技术领域
[0001] 本
发明涉及
半导体制造技术领域，特别是涉及一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法。
背景技术
[0002] 先进的集成
电路制造工艺一般都包含几百步的工序，任何环节的微小错误都会导致整个芯片的失效，特别是随着电路关键尺寸的不断缩小，其对工艺控制的要求越来越严格，所以在生产过程中为能及时的发现和解决问题，一般需要对产品进行在线缺陷检测。
[0003] 目前业界主流的缺陷检测设备分为暗场扫描和明场扫描,
电子扫描等，其主要依靠各种扫描机台进行扫描后，再通过目检机台将扫描得到的缺陷拍摄图像，这些缺陷检测机台可以实现按照尺寸大小，缺陷
信号强度等进行分类，达到区分不同类型的缺陷的目的，然而，但业界还没有一种可以有效地实现致命缺陷(killer defect)和非致命缺陷(non-killer defect)的自动分类的缺陷扫描机台，因此，实有必要提出一种技术手段，以解决上述问题。
发明内容
[0004] 为克服上述
现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法，以实现致命缺陷与非致命缺陷的自动分类。
[0005] 为达上述及其它目的，本发明提出一种缺陷扫描机台，包括：
[0006] GDS
数据库建立单元，用于加入GDS数据库，并于数据库中定义不同区域，根据不同区域定义不同类型缺陷；
[0007] 缺陷扫描单元，用于扫描目标
晶圆以捕获缺陷；
[0008] 缺陷比对单元，用于于扫描过程中实时将捕获到的缺陷于所述GDS数据库进行比对；
[0009] 缺陷分类单元，根据所述缺陷比对单元的比对结果确定缺陷所处区域，进而根据预先定义确定相应的区域的缺陷类型以实现缺陷的自动分类。
[0010] 进一步地，所述GDS数据库建立单元于数据库中定义killer区域和ISO区域，并将killer区域的缺陷定义致命缺陷,将ISO区域的缺陷定义为非致命缺陷。
[0011] 进一步地，所述GDS数据库建立单元通过扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，将非图形区域定义为ISO区域。
[0012] 进一步地，所述缺陷分类单元根据缺陷比对单元的比对结果确定当前缺陷处于killer区域还是ISO区域，并根据预先对killer区域和ISO区域的缺陷定义，确定当前缺陷是致命缺陷还是非致命缺陷。
[0013] 进一步地，所述缺陷分类单元根据分类结果生成缺陷报告并予以输出。
[0014] 为达到上述目的，本发明还提供一种缺陷扫描机台的缺陷自动分类方法，包括如下步骤：
[0015] 步骤一，于缺陷扫描机台的缺陷扫描机台系统中加入GDS数据库，并于数据库中定义不同区域，根据不同区域定义不同类型缺陷；
[0016] 步骤二，扫描目标晶圆以捕获缺陷
[0017] 步骤三，于扫描过程中实时将捕获到的缺陷于所述GDS数据库进行比对；
[0018] 步骤四，根据步骤三的比对结果确定缺陷所处区域，进而根据预先定义确定相应的区域的缺陷类型以实现缺陷的自动分类。
[0019] 进一步地，于步骤一中，于所述GDS数据库中定义killer区域和ISO区域，并将killer区域的缺陷定义致命缺陷,将ISO区域的缺陷定义为非致命缺陷。
[0020] 进一步地，于步骤一中，通过扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，将非图形区域定义为ISO区域。
[0021] 进一步地，于步骤四中，根据步骤三的比对结果确定当前缺陷处于killer区域还是ISO区域，并根据预先对killer区域和ISO区域的缺陷定义，确定当前缺陷是致命缺陷还是非致命缺陷。
[0022] 进一步地，于步骤四中，还根据分类结果生成缺陷报告并予以输出。
[0023] 与现有技术相比，本发明一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法通过于缺陷扫描机台系统中加入GDS数据库，并在数据库中通过图形扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，非图形区域定义为ISO区域，并对相应区域的缺陷进行定义，扫描过程中实时比对捕获的缺陷与GDS数据库，判定缺陷处于killer区域或者ISO区域,并根据预先定义根据缺陷所在区域对缺陷进行分类，实现了致命缺陷与非致命缺陷自动分类的目的。
附图说明
[0024] 图1为本发明一种缺陷扫描机台的系统结构示意图；
[0025] 图2为本发明一种缺陷扫描机台的缺陷自动分类方法的步骤
流程图；
[0026] 图3为本发明具体
实施例中缺陷扫描的架构示意图；
[0027] 图4为本发明具体实施例中GDS数据库的定义示意图；
[0028] 图5为本发明具体实施例中图形工艺缺陷的自动分类示意图；
[0029] 图6为本发明具体实施例中非图形工艺缺陷的预分类示意图；
[0030] 图7为无GDS数据库分析与本发明有GDS数据库分析的缺陷报告图。
具体实施方式
[0031] 以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本
说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
[0032] 图1为本发明一种缺陷扫描机台的系统结构示意图。如图1所示，本发明一种缺陷扫描机台，包括：GDS数据库建立单元101、缺陷扫描单元102、缺陷比对单元103以及缺陷分类单元104。
[0033] GDS(Graphic Design System，图形设计系统)数据库建立单元101，用于加入GDS数据库，在数据库中定义killer区域和ISO区域，将killer区域的缺陷定义致命缺陷(killer Defect),将ISO区域的缺陷定义为非致命缺陷(non-killer defect)。具体地，GDS(Graphic Design System，图形设计系统)数据库建立单元101于缺陷扫描机台系统中加入GDS数据库信息，并在数据库中定义killer区域和ISO区域，例如通过扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，将非图形区域定义为ISO区域，进而将killer区域的缺陷定义致命缺陷,将ISO区域的缺陷定义为非致命缺陷(non-killer defect)。
[0034] 缺陷扫描单元102，用于扫描目标晶圆(wafer)以捕获缺陷。在本发明具体实施例中，缺陷扫描单元102可采用暗场扫描，或明场扫描，或电子扫描等方式对目标晶圆(wafer)进行扫描，于捕获到缺陷时，获取缺陷的坐标
位置，但本发明不以此为限，由于具体采用的缺陷扫描方法为现有技术，在此不予赘述。
[0035] 缺陷比对单元103，用于于扫描过程中实时将捕获到的缺陷于GDS数据库进行比对。具体地，缺陷比对单元103会根据捕获到的缺陷的坐标位置与GDS数据库中相应的坐标位置进行比对，以确认缺陷所处区域。当然缺陷比对单元103也可通过图形比对确认缺陷所处区域，本发明不以此为限。
[0036] 缺陷分类单元104，根据缺陷比对单元103的比对结果确定缺陷所处区域，进而根据预先定义确定相应的区域的缺陷类型。具体地，缺陷分类单元104根据缺陷比对单元103的比对结果确定当前缺陷处于killer区域还是ISO区域，并根据预先对killer区域和ISO区域的缺陷定义，确定当前缺陷是致命缺陷(killer defect)还是非致命缺陷(non-killer defect)，并输出自动分类结果，即如果当前缺陷处于killer区域，则分类为致命缺陷，如果当前缺陷处于ISO区域，则分类为非致命缺陷。
[0037] 图2为本发明一种缺陷扫描机台的缺陷自动分类方法的步骤流程图。如图2所示，本发明一种缺陷扫描机台的缺陷自动分类方法，包括如下步骤：
[0038] 步骤201，于缺陷扫描机台的缺陷扫描机台系统中加入GDS数据库，在数据库中定义killer区域和ISO区域，将killer区域的缺陷定义致命缺陷(killer Defect),将ISO区域的缺陷定义为非致命缺陷(non-killer defect)。于缺陷扫描机台系统中加入GDS数据库信息，并在数据库中定义killer区域和ISO区域，例如通过扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，将非图形区域定义为ISO区域，进而将killer区域的缺陷定义致命缺陷,将ISO区域的缺陷定义为非致命缺陷(non-killer defect)。
[0039] 步骤202，扫描目标晶圆(wafer)以捕获缺陷。在本发明具体实施例中，可采用暗场扫描，或明场扫描，或电子扫描等方式对目标晶圆(wafer)进行扫描，于捕获到缺陷时，获取缺陷的坐标位置，由于具体采用的缺陷扫描方法为现有技术，在此不予赘述。
[0040] 步骤203，于扫描过程中实时将捕获到的缺陷于GDS数据库中进行比对。具体地，于步骤203中，会根据捕获到的缺陷的坐标位置与GDS数据库中相应的坐标位置进行比对，以便确认缺陷所处区域，当然，本发明也可通过图形比对确认缺陷所处区域，本发明不以此为限。
[0041] 步骤204，根据步骤203的比对结果确定缺陷所处区域，进而根据预先定义确定相应的区域的缺陷类型。具体地，根据缺陷比对的比对结果确定当前缺陷处于killer区域还是ISO区域，并根据预先对killer区域和ISO区域的缺陷定义，确定当前缺陷是致命缺陷(killer defect)还是非致命缺陷(non-killer defect)，并输出自动分类结果，即如果当前缺陷处于killer区域，则分类为致命缺陷，如果当前缺陷处于ISO区域，则分类为非致命缺陷。
[0042] 图3为本发明具体实施例中缺陷扫描的架构示意图。1为缺陷扫描部分，2为GDS数据库，3为操作界面，GDS数据库通过图形扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，将非图形区域定义为ISO区域，如图4所示。当缺陷扫描单元102扫描目标晶圆(wafer)捕获到缺陷后，缺陷对比单元会实时将捕获到的缺陷与GDS数据库进行比对，若缺陷处于图形工艺的killer区域，则自动分类为致命缺陷(killer defect)，若缺陷处于图形工艺的ISO区域，则自动分类为非致命缺陷(non-killer defect)，如图5所示。对于非图形工艺，可与既有的任意图形工艺GDS数据进行匹配，如图6所示，这样可实现非图形工艺缺陷预分类，提前预测潜在的致命缺陷(killer defect),提前实现致命缺陷失败率(killer defect fail ratio)的数据分析。
[0043] 图6为无GDS数据库分析与本发明有GDS数据库分析的缺陷报告图，可见，本发明经过采用GDS数据库分析，实现了致命缺陷与非致命缺陷自动分类的目的。
[0044] 综上所述，本发明一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法通过于缺陷扫描机台系统中加入GDS数据库，并在数据库中通过图形扫描或坐标设定的形式将图形区域定义为killer区域，非图形区域定义为ISO区域，并对相应区域的缺陷进行定义，扫描过程中实时比对捕获的缺陷与GDS数据库，判定缺陷处于killer区域或者ISO区域,并根据预先定义根据缺陷所在区域对缺陷进行分类，实现了致命缺陷与非致命缺陷自动分类的目的。
[0045] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如
权利要求书所列。
