1.一种用于在基底上制造导电透明薄膜的方法，该方法包括：
通过一种第一材料来涂覆一个基底以在所述基底的表面的至少一个区域上形成所述
第一材料的一个湿薄膜；
用至少一种第二材料来处理该湿薄膜，这种第二材料能够使该第一材料在接触点处在
该湿薄膜中移位；由此导致该第一材料从接触点上的移位以及该基底的暴露，从而提供所
述湿薄膜中多个间隔开的环空隙的一个阵列；并且
将该湿薄膜进行处理以便使该第一材料导电。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一材料是选自：金属、半导体、合金、金属间材
料、导电聚合物、以及碳基材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属是过渡金属。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，是一种导电材料的该第一材料通过一种选自以下
各项的方法施加在该基底上：喷墨印刷、喷涂、刷涂、浸渍、刮刀方法、旋涂、以及辊对辊涂覆。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，是一种导电材料的该第一材料是处于颗粒的形
式。
6.根据权利要求1所述的方法，其中是一种导电材料的该第一材料在施加之前被分散
或溶解在一种液体载体中，该液体载体是选自水和一种有机溶剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，该液体载体进一步包括至少一种另外的材料用于
赋予或提高该湿薄膜的至少一种功能或特性，该功能或特性选自以下各项：润湿、流变能
力、粘附、掺杂、抗刮性、接触和薄层电阻，以及向一个相邻层中的优先扩散。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，该另外的材料是玻璃料。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，该另外的材料是无机盐。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，将该湿薄膜用至少一种第二材料进行处理，该至
少一种第二材料能够使该第一材料在接触时在该湿薄膜中移位，该至少一种第二材料具有
至少一种化学或物理特性以允许在接触时该第一材料从该湿薄膜上移位。
11.根据权利要求1所述的方法，其中该基底是个二维或一个三维的表面。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，该至少一种化学或物理特性是选自：亲水性、疏
水性、润湿行为、表面张力、表面能、扩展系数、蒸发速率、以及粘度。
13.一种用于在基底上制造导电透明薄膜的方法，该方法包括：
通过一种导电材料来涂覆一个基底以便在所述基底的表面的至少一个区域上形成一
个导电薄膜；
用至少一种材料来处理该导电薄膜，这种材料能够使该导电材料在接触点处在该导电
薄膜中移位；由此导致该导电材料从接触点上的移位以及该基底的暴露，从而提供所述导
电薄膜中多个间隔开的环空隙的一个阵列。
14.根据权利要求13所述的方法，其中该基底是个二维或一个三维的表面。
15.根据权利要求14所述的方法，其中该基底是一种玻璃材料或纸材料。
16.根据权利要求14所述的方法，其中该基底的材料是半导体无机或有机材料。
17.根据权利要求14所述的方法，其中该基底的材料是聚合物材料。
18.根据权利要求14所述的方法，其中该基底的材料是陶瓷材料。
19.根据权利要求16所述的方法，其中该基底是一种选自以下各项的半导体无机材料：
硅、锡、硼的化合物、碲、锗、镓、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、碲化镉(CdTe)、砷化铝镓(GaAlAs)、磷化铟(InP)、磷砷化镓(GaAsP)、硫化镉(CdS)、联硒化镓铟铜(CIGS)、碲化镉汞(HgCdTe)、硫化铜铟以及硒化铜铟。
20.根据权利要求17所述的方法，其中该基底是一种选自以下各项的聚合物材料：聚酰
胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚烯烃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、以及聚甲基丙烯酸甲酯。
21.根据权利要求13所述的方法，其中该导电材料是选自：金属、半导体、合金、金属间
材料、导电聚合物、以及碳基材料。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述金属是过渡金属。
23.根据权利要求13所述的方法，其中，该导电材料是或包括元素周期表中的IIIB、
IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB、IIIA、IVA以及VA族中的元素。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，该导电材料是或包括元素周期表d区中的IIIB、
IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB以及IIB族中的过渡金属。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，该过渡金属是一种选自以下各项的金属：Sc、
Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir以及Hg。
26.根据权利要求21所述的方法，其中，该导电材料是从半导体材料中进行选择的。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，该半导体材料是选自II-VI族、III-V族、IV-VI
族、III-VI族、IV族的半导体材料。
28.根据权利要求13所述的方法，其中该导体材料是选自以下各项的碳基材料：碳黑、
纳米碳管(CNT)、石墨、石墨烯和富勒烯。
29.根据权利要求13所述的方法，其中该导体材料是碳的同素异形体。
30.根据权利要求21所述的方法，其中，该导电材料是一种导电聚合物。
31.根据权利要求30所述的方法，其中该导电聚合物是选自：聚(3,4-二辛基氧代噻
吩)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)、聚(磺酸苯乙烯酯)、聚苯胺、以及聚吡咯。
32.根据权利要求13所述的方法，其中该导电材料是两种或更多种导电材料的一种组
合。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，这两种或更多种导电材料被沉积在该基底上以
形成多个环结构，每个环结构是如在权利要求21中所定义的不同的导电材料；或者这些导
电材料被逐步沉积以形成一个导电多层物，每个层是由多个环结构构成的并且具有一种不
同的材料或材料形式。
34.根据权利要求13所述的方法，其中，将该导电薄膜用至少一种材料进行处理，该至
少一种材料能够使该导电材料在接触时在该导电薄膜中移位，该至少一种材料具有至少一
种化学或物理特性以允许在接触时该导电材料从该导电薄膜上移位。
35.根据权利要求34所述的方法，其中，该至少一种化学或物理特性是选自：亲水性、疏
水性、润湿行为、表面张力、表面能、扩展系数、蒸发速率、以及粘度。
36.根据权利要求13所述的方法，其中，在该导电薄膜中的这些环空隙之间的宽度是小
于50微米。
37.根据权利要求36所述的方法，其中，该宽度最多是20微米。
38.根据权利要求13所述的方法，其中该导电薄膜中的这些环空隙的边缘的高度是小
于10微米。
39.根据权利要求13所述的方法，其中，该导电薄膜中的这些环空隙的平均空隙直径是
小于500微米。
40.根据权利要求39所述的方法，其中，该平均空隙直径是在10与300微米之间。
41.根据权利要求13所述的方法，其中，具有多个间隔开的环空隙的一个阵列的该导电
薄膜具有在0.004欧姆/平方与5千欧姆/平方之间的薄层电阻。
42.根据权利要求41所述的方法，其中，该薄层电阻是小于50欧姆/平方。
43.根据权利要求42所述的方法，其中，该薄层电阻是小于20欧姆/平方。
44.根据权利要求43所述的方法，其中，该薄层电阻是小于或等于7欧姆/平方。
45.根据权利要求13所述的方法，其中具有多个间隔开的环空隙的一个阵列的该导电
薄膜具有至少30％的光透明度。
46.根据权利要求45所述的方法，其中，该导电薄膜具有至少50％的光透明度。
47.根据权利要求45所述的方法，其中，该导电薄膜具有至少70％的光透明度。
48.根据权利要求45所述的方法，其中，该导电薄膜具有至少95％的光透明度。
49.根据权利要求13所述的方法，其中，具有多个间隔开的环空隙的一个阵列的该导电
薄膜具有95％的透明度以及在0.004欧姆/平方与5千欧姆/平方之间的薄层电阻。
50.一种涂覆有导电透明薄膜的基底，该薄膜的材料具有多个间隔开的环空隙，所述多
个间隔开的环空隙各自的边缘是小于10微米并且平均空隙直径是小于500微米。
51.根据权利要求50所述的基底，其中，该平均空隙直径是在10与300微米之间。
52.根据权利要求51所述的基底，其中，该平均空隙直径是200微米。
53.根据权利要求50所述的基底，其特征为具有以下各项中的至少一个：
a.小于50微米的空隙间距；
b.在0.004欧姆/平方与5千欧姆/平方之间的薄层电阻；以及
c.至少30％的光透明度。
54.根据权利要求50所述的基底，是根据权利要求1所述的方法进行制造的。
55.一种涂覆有导电透明薄膜的基底，该薄膜的材料具有多个间隔开的不含材料的空
隙，所述多个间隔开的不含材料的空隙各自之间的空间是小于10微米并且平均空隙直径是
小于500微米，其中该薄膜具有的总透明度是95％并且薄层电阻是0.004欧姆/平方到5千欧
姆/平方之间。
56.一种用于在基底上制造导电透明图案的方法，该方法包括用多个导电材料液滴处
理一个基底，允许所述液滴在该基底上形成多个交叉环结构的一个阵列，其中该导电材料
是选自：(1)一种或多种金属或其前体的一个组合，(2)一种半导体材料，(3)一种碳基材料，(4)量子点，以及(5)以上提及的这些的任何一种混合物，由此在该基底上获得一种导电透
明图案。
57.根据权利要求56所述的方法，其中该导电透明图案是通过将该导电材料进行自组
装来获得的。
58.根据权利要求57所述的方法，其中每个环的边缘具有的宽度是在1与10微米之间。
59.根据权利要求57所述的方法，其中所述环结构各自的直径是在100与200微米之间。
60.根据权利要求56所述的方法，其中，该导电材料的这些液滴是通过喷墨来递送的。
61.根据权利要求56所述的方法，其中这些交叉环结构的阵列具有两种或更多种导电
材料。
62.一种涂覆有导电透明薄膜的基底，该薄膜具有一种导电材料的多个交叉环结构的
一个图案，该导电材料选自：(1)两种或更多种金属或其前体的一种组合，(2)一种半导体材
料，(3)一种碳基材料，(4)量子点，以及(5)上述这些的任何一种混合物，每个环结构的边缘具有在1与5微米之间的宽度，每个环结构的直径是处于100与200微米之间。
63.根据权利要求62所述的基底，其中所述薄膜的特征是以下各项中的至少一个：
a.在0.004欧姆/平方与5千欧姆/平方之间的薄层电阻；以及
b.至少30％的光透明度。
64.根据权利要求62或63所述的基底，是根据权利要求56所述的方法制造的。
65.一种用于实现基底的装置，该装置实现至少一个根据权利要求50或62所述的基底
或者根据权利要求1或56所述的方法制造的至少一个基底。
66.根据权利要求65所述的装置，其中该基底是所述装置的至少一个基底。
67.根据权利要求66所述的装置，其中该装置是一种电子装置。
68.根据权利要求66所述的装置，其中该装置是一种光电装置。
69.根据权利要求67或68所述的装置，是选自：光电导体、光电二极管、太阳能电池、发
光二极管(LED)、激光器、光传感器、晶体管、触摸屏、显示背板、大面积的显示器阵列、柔性显示器、以及电磁干扰(EMI)屏蔽层、以及电子纸。
70.根据权利要求69所述的装置，所述发光二极管(LED)包括有机发光二极管，且所述
晶体管包括有机晶体管、无机晶体管和混合晶体管。
71.一种用于实现导电透明薄膜的装置，所述薄膜具有至少一种导电材料的多个交叉
环结构的一个图案。
72.根据权利要求71所述的装置，其中所述导电材料是选自：金属、半导体、合金、金属
间材料、导电聚合物、以及碳基材料。
73.根据权利要求72所述的装置，其中所述金属是过渡金属。
74.根据权利要求71所述的装置，其中，该导电材料是或包括一种过渡金属。
75.根据权利要求71所述的装置，其中，该导电材料是在半导体材料中进行选择的。
76.根据权利要求71所述的装置，其中该导体材料是一种选自以下各项的碳基材料：碳
黑、纳米碳管(CNT)、石墨、石墨烯、和富勒烯。
77.根据权利要求71所述的装置，其中该导体材料是碳的同素异形体。
78.根据权利要求71所述的装置，其中，该导电材料是一种导电聚合物。
79.根据权利要求71所述的装置，其中该导电材料是如权利要求72所定义的两种或更
多种的导电材料的一种组合。
80.根据权利要求79所述的装置，其中，该两种或更多种导电材料是沉积在基底上的，
以形成多个环结构，每个环结构是不同的导电材料。
81.根据权利要求79所述的装置，其中，将该两种或更多种导电材料沉积在基底上以便
形成一个导电多层物，每个层由多个环结构构成并且具有一种不同的材料或材料形式。
82.一种用于实现导电透明多层物的装置，所述多层物是由多个薄膜构成的，所述多层
物的每个薄膜是由多个间隔开的环空隙的一个阵列或多个交叉环结构的一个阵列构成的
并且具有不同的材料或材料形式。