1.一种用于沉积铝合金的电沉积浴，其包含：
铝离子物类；
第二类型的金属离子物类；
离子液体；和
具有式[R3SO4]-[M+]的添加剂，其中R3是任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且M+是Na+或K+。
2.一种用于沉积铝合金的电沉积浴，其包含：
铝离子物类；
第二类型的金属离子物类；
离子液体；和
具有式[R4N(R5)3]+[Z-]的添加剂，其中R4和各R5独立地是氢、任选经取代的烷基、任选经-
取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且Z是阴离子。
3.一种用于沉积铝或铝合金的电沉积浴，其包含：
铝离子物类；
离子液体；和
具有下式的添加剂：
其中R1是任选经取代的C1-C30烷基，R2是任选经取代的C8-C30烷基并且X-是阴离子。
4.一种用于沉积铝或铝合金的电沉积浴，其包含：
铝离子物类；
离子液体；和
含有聚苯乙烯和/或苯乙烯系共聚物的添加剂。
5.一种沉积铝合金的方法，其包括：
提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相关联的电沉积浴、以及与所述阳极和所述阴极连接的电源；以及
驱动所述电源以使铝合金电沉积在所述阴极上，其中所述电沉积浴包含：
铝离子物类；
第二类型的金属离子物类；
离子液体；和
具有式[R3SO4]-[M+]的添加剂，其中R3是任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且M+是Na+或K+。
6.一种沉积铝合金的方法，其包括：
提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相关联的电沉积浴、以及与所述阳极和所述阴极连接的电源；以及
驱动所述电源以使铝合金电沉积在所述阴极上，其中所述电沉积浴包含：
铝离子物类；
第二类型的金属离子物类；
离子液体；和
具有式[R4N(R5)3]+[Z-]的添加剂，其中R4和各R5独立地是氢、任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且Z-是阴离子。
7.一种沉积铝或铝合金的方法，其包括：
提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相关联的电沉积浴、以及与所述阳极和所述阴极连接的电源；以及
驱动所述电源以使铝或铝合金电沉积在所述阴极上，其中所述电沉积浴包含：
铝离子物类；
离子液体；和
具有下式的添加剂：
其中R1是任选经取代的C1-C30烷基，R2是任选经取代的C8-C30烷基，并且X-是阴离子。
8.一种沉积铝或铝合金的方法，其包括：
提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相关联的电沉积浴、以及与所述阳极和所述阴极连接的电源；以及
驱动所述电源以使铝合金电沉积在所述阴极上，其中所述电沉积浴包含：
铝离子物类；
离子液体；和
含有聚苯乙烯和/或苯乙烯系共聚物的添加剂。
9.如权利要求1至8中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述电沉积浴还包含第二类型的金属离子物类。
10.如权利要求1至9中任一项所述的电沉积浴或方法，其还包含具有式[R3SO4]-[M+]的添加剂，其中R3是任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且M+是Na+或K+。
11.如权利要求1至10中任一项所述的电沉积浴或方法，其还包含具有式[R4N(R5)3]+[Z-]的添加剂，其中R4和各R5独立地是氢、任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且Z-是阴离子。
12.如权利要求1至11中任一项所述的电沉积浴或方法，其还包含具有下式的添加剂：
其中R1是任选经取代的C1-C30烷基，R2是任选经取代的C8-C30烷基并且X-是阴离子。
13.如权利要求1至12中任一项所述的电沉积浴或方法，其还包含含有聚苯乙烯和/或苯乙烯系共聚物的添加剂。
14.如权利要求1至13中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述电沉积浴还包含有机共溶剂。
15.如权利要求1至14中任一项所述的电沉积浴或方法，其中Z-是卤离子。
16.如权利要求1至15中任一项所述的电沉积浴或方法，其中Z-是氯离子。
17.如权利要求1至16中任一项所述的电沉积浴或方法，其中X-是卤离子。
18.如权利要求1至17中任一项所述的电沉积浴或方法，其中X-是氯离子。
19.如权利要求1至18中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述铝离子物类包括氯化铝。
20.如权利要求1至19中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述铝离子物类以相对于总浴组成的约5wt％至约70wt％的量存在。
21.如权利要求1至20中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述第二类型的金属离子物类包括锰。
22.如权利要求1至21中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述第二类型的金属离子物类包括氯化锰。
23.如权利要求1至22中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述第二类型的金属离子物类以相对于总浴组成的约0.01wt％至约10wt％的量存在。
2
24.如权利要求1至23中任一项所述的电沉积浴或方法，其中R是任选经取代的C13-C30烷基或未经取代的C13-C30烷基。
25.如权利要求1至24中任一项所述的电沉积浴或方法，其中R2是十六烷基。
26.如权利要求1至25中任一项所述的电沉积浴或方法，其中具有下式的所述添加剂是氯化1-十六烷基-3甲基咪唑
27.如权利要求1至26中任一项所述的电沉积浴或方法，其中具有下式的所述添加剂以相对于总浴组成的约0.1wt％至约50wt％的量存在：
28.如权利要求1至27中任一项所述的电沉积浴或方法，其中M+是钠离子。
29.如权利要求1至28中任一项所述的电沉积浴或方法，其中[R3SO4]-[M+]是十二烷基硫酸钠。
30.如权利要求1至29中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述添加剂[R3SO4]-[M+]以相对于总浴组成的约0.01wt％至约10wt％的量存在。
31.如权利要求1至30中任一项所述的电沉积浴或方法，其中[R4N(R5)3]+[Z-]是十六烷基三甲基氯化铵。
32.如权利要求1至31中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述添加剂[R4N(R5)3]+[Z-]以相对于总组成的约0.01wt％至约30wt％的量存在。
33.如权利要求1至32中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述含有聚苯乙烯和/或苯乙烯系共聚物的添加剂以相对于总组成的约0.01wt％至约20wt％的量存在。
34.如权利要求1至33中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂是芳族溶剂。
35.如权利要求1至34中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂选自甲苯、苯、四氢化萘、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、包括氯苯和二氯苯的卤代苯、以及二氯甲烷。
36.如权利要求1至35中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂是甲苯。
37.如权利要求1至36中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂是卤代苯，任选地是二氯苯。
38.如权利要求1至37中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂以相对于总浴组成的以下量存在：约1体积％至约99体积％，或约10体积％至约90体积％，或约20体积％至约80体积％，或约30体积％至约70体积％，或约40体积％至约60体积％，或约45体积％至约55体积％，或约50体积％。
39.如权利要求1至38中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂以相对于总浴组成大于约10体积％的量存在。
40.如权利要求1至39中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述有机共溶剂和所述离子液体形成均相溶液。
41.如权利要求1至40中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述离子液体包含咪唑阳离子。
42.如权利要求1至41中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-3-甲基咪唑
43.如权利要求1至42中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
44.如权利要求1至43中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
45.如权利要求1至44中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
46.如权利要求1至45中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述离子液体包含丁基吡啶 1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷 1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
47.如权利要求1至46中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述电沉积浴包含第三类型的金属离子物类。
48.如权利要求1至47中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述铝合金包含所述铝离子物类、所述第二类型的金属离子物类和所述第三类型的金属离子物类。
49.如权利要求1至48中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述电沉积浴还包含第四类型的金属离子物类。
50.如权利要求1至49中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述铝合金包含所述铝离子物类、所述第二类型的金属离子物类、所述第三类型的金属离子物类和所述第四类型的金属离子物类。
51.如权利要求1至50中任一项所述的电沉积浴或方法，其中所述铝或铝合金形成在基底上。
52.如权利要求1至51中任一项所述的方法，其还包括至少一个后处理步骤。
53.如权利要求1至52中任一项所述的方法，其中至少一个后处理步骤包括阳极化、铬酸盐处理、钝化浸渍、研磨、抛光、焊接、粘合剂结合、电接合、涂漆、电涂或热处理。
54.如权利要求1至53中任一项所述的方法，其还包括在所述铝或铝合金上形成至少一种第二材料。
55.如权利要求1至54中任一项所述的方法，其中所述电沉积在以下温度下发生：约室温、或低于室温、或低于约25℃、或低于约20℃、或低于约15℃、或低于约10℃、或低于约5℃、或低于约0℃、或低于约-10℃、或低于约-20℃、或低于约-30℃、或低于约-40℃、或更低温度。
56.如权利要求1至55中任一项所述的方法，其中所述电沉积在压力下和/或在密封室中进行。
57.如权利要求1至56中任一项所述的方法，其中所述电沉积在以下温度下发生：高于室温、或高于约25℃、或高于约40℃、或高于约50℃、或高于约60℃、或高于约70℃、或高于约80℃、或高于约90℃、或高于约100℃、或高于约120℃、或高于约140℃、或高于约160℃、或高于约180℃或高于约200℃，任选地，其中所述电沉积在压力下和/或在密封室中进行。
58.如权利要求1至57中任一项所述的方法，其中所述方法使用自动化系统来进行。
59.如权利要求1至58中任一项所述的方法，其中所述自动化系统包括配置和布置成补充所述铝离子物类、所述第二类型的金属离子物类、所述有机共溶剂、所述离子液体和/或一种或更多种添加剂的组件。
60.如权利要求1至59中任一项所述的方法，其中所述自动化系统包括配置和布置成分析与所述铝离子物类、所述第二类型的金属离子物类、所述有机共溶剂、所述离子液体和/或一种或更多种添加剂相关的一种或更多种特性的组件。
61.如权利要求1至60中任一项所述的方法，其中使气体鼓泡通过所述电沉积浴。
62.如权利要求1至61中任一项所述的方法，其中在电镀之前、期间和/或之后搅动所述离子液体溶液。
63.如权利要求1至62中任一项所述的方法，其还包括将基底移到所述电沉积浴之中、将基底移出所述电沉积浴和/或在所述电沉积浴中移动基底中的至少一者。
64.一种分析金属合金电沉积浴中的金属离子物类的方法，其包括：
提供包含氯化铝、第二类型的金属离子物类和离子液体的电沉积浴；
从所述电沉积浴取出样品；
向所述样品添加包含醇的溶液，之后添加水以形成测试溶液，其中所述测试溶液是均相的；以及
分析所述测试溶液以确定所述电沉积浴中铝离子物类和/或所述第二类型的金属离子物类的浓度。
65.一种分析铝合金电沉积浴中的添加剂的方法，其包括：
提供包含铝离子物类、第二类型的金属离子物类、离子液体和至少一种类型的添加剂的电沉积浴；
将铝合金镀覆在旋转圆盘电极上；以及
至少部分地基于对所镀覆铝合金的目测观察和/或仪器测量来确定至少一种添加剂的浓度。
66.一种补充合金电沉积浴中的金属离子物类的方法，其包括：
提供包含第一类型的金属离子物类、第二类型的金属离子物类和离子液体的电沉积浴；
形成所述第二类型的金属离子物类的饱和溶液，其中所述饱和溶液包含离子液体；以及
将所述饱和溶液的一部分添加至所述电沉积浴以增加所述电沉积浴中所述金属离子物类的浓度。
67.如权利要求64至66中任一项所述的方法，其中所述电沉积浴包含具有下式的第一类型的添加剂：
其中R1是任选经取代的C1-C30烷基，R2是任选经取代的C8-C30烷基并且X-是阴离子。
68.如权利要求64至67中任一项所述的方法，其中所述电沉积浴还包含具有式[R3SO4]-[M+]的添加剂，其中R3是任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且M+是Na+或K+。
69.如权利要求64至68中任一项所述的方法，其中所述电沉积浴还包含具有式[R4N(R5)3]+[Z-]的添加剂，其中R4和各R5独立地是氢、任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且Z-是阴离子。
70.如权利要求64至69中任一项所述的方法，其中所述电沉积浴还包含含有聚苯乙烯和/或苯乙烯系共聚物的添加剂。
71.如权利要求64至70中任一项所述的方法，其中所述铝离子物类包括氯化铝。
72.如权利要求64至71中任一项所述的方法，其中所述第二类型的金属离子物类包括锰。
73.如权利要求64至72中任一项所述的方法，其中所述第二类型的金属离子物类包括氯化锰。
74.如权利要求64至73中任一项所述的方法，其中R2是任选经取代的C13-C30烷基或未经取代的C13-C30烷基。
75.如权利要求64至74中任一项所述的方法，其中所述第一类型的添加剂是氯化1-十六烷基-3甲基咪唑
76.如权利要求64至75中任一项所述的方法，其中[R3SO4]-[M+]是十二烷基硫酸钠。
77.如权利要求64至76中任一项所述的方法，其中[R4N(R5)3]+[Z-]是十六烷基三甲基氯化铵。
78.如权利要求64至77中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂是芳族溶剂。
79.如权利要求64至78中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂选自甲苯、苯、四氢化萘、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、包括氯苯和二氯苯的卤代苯、以及二氯甲烷。
80.如权利要求64至79中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂是甲苯。
81.如权利要求64至80中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂是卤代苯，任选地为二氯苯。
82.如权利要求64至81中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂以相对于总浴组成的以下量存在：约1体积％至约99体积％、或约10体积％至约90体积％、或约20体积％至约
80体积％、或约30体积％至约70体积％、或约40体积％至约60体积％、或约45体积％至约55体积％、或约50体积％。
83.如权利要求64至82中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂以相对于总浴组成的大于约10体积％的量存在。
84.如权利要求64至83中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂和所述离子液体形成均相溶液。
85.如权利要求64至84中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含咪唑 阳离子。
86.如权利要求64至85中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-3-甲基咪唑
87.如权利要求64至86中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/功四卤铝酸根阴离子。
88.如权利要求64至87中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
89.如权利要求64至88中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
90.如权利要求64至89中任一项所述的方法，其中所述离子液体包括丁基吡啶 1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷 1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
91.如权利要求64至90中任一项所述的方法，其中所述第一类型的金属离子物类是铝。
92.如权利要求64至91中任一项所述的方法，其中所述合金是铝合金。
93.如权利要求64至92中任一项所述的方法，其中所述方法使用自动化系统来进行。
94.如权利要求64至93中任一项所述的方法，其中所述浴还包含第三类型的金属离子物类。
95.如权利要求64至94中任一项所述的方法，其还包括分析所述测试溶液以确定所述电沉积浴中所述第三类型的金属离子物类的浓度。
96.如权利要求64至95中任一项所述的方法，其中所述浴还包含第四类型的金属离子物类。
97.如权利要求64至96中任一项所述的方法，其还包括分析所述测试溶液以确定所述电沉积浴中所述第四类型的金属离子物类的浓度。
98.一种电沉积系统，其包括：
包含离子液体的电沉积浴；
位于所述电沉积浴中的阳极；
包含与所述离子液体基本相容的材料的阳极袋，其中所述阳极被布置在所述阳极袋中。
99.如权利要求98所述的电沉积系统，其中所述材料基本上能够被所述离子液体润湿。
100.如权利要求98至99中任一项所述的电沉积系统，其中所述材料与氯化铝基本相容。
101.如权利要求98至100中任一项所述的电沉积系统，其还包括第二阳极袋，其中所述阳极和所述第一阳极袋被布置在所述第二阳极袋中。
102.如权利要求98至101中任一项所述的电沉积系统，其中所述阳极袋包括尺寸为约
0.01μm至100μm的孔。
103.如权利要求98至102中任一项所述的电沉积系统，其中所述材料是毡化的、织造的或多孔的。
104.如权利要求98至103中任一项所述的电沉积系统，其中所述材料包括聚四氟乙烯、全氟烷氧基、氟化乙烯丙烯、对芳族聚酰胺聚合物和玻璃纤维中的至少一种。
105.如权利要求98至104中任一项所述的电沉积系统，其中所述阳极的电活性材料包括丸粒和泡沫中的至少一种。
106.如权利要求98至105中任一项所述的电沉积系统，其中所述阳极的电活性材料包括片材。
107.如权利要求98至106中任一项所述的电沉积系统，其中所述阳极的电活性材料包括铝。
108.如权利要求98至107中任一项所述的电沉积系统，其中所述阳极的电活性材料包括铝和锰。
109.如权利要求98至108中任一项所述的电沉积系统，其还包括插入到所述阳极袋中的电触杆，其中所述电触杆与所述阳极的电活性材料电接触。
110.如权利要求98至109中任一项所述的电沉积系统，其中所述离子液体包含咪唑阳离子。
111.如权利要求98至110中任一项所述的电沉积系统，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-3-甲基咪唑
112.如权利要求98至111中任一项所述的电沉积系统，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
113.如权利要求98至112中任一项所述的电沉积系统，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
114.如权利要求98至113中任一项所述的电沉积系统，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
115.如权利要求98至114中任一项所述的电沉积系统，其中所述离子液体包含丁基吡啶 1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷 1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
116.一种用于电沉积金属的方法，所述方法包括：
提供包含离子液体的电沉积浴；
使金属电沉积到位于所述电沉积浴中的基底上；
过滤所述电沉积浴以除去所述电沉积浴中的污染物。
117.如权利要求116所述的方法，其中过滤所述电沉积浴还包括用过滤器过滤所述电沉积浴，所述过滤器包括聚四氟乙烯圆盘、拉伸的聚四氟乙烯膜、缠绕式对芳族聚酰胺纤维过滤器、陶瓷过滤器、含氟聚合物滤芯和镍合金泡沫过滤器中的至少一种。
118.如权利要求116至117中任一项所述的方法，其中过滤所述电沉积浴还包括用包含与所述离子液体基本相容的材料的过滤器过滤所述电沉积浴。
119.如权利要求116至118中任一项所述的方法，其中过滤所述电沉积浴还包括用包含与氯化铝基本相容的材料的过滤器过滤所述电沉积浴。
120.如权利要求116至119中任一项所述的方法，其中所述材料选自聚四氟乙烯、全氟烷氧基、氟化乙烯丙烯、玻璃、氧化铝、石英、碳化硅、不锈钢、钛合金、对芳族聚酰胺聚合物、硫醇烯、镍合金、锆合金和难熔金属。
121.如权利要求116至120中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含咪唑 阳离子。
122.如权利要求116至121中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-
3-甲基咪唑
123.如权利要求116至122中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
124.如权利要求116至123中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
125.如权利要求116至124中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
126.如权利要求116至125中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含丁基吡啶
1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷
1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
127.如权利要求116至126中任一项所述的方法，其中电沉积金属还包括电沉积铝合金。
128.如权利要求116至127中任一项所述的方法，其中过滤所述电沉积浴还包括在电沉积期间过滤所述电沉积浴。
129.如权利要求116至128中任一项所述的方法，其中过滤所述电沉积浴还包括用具有第一孔径的第一过滤器和具有第二孔径的第二过滤器过滤所述电沉积浴，其中所述第一孔径大于所述第二孔径。
130.一种用于电沉积离子液体中的金属的方法，所述方法包括：
提供包含离子液体的电沉积浴；
提供基底；
用与所述离子液体相容的材料遮蔽所述基底的一部分；
将所述基底放置到所述电沉积浴中；以及
使金属电沉积到所述基底的未经覆盖的部分上，其中至少部分地防止所述金属沉积在所述基底的经遮蔽部分上。
131.如权利要求130所述的方法，其中遮蔽所述基底的一部分包括掩盖所述基底的一部分，并且其中所述金属基本不沉积在所述基底的经掩盖部分上。
132.如权利要求130至131中任一项所述的方法，其中用与所述离子液体相容的材料遮蔽所述基底的一部分还包括向所述基底施加与所述离子液体相容的材料的树脂。
133.如权利要求130至132中任一项所述的方法，其还包括固化所述树脂以形成与所述离子液体相容的材料。
134.如权利要求130至133中任一项所述的方法，其还包括除去所述材料。
135.如权利要求130至134中任一项所述的方法，其中除去所述材料包括分层、磨耗、分解和溶解中的至少一者。
136.如权利要求130至135中任一项所述的方法，其中固化所述树脂还包括加热所述树脂、使所述树脂暴露于紫外线辐射、使所述树脂暴露于电子束、以及将所述树脂与硬化剂混合中的至少一者。
137.如权利要求130至136中任一项所述的方法，其中所述材料包括聚四氟乙烯、全氟烷氧基树脂、氟化乙烯丙烯、环氧树脂和丙烯酸类树脂中的至少一种。
138.如权利要求130至137中任一项所述的方法，其中所述材料与氯化铝基本相容。
139.如权利要求130至138中任一项所述的方法，其中通过使用固定装置使所述材料紧靠所述基底来遮蔽所述基底。
140.如权利要求130至139中任一项所述的方法，其中通过使用包含所述材料的包装使所述材料紧靠所述基底来遮蔽所述基底。
141.如权利要求130至140中任一项所述的方法，其中所述材料选自聚四氟乙烯、全氟烷氧基、氟化乙烯丙烯、玻璃、氧化铝、石英、碳化硅、不锈钢、钛合金、对芳族聚酰胺聚合物、硫醇烯、镍合金、锆合金、难熔金属、环氧树脂和丙烯酸类树脂。
142.如权利要求130至141中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含咪唑 阳离子。
143.如权利要求130至142中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-
3-甲基咪唑
144.如权利要求130至143中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
145.如权利要求130至144中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
146.如权利要求130至145中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
147.如权利要求130至146中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含丁基吡啶
1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷
1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
148.如权利要求130至147中任一项所述的方法，其中所述材料与氯化铝基本相容。
149.一种用于电沉积离子液体电解质中的金属的方法，所述方法包括：
提供包含离子液体的电沉积浴；
在所述电沉积浴之上提供覆盖层以使所述电沉积浴与周围环境隔开，其中所述覆盖层至少部分地与所述离子液体不混溶；以及
使金属电沉积到位于所述电沉积浴中的基底上。
150.如权利要求149所述的方法，其中所述覆盖层对所述离子液体是基本上惰性的。
151.如权利要求149至150中任一项所述的方法，其中所述覆盖层的密度大于周围气氛并且其密度小于所述电沉积浴。
152.如权利要求149至151中任一项所述的方法，其中所述覆盖层包含二氧化碳、氮气、惰性气体、戊烷、己烷、癸烷、石蜡、聚α烯烃和甲苯中的至少一种。
153.如权利要求149至152中任一项所述的方法，其中提供所述覆盖层还包括使所述覆盖层流过所述电沉积浴的上表面。
154.如权利要求149至153中任一项所述的方法，其中提供所述覆盖层还包括使材料流入所述电沉积浴的内部部分中，其中所述材料穿过所述电沉积浴到达所述浴的上表面以形成所述覆盖层。
155.如权利要求149至154中任一项所述的方法，其中所述覆盖层包含液体和气体中的至少一种。
156.如权利要求149至155中任一项所述的方法，其中所述覆盖层包含浓度大于所述电沉积浴中液体的溶解度限值的液体。
157.如权利要求149至156中任一项所述的方法，其中所述覆盖层包含液体和气体两者。
158.如权利要求149至157中任一项所述的方法，其中所述覆盖层的厚度大于约1mm。
159.如权利要求149至158中任一项所述的方法，其中所述覆盖层的厚度小于约1.5m。
160.如权利要求149至159中任一项所述的方法，其中所述覆盖层的密度为约0.0001g/cc至0.01g/cc。
161.如权利要求149至160中任一项所述的方法，其中所述覆盖层的密度为约0.01g/cc至2.0g/cc。
162.如权利要求149至161中任一项所述的方法，其中所述覆盖层的密度为约2.0g/cc至10.0g/cc。
163.如权利要求149至162中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含咪唑 阳离子。
164.如权利要求149至163中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-
3-甲基咪唑
165.如权利要求149至164中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
166.如权利要求149至165中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
167.如权利要求149至166中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
168.如权利要求149至167中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含丁基吡啶
1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷
1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
169.一种用于电沉积离子液体电解质中的金属的方法，所述方法包括：
提供包含离子液体的电沉积浴；
提供位于所述电沉积浴中的基底；
使所述电沉积浴沿第一方向流动经过所述基底，其中使所述电沉积浴沿所述第一方向流动的第一速度为约0.001m/s至100m/s；
沿第二方向移动所述基底，其中所述第二方向的至少一个分量与所述第一方向垂直，其中所述基底在所述第二方向上的第二速度为约0.001m/s至100m/s；以及
使金属电沉积到位于所述电沉积浴中的所述基底上。
170.如权利要求169所述的方法，其中沿所述第二方向移动包括沿第三方向和第四方向移动，其中所述第三方向和所述第四方向中的至少一个与所述第一方向基本垂直。
171.如权利要求169至170中任一项所述的方法，其中移动所述基底还包括使用摇摆运动移动沉积表面。
172.如权利要求169至171中任一项所述的方法，其中移动所述基底还包括使用旋转移动沉积表面。
173.如权利要求169至172中任一项所述的方法，其中移动所述基底还包括使所述基底移动穿过所述电沉积浴。
174.如权利要求169至173中任一项所述的方法，其还包括使通过所述基底的所述电解质浴产生基本层流。
175.如权利要求169至174中任一项所述的方法，其中所述基底是多个基底。
176.如权利要求169至175中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含咪唑 阳离子。
177.如权利要求169至176中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-
3-甲基咪唑
178.如权利要求169至177中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
179.如权利要求169至178中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
180.如权利要求169至179中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
181.如权利要求169至180中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含丁基吡啶
1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷
1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
182.如权利要求169至181中任一项所述的方法，其中所述第一速度大于约0.01m/s。
183.如权利要求169至182中任一项所述的方法，其中所述第一速度大于约0.1m/s。
184.如权利要求169至183中任一项所述的方法，其中所述第一速度大于约1m/s。
185.如权利要求169至184中任一项所述的方法，其中所述第一速度小于约50m/s。
186.如权利要求169至185中任一项所述的方法，其中所述第一速度小于约10m/s。
187.如权利要求169至186中任一项所述的方法，其中所述第一速度小于约1m/s。
188.如权利要求169至187中任一项所述的方法，其中所述第二速度大于约0.01m/s。
189.如权利要求169至188中任一项所述的方法，其中所述第二速度大于约0.1m/s。
190.如权利要求169至189中任一项所述的方法，其中所述第二速度大于约1m/s。
191.如权利要求169至190中任一项所述的方法，其中所述第二速度小于约50m/s。
192.如权利要求169至191中任一项所述的方法，其中所述第二速度小于约10m/s。
193.如权利要求169至192中任一项所述的方法，其中所述第二速度小于约1m/s。
194.一种用于电沉积铝合金的方法，所述方法包括：
提供包含离子液体的电沉积浴；
提供位于所述电沉积浴中的基底；以及
使金属以约10微米/小时至约1000微米/小时的速率电沉积到所述基底上，其中经电沉积的铝合金的平均粒度小于约1微米。
195.如权利要求194所述的方法，其中所述经电沉积的铝合金是至少部分非晶的。
196.如权利要求194至195中任一项所述的方法，其中所述经电沉积的铝合金是基本非晶的。
197.如权利要求194至196中任一项所述的方法，其中所述速率大于约40微米/小时。
198.如权利要求194至197中任一项所述的方法，其中所述速率大于约50微米/小时。
199.如权利要求194至198中任一项所述的方法，其中所述速率大于约100微米/小时。
200.如权利要求194至199中任一项所述的方法，其中所述速率大于约200微米/小时。
201.如权利要求194至200中任一项所述的方法，其中所述速率大于约400微米/小时。
202.如权利要求194至201中任一项所述的方法，其中所述速率小于约800微米/小时。
203.如权利要求194至202中任一项所述的方法，其中所述速率小于约600微米/小时。
204.如权利要求194至203中任一项所述的方法，其中所述电沉积浴包含铝离子物类，并且其中所述电沉积浴包含以相对于总浴组成为约0.01wt％至约10wt％的量存在的第二类型的金属离子物类。
205.如权利要求194至204中任一项所述的方法，其中电沉积铝合金包括电沉积所述铝离子物类和所述第二类型的金属离子物类。
206.如权利要求194至205中任一项所述的方法，其中所述第二类型的金属离子物类包括锰。
207.如权利要求194至206中任一项所述的方法，其还包括提供位于所述电沉积浴中的铝阳极。
208.如权利要求194至207中任一项所述的方法，其中所述基底起阴极的作用，并且其中所述方法还包括使阳极：阴极表面积的尺寸比大于0.1。
209.如权利要求194至208中任一项所述的方法，其中所述阳极：阴极表面积的比小于
1000。
210.如权利要求194至209中任一项所述的方法，其还包括提供位于所述电沉积浴中的合金化元素阳极。
211.如权利要求194至210中任一项所述的方法，其还包括相对于所述铝阳极设置所述合金化元素阳极的尺寸以控制所述经电沉积的铝合金之组成和所述电沉积浴中所述合金化元素之浓度中的至少一者。
212.如权利要求194至211中任一项所述的方法，其还包括控制所述铝阳极和所述合金化元素阳极的极化以控制所述经电沉积的铝合金之组成和所述电沉积浴中所述合金化元素之浓度中的至少一者。
213.如权利要求194至212中任一项所述的方法，其还包括维持所述电沉积浴中金属离子物类的浓度以控制所述经电沉积的铝合金组成。
214.如权利要求194至213中任一项所述的方法，其中维持所述金属离子物类的浓度包括向所述电沉积浴添加包含所述金属离子物类的补充溶液和盐中的至少一种。
215.如权利要求194至214中任一项所述的方法，其中以对应于在电沉积铝合金期间所述金属离子物类的已知消耗速率的速率向所述电沉积浴添加所述补充溶液和所述盐中的至少一种。
216.如权利要求194至215中任一项所述的方法，其中当所述金属离子物类浓度降至低于预设阈值时，向所述电沉积浴添加所述补充溶液和所述盐中的至少一种。
217.如权利要求194至216中任一项所述的方法，其还包括使所述电沉积浴以约
0.001m/s至100m/s的速率流动。
218.如权利要求194至217中任一项所述的方法，其中蚀刻剂包括硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种。
219.如权利要求194至218中任一项所述的方法，其还包括向所述电沉积浴添加有机共溶剂。
220.如权利要求194至219中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂是甲苯。
221.如权利要求194至220中任一项所述的方法，其中所述有机共溶剂是卤代苯，任选地是二氯苯。
222.如权利要求194至221中任一项所述的方法，其还包括添加具有下式的第一类型添加剂：
1 2 -
其中R是任选经取代的烷基，R是任选经取代的C8-C30烷基并且X是阴离子。
223.如权利要求194至222中任一项所述的方法，其还包括添加具有式[R3SO3]-[M+]的添加剂，其中R3是任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且M+是Na+或K+。
4 5 + -
224.如权利要求194至223中任一项所述的方法，其还包括添加具有式[RN(R )3][Z ]的添加剂，其中R4和各R5独立地是氢、任选经取代的烷基、任选经取代的芳基或任选经取代的杂烷基，并且Z-是阴离子。
225.如权利要求194至224中任一项所述的方法，其还包括添加含有聚苯乙烯和/或苯乙烯系共聚物的添加剂。
226.如权利要求194至225中任一项所述的方法，其中所述经电沉积的铝合金和所述基底形成复合材料。
227.如权利要求194至226中任一项所述的方法，其中所述经电沉积的铝合金基本上包封所述基底。
228.如权利要求194至227中任一项所述的方法，其还包括对所述经电沉积的铝合金进行铬酸盐处理。
229.如权利要求194至228中任一项所述的方法，其还包括使所述经电沉积的铝合金阳极化。
230.如权利要求194至229中任一项所述的方法，其还包括向所述经电沉积的铝合金施加涂层。
231.如权利要求194至230中任一项所述的方法，其中使所述铝合金电沉积到所述基底上还包括使所述铝合金连续电沉积到正移动通过所述电沉积浴的基底上。
232.如权利要求194至231中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含咪唑 阳离子。
233.如权利要求194至232中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯化1-乙基-
3-甲基咪唑
234.如权利要求194至233中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含卤阴离子和/或四卤铝酸根阴离子。
235.如权利要求194至234中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含氯阴离子和/或四氯铝酸根阴离子。
236.如权利要求194至235中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含四氯铝酸盐或双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺。
237.如权利要求194至236中任一项所述的方法，其中所述离子液体包含丁基吡啶
1-乙基-3-甲基咪唑 1-丁基-3-甲基咪唑 苄基三甲基铵、1-丁基-1-甲基吡咯烷
1-乙基-3-甲基咪唑 或三己基十四烷基
238.如权利要求194至237中任一项所述的方法，其中电沉积铝合金还包括使所述铝合金电沉积至约40微米至10cm的厚度。
239.一种制品，其包含：
经电沉积的铝合金，其中所述经电沉积的铝合金包含小于约1微米的平均粒度，其中所述经电沉积的铝合金的厚度大于约40微米，并且其中所述经电沉积的铝合金的延性大于约
2％。
240.如权利要求239所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度大于约50微米。
241.如权利要求239至240中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度大于约100微米。
242.如权利要求239至241中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度大于约150微米。
243.如权利要求239至242中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度大于约200微米。
244.如权利要求239至243中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度小于约5毫米。
245.如权利要求239至244中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度小于约3毫米。
246.如权利要求239至245中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度小于约1毫米。
247.如权利要求239至246中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金的厚度小于约500微米。
248.如权利要求239至247中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金是至少部分非晶的。
249.如权利要求239至248中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金是基本非晶的。
250.如权利要求239至249中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金包含约1原子％的锰至约20原子％的锰。
251.如权利要求239至250中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金是经电沉积的铝锰合金。
252.如权利要求239至251中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝锰合金包含约
5原子％的锰至约15原子％的锰。
253.如权利要求239至252中任一项所述的制品，其中所述延性大于约5％。
254.如权利要求239至253中任一项所述的制品，其中所述延性大于约10％。
255.如权利要求239至254中任一项所述的制品，其中所述延性小于约15％。
256.如权利要求239至255中任一项所述的制品，其中所述延性小于约20％。
257.如权利要求239至256中任一项所述的制品，其还包含基底，其中所述经电沉积的铝合金布置在所述基底上。
258.如权利要求239至257中任一项所述的制品，其中所述基底和所述经电沉积的铝合金形成复合材料。
259.如权利要求239至258中任一项所述的制品，其中所述复合材料是层状复合材料。
260.如权利要求239至259中任一项所述的制品，其中所述经电沉积的铝合金基本上包封所述基底。
261.如权利要求239至260中任一项所述的制品，其中所述复合材料中所述经电沉积的铝合金的比例小于所述复合材料中所述基底的比例。
262.如权利要求239至261中任一项所述的制品，其中所述复合材料中所述经电沉积的铝合金的比例大于所述复合材料中所述基底的比例。