技术领域
[0001] 本
发明涉及一种蚀刻装置，尤指一种蚀刻装置。
背景技术
[0002] 蚀刻为一种通过化学反应或物理撞击的方式对于材料进行移除的技术，现有蚀刻技术大致可分为
湿蚀刻(wet etching)及干蚀刻(dry etching)两类，其中湿蚀刻是通过化学溶液进行化学反应而达到蚀刻的效果，而干蚀刻则是通过一种
等离子体蚀刻(plasma etching)，
等离子体蚀刻可能是等离子体中离子撞击晶片表面的物理作用或者可能是等离子体中活性自由基与晶片表面
原子间的化学反应，也可能是两者的复合作用，随着科技的发展，蚀刻技术已广泛地应用于航空、机械、化学及
半导体制造过程上；
[0003] 目前业界所使用的蚀刻机台80的配置如图8所示，其主要于中心处设置一机器手臂81，于该机器手臂81的周围依序环形间隔设置有数个传送室82、一
定位室83、数个反应室84及一清洁室85，通过该机器手臂81将
晶圆90于各室间进行移动、定位及蚀刻加工；
[0004] 然而，现有蚀刻机台80虽可通过机器手臂81进行移动、定位及蚀刻加工，但机器手臂81于各室间进行移动需花费不少的时间，且机器手臂81经长时间的使用后，容易因磨耗或磨损而影响其操作的准确性，使晶圆90可能于移动的过程中发生掉落而毁损的情形，有加以改进之处。
发明内容
[0005] 为了改善上述现有蚀刻机台通过机器手臂进行移动、定位及蚀刻加工的缺失及不足，本发明的主要目的在于提供一种蚀刻装置，其可使晶圆在不需设置机器手臂的情况下进行移动及加工，从而提供一节省成本、缩短制造过程时间及提高产能的蚀刻装置。
[0006] 基于上述目的，本发明的蚀刻装置包含有一蚀刻组件、一输送组件及一载具组件，其中：
[0007] 该蚀刻组件设有一蚀刻腔体、一上盖板及一升降装置，该上盖板可翻转地设于该蚀刻腔体顶面且设有一
电极导入装置、两气孔板及一遮板，该电极导入装置固设于该上盖板顶面且朝内设有一电极，两气孔板间隔地设于该上盖板底面，该遮板间隔地设于该上盖板底面且贯穿设有与该两气孔板相对应的穿孔，于两穿孔间贯穿一供该电极伸入该遮板的开孔，该升降装置固设于该蚀刻腔体底面且朝上设有一伸入该蚀刻腔体的升降杆；
[0008] 该输送组件设于该蚀刻组件内且于该蚀刻腔体内间隔设置有多个具有滚轮的转动轴；以及
[0009] 该载具组件于该输送组件上而可移动地设于该蚀刻腔体内并设有数个载盘，各载盘与该输送组件的滚轮相贴靠且于顶面设有一极板，该极板贯穿设有两间隔设置并分别与该遮板两穿孔相对应的承载孔。
[0010] 进一步，该蚀刻装置另设有一进料组件、一出料组件及一
阀门组件，其中该进料组件设有一前、后端呈开口状且与该蚀刻腔体前端相结合的进料腔体，该出料组件设有一与该蚀刻腔体异于该进料腔体一端相结合的出料腔体，而该阀门组件设于该进料组件、该蚀刻组件及该出料组件之间且设有数个阀门装置，各阀门装置分别该设于各腔体之间，该输送组件于该进料组件及该出料组件的各腔体内间隔设置有多个具有滚轮的转动轴，该载具组件设于该输送组件上而可移动地设于各腔体之间。
[0011] 优选地，该进料腔体于内部两侧各设有一第一
导轨，该蚀刻腔体于内部两侧各设有一与该进料腔体第一导轨直线相对的第二导轨，该升降装置的升降杆伸设于该蚀刻腔体内且介于两第二导轨间，而该出料腔体于内部两侧各设有一与该进料腔体第一导轨及该蚀刻腔体第二导轨直线相对的第三导轨，该输送组件的各滚动轴设于各腔体的两导轨内侧。
[0012] 优选地，该上盖板于该遮板周围的底面设有多个定位杆，各定位杆在异于该上盖板的底端设有一套设盖，而该载具组件的各载盘于该极板周围的顶面设有数个定位凸粒，当该载盘移动至该蚀刻腔体内时，各定位凸粒与该蚀刻组件各定位杆的套设盖直线相对。
[0013] 优选地，该上盖板于两相对侧边分别设有一与该蚀刻腔体顶面相固设结合的翻转压缸轴，使该上盖板可相对该蚀刻腔体翻转，且该上盖板于顶面固设有一与该电极导入装置相连接的输出功率单元。
[0014] 优选地，该两气孔板分别于该上盖板顶面设有一用以输送气体的输送管，使气体可经由输送管及气孔板而进入该蚀刻腔体内。
[0015] 优选地，该遮板设有数个与该上盖板相固设结合的固定杆，使该遮板间隔地设于该上盖板的底面。
[0016] 优选地，该蚀刻组件另设有一与该蚀刻腔体相结合的高
真空泵浦，使该蚀刻腔体内部维持于一高真空的状态。
[0017] 优选地，各阀门装置设有一阀门及一阀门气压缸，通过阀门气压缸的作动，使两相邻腔体间呈现相通或封闭的状态，而该输送组件各转动轴的一端套设有一传动轮，该传动轮可为一
链轮或一皮带轮。
[0018] 优选地，该蚀刻装置在异于该蚀刻腔体的出料腔体一侧设有一清洁腔体，从而对于蚀刻后的晶圆进行表面清洗。
[0019] 通过上述的技术手段，本发明蚀刻装置于操作时于各腔体内分别设置一载盘，让各腔体可于同一时段中对于各晶圆进行不同的加工步骤，即可于本发明的蚀刻装置上进行的晶圆加工流程，让各晶圆依序且连续地于各腔体内进行加工，而不需再通过机器手臂的夹持及移动，即可形成一条龙的的生产线，不仅可提高产能且缩短制造过程时间，且晶圆通过各载盘而于各腔体间上进行输送，可有效避免晶圆可能于移动的过程中发生掉落而毁损的现象，进而达到节省成本的效果，从而构成一节省成本、缩短制造过程时间及提高产能的蚀刻装置。
附图说明
[0020] 图1是本发明蚀刻装置第一
实施例的外观立体示意图。
[0021] 图2是本发明蚀刻装置第一实施例的另一外观立体示意图。
[0022] 图3是本发明蚀刻装置第一实施例的剖面侧视示意图。
[0023] 图4是本发明蚀刻装置第一实施例的局部放大剖面侧视示意图。
[0024] 图5是本发明蚀刻装置蚀刻组件的立体外观示意图。
[0025] 图6是本发明蚀刻装置第一实施例的操作剖面侧视示意图。
[0026] 图7是本发明蚀刻装置第二实施例的外观立体示意图。
[0027] 图8是现有蚀刻机台的俯视示意图。
[0028] 【主要元件符号说明】
[0029] 10进料组件 11进料腔体
[0030] 111第一导轨 20蚀刻组件
[0031] 21蚀刻腔体 211第二导轨
[0032] 22上盖板 221翻转压缸轴
[0033] 23升降装置 231升降杆
[0034] 24电极导入装置 241电极
[0035] 25气孔板 251输送管
[0036] 26遮板 261固定杆
[0037] 262穿孔 263开孔
[0038] 27定位杆 271套设盖
[0039] 272定位孔 28输出功率单元
[0041] 31出料腔体 311第三导轨
[0042] 32清洁腔体 40阀门组件
[0043] 41阀门装置 42阀门
[0044] 43阀门气压缸 50输送组件
[0045] 51转动轴 52滚轮
[0046] 53传动轮 60载具组件
[0047] 61载盘 62极板
[0048] 621承载孔 63定位凸粒
[0049] 70晶圆 80蚀刻机台
[0050] 81机器手臂 82传送室
[0051] 83定位室 84反应室
[0052] 85清洁室 90晶圆。
具体实施方式
[0053] 为能详细了解本发明的技术特征及实用功效，并可依照
说明书的内容来实施，现进一步以如图所示的优选实施例，详细说明如后：
[0054] 本发明主要提供一种蚀刻装置，请配合参看如图1至3所示，由图中可看出本发明蚀刻装置，其设有一进料组件10、一蚀刻组件20、一出料组件30、一阀门组件40、一输送组件50及一载具组件60，其中：
[0055] 该进料组件10设有一进料腔体11，该进料腔体11为一略呈长方形的中空腔体，该进料腔体11的前、后端各呈一开口状，该进料腔体11于内部两侧各设有一第一导轨111，进一步，该进料组件10与一真空泵浦(图未示)相连接，从而使该进料腔体11维持一真空状态；
[0056] 请进一步配合参看如图4及5所示，该蚀刻组件20与该进料组件10相结合且设有一蚀刻腔体21、一上盖板22及一升降装置23，其中该蚀刻腔体21呈一与该进料腔体11结构相符合的中空腔体，该蚀刻腔体21与该进料腔体11的后端相固设结合且于内部两侧各设有一与该进料腔体11第一导轨111直线相对的第二导轨211，该上盖板22可翻转地设于该蚀刻腔体21的顶面且设有一电极导入装置24、两气孔板25、一遮板26及多个定位杆27，优选地，该上盖板22于两相对侧边分别设有一与该蚀刻腔体21顶面相固设结合的翻转压缸轴221，该电极导入装置24固设于该上盖板22的顶面且朝内伸设有一电极241，进一步，该上盖板22于顶面固设有一与该电极导入装置24相连接的输出功率单元28，该输出功率单元28设有一射频电源供应器、一中频电源供应器及一用以调整输出功率大小的匹配器；
[0057] 两气孔板25间隔地设于该上盖板22的底面且分别于该上盖板22顶面设有一用以输送气体的输送管251，使气体可经由输送管251及气孔板25而进入该蚀刻腔体21内，该遮板26设有数个与该上盖板22相固设结合的固定杆261，使该遮板26间隔地设于该上盖板22的底面，该遮板26贯穿设有与该两气孔板25相对应的穿孔262，且与两穿孔262间贯穿设有一供该电极241伸入该遮板26的开孔263，各定位杆27与该上盖板22的底面相固设结合而位于该遮板26的周围，各定位杆27在异于该上盖板22的底端设有一套设盖271，优选地，该套设盖271凹设有一略呈半圆形的定位孔272；
[0058] 进一步，该蚀刻组件20另设有一与该蚀刻腔体21相结合的高真空泵浦29，使该蚀刻腔体21内部维持于一高真空的状态，且可于该蚀刻腔体21内设置至少一
位置感测器，该升降装置23固设于该蚀刻腔体21的底面且朝上设有一伸设于该蚀刻腔体21内且介于两第二导轨211间的升降杆231；
[0059] 该出料组件30与该蚀刻组件20相连接且设有一出料腔体31，该出料腔体31与该蚀刻腔体21异于该进料腔体11的一端相结合，且于内部两侧各设有一与该进料腔体11第一导轨111及该蚀刻腔体21第二导轨211直线相对的第三导轨311；
[0060] 该阀门组件40设于该进料组件10、该蚀刻组件20及该出料组件30之间且设有数个阀门装置41，各阀门装置41分别该设于各腔体11，21，31之间且设有一阀门42及一阀门气压缸43，通过阀门气压缸43的作动，使两相邻腔体11，21，31间呈现相通或封闭的状态；
[0061] 该输送组件50设于该进料组件10、该蚀刻组件20及该出料组件30之间且于各腔体11，21，31的两导轨111，211，311内侧分别间隔设置有多个具有滚轮52的转动轴51，各转动轴51的一端套设有一传动轮53，其中各传动轮53可为一链轮一皮带轮，进而可通过一链条或一皮带而使各转动轴51相对腔体11，21，31产生转动；以及
[0062] 该载具组件60设于该输送组件50上而可移动地设于各腔体11，21，31之间并设有数个载盘61，各载盘61与该输送组件50的滚轮52相贴靠且设有一极板62及数个定位凸粒63，其中该极板62设于该载盘61的顶面且贯穿设有两间隔设置并分别与该遮板26两穿孔262相对应的承载孔621，该极板62的各承载孔621用以置放一晶圆70，各定位凸粒63设于该载盘61的顶面而位于该极板的62周围，且当该载盘61移动至该蚀刻腔体21内时，各定位凸粒63与该蚀刻组件20各定位杆27的套设盖271直线相对。
[0063] 请配合参看如图7所示，本发明蚀刻装置另在异于该蚀刻腔体21的出料腔体31一侧设有一清洁腔体32，从而对于蚀刻后的晶圆70进行表面清洗，提供一清洁的效果。
[0064] 本发明蚀刻装置于使用时，请配合参看如图3及5所示，其先将欲加工的晶圆70置放于载盘61的极板62承载孔621内，将该载盘61放入位于该进料腔体11的各滚轮52上，经由一真空泵浦对于该进料腔体11进行充气，从而使该进料腔体11呈现一真空状态，待该进料腔体11呈现一真空状态后，通过开启位于该进料腔体11及该蚀刻腔体21间的阀门装置41，以及该输送组件50转动轴转动的方式，如图4所示由各滚轮52将位于该进料腔体11的载盘61移动至该蚀刻腔体21内，此时，可通过位置感测器感应的方式，使该载盘61上的各定位凸粒63与各定位杆27的套设盖271直线相对；
[0065] 如图6所示通过该升降装置23升降杆231上升的方式，将位于该蚀刻腔体21内的载盘61朝该上盖板22方向推升，使各定位凸粒63置于相对应定位杆27的定位孔272中，且让位于该极板62上的两晶圆70分别靠近位于该上盖板22上遮板26的两穿孔262处，此时，将一蚀刻所需使用的气体经各输送管251极相对应的气孔板25而输送至该蚀刻腔体21内，并且经由该输出功率单元28启动该电极导入装置24的方式，使位于该蚀刻腔体21内的气体受到强
电场的作用，而形成一部份解离气体(Partially Ionized Gas)，即可对于设置在极板62上的各晶圆70进行等离子体蚀刻(Plasma Etching)；
[0066] 待各晶圆70完成蚀刻加工后，经由该升降杆231下降至初始位置的方式，使各定位凸粒63与相对应的定位杆27相分离，让该载盘61可与位于该蚀刻腔体21内的各滚轮52相贴靠，并通过开启位于该蚀刻腔体21及该出料腔体31间的阀门装置41，使该经蚀刻完的晶圆70随着载盘61移动至该出料腔体31处进行出料，另可如图7所示，将由该出料腔体31送出的晶圆70输送至该清洁腔体32中进行清洁，即完成晶圆70的蚀刻加工。
[0067] 上述单一载盘61上晶圆70的蚀刻加工流程，于实际操作时于各腔体11，21，31，32内分别设置一载盘61，让各腔体11，21，31，32可于同一时段中对于各晶圆70进行不同的加工步骤，即可于本发明的蚀刻装置上进行的晶圆70加工流程，让各晶圆70依序且连续地于各腔体11，21，31，32内进行加工，而不需再通过机器手臂81的夹持及移动，即可形成一条龙的的生产线，不仅可提高产能且缩短制造过程时间，且晶圆70通过各载盘61而于各腔体11，21，31，32间上进行输送，可有效避免晶圆70可能于移动的过程中发生掉落而毁损的现象，进而达到节省成本的效果，从而构成一节省成本、缩短制造过程时间及提高产能的蚀刻装置。
[0068] 以上所述，仅是本发明的优选实施例，并非对本发明作任何形式上的限制，任何本领域技术人员，若在不脱离本发明所提技术方案的范围内，利用本发明所揭示技术内容所作出局部更动或修饰的等效实施例，并且未脱离本发明的技术方案内容，均仍属于本发明技术方案的范围内。
