激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法
专利汇可以提供激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种基于激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法，应用于 太阳能 电池 、微/纳米光 电子 器件等领域。本发明包括如下步骤：a)在形成的p-n结衬底片表面或 半导体 衬底片表面 旋涂 光刻 胶 并烘干；b)然后经过双光束激光干涉技术曝光；c)经选择性溶液除去曝光的光刻胶，并经电化学技术沉积金属栅极；d)最后经选择性溶液移除未曝光的光刻胶，并进行 热处理 ，获得亚微米/纳米金属栅极。本发明实现的亚微米/纳米栅极，具有大面积、高效、廉价、简便、可在大气环境下进行和可控性等优点，便于推广和商业化。，下面是激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法专利的具体信息内容。
1.一种基于激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法，其特征在于，该方法由如下步骤所组成：
a)在半导体衬底片表面旋涂聚对叔丁氧基羰基氧苯乙烯和二苯基碘鎓六氟磷酸盐组成的光刻胶并烘干；
b)然后经过双光束激光干涉技术曝光；
c)经选择性溶液除去曝光的光刻胶，并经电化学技术沉积金属栅极；
d)最后经选择性溶液移除未曝光的光刻胶，并进行热处理，获得亚微米/纳米金属栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，所述的半导体衬底片为IV族、III-V族化合物、II-VI族化合物、CuInS或CuInSn半导体材料的衬底片。
3.根据权利要求2所述的方法，步骤b)中所述的双光束激光干涉技术曝光，其激光波长为基频1064nm、二倍频532nm、三倍频355nm、四倍频266nm或五倍频213nm，可选择性输出或双频输出，所述的曝光方式为在光刻胶上进行单频曝光或混频曝光。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征为，步骤c)所述的光刻胶为针对步骤b)中所述的激光波长对应的光刻胶，选择性溶液为对应的对曝光后光刻胶溶解的溶液，步骤c)中所述的电化学技术中的电源为电化学工作站或恒流稳压电源，其中所述的电化学沉积是利用电化学工作站或恒流稳压电源在所对应的金属盐溶液中沉积；所述的金属盐溶液为Pt、Au、Ag或Ni金属离子盐溶液，其适于作为电极材料并且适于电化学沉积。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征为，步骤d)中所述的选择性溶剂为与未曝光的光刻胶对应的酸性溶液、碱性溶液或有机溶剂，所述的热处理工艺为惰性气体N2或Ar2保护下在普通烧结炉内或在真空烧结炉内进行；所述的亚微米/纳米金属栅极宽度为
10-900nm，所述的栅极宽度可根据实际需要通过改变激光入射光波长或入射角进行调整，栅极厚度可通过调节电化学工艺参数控制。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述的酸性溶液是HCl、H2SO4稀溶液，所述的碱性溶液为NaOH或KOH稀溶液，所述的有机溶剂是丙酮溶剂。
激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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