检测晶片缺陷的方法
专利汇可以提供检测晶片缺陷的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一检测晶片 缺陷 的方法，它包括下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，该边缘部分没有图案芯片；将该晶片装到一缺陷检测仪中；调整假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；并实施后续工序，按此采用检测的缺陷，观测后续工序中的缺陷，从而可以方便地监测晶片缺陷和加工缺陷之间以及加工缺陷自身之间的有机联系。，下面是检测晶片缺陷的方法专利的具体信息内容。
本发明总的说来涉及一种检测晶片缺陷的方法，更详细地说，涉 及一平面晶片边缘部分的假芯片形成，该假芯片用作校准标记，从而 在以后的处理过程中可以保持晶片缺陷的数据。
半导体器件是通过在晶片上实施许多加工处理步骤而获得的。 用缺陷检测装置通过检测每一步骤中可能产生的各种缺陷，并快速 而顺畅地分析这些缺陷的原因，可以提高半导体器件的可靠性和产 量。
为了得到一个平整晶片(如一完好晶片、一良好成形的晶片或一 薄膜淀积的晶片)，从半导体器件制作方法的开始步骤起至形成元件 隔离膜之前的那一步骤，是没有较准标记在晶片上形成的。
当通过一检测仪器来检测没有较准标记的平整晶片时，要确定 平整晶片上缺陷的大小和座标(x，y)。然而，当从仪器上取下晶片以 后检验晶片缺陷时，因为晶片缺陷的检验是在没有校准标记(晶片参 考基准)的情况下进行的，所以无法找到那些预先确定的座标。这就 是说，可以预计没有校准标记的晶片在缺陷数据的应用中是不起作 用的。这是由于尽管在元件隔离步骤之前存在检测到的缺陷座标和 大小之类的信息，但是晶片中没有参考座标无法使检测到的座标和 大小正确地与元件隔离步骤之前采用图案中某一特定点作为参考基 准进行检验的缺陷数据联系在一起。因此，研究人员在缺陷分断中总 是觉得很困难，因为他们无法知道缺陷是在哪些步骤产生的，以及这 些缺陷是如何发展的。
因此，本发明的目的是克服现有技术中所遇到的上述问题，并提 供一种检测晶片缺陷的方法，这种方法通过在晶片边缘部分形成校 准标记，在后续工序将数据用于缺陷，而尽可能地减小对后续工序的 影响。
按照本发明，上述目的可以通过提供一种检测晶片缺陷的方法 来实现，该方法包括下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成一用作 较准标记的假芯片，而所述边缘部分没有图案芯片；将该晶片放到一 缺陷检测仪内；调整假芯片的边缘部分；观察晶片缺陷，给出缺陷数 据；并继续后续工序。
图1是描述晶片边缘部分处形成的假芯片的顶视图，该假芯片 用作校准标记。
在结合附图描述了本发明较佳实施例的应用后，将有利于更好 地理解本发明。
参见图1。图1是一平整晶片2的顶视图，用作校准标记的假芯 片4形成在没有图案芯片的区域(图中用虚线表示)处，假芯片是一 种矩形凸起的或凹陷的光敏膜图案。
当形成用于分挡器(stepper)的十字线掩膜(reticle mask)时，采 用一种作业文件程序(job file program)，在没有图案芯片出现的晶 片边缘处形成两个假芯片4。
另外，可以将光敏膜图案形成的假芯片蚀刻至某一特定深度，从 而使其能被保持至元件隔离步骤或以后的处理步骤。
在用作平整晶片校准标记的假芯片形成以后，晶片被装到一缺 陷检测仪内，并随后调整假芯片的边缘部分。然后，将平整晶片或精 细区域上形成的图案芯片用作单位区域，检测平整晶片上的缺陷，给 出其座标和大小等数据。根据这些数据进行分析，确定这些缺陷是否 被去除，或者后续步骤(如元件隔离步骤或图案形成步骤)是否在缺 陷状态下进行。在实施了后续步骤以后，结合平整晶片上产生的缺陷 数据，观察并分析这些图案缺陷。
缺陷检测仪指定一个比图案芯片中重复图案大小大的区域，通 过将该区域与该区域左边或右边的图案大小进行比较，检测图案差 异，并且当该差异超过某一预定限时，确定缺陷的座标。如此检测的 缺陷数据被用来改正或弥补后续步骤处的缺陷，允许在加工缺陷的 基础上容易地分析制作工序。
按照本发明，对平整晶片的缺陷进行检测，并随后被用来观测后 续工序中的加工缺陷，这就使得能够方便地监测晶片缺陷和加工缺 陷之间以及加工缺陷自身之间的有机联系。
本领域的专业人员在阅读了前述发明描述以后，将会对本发明 的其他特征、优点及实施例越来越清楚。因此，在不偏离本发明权利 要求所描述的精神和范围的情况下，可以在上述发明的特定实施例 的详细描述基础上，对这些实施例作各种变化和修正。
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