施方案中，前体粘合剂组合物包含有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷和有机烯基硅氧烷中的至少一种。所述前体粘合剂组合物可包含下列中的至少一种：非直链(C2-
C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷、以及((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且未插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷、以及((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且未插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。
[0200] 前体粘合剂组合物可包含由下式表示的直链氢有机聚硅氧烷：(RA3SiO1/2)2(RA2SiO2/2)x。在每次出现时，RA可独立地选自H和R1，其中R1如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23)中所定义的。直链氢有机聚硅氧烷中的至少一个RA可以为H，包括侧链Si-H、末端Si-H或它们的组合。基团R1可以为(C1-C20)烃基。基团R1可以为(C1-C5)烷基。基团R1可以为甲基。下标x可以为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、1至200。直链氢有机聚硅氧
1 1 1 1
烷可由下式表示：(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)1-5000(HRSiO2/2)1-5000，其中R如上文所定义的。
1 1 1 1
烷可由下式表示：(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)1-5000(HRSiO2/2)1-5000，其中R如上文所定义的。
[0201] 直链氢有机聚硅氧烷可由下式表示：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)1-100(HMeSiO2/2)1-100。直链氢有机聚硅氧烷可由下式表示：(Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6。
[0202] 所述前体粘合剂组合物可包含由下式表示的非直链氢有机聚硅氧烷：(RA3SiO1/2)wA A A 1 1(R2SiO2/2)x(RSiO3/2)y(SiO4/2)z。在每次出现时，R 可独立地选自H和R ，其中R如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案23)中所定义的。非直链氢有机聚硅氧烷中的至少一个RA
可以为H，包括侧链Si-H、末端Si-H或它们的组合。基团R1可以为(C1-C20)烃基。基团R1可以为(C1-C5)烷基。基团R1可以为甲基。下标y和z可独立地为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至
500、0至200、或1至200。y和z中的至少一个可大于0。下标w和x可独立地为0至5,000、0至2,
000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。
可以为H，包括侧链Si-H、末端Si-H或它们的组合。基团R1可以为(C1-C20)烃基。基团R1可以为(C1-C5)烷基。基团R1可以为甲基。下标y和z可独立地为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至
500、0至200、或1至200。y和z中的至少一个可大于0。下标w和x可独立地为0至5,000、0至2,
000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。
[0203] 前体粘合剂组合物可包含由下式表示的直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷：(RB3SiO1/2)2(RB2SiO2/2)x。在每次出现时，RAB可独立地选自R1和R2，其中R1和R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷中的至少一个RB可以为R2，其包括侧链Si-R2、末端Si-R2、或它们的组合。基团R1可以为(C1-C20)烃基。基团R1可以为(C1-C5)烷基。基团R1可以为甲基。基团R2可以为(C2-C20)烯基。基团R2可以为乙烯基基团。下标x可以为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷可由下式表示：(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-5000，其中R1和R2如上文所定义的。
[0204] 直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷可由下式表示：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)100-3000。直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷可由下式表示：(ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600。
[0205] 所述前体粘合剂组合物可包含由下式表示的非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷：(RB3SiO1/2)w(RB2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z。在每次出现时，RB可独立地选自R1和R2，其中R1和R2如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷中的至少一个RB可以为R2，其包括侧链Si-R2、末端Si-R2、或它们的
1 1 1 2
组合。基团R 可以为(C1-C20)烃基。基团R可以为(C1-C5)烷基。基团R 可以为甲基。基团R 可以为(C2-C20)烯基。基团R2可以为乙烯基基团。下标y和z可独立地为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。y和z中的至少一个可大于0。下标w和x可独立地为0至
5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚
2 1 1 1 2
硅氧烷可由下式表示：(R R2SiO1/2)1-100(R3SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-500，其中R和R如上文定义的。
1 1 1 2
组合。基团R 可以为(C1-C20)烃基。基团R可以为(C1-C5)烷基。基团R 可以为甲基。基团R 可以为(C2-C20)烯基。基团R2可以为乙烯基基团。下标y和z可独立地为0至5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。y和z中的至少一个可大于0。下标w和x可独立地为0至
5,000、0至2,000、0至1,000、0至500、0至200、或1至200。非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚
2 1 1 1 2
硅氧烷可由下式表示：(R R2SiO1/2)1-100(R3SiO1/2)1-100(SiO4/2)1-500，其中R和R如上文定义的。
[0206] 非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷可由下式表示：(ViMe2SiO1/2)5-20(Me3SiO1/2)10-50(SiO4/2)20-80。非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷可由下式表示：
((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)。
((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)。
[0207] 在各种实施方案中，所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一个：(R2R12SiO1/2)1-20(R12SiO2/2)10-300(SiO4/2)1-5、(R2R12SiO1/2)1-100(R12SiO2/2)5-200(SiO4/2)5-500、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)10-2000、(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)10-5000(R12SiO2/2)10-5000(R2R1SiO2/2)1-100、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)100-5000、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)1-100(HR1SiO2/2)1-200、(HR12SiO1/2)0.1-10(SiO4/2)0.1-5，其中单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2f 1 1 1 1
(R R SiO2/2)1-100(HR SiO2/2)1-200、(HR 2SiO1/2)2(R 2SiO2/2)10-2000和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中单元下标指示其摩尔比。在每次出现时，R1、R2和Rf如本文中任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。基团R1可以为(C1-C20)烃基。基团R1可以为(C1-C5)烷基。基团R1可以为甲基。基团R2可以为(C2-C20)烯基。基团R2可以为乙烯基基团。在一些f f
实施方案中，R 是(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。在一些实施方案中，R 为(全氟丁基)乙基。在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(R2R12SiO1/2)1-8(R12SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(R2R12SiO1/2)5-20(R12SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)75-225、(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R12SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30、
2 1 1 1 1 1 1
(RR 2SiO1/2)2(R 2SiO2/2)400-1200、(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)1-6(HRSiO2/2)3-9、(HR 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5，其中单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80、(HR12SiO1/2)2(R12SiO2/2)50-200、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，并且其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(R2R12SiO1/2)4(R12SiO2/2)120(SiO4/2)、(R2R12SiO1/2)11(R12SiO2/2)34(SiO4/2)55、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)150、(R2R12SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R12SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)600、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6、(HR12SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、(HR12SiO1/2)2(R12SiO2/2)100、和(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、以及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，并且其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
(R R SiO2/2)1-100(HR SiO2/2)1-200、(HR 2SiO1/2)2(R 2SiO2/2)10-2000和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中单元下标指示其摩尔比。在每次出现时，R1、R2和Rf如本文中任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。基团R1可以为(C1-C20)烃基。基团R1可以为(C1-C5)烷基。基团R1可以为甲基。基团R2可以为(C2-C20)烯基。基团R2可以为乙烯基基团。在一些f f
实施方案中，R 是(全氟(C1-C10)烷基)(C1-C10)烷基。在一些实施方案中，R 为(全氟丁基)乙基。在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(R2R12SiO1/2)1-8(R12SiO2/2)60-180(SiO4/2)1-2、(R2R12SiO1/2)5-20(R12SiO2/2)16-56(SiO4/2)25-85、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)75-225、(R2R12SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)100-800(R12SiO2/2)400-2000(R2R1SiO2/2)2-30、
2 1 1 1 1 1 1
(RR 2SiO1/2)2(R 2SiO2/2)400-1200、(R3SiO1/2)2(R2SiO2/2)1-6(HRSiO2/2)3-9、(HR 2SiO1/2)1-2(SiO4/2)0.5-1.5，其中单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80、(HR12SiO1/2)2(R12SiO2/2)50-200、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)2-40(HR1SiO2/2)5-80和(HSiO3/2)0.001-1(R1SiO3/2)1.5-0.1，其中所述单元下标指示其摩尔比，并且其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物包含下列中的至少一种：(R2R12SiO1/2)4(R12SiO2/2)120(SiO4/2)、(R2R12SiO1/2)11(R12SiO2/2)34(SiO4/2)55、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)150、(R2R12SiO1/2)(RfR1SiO2/2)300-600(R12SiO2/2)800-1000(R2R1SiO2/2)5-15、(R2R12SiO1/2)2(R12SiO2/2)600、(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)3-4(HR1SiO2/2)5-6、(HR12SiO1/2)1.58(SiO4/2)，其中单元下标指示其摩尔比，(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、(HR12SiO1/2)2(R12SiO2/2)100、和(R13SiO1/2)2(R12SiO2/2)5-20(HR1SiO2/2)10-40、以及(HSiO3/2)0.01-0.5(R1SiO3/2)1-0.5，其中所述单元下标指示其摩尔比，并且其中R1、R2和Rf如本文任何合适的实施方案(例如，实施方案43)中所定义的。
[0208] 在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物、和剥离层组合物中的至少一种包括下列中的至少一种：热塑性材料、热固性材料、可聚合单体、可聚合或可交联低聚物、聚合物、可交联聚合物、交联聚合物、天然橡胶或合成橡胶、聚氨酯、聚异丁烯、硅烷、有机硅烷、硅氧烷、有机硅氧烷、氟硅氧烷、氟硅烷、紫胶、聚酰胺、甲硅烷基改性的聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、氨基甲酸酯、天然粘合剂、基于环氧化物的粘合剂、基于呋喃的粘合剂、基于酚醛树脂的粘合剂、基于醛的粘合剂、脲醛粘合剂、基于丙烯酸的粘合剂、苯酚/苯酚甲醛/糠醇粘合剂、固化剂、催化剂、可固化以形成所述粘合剂中的任一种的前体、以及所述粘合剂中任一种的反应产物。本段中所述的一种或多种化合物可形成任何合适比例的前体粘合剂组合物，诸如0.001重量％至100重量％、0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、或0.01重量％至20重量％。
[0209] 催化剂的示例可包括氢化硅烷化催化剂、缩合催化剂、自由基引发剂、光引发剂、或酸或碱。氢化硅烷化催化剂的示例可包括任何合适的氢化硅烷化催化剂，诸如包括铂族金属或含铂族金属的化合物的任何氢化硅烷化催化剂。铂族金属可包括铂、铑、钌、钯、锇和铱。合适的氢化硅烷化催化剂的示例可包括1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的铂
(IV)络合物。在另一个实施方案中，氢化硅烷化催化剂可以为光活化氢化硅烷化催化剂，或在热塑性材料中微胶囊化的氢化硅烷化催化剂。
(IV)络合物。在另一个实施方案中，氢化硅烷化催化剂可以为光活化氢化硅烷化催化剂，或在热塑性材料中微胶囊化的氢化硅烷化催化剂。
[0210] 固化剂的示例可包括胺、芳族胺、脂族胺、环脂族胺、聚胺、酰胺、聚酰胺或亚胺中的至少一种。示例包括聚乙烯亚胺、哌啶、三乙胺、苄基二甲基胺、N,N-二甲基氨基吡啶、2-(N,N-二甲基氨基甲基)苯酚、三(二甲基氨基甲基)苯酚、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、哌嗪、哌嗪衍生物(例如，氨基乙基哌嗪)、吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲嗪、异吲哚、吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、喹啉、异喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、咔唑、咔唑、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、咪唑烷、吩噁嗪、噌啉、吡咯烷、吡咯啉、咪唑啉、哌啶、二氢吲哚、异吲哚啉、奎宁环(quinuclindine)、吗啉、吖辛因、吖庚因、1,3,5-三嗪、噻唑、蝶啶、二氢喹啉、六亚甲基亚胺、吲唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,1,3-三氯三氟丙酮、以及它们的组合。
[0211] 在各种实施方案中，前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种可包括有机氢硅烷、有机氢硅氧烷、有机烯基硅烷和有机烯基硅氧烷中的至
少一种。在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物可包含下列中的至少一种：非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷、以及((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且未插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。在各种实施方案中，本文的倍半硅氧烷可具有任何合适的分子量，诸如
100g/mol至10,000,000g/mol、100g/mol至1,000,000g/mol、或200g/mol至100,000g/mol。
本段中所述的一种或多种化合物可形成任何合适比例的前体粘合剂组合物，诸如0.001重
量％至100重量％、0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、或0.01重量％至20重量％。
少一种。在一些实施方案中，所述前体粘合剂组合物可包含下列中的至少一种：非直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟(C1-C20)烷基取代的有机聚硅氧烷、非直链氢有机聚硅氧烷、直链氢有机聚硅氧烷、以及((C1-C20)烃基)氢倍半硅氧烷，其中(C2-C20)烯基基团和(C1-C20)烃基独立地选择、取代或未取代的，并且未插入或被1个、2个或3个基团插入，所述基团独立地选自-O-；-S-；取代或未取代的-NH-；-(O-(C2-C3)亚烷基)n-，其中n为1至1,000；-Si((C1-C5)烷氧基)2-；以及-Si((C1-C5)烷基)2-。在各种实施方案中，本文的倍半硅氧烷可具有任何合适的分子量，诸如
100g/mol至10,000,000g/mol、100g/mol至1,000,000g/mol、或200g/mol至100,000g/mol。
本段中所述的一种或多种化合物可形成任何合适比例的前体粘合剂组合物，诸如0.001重
量％至100重量％、0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、或0.01重量％至20重量％。
[0212] 前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种可包含下列中的至少一种：非直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基
二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-
(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、直链乙烯基二甲基甲硅烷
氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基
硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(Cm)烷
基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、直链氢二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(co-氢倍半硅氧烷-((C1-
C20)烷基)倍半硅氧烷)、以及聚(co-氢倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有约1至约2m+1个氟基团并且m独立地为约1至约20。
二甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链乙烯基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-
(氟(Cm)烷基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷-乙烯基甲基硅氧烷)、直链乙烯基二甲基甲硅烷
氧基封端的聚二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基
硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-(氟(Cm)烷
基)甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷)、直链氢二甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷、直链三甲基甲硅烷氧基封端的聚(co-二甲基硅氧烷-氢甲基硅氧烷)、聚(co-氢倍半硅氧烷-((C1-
C20)烷基)倍半硅氧烷)、以及聚(co-氢倍半硅氧烷-((C6-C20)芳基)倍半硅氧烷)，其中每个氟(Cm)烷基独立地具有约1至约2m+1个氟基团并且m独立地为约1至约20。
[0213] 前体粘合剂组合物可具有任何合适的Si-H与烯基比率(例如，其中烯基基团是氢化硅烷化可固化的非芳香族非共轭碳-碳双键)，诸如0.1:1至10:1、0.7:1至2:1、或0.1:1或更小，或0.2:1。
[0214] 前体粘合剂组合物可具有任何合适的烯基官能化有机聚硅氧烷与氢有机聚硅氧烷的重量比，例如0.001:1至1000:1、或10:1至100:1、或0.001:1或更小。
[0215] 显示装置加工中间体包括介于显示装置基底和粘合剂层离层之间的剥离层。剥离层可减小从载体基底、粘合剂层离层、以及存在的任何其它层移除显示装置基底所需的力。
在一些实施方案中，显示装置加工中间体可包括介于载体基底与粘合剂层离层之间的剥离
层。
在一些实施方案中，显示装置加工中间体可包括介于载体基底与粘合剂层离层之间的剥离
层。
[0216] 剥离层可以是剥离层前体组合物的固化反应产物。可使用任何合适的方法，诸如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种，将剥离层前体组合物放置于(例如，施用于)显示装置基底上或粘合剂层离层上。剥离层前体组合物可使用任何合适的方法，诸如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如，氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合来固化。在一些实施方案中，固化可包括将剥离层前体组合物干燥以从其中移除溶剂。固化可包括施用光(例如，可见光、红外光、紫外光)、热(例如，40℃或更低、或50℃至500℃、或80℃至300℃、或120℃至250℃，并持续适宜的时间，诸如1分钟或更少、或者2分钟、或者1分钟至120分钟)、照射(例如，使用任何合适的照射源，诸如电子束、γ射线、X-射线)、或它们的组合。
[0217] 所述剥离层前体组合物可以为可被固化形成剥离层的任何合适的组合物。所述剥离层前体组合物可包含下列中的至少一种：氟硅烷、氟硅氮烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂、氟化倍半硅氧烷树脂、(C6-C20)芳基硅氧烷、以及(取代或未取代的(C1-C20)烃基)-倍半硅氧烷，其中前述物质中的任一种或多种可形成任何适宜比例的剥离
层前体组合物，诸如0.001重量％至99重量％、.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、或0.01重量％至20重量％。所述前体剥离层组合物中的氟硅化合物可以为下列中的
至少一种：氟硅烷、氟硅氮烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂和氟化倍半硅氧烷树脂。
层前体组合物，诸如0.001重量％至99重量％、.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、或0.01重量％至20重量％。所述前体剥离层组合物中的氟硅化合物可以为下列中的
至少一种：氟硅烷、氟硅氮烷、氟硅氧烷、氟有机硅烷、氟有机硅氧烷、氟化硅树脂和氟化倍半硅氧烷树脂。
[0218] 在一些实施方案中，前体剥离层组合物中的氟硅化合物可包含至少一种可水解键，诸如Si-S、Si-O、Si-N、Si-H、Si-Cl和Si-F中的至少一种。在一些实施方案中，所述氟硅化合物可包含1个、2个、3个或4个或更多种此类可水解键。在各种实施方案中，前体剥离层组合物中的氟硅化合物可以为包含至少一个可水解键的氟硅烷。
[0219] 在各种实施方案中，前体剥离层组合物包含由式RNSiZ3表示的氟有机硅烷，如实施方案14中所定义的。在一些实施方案中，前体剥离层组合物包含具有结构RNSi(ORM)3的氟有机硅烷，其中RM和RN如本文所定义的。所述氟有机硅烷可具有结构F((CF2)3O)15-30CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3。所述氟有机硅烷可具有结构F((CF2)3O)17-25CF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3。
[0220] 在一些实施方案中，前体剥离层组合物包含组分(A)，氢有机聚硅氧烷。前体剥离层组合物还可包含组分(B)，(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷，如上所定义的。
[0221] 在各种实施方案中，所述前体剥离层组合物包含下列中的至少一种：直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷、直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷。
[0222] 任何合适比例的前体剥离层组合物可以为直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷和非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一种，诸如约0.1重量％至约99重量％、约10重
量％至约80重量％、或约0.2重量％至约40重量％。
量％至约80重量％、或约0.2重量％至约40重量％。
[0223] 所述前体剥离层组合物可包含非直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：(RA3SiO1/2)w(RA2SiO2/2)x(RASiO3/2)y(SiO4/2)z，其中RA和下标w、x、y和z如本文所定义的。
[0224] 所述前体剥离层组合物可包含直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：((RA3SiO1/2)2(RA2SiO2/2)x，其中RA和下标x如本文所定义的。
[0225] 任何合适比例的前体剥离层组合物可以为直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷和非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷中的至少一种，诸如1重量％至99.9重
量％、10重量％至80重量％、或40重量％至99.9重量％。
量％、10重量％至80重量％、或40重量％至99.9重量％。
[0226] 所述前体剥离层组合物可包含非直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：(RB3SiO1/2)w(RB2SiO2/2)x(RBSiO3/2)y(SiO4/2)z，其中RB和下标w、x、y和z如本文所定义的。
[0227] 所述剥离层前体组合物可包含直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：(RB3SiO1/2)2(RB2SiO2/2)x，其中RB和下标x如本文所定义的。
[0228] 所述前体剥离层组合物可包含直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：(R13SiO1/2)2(RfR1SiO2/2)1-5000(HR1SiO2/2)1-5000，以及直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅
2 1 f 1 1 2 1
氧烷，其具有以下结构：(R R2SiO1/2)2(RR SiO2/2)1-5000(R 2SiO2/2)1-5000(R RSiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文所定义的。
2 1 f 1 1 2 1
氧烷，其具有以下结构：(R R2SiO1/2)2(RR SiO2/2)1-5000(R 2SiO2/2)1-5000(R RSiO2/2)1-5000，其中R1、R2和Rf如本文所定义的。
[0229] 所述前体剥离层组合物可包含直链Si-H官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)1-5000(HMeSiO2/2)1-5000，以及直链(C2-C20)烯基官能化氟有机聚硅氧烷，其具有以下结构：(ViMe2SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)100-2000(Me2SiO2/2)100-3000
(ViMeSiO2/2)1-100，其中Rf如本文中所定义的。
(ViMeSiO2/2)1-100，其中Rf如本文中所定义的。
[0230] 在一些实施方案中，所述前体剥离层组合物中的氟硅化合物可以为氟化硅树脂和氟化倍半硅氧烷树脂中的至少一种。所述氟化硅树脂或氟化倍半硅氧烷可具有以下结构：
(RC3SiO1/2)a(RC2SiO2/2)b(RCSiO3/2)c(SiO2)d。在每次出现时，RC可以独立地选自氢、F、Rf、R1、和R2，其中R1、R2和Rf如本文所定义的。
(RC3SiO1/2)a(RC2SiO2/2)b(RCSiO3/2)c(SiO2)d。在每次出现时，RC可以独立地选自氢、F、Rf、R1、和R2，其中R1、R2和Rf如本文所定义的。
[0231] 除了至少一种氟硅化合物之外，前体剥离层组合物还可包含氢倍半硅氧烷-(C1-C20)烃基倍半硅氧烷共聚物。
[0232] 剥离层可具有任何合适的厚度。在一些实施方案中，剥离层具有0.0001μm至500μm、0.001μm至300μm、5μm至150μm、或10μm至100μm的厚度。
[0233] 前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层前体组合物可包含任一种或多种任选组分。本章节中所述的任一种或多种任选组分可形成任何合适比例的前体粘合剂
组合物、粘附促进剂前体组合物或剥离层前体组合物，诸如0.001重量％至100重量％、
0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、0.01重量％至20重量％、或0.001重
量％或更小。
组合物、粘附促进剂前体组合物或剥离层前体组合物，诸如0.001重量％至100重量％、
0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、0.01重量％至20重量％、或0.001重
量％或更小。
[0234] 在一些实施方案中，粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一者包括本文中描述为适用于前体粘合剂组合物中的任一种或多种化合物。所述一种或多种化合物可
形成任何合适比例的粘附促进剂前体组合物或剥离层组合物，诸如0.001重量％至100重
量％、0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、0.01重量％至20重量％、或0.001重量％或更小、或0.01重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、10重量％、15重量％、20重量％、25重量％、30重量％、35重量％、40重量％、45重量％、50重量％、60重量％、70重量％、80重量％、90重量％、91重量％、92重量％、93重量％、94重量％、95重量％、
96重量％、97重量％、98重量％、或99重量％或更多。
形成任何合适比例的粘附促进剂前体组合物或剥离层组合物，诸如0.001重量％至100重
量％、0.001重量％至90重量％、0.001重量％至50重量％、0.01重量％至20重量％、或0.001重量％或更小、或0.01重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、10重量％、15重量％、20重量％、25重量％、30重量％、35重量％、40重量％、45重量％、50重量％、60重量％、70重量％、80重量％、90重量％、91重量％、92重量％、93重量％、94重量％、95重量％、
96重量％、97重量％、98重量％、或99重量％或更多。
[0235] 前体粘合剂组合物、粘附促进剂前体组合物和剥离层组合物中的至少一种可包含下列中的至少一种：表面活性剂、乳化剂、分散剂、聚合稳定剂、交联剂、聚合物、聚合或交联催化剂、流变改性剂、密度调节剂、氮丙啶稳定剂、固化改性剂、自由基引发剂、稀释剂、酸受体、抗氧化剂、热稳定剂、阻燃剂、清除剂、甲硅烷基化剂、泡沫稳定剂、溶剂、氢化硅烷化反应性稀释剂、增塑剂、填料、无机颗粒、颜料、染料、干燥剂、液体、每分子具有至少一个烯基或炔基基团的聚醚、增稠剂、稳定剂、蜡、蜡状物质、有机硅、有机官能化硅氧烷、烷基甲基硅氧烷、硅氧烷树脂、有机硅树胶、有机硅甲醇流体、水溶性或水分散性有机硅聚醚组合物、硅橡胶、氢化硅烷化催化剂抑制剂、粘合促进剂、热稳定剂、紫外光稳定剂、以及流量控制添加剂。
[0236] 显示装置加工中间体可包括介于载体基底和粘合剂层离层之间的粘合促进剂层。粘附促进剂层可增加粘合剂层离层和载体基底之间的粘附。
[0237] 粘附促进剂层可以为粘附促进剂层前体组合物的固化反应产物。可使用任何合适的方法，诸如使用喷涂、旋涂、刮涂棒、刮刀和浸涂中的至少一种，将粘附促进剂层前体组合物放置于(例如，施用于)显示装置基底上或粘合剂层离层上。粘附促进剂层前体组合物可
使用任何合适的方法，诸如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如，氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合来固化。在一些实施方案中，固化可包括将粘附促进剂层前体组合物干燥以从其中移除溶剂。固化可包括施用光(例如，可见光、红外光、紫外光)、热(例如，
40℃或更低、或50℃至500℃、或80℃至250℃，并持续适宜的时间，诸如1分钟或更少、或2分钟、或1分钟至120分钟)、照射(例如，使用任何合适的照射源，诸如电子束、γ射线、X-射线)、或它们的组合。
使用任何合适的方法，诸如自由基固化、缩合固化、加成固化(例如，氢化硅烷化)、任何合适的交联反应、或它们的组合来固化。在一些实施方案中，固化可包括将粘附促进剂层前体组合物干燥以从其中移除溶剂。固化可包括施用光(例如，可见光、红外光、紫外光)、热(例如，
40℃或更低、或50℃至500℃、或80℃至250℃，并持续适宜的时间，诸如1分钟或更少、或2分钟、或1分钟至120分钟)、照射(例如，使用任何合适的照射源，诸如电子束、γ射线、X-射线)、或它们的组合。
[0238] 粘附促进剂层前体组合物可包含本文中描述为适用于包含在前体粘合剂组合物中的任一种或多种材料。粘附促进剂层前体组合物可包含下列中的至少一种：硅烷(例如，三氯硅烷)、有机硅烷、烷氧基硅烷、硅氮烷、有机硅氧烷、有机钛酸酯、有机锆酸酯、锆铝酸酯、磷酸酯、丙烯酸或其盐或酯、甲基丙烯酸或其盐或酯、聚氨酯单体或低聚物、乙烯基膦酸或其盐或酯、乙烯基磺酸或其盐或酯、以及2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸或其盐或酯。
[0239] 所述粘附促进剂前体组合物可包含硅烷或硅氧烷中的至少一种，所述硅烷或硅氧烷包括下列中的至少一种：三烷氧基甲硅烷氧基(例如，三(C1-C5)烷氧基SiO-)、三烷氧基甲硅烷基烷基基团(例如，三(C1-C5)烷氧基甲硅烷基(C1-C20)烷基)、氢甲硅烷基(例如，含氢甲硅烷基的倍半硅氧烷，诸如由式(HSiO3/2)0.01-5表示(取代或未取代的(C1-C20)烃基
SiO3/2)0.01-5，其中单元下标指示其摩尔比)、烯基基团(例如，(C2-C20)烯基基团)、环氧官能团(例如，(C2-C20)环氧官能团)、氨基基团、卤代甲硅烷基基团、巯基甲硅烷基基团、和氟烷基甲硅烷基基团。
SiO3/2)0.01-5，其中单元下标指示其摩尔比)、烯基基团(例如，(C2-C20)烯基基团)、环氧官能团(例如，(C2-C20)环氧官能团)、氨基基团、卤代甲硅烷基基团、巯基甲硅烷基基团、和氟烷基甲硅烷基基团。
[0240] 粘附促进剂层可具有任何合适的厚度。在一些实施方案中，粘附促进剂层具有0.0001μm至500μm、0.001μm至300μm、5μm至150μm、或10μm至100μm的厚度。
[0241] 在各种实施方案中，是一种显示装置加工中间体。显示装置加工中间体可以是可使用本文所述的任何方法制备的任何显示装置加工中间体。显示装置加工中间体可包括载
体基底，诸如本文所述的任何载体基底。显示装置加工中间体可包括载体基底上的粘合剂
层离层，诸如本文所述的任何粘合剂层离层。粘合剂层离层可包含前体粘合剂组合物的固
化产物，诸如本文所述的任何前体粘合剂组合物的固化产物。所述显示装置加工中间体可
包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
体基底，诸如本文所述的任何载体基底。显示装置加工中间体可包括载体基底上的粘合剂
层离层，诸如本文所述的任何粘合剂层离层。粘合剂层离层可包含前体粘合剂组合物的固
化产物，诸如本文所述的任何前体粘合剂组合物的固化产物。所述显示装置加工中间体可
包括经由粘合剂层离层固定到载体基底的显示装置基底。
[0242] 所述显示装置加工中间体包括介于粘合剂层离层和显示装置基底之间的剥离层。所述剥离层包含前体剥离层组合物的固化产物，所述前体剥离层组合物包含至少一种氟硅
化合物。前体剥离层组合物可以是本文所述的前体剥离层组合物。在各种实施方案中，是由显示装置加工中间体形成的显示装置部件或显示装置。
化合物。前体剥离层组合物可以是本文所述的前体剥离层组合物。在各种实施方案中，是由显示装置加工中间体形成的显示装置部件或显示装置。
[0243] 在一些实施方案中，是显示装置加工中间体1，如图1所示。显示装置加工中间体1包括载体基底10上的粘合剂层离层30。所述显示装置加工中间体1包括经由粘合剂层离层
30固定到载体基底10的显示装置基底50。显示装置加工中间体1包括介于显示装置基底50
和粘合剂层离层30之间的剥离层40。所述剥离层40可直接在显示装置基底50上，而没有中
间层。所述剥离层40可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。所述粘合剂层离层30可直接在载体基底10上，而没有中间层。
30固定到载体基底10的显示装置基底50。显示装置加工中间体1包括介于显示装置基底50
和粘合剂层离层30之间的剥离层40。所述剥离层40可直接在显示装置基底50上，而没有中
间层。所述剥离层40可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。所述粘合剂层离层30可直接在载体基底10上，而没有中间层。
[0244] 在一些实施方案中，是显示装置加工中间体2，如图2所示。所述显示装置加工中间体2包括载体基底10上的粘合剂层离层30。所述显示装置加工中间体2包括经由粘合剂层离层30固定到载体基底10的显示装置基底50。显示装置加工中间体2包括介于载体基底10和
粘合剂层离层30之间的粘附促进剂层20。显示装置加工中间体2包括介于显示装置基底50
和粘合剂层离层30之间的剥离层40。所述粘附促进剂层20可直接在载体基底10上，而没有
中间层。粘合剂层离层30可直接在粘附促进剂层20上，而没有中间层。所述剥离层40可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。显示装置基底50可直接在剥离层40上，而没有中间
层。
粘合剂层离层30之间的粘附促进剂层20。显示装置加工中间体2包括介于显示装置基底50
和粘合剂层离层30之间的剥离层40。所述粘附促进剂层20可直接在载体基底10上，而没有
中间层。粘合剂层离层30可直接在粘附促进剂层20上，而没有中间层。所述剥离层40可直接在粘合剂层离层30上，而没有中间层。显示装置基底50可直接在剥离层40上，而没有中间
层。
[0245] 实施例
[0246] 可参考以举例说明方式提供的以下实施例来更好地理解本发明的各种实施方案。本发明不限于本文给出的实施例。
[0247] 玻璃基底( 显微镜载片，尺寸为75mm×50mm并且厚度为1.0mm(Fisher Scientific，Loughborough，UK))通过清洁剂清洁并且作为用于这些实施例的载
体来准备。
体来准备。
[0248] 剥离强度测试。剥离强度通过TMI粘合力测试仪(Testing Machines,Inc.，Delaware，USA)，在室温下，以12英寸每分钟的剥离速率来测量。使用双面胶带，利用显著大于层压结构的最大剥离力的与玻璃的粘附力，将层压结构附连到粘合力测试仪的台面上。
将具有50mm宽度的3MTM 471胶带施用于剥离层，以便形成附连到TMI粘合力测试仪的夹具上的尾部。形成的尾部具有延伸超过剥离层边缘的50mm至75mm的长度。设置仪器以用于90°剥离测试。然后将胶带尾部附连到夹具上，并且将仪器归零。一旦归零，就使用控制软件来启动测试。剥离力的测量通过力传感器进行，并在计算机监视器上给出输出。一旦完成，就记录最大剥离力，并且移除样品。所报告的剥离强度是来自至少3个样品的平均测量值。
将具有50mm宽度的3MTM 471胶带施用于剥离层，以便形成附连到TMI粘合力测试仪的夹具上的尾部。形成的尾部具有延伸超过剥离层边缘的50mm至75mm的长度。设置仪器以用于90°剥离测试。然后将胶带尾部附连到夹具上，并且将仪器归零。一旦归零，就使用控制软件来启动测试。剥离力的测量通过力传感器进行，并在计算机监视器上给出输出。一旦完成，就记录最大剥离力，并且移除样品。所报告的剥离强度是来自至少3个样品的平均测量值。
[0249] 实施例1：粘合剂溶液的制备。通过将乙烯基官能化聚二甲基硅氧烷((ViMe2SiO1/2)2(Me2SiO2/2)600)和乙烯基官能化MQ树脂((ViMe2SiO1/2)11(Me3SiO1/2)34(SiO4/2)55)与Si-H官能化聚硅氧烷((Me3SiO1/2)2(Me2SiO2/2)3-4(HMeSiO2/2)5-6)以0.75-2的Si-H/乙烯基比率混合来制备硅氧烷粘合剂溶液。然后加入Pt催化剂和马来酸二烯丙基酯
抑制剂，其中抑制剂/催化剂比率为50-200。
抑制剂，其中抑制剂/催化剂比率为50-200。
[0250] 实施例2：将实施例1的硅氧烷粘合剂溶液旋涂到载体玻璃上，其中厚度为约10μm至50μm，这取决于旋涂速率。然后将载体在160℃下烘烤2分钟。在将载体冷却之后，将氟丁基取代的硅氧烷溶液(混合物(ViMe2SiO1/2)(RfMeSiO2/2)300-600(Me2SiO2/2)800-1000
(ViMeSiO2/2)5-15(ViMe2SiO1/2)，其中Rf为(全氟丁基)乙基，和(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40，其中Rf为(全氟丁基)乙基))旋涂到玻璃上，然后将所述玻璃在160℃下烘烤2分钟。
(ViMeSiO2/2)5-15(ViMe2SiO1/2)，其中Rf为(全氟丁基)乙基，和(Me3SiO1/2)2(RfMeSiO2/2)5-20(HMeSiO2/2)10-40，其中Rf为(全氟丁基)乙基))旋涂到玻璃上，然后将所述玻璃在160℃下烘烤2分钟。
[0251] 然后在室温下将尺寸为50mm×45mm和厚度为0.13mm至0.17mm的薄玻璃-3
显微镜盖玻片层压到载体上的粘合剂层上。在约10 托(0.13帕斯卡)的真空
下，将组件放置1小时，以实现紧密粘附，并且然后将其置于250℃下的预热烘箱中并持续
1.5小时。未观察到放气，并且将薄玻璃从具有清洁表面的载体剥离。
显微镜盖玻片层压到载体上的粘合剂层上。在约10 托(0.13帕斯卡)的真空
下，将组件放置1小时，以实现紧密粘附，并且然后将其置于250℃下的预热烘箱中并持续
1.5小时。未观察到放气，并且将薄玻璃从具有清洁表面的载体剥离。
[0252] 实施例3：将实施例1的硅氧烷粘合剂溶液旋涂到载体玻璃上，其中厚度为约10μm至150μm，这取决于旋涂速率。然后将载体在160℃下烘烤2分钟。在冷却至室温之后，使粘合剂层离层经受空气等离子体处理。
[0253] 然后将0.2重量％全氟聚醚硅烷(F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3，其中cc为17-25)的HFE 7200(20-80重量％乙基九氟异丁基醚、20-80重量％乙基九氟丁基醚)溶液喷涂到粘合剂层离层上，之后在空气中在160℃下固化20分钟。
[0254] 然后在室温下将尺寸为50mm×45mm和厚度为0.13mm至0.17mm的超薄显微镜盖玻片层压到剥离层的顶部上。在约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下，将组件放置1小时以实现紧密粘附，并且然后将其置于250℃下的预热烘箱中并持续30分钟。未观察到放气，并且以
14g/cm的90度剥离力将薄玻璃从具有清洁表面的载体剥离。
14g/cm的90度剥离力将薄玻璃从具有清洁表面的载体剥离。
[0255] 实施例4：将实施例1的硅氧烷粘合剂溶液旋涂到载体玻璃上，其中厚度为约10μm至150μm，这取决于旋涂速率。然后将载体在160℃下烘烤2分钟。
[0256] 将0.2重量％全氟醚硅烷((F((CF2)3O)ccCF2CF2CH2O(CH2)3Si(OMe)3，其中cc为17-25)的HFE 7200(20-80重量％乙基九氟异丁基醚、20-80重量％乙基九氟丁基醚)溶液喷涂
到尺寸为50mm×45mm并且厚度为0.13mm至0.17mm的超薄显微镜盖玻片上，并且在160℃下
固化20分钟。
到尺寸为50mm×45mm并且厚度为0.13mm至0.17mm的超薄显微镜盖玻片上，并且在160℃下
固化20分钟。
[0257] 然后在室温下将超薄玻璃上的剥离层与经粘合剂层离层涂覆的载体层压在一起。在约10-3托(0.13帕斯卡)的真空下，将组件放置1小时以实现紧密粘附，并且然后将其置于
250℃下的预热烘箱中并持续0.5小时。未观察到放气，并且以14g/cm的90度剥离力将超薄
玻璃从载体剥离。
250℃下的预热烘箱中并持续0.5小时。未观察到放气，并且以14g/cm的90度剥离力将超薄
玻璃从载体剥离。
[0258] 实施例5：比较例：将实施例1的硅氧烷粘合剂溶液旋涂到载体玻璃上，其中厚度为约10μm至50μm，这取决于旋涂速率。然后将载体在160℃下烘烤2分钟。
[0259] 然后在室温下将尺寸为50mm×45mm和厚度为0.13mm至0.17mm的超薄玻璃显微镜盖玻片层压到载体上的粘合剂层上。在约10-3托(0.13帕斯卡)的真空
下，将组件放置1小时以实现紧密粘附，并且然后将其置于250℃下的预热烘箱中并持续1.5小时。未观察到放气，但薄玻璃牢固地粘附到载体上，并且无法从载体剥离。
下，将组件放置1小时以实现紧密粘附，并且然后将其置于250℃下的预热烘箱中并持续1.5小时。未观察到放气，但薄玻璃牢固地粘附到载体上，并且无法从载体剥离。
[0260] 已采用的术语和措辞是用作描述性而非限制性的术语，并且在这类术语和措辞的使用中并不试图排除所示的和所描述的特征或其部分的任何等同物，而是应认识到在本发
明的实施方案的范围内可以作出各种修改形式。因此，虽然本发明已通过具体的实施方案
和任选的特征具体地进行公开，但本领域普通技术人员可能作出本文所公开的构思的修改
形式和变型形式，而此类修改形式和变型形式将被视为在本发明的实施方案的范围内。
明的实施方案的范围内可以作出各种修改形式。因此，虽然本发明已通过具体的实施方案
和任选的特征具体地进行公开，但本领域普通技术人员可能作出本文所公开的构思的修改
形式和变型形式，而此类修改形式和变型形式将被视为在本发明的实施方案的范围内。
[0261] 以下权利要求以引用方式以带编号的方面并入本文。带编号的方面与权利要求相同，不同的是单词“权利要求”和“多个权利要求”分别被“方面”和“多个方面”取代。
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