专利汇可以提供自对准接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 接触 孔层间膜,该接触孔层间膜的制作方法以及本发明的接触孔层间膜上 刻蚀 接触孔的方法。接触孔层间膜包括自下往上依次为掺杂的 氧 化 硅 玻璃和保护氧化膜的两个膜层。制作接触孔层间膜制作方法,在前道工艺完成之后包括两步,1.在 硅片 上淀积磷硅玻璃;2.在磷硅玻璃上淀积一层保护氧化膜。在本发明的层间膜上刻蚀接触孔的方法将待刻蚀衬底上区分花苞状图形稀疏和密集的区域,针对不同的区域采用不同的刻蚀工艺,不仅使得接触孔能完全打开,而且也兼顾接触孔 电阻 、击穿 电压 和漏电性能等工艺电参数。,下面是自对准接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法专利的具体信息内容。
1. 一种自对准接触孔层间膜,其特征在于,从下往上依次包含两个层面,第一层为掺杂的氧化硅玻璃,第二层为保护氧化膜。
2. 根据权利要求1所述的自对准接触孔层间膜,其特征在于,第一层为磷硅玻璃,第二层为保护氧化膜。
3. —种制作权利要求2所述的接触孔层间膜制作方法,在前道工艺完 成之后,其特征在于,包括以下步骤:第一步,在硅片上淀积磷硅玻璃, 并对该磷硅玻璃进行化学机械抛光;第二步,在磷硅玻璃上淀积一层保护 氧化膜。
4. 根据权利要求3的接触孔层间膜制作方法,其特征在于,第一步中 采用高密度等离子体化学汽相淀积的方法在硅片上淀积磷硅玻璃。
5. —种在权利要求1的接触孔层间膜上刻蚀接触孔的方法,其特征在 于,包括以下步骤:第一步,在待刻蚀衬底上,依据花苞状外壳图形分布 的密集程度将待刻蚀衬底分成花苞状外壳图形密集和花苞状外壳图形稀疏 的区域;第二步,利用掩膜版对花苞状外壳图形密集的区域进行曝光;第 三步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层对花苞状外壳图形密集的区域以时间较 长且选择比较低的工艺参数进行刻蚀;第四步,剥离抗反射层和光刻胶, 用有机抗反射层涂覆硅片表面,填充第一次刻蚀后的间隙,使衬底表面平 坦化;第五步,利用掩膜版对花苞状外壳图形稀疏的区域进行曝光;第六 步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层对花苞状外壳图形稀疏的区域以时间较短 且选择比较高的工艺参数进行刻蚀;第七步,剥离抗反射层和光刻胶,用 有机抗反射层涂覆硅片表面,填充第二次刻蚀后的间隙,使衬底表面平坦化;第八步,重复上述第二步至第七步完成所有区域的解除孔刻蚀,并在 之后进行去胶和清洗。
6. 根据权利要求4所述的刻蚀接触孔的方法,其特征在于,第三步中 刻蚀工艺参数为:a.上部电源功率为0至2000w; b.偏转功率为0至2000w; c.工艺腔体的压力为0至200mT; d.氩气流量为0至500sccm; e.氧气流 量为0至500sccm; f.高选择比的碳氟系气体,且该气体流量为0至500sccm; g.高选择比的碳氟氢系气体,且该气体流量为0至200sccm; h.静电吸附 盘背部氦气压力为0至20T, i.阴极背部氦气压力为0至20T, j.上部电源 功率为0至IOOOW。
7. 根据权利要求4所述的刻蚀接触孔的方法,其特征在于,第六步中 刻蚀工艺参数为:a.上部电源功率为0至2000w; b.偏转功率为0至2000w; c.工艺腔体的压力为0至200mT; d.氩气流量为0至500sccm; e.氧气流 量为0至500sccm; f.高选择比的碳氟系气体,且该气体流量为0至500sccm; g.高选择比的碳氟氢系气体,且该气体流量为0至500sccm; h.静电吸附 盘背部氦气压力为0至20T, i.阴极背部氦气压力为0至20T, j.上部电源 功率为0至IOOOW。
8. 根据权利要求5或6所述的刻蚀接触孔的方法,其特征在于,步骤 f中的碳氟系气体为C4Fs或者C4Fe或者C5F8。
9. 根据权利要求5或6所述的刻蚀接触孔的方法,其特征在于,步骤 g中的碳氟氢系气体为C2H2F4。
10. 根据权利要求4所述的刻蚀接触孔的方法,其特征在于,所述的 第二步与第五步互换、同时第三步与第六步互换。
本发明涉及半导体制造领域,特别是一种自对准接触孔层间膜,该自 对准接触孔层间膜的制作方法。本发明还涉及在本发明的自对准接触孔层 间膜上刻蚀接触孔的工艺方法。
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