专利汇可以提供电介质蚀刻中的形貌控制专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且提供一种蚀刻 电介质 层的方法。该电介质层设在基片上方和具有线距图案的 图案化 掩模下方。该方法包括(a)提供包括CF4、COS和含 氧 气体的蚀刻剂气体,(b)由该蚀刻剂气体形成等离子,和(c)利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻为该线距图案。该CF4的气体流率的比率可大于所有 反应性 气体组分的总的气体流率的50%。该COS的气体流率可在1%和50%之间。该方法通过添加COS至该蚀刻剂气体减少该电介质层蚀刻中的弯曲。,下面是电介质蚀刻中的形貌控制专利的具体信息内容。
1.一种蚀刻电介质层的方法,该电介质层设在基片上方和具有线距图案的图案化掩模下方,该方法包括:
提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体;
由该蚀刻剂气体形成等离子;以及
利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻成该线距图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中CF4的气体流率的比率大于所有反应性气体组分的总的气体流率的50%。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中COS的气体流率在该CF4的气体流率的1%和50%之间。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其中该COS的气体流率在该CF4的气体流率的2%和20%之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其中该COS的气体流率在该CF4的气体流率的3%和15%之间。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括Ar、He或Xe或其混合物之一作为载体气体。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括氢氟碳化合物气体。
8.根据权利要求1-7所述的方法,其中该电介质层是SiN、SiO2或四乙基原硅酸盐(TEOS)之一。
9.一种减少电介质层蚀刻中弯曲的方法,该电介质层设在基片上方和具有线距图案的图案化掩模下方,该方法包括:
提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体,CF4的气体流率的比率大于所有反应性气体组分的总的气体流率的50%,COS的气体流率的比率在该CF4的气体流率3%和15%之间;
由该蚀刻剂气体形成等离子;以及
利用该来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻成该线距图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括Ar、He或Xe或其混合物之一作为载体气体。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括氢氟碳化合物气体。
12.根据权利要求9-11任一项所述的方法,其中该电介质层是SiN、SiO2或四乙基原硅酸盐(TEOS)之一。
13.用于蚀刻电介质层的设备,该电介质层设在基片上方和具有线距的图案化掩模下方,该设备包括:
等离子处理室,包括:
形成该等离子处理室外壳的室壁;
用于在该等离子处理室中支撑基片的基片支撑件;
用于调节该等离子处理室外壳中压力的压力调节器;
提供功率至该等离子处理室外壳以维持等离子的至少一个电极;
将气体提供进该等离子处理室外壳的气体入口;以及
从该等离子处理室外壳排出气体的气体出口;与该气体入口流体连通的蚀刻剂气体源,包括;
CF4源;
COS源;以及
含氧气体源;
以可控方式连接到该气体源和该至少一个电极的控制器,包括:
至少一个处理器;以及
计算机可读介质包括:
将该电介质层通过该掩模蚀刻成该线距图案的计算机可读代码,其中计算机可读代码包括:
用于从该蚀刻剂气体源提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体的计算机可读代码;
用于由该蚀刻剂气体生成蚀刻等离子的计算机可读代码;以及
用于停止来自该蚀刻剂气体源的蚀刻剂气体的计算机可读代码;以及
用于去除该掩模的计算机可读代码。
14.根据权利要求13所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制CF4的气体流率的比率大于所有反应性气体组分的总的气体流率的50%的计算机可读代码。
15.根据权利要求13或14所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的1%和50%之间的计算机可读代码。
16.根据权利要求13-15任一项所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的2%和20%之间的计算机可读代码。
17.根据权利要求13-16任一项所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的3%和15%之间的计算机可读代码。
18.一种蚀刻电介质层的设备,该电介质层设在基片上方和具有线距图案的图案化掩模下方,该设备包括:
用于提供包括CF4、COS和含氧气体的蚀刻剂气体装置;
用于由该蚀刻剂气体形成等离子的装置;以及
用于利用来自该蚀刻剂气体的等离子通过该掩模将该电介质层蚀刻成该线距图案的装置。
19.根据权利要求18所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置包括:
用于控制CF4的气体流率从而其比率大于所有反应性气体组分的总的气体流率的50%的装置。
20.根据权利要求18或19所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置进一步包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的1%和50%之间的装置。
21.根据权利要求18-20任一项所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置进一步包括:
用于控制该COS的气体流率在该CF4的气体流率的2%和20%之间的装置。
22.根据权利要求18-21任一项所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置进一步包括:
用于控制该COS的气体流率在该CF4的气体流率的3%和15%之间的装置。
23.根据权利要求2所述的方法,其中COS的气体流率在该CF4的气体流率的1%和50%之间。
24.根据权利要求23所述的方法,其中该COS的气体流率在该CF4的气体流率的2%和20%之间。
25.根据权利要求24所述的方法,其中该COS的气体流率在该CF4的气体流率的3%和15%之间。
26.根据权利要求2所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括Ar、He或Xe或其混合物之一作为载体气体。
27.根据权利要求2所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括氢氟碳化合物气体。
28.根据权利要求2所述的方法,其中该电介质层是SiN、SiO2或四乙基原硅酸盐(TEOS)之一。
29.根据权利要求9所述的方法,其中该蚀刻剂气体进一步包括氢氟碳化合物气体。
30.根据权利要求9所述的方法,其中该电介质层是SiN、SiO2或四乙基原硅酸盐(TEOS)之一。
31.根据权利要求14所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的1%和50%之间的计算机可读代码。
32.根据权利要求31所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的2%和20%之间计算机可读代码。
33.根据权利要求32所述的设备,其中用于提供该蚀刻剂气体的计算机可读代码包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的3%和15%之间的计算机可读代码。
34.根据权利要求19所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置进一步包括:
用于控制COS的气体流率在该CF4的气体流率的1%和50%之间的装置。
35.根据权利要求34所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置进一步包括:
用于控制该COS的气体流率在该CF4的气体流率的2%和20%之间的装置。
36.根据权利要求35所述的设备,其中用于提供蚀刻剂气体的装置进一步包括:
用于控制该COS的气体流率在该CF4的气体流率的3%和15%之间的装置。
本发明涉及制造半导体器件过程中通过掩模蚀刻蚀刻层。更具体地,本发明涉及制造半导体器件过程中通过线距图案化掩模蚀刻电介质层。
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