1.一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的支撑衬底，包括：
由具有和蓝宝石衬底的热膨胀系数相差5ppm或者更少的材料所形成的所选择的支撑衬底，在所述蓝宝石衬底上层叠有包括III-V族氮基半导体的多层发光结构薄膜；
形成于所述所选择的支撑衬底上的牺牲层；
形成于所述牺牲层的上部的厚金属膜；和
形成于所述厚金属膜的上部的由钎焊或者铜焊合金材料形成的粘结层。
2.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述所选择的支撑衬底是由从蓝宝石Al2O3、氮化铝AlN、MgO、AlSiC、BN、BeO、TiO2、SiO2、GaN、ZnO和玻璃所组成的组中选择的至少一种材料构成的单晶体、多晶体或者非晶体衬底。
3.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的牺牲层包括：
(i)从由GaN、InGaN、ZnO、GaZnO、MgZnO、InZnO、InN、In2O3、GaInO3、MgInO4、CuInO2、ZnInO、ITO、SnO2、Si3N4、SiO2、BeMgO、MgZnO、TiN、VN、CrN和TaN所组成的组中选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由与氧或者氮结合的单晶体、多晶体或者非晶体物质所构成的；
(ii)从由可以被化学蚀刻的金属、合金、固溶体、氧化物、氮化物和耐热有机材料所组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由可通过化学蚀刻方式除去的材料构成；
(iii)从由聚酰亚胺、硅酮粘接剂和聚乙烯醇缩丁醛树脂所构成的耐热粘接剂所组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由耐热粘接材料构成的；
(iv)硅酸盐或者硅酸材料，如果所述牺牲层是旋涂玻璃薄膜，
(v)硅酸盐、硅氧烷、甲基倍半硅氧烷(MSQ)、氢倍半硅氧烷(HSQ)、甲基倍半硅氧烷(MSQ)+氢倍半硅氧烷(HSQ)、全氢硅氮烷(TCPS)和聚硅氮烷，如果所述牺牲层是旋涂电介质，或者
(vi)从由AZ系列、SU-8系列、TLOR系列、TDMR系列和GXR系列组成的组中所选择的至少一种材料，如果所述牺牲层是由光刻胶构成的。
4.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的厚金属膜包括从由Au、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt和Si所组成的组中所选择的至少一种成份。
5.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的厚金属膜具有0.1-999um的厚度。
6.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述粘结层是由包括从由Ga、Bi、In、Sn、Pb、Au、Al、Ag、Cu、Ni、Pd、Si和Ge所组成的组中所选择的至少两种成份的合金形成。
7.根据权利要求1所述的支撑衬底，其中所述的牺牲层、所述的厚金属膜和所述粘结层中至少有一个被图案化，或者所述牺牲层、所述的厚金属膜、所述粘结层和所选择的支撑衬底中有一部分被图案化。
8.一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的方法，包括：
(a)制备在蓝宝石衬底的上部的用具有III-V族氮基半导体的多层发光结构薄膜、第二欧姆接触电极、第一厚金属膜和第一—第一粘结层连续形成的第一晶片；
(b)制备由在上表面上的第一—第二粘结层和在底表面上的第二—第一粘结层所形成的金属箔片；
(c)制备根据权利要求1至7任意一项所述的用于制备半导体发光装置的支撑衬底，作为第二晶片，该第二晶片由在所选择的支撑衬底的上表面的牺牲层、第二厚金属膜和第二—第二粘结层连续形成；
(d)粘结所述第一晶片、所述金属箔片和所述第二晶片，以粘结所述第一—第一粘结层与所述第一—第二粘结层，以及粘结所述第二—第一粘结层与所述第二—第二粘结层；
(e)通过激光剥离工艺从所述步骤(d)的产物分离所述第一晶片的所述蓝宝石衬底；
(f)隔离通过所述步骤(e)所暴露的所述多层发光结构薄膜；
(g)在通过所述步骤(f)隔离的每个多层发光结构的表面形成多个第一欧姆接触电
极，并在其侧面形成钝化薄膜；
(h)分离所述第二晶片的所选择的支撑衬底；以及
(i)通过垂直切割所述步骤(h)的产物来制造芯片。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述步骤(a)的多层发光结构薄膜包括n型半导体包覆层、发光活动层和p型半导体包覆层，其中每一层由具有Inx(GayAl1-y)N(0≤x≤1，
0≤y≤1，x+y＞0)成份的单晶体构成。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(a)包括：
(a1)在所述多层发光结构薄膜上形成第二欧姆接触电极；
(a2)在所述多层发光结构薄膜和所述第二欧姆接触电极上形成绝缘薄膜；
(a3)在所述第二欧姆接触电极上形成第一传导性薄膜；
(a4)在所述绝缘薄膜和所述第二欧姆接触电极上形成第二传导性薄膜；
(a5)在所述第二传导性薄膜上形成所述第一厚金属膜；和
(a6)在所述第一厚金属膜上形成所述第一—第一粘结层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述的第二传导性薄膜包括扩散阻挡层和粘性增强层，且
如果是通过电镀或者无电镀的方式形成的，所述第一厚金属膜进一步包括种子层。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(b)进一步包括在形成所述粘性增强层之后，在所述金属箔片的上表面和底表面上形成所述第一—第二粘结层和所述第二—第一粘结层。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(c)包括在所述第二厚金属膜上在进一步形成所述扩散阻挡层或者粘性增强层之后，形成所述第二—第二粘结层。
14.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(c)的牺牲层是通过从由电子束蒸发、热蒸发、金属有机化学气相淀积、溅镀和脉冲激光沉积所组成的组中所选择的一种方法形成。
15.根据权利要求8所述的方法，其中所述的第一厚金属膜或者所述第二厚金属膜是通过电镀或者无电镀的方式形成。
16.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(d)是通过在100℃至600℃的温度和1Mpa至200Mpa的压力下的热压粘结方法来执行的。
17.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(e)在所述激光剥离工艺之后，进一步包括化学—机械研磨或者湿式蚀刻工艺。
18.根据权利要求8所述的方法，其中在所述步骤(h)中，所述所选择的支撑衬底是通过使用所述激光剥离工艺或者是通过化学蚀刻除去所述牺牲层来分离的。
19.根据权利要求8所述的方法，其中所述的步骤(h)是在所述第一晶片的表面上用有机或者无机粘结材料粘结临时支撑衬底之后执行的。
20.根据权利要求8所述的方法，其中在所述步骤(h)之后，在除去所述所选择的支撑衬底和所述牺牲层之处，形成单独的辅助支座。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述的辅助支座是由：
i)从由Si、Ge、SiGe、ZnO、GaN、AlGaN、GaAs、AlN和BeO所组成的组中所选择的单晶体或者多晶体晶片；
ii)从由Mo、Cu、Ni、Nb、Ta、Ti、Au、Ag、Cr、NiCr、CuW、CuMo和NiW所组成的组中所选择的金属箔片；或者
iii)从由Cu/Mo/Cu、Cu/W/Cu、Ni/Mo/Ni、Cu/Ti/Cu、Cu/AlN/Cu、Cu/Al2O3/Cu、Cu/GaAs/Cu和Cu/Si/Cu所组成的组中所选择的层叠结构形成的。
22.根据权利要求8所述的方法，其中在步骤(a)中形成所述第二欧姆接触电极之前，或者在步骤(g)中形成所述第一欧姆接触电极之前，在所述多层发光结构薄膜的上部通过表面纹理化、图案化工艺进一步形成光提取结构层和铝膜纳米格偏光片中的至少一个。
23.一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的方法，包括：
(a)制造在蓝宝石衬底的上部分上的由包括III-V族氮基半导体的多层发光结构薄
膜、第二欧姆接触电极和第一—第一粘结层所连续形成的第一晶片；
(b)制造用在上表面上的第一—第二粘结层和在底表面上的第二—第一粘结层所形成的金属箔片；
(c)制造权利要求1至7中任意一项所述的用于制造半导体发光装置的支撑衬底作为第二晶片，该第二晶片用在所选择的支撑衬底的上部的牺牲层、第二厚金属膜和第二—第二粘结层形成；
(d)粘结所述第一晶片、所述金属箔片和所述第二晶片，以粘结所述第一—第一粘结层与所述第一—第二粘结层，并粘结所述第二—第一粘结层和所述第二—第二粘结层；
(e)通过激光剥离工艺从所述步骤(d)的产物分离所述第一晶片的所述蓝宝石衬底；
(f)隔离通过所述步骤(e)所暴露的多层发光结构薄膜；
(g)在通过所述步骤(f)隔离的每个多层发光结构的表面上形成多个第一欧姆接触电极，且在其侧面形成钝化薄膜；
(h)分离所述第二晶片的所选择的支撑衬底；以及
(i)通过垂直切割所述步骤(h)中的产物来制造芯片。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述的步骤(h)是用有机或者无机粘结材料在所述第一晶片的表面上粘结临时支撑衬底之后来执行的。
25.根据权利要求23所述的方法，其中在所述步骤(h)之后，在除去所述所选择的支撑衬底和所述牺牲层之处形成单独的辅助支座。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述的辅助支座由以下材料形成：
i)从由Si、Ge、SiGe、ZnO、GaN、AlGaN、GaAs、AlN和BeO所组成的组中所选择的单晶体或者多晶体晶片；
ii)从由Mo、Cu、Ni、Nb、Ta、Ti、Au、Ag、Cr、NiCr、CuW、CuMo和NiW所组成的组中所选择的金属箔片；或者
iii)从由Cu/Mo/Cu、Cu/W/Cu、Ni/Mo/Ni、Cu/Ti/Cu、Cu/AlN/Cu、Cu/Al2O3/Cu、Cu/GaAs/Cu和Cu/Si/Cu所组成的组中所选择的层叠结构。
27.一种用于制造垂直构造的半导体发光装置的方法，包括：
(a)制造在蓝宝石衬底的上部的用具有III-V族氮基半导体的多层发光结构薄膜、多个第二欧姆接触电极、第一厚金属膜和第一—第一粘结层连续形成的第一晶片；
(b)制造由在上表面上的第一—第二粘结层和在底表面上的第二—第一粘结层所形成的金属箔片；
(c)制造用牺牲层和第二—第二粘结层在所选择的支撑衬底的上部连续形成的第二晶片；
(d)粘结所述第一晶片、所述金属箔片和所述第二晶片，以粘结所述第一—第一粘结层与所述第一—第二粘结层，并粘结所述第二—第一粘结层与所述第二—第二粘结层；
(e)通过激光剥离工艺从所述步骤(d)的产物上分离所述第一晶片的所述蓝宝石衬
底；
(f)隔离通过步骤(e)所暴露的所述多层发光结构薄膜；
(g)在通过用所述步骤(f)隔离的每个多层发光结构的表面形成多个第一欧姆接触电极，并在侧面形成钝化薄膜；
(h)分离所述第二晶片的所选择的支撑衬底；以及
(i)通过垂直切割所述步骤(h)的产物来制造芯片。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述的步骤(h)是用有机或者无机粘结材料在所述第一晶片的表面上粘结临时支撑衬底之后执行的。
29.根据权利要求27所述的方法，其中在步骤(h)之后，在除去所选择的支撑衬底和所述牺牲层之处形成单独的辅助支座。
30.根据权利要求27所述的方法，其中所述的辅助支座是由：
i)从由Si、Ge、SiGe、ZnO、GaN、AlGaN、GaAs、AlN和BeO所组成的组中所选择的单晶体或者多晶体晶片；
ii)从由Mo、Cu、Ni、Nb、Ta、Ti、Au、Ag、Cr、NiCr、CuW、CuMo和NiW所组成的组中所选择的金属箔片；或者
iii)从由Cu/Mo/Cu、Cu/W/Cu、Ni/Mo/Ni、Cu/Ti/Cu、Cu/AlN/Cu、Cu/Al2O3/Cu、Cu/GaAs/Cu和Cu/Si/Cu所组成的组中所选择的层叠结构所形成的。
31.一种垂直构造的半导体发光装置，包括：
具有III-V族氮基半导体的发光结构，在上部形成第一欧姆接触电极，在底部上连续形成第二欧姆接触电极、绝缘薄膜、第一传导性薄膜、第二传导性薄膜和第一厚金属膜，并在侧面形成钝化薄膜；
通过第一粘结层在第一厚金属膜的底部粘结的金属箔片；和
通过第二粘结层在所述金属箔片的底部粘结的第二厚金属膜。
32.一种垂直构造的半导体发光装置，包括：
具有III-V族氮基半导体的发光结构，在上部形成第一欧姆接触电极，在底部上连续形成第二欧姆接触电极、绝缘薄膜、第一传导性薄膜和第二传导性薄膜，并在侧面形成钝化薄膜；
通过第一粘结层在所述第二传导性薄膜的底部粘结的金属箔片；以及
通过第二粘结层在所述金属箔片的底部粘结的第二厚金属膜。
33.一种垂直构造的半导体发光装置，包括：
具有III-V族氮基半导体的发光结构，在上部形成有第一欧姆接触电极，在底部上连续形成第二欧姆接触电极、绝缘薄膜、第一传导性薄膜、第二传导性薄膜和第一厚金属膜，在侧面形成的钝化薄膜；和
通过第一粘结层粘结在厚金属膜的底部的金属箔片。
34.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的多层发光结构薄膜包括自其顶部的n型半导体包覆层、发光活动层和p型半导体包覆层，并且每一层由具有Inx(GayAl1-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，x+y＞0)的成份的单晶体构成。
35.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中在所述多层发光结构薄膜的上部或者底部上进一步形成表面纹理、光提取结构层和铝膜纳米格偏光片中的至少一个。
36.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述金属箔片具有0.1-999μm的厚度。
37.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的金属箔片是具有从由Cu、Al、Ni、Nb、W、Mo、Ta、Ti、Au、Ag、Pd、Pt、Cr、Fe、V、Si和Ge所组成的组中所选择的至少一种成份的片状的金属、合金或者固溶体。
38.根据权利要求31至权利要求33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第一厚金属膜是由金属、合金或者固溶体形成，具有从由Au、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt和Si所选择的至少一种成份。
39.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第一厚金属膜具有0.1-999μm的厚度。
40.根据权利要求31或32所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第二厚金属膜是由从Au、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt和Si所组成的组中所选择的至少一种成份的金属、合金或者固溶体形成。
41.根据权利要求31或者32所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第二厚金属膜具有0.1-999μm的厚度。
42.根据权利要求31至33任意一项权利要求所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第一粘结层是由包括从由Ga、Bi、In、Sn、Pb、Au、Al、Ag、Cu、Ni、Pd、Si、Ge和Zn所组成的组中所选择的至少一种成份的钎焊或者铜焊合金形成。
43.根据权利要求31或者32所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第二粘结层是由包括从由Ga、Bi、In、Sn、Pb、Au、Al、Ag、Cu、Ni、Pd、Si、Ge和Zn所组成的组中所选择的至少一种成份的钎焊或者铜焊合金形成。
44.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第一欧姆接触电极是由包括从由Al、Ti、Cr、Ta、Ag、Al、Rh、Pt、Au、Cu、Ni、Pd、In、La、Sn、Si、Ge、Zn、Mg、NiCr、PdCr、CrPt、NiTi、TiN、CrN、SiC、SiCN、InN、AlGaN、InGaN、稀土金属、金属硅化物、半导体硅化物、CNTN、透明传导氧化物和透明传导氮化物所组成的组中所选择的至少一种成份的材料形成。
45.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第二欧姆接触电极是由包括从由Ag、Al、Rh、Pt、Au、Cu、Ni、Pd、金属硅化物、Ag系列合金、Al系列合金、Rh系列合金、CNTN、透明传导氧化物和透明传导氮化物所组成的组中所选择的至少一种成份的材料形成。
46.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的绝缘薄膜是由从由透明氧化物、透明氮化物或者透明氟化物所组成的组中所选择的任意一种形成。
47.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的绝缘薄膜是形成为全方向反射(ODR)结构和分布式布拉格反射(DBR)结构。
48.根据权利要求31至33任意一项所述的垂直构造的半导体发光装置，其中所述的第一传导性薄膜或者第二传导性薄膜是由从Au、Al、Ag、Rh、Ru、Ir、Ti、V、Pd、W、Cr、Ni、Cu、Mo、Ta、Nb、Pt、NiCr、TiW、CuW、TiN、CrN和TiWN所组成的组中所选择的至少一种成份的材料形成。