专利汇可以提供用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种用以形成 半导体 装置的 中间层 绝缘 薄膜 的方法被揭示。第一中间层绝缘薄膜被淀积在一具有高的阶梯元件区域与低的阶梯周边区域的半导体装置的整个上表面之上,接着做 热处理 。较该第一中间层绝缘薄膜更能抵抗蚀刻的第二中间层绝缘薄膜被淀积。再者,第三中间层绝缘薄膜被淀积,接着做热处理。这些中间层绝缘薄膜借助于一CMP工艺而被平坦化。在该CMP工艺中,该第一中间层绝缘薄膜被快速蚀刻,而该第二中间层绝缘薄膜则被缓慢除去。,下面是用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法专利的具体信息内容。
1.一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法,其包含步 骤:
提供一包括较低结构层的半导体基板,该半导体基板具有元件区 域和周边区域,在元件区域和周边区域之间具有高台阶覆盖;
在该较低结构层的整个上表面之上形成一第一中间层绝缘薄膜并 且将该第一中间层绝缘薄膜做热处理,上述第一中间绝缘薄膜具有第 一蚀刻选择性;
在第一中间层绝缘薄膜上形成高密度的等离子体氧化物薄膜,该 高密度的等离子体氧化物薄膜具有与第一蚀刻选择性不同的第二蚀刻 选择性;
在高密度的等离子体氧化物薄膜上形成第二中间层绝缘薄膜并且 将该该第二中间层绝缘薄膜做热处理,上述第二中间层绝缘薄膜具有 第一蚀刻选择性;以及
利用化学机械抛光工艺蚀刻第二中间层绝缘薄膜、高密度的等离 子体氧化物薄膜和第一中间层绝缘薄膜以平坦化,而暴露出在较低结 构的周边区域的高密度的等离子体氧化物薄膜。
2.根据权利要求1的方法,其中该第一中间层绝缘薄膜是由硼磷 硅玻璃所形成的。
3.根据权利要求1的方法,其中该第一中间层绝缘薄膜是利用一 种常压的化学气相淀积技术的O3-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。
4.根据权利要求1的方法,其中该第一中间层绝缘薄膜是利用一 种低压的化学气相淀积技术的O3-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。
5.根据权利要求1的方法,其中该第一中间层绝缘薄膜是利用一 种等离子体增强的化学气相淀积技术的氧化硅薄膜所形成的。
6.根据权利要求1的方法,其中该第一中间层绝缘薄膜被淀积大 约为1000至5000埃的厚度。
7.根据权利要求1的方法,其中该第一中间层绝缘薄膜在大约为 700至900℃的温度下被热处理。
8.根据权利要求1的方法,其中该第二中间层绝缘薄膜是利用一 种电子回旋加速器的化学气相淀积技术在范围从约为1010至1012个离 子/厘米2的等离子体密度下由一高密的等离子体氧化物薄膜所形成 的。
9.根据权利要求1的方法,其中该高密度的等离子体氧化物薄膜 是利用一种螺旋波的化学气相淀积技术所形成的。
10.根据权利要求1的方法,其中该高密度的等离子体氧化物薄 膜是利用一种电感耦合的等离子体化学气相淀积技术所形成的。
11.根据权利要求1的方法,其中该高密度的等离子体氧化物薄 膜被形成大约为500至3000埃的厚度。
12.根据权利要求1的方法,其中该第二中间层层绝缘薄膜是由 硼磷硅玻璃所形成的。
13.根据权利要求1的方法,其中该第二中间层绝缘薄膜是利用 一种常压的化学气相淀积技术的O3-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。
14.根据权利要求1的方法,其中该第二中间层绝缘薄膜是利用 一种低压的化学气相淀积技术的O3-TEOS的氧化硅薄膜所形成的。
15.根据权利要求1的方法,其中该第二中间层绝缘薄膜是利用 一种等离子体增强的化学气相淀积技术的氧化硅薄膜所形成的。
16.根据权利要求1的方法,其中该第二中间层绝缘薄膜被淀积 大约为2000至10000埃的厚度。
17.根据权利要求1的方法,其中该化学机械抛光工艺是在一抛 光头的压力被设为5到7psi、旋转速度为20至50rpm、该平台的桌面 速度为15至40rpm以及该抛光头的背压为0到2psi的情况下被进行 的。
18.根据权利要求1的方法,其中该化学机械抛光工艺借助于利 用一种选自KOH或是NH4OH的碱性悬浮物而被进行。
本发明一般涉及一种用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方 法,特别涉及在为使中间层绝缘薄膜平坦化的化学机械抛光中,利用 一种高密度的等离子体氧化物薄膜作为一种抛光减速器(retarder)。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | 2020-05-25 | 988 |
化学气相淀积装置中硅基气体的控制方法 | 2020-05-18 | 486 |
用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法 | 2020-05-22 | 516 |
一种有效控制功率器件终端场氧化层角度的方法 | 2020-05-19 | 847 |
高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法 | 2020-05-21 | 569 |
半导体器件成膜方法 | 2020-05-12 | 684 |
超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法 | 2020-05-23 | 890 |
B超探头消毒机 | 2020-05-16 | 527 |
一种瓦片状型波纹式太阳能电池硅基片及其制造工艺 | 2020-05-15 | 994 |
一种常压化学气相淀积设备的履带轨迹自动调整装置 | 2020-05-12 | 389 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。