用于修正阴极射线管图像几何缺陷的磁装置
专利汇可以提供用于修正阴极射线管图像几何缺陷的磁装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且用于 阴极 射线管南/北几何修正的一种偏转线圈，所述 阴极射线管 包括一对 水 平偏转线圈(3)和一对垂直偏转线圈(4)，两对线圈由隔离器(2)相互隔离；至少部分 覆盖 偏转线圈并有向外展开的前部的 铁 氧 体环(5)，所述偏转线圈包括，在它的前部区域的至少一对磁装置，用来局部改变在所述前部区域中的 磁场 并修正显示在显像管屏幕上的图像的几何形状，磁装置被安排在空间中使得平面(P)包含偏转线圈的纵轴(Z)和磁装置的对称轴(Y)，平面(P)上的点M对应所述装置最小坐标的点。环与(P)的相交部分至少部分地在它的前部中，位于由通过M与Z垂直的射线(D1)和通过M与(D1)成45° 角 的射线(D2)所限定的区域之外。，下面是用于修正阴极射线管图像几何缺陷的磁装置专利的具体信息内容。
1、一种用于阴极射线管的偏转线圈，所述阴极射线管包括一对水 平偏转线圈(1)和一对垂直偏转线圈(2)，两对线圈由隔离器(3)相 互隔离，至少部分覆盖偏转线圈并有向外展开的前部的铁氧体环(10)， 所述偏转线圈包括，在它的前部区域的至少一对磁修正装置(8，30，31)， 用来局部改变偏转线圈在所述前部区域中产生的磁场，
其特征在于磁装置被安排在空间中使得平面(P)包含偏转线圈的纵 轴(Z)和磁装置的对称轴(Y)，平面(P)上的点M对应于沿Y轴和Z轴 的坐标My和Mz的值是所述装置与平面(P)相交部分的点沿相同轴的坐 标的最小值的点。环与(P)的相交部分至少部分地在它的前部中，，位 于由通过M与Z垂直的射线(D1)和通过M与(D1)成45°角的射线(D2) 所限定的区域之外。
2、按照前一权利要求所述的偏转线圈，其特征在于这对装置的磁 装置为缠绕在磁心(31)上的线圈(30)。
3、按照权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于这对装置的磁装 置为永磁体(8)。
4、按照前一权利要求所述的偏转线圈，其特征在于射线(D2)与 铁氧体环的前面部分(22)相交。
5、按照权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于磁装置放置在6H 和12H。
6、按照权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于环的形状是对称 的。
7、一种包括按照以上任一权利要求所述的偏转线圈的阴极射线 管。
技术领域
本发明涉及用于修正阴极射线管屏幕上显示的图像中的几何缺陷的 一种磁装置，更具体的，本发明适合于具有大曲率半径面板的显像管。
背景技术
电子束在偏转装置产生的偏转场作用下扫描显像管屏幕，该偏转装 置也称为偏转线圈，固定在显像管的颈部，包括用于偏转所述电子束的 水平和垂直线圈。由铁氧体材料制成的大体为截头圆锥体形的环，通常 环绕着偏转线圈用于在合适的区域集中偏转场。
电子枪产生的三束电子束必须总是会聚在显像管屏幕上，否则经受 带来的被称为聚焦误差的误差，特别地，该误差使色彩的重现失真。为 了获得三束共面电子束的聚焦，众所周知，使用被称为自聚集象散偏转 场的电场；在自聚集偏转线圈中，由水平偏转线圈产生的磁力线通常以 枕形位于显像管屏幕边上的前部的线圈部分中。这等于在构成线圈的匝 的分布中，在线圈的前部引入很高的安匝密度的正三次谐波。
此外，由于均匀的水平和垂直磁偏转场的作用，电子束扫描的体积 呈金字塔形，其顶点与偏转线圈的偏转中心相一致且在非球屏幕表面的 交叉部分表现出被称为枕形畸变的几何缺陷。显像管屏幕的曲率半径越 大这种图像的几何畸变越大。自聚集偏转线圈产生象散偏转场使得调节 图像的南/北和东/西几何形状成为可能，特别地，部分补偿了南/北的枕形 畸变。东/西几何缺陷通常由与偏转线圈相关的电路来修正。
但是，当前向着越来越平面化，甚或是完全平面化的屏幕表面的显 像管的发展趋势增加了图像的几何问题；结果，自聚集偏转线圈不再能 完全对南/北畸变进行几何修正，此外，东/西几何缺陷需要更强的修正。
为了修正与屏幕的平直度以及显像管装备的自聚集偏转装置有关的 图像的这些枕形畸变，可以知道，要通过永磁体或者由恒定或变化电流 供电的电磁线圈形式的磁修正装置来进行。
这些磁修正装置通常为隔离器的前环所容纳，因此，位于偏转线圈 的前束之上。但是，这些解决方法不得不产生更强的修正场并引起剩余 畸变如图像对称缺陷或者影响屏幕上色彩纯度的配准(register)缺陷。
发明内容
附图说明
通过以下的描述和附图将会更好的理解本发明及其多种益处，其中：
图1示出根据现有技术放置在阴极射线管的颈部上的偏转线圈的剖面 图，
图2示出永久磁体在垂直于所述磁体的平面里产生的磁力线。
图3示出放置在根据现有技术的结构的偏转线圈前部的永磁体在垂直 于所述磁体的平面里产生的磁力线。
图4示出放置在根据本发明的结构的偏转线圈前部的永磁体在垂直于 所述磁体的平面里产生的磁力线。
图5是装有根据本发明设置的带有修正磁体的偏转线圈的剖面图。
图6描述了根据本发明放置的、与偏转线圈的铁氧体环相关的一对磁 体透视图。
图7描述了本发明的另一实施例，其中，修正装置为安装在磁心上的 线圈。
具体实施方式
偏转线圈10包括通常由电绝缘塑料制成的隔离器3隔离的一对水平偏 转线圈1和一对垂直偏转线圈2。
大体是截头圆锥体形状的环4放置在偏转线圈上，用于会聚来自阴极 射线管颈部6中的电子枪5的电子束的偏转场，所述阴极射线管的颈部大 体是圆柱体形。
偏转器10放置在显像管向外展开的部分7上面。隔离器3通常包括前 环9，特别地支撑主要为修正不可能被偏转场的象散修正的几何缺陷而设 计的修正磁体8。磁体8通常包括，作为对称面的包含了垂直偏转轴Y和纵 轴Z的平面P，其中纵轴Z是显像管的主轴。
磁体与平面P的相交部分决定了包含在所述平面中的交叉部分S和点 M，点M被定义为，在平面P中的坐标My和Mz值是S的所有点的最小值My 和最小值Mz的点。
如图6所示，修正磁体8是，例如，平行六面体套管，它主要位于水 平方向上并相关于平面YZ对称。图2所示为，沿着YZ平面剖视，没有磁 环10时，所述磁体8在该平面的不同点产生的磁场矢量20。图3描述了根 据现有技术的结构相对于磁体放置铁磁体环10，场矢量20在方向上的改 变。在平面YZ中，其中Y是环10的前端靠着的垂直线，磁体8和所述平面 的交叉部分决定了表面18。此表面的每个点与Y轴和Z轴的坐标相对应。 M点被定义为YZ平面的点，其中该点沿Y轴和Z轴的坐标My和Mz值是表 面18的所有点中沿相同坐标轴的最小值。图3给出了从M点出发垂直于Z 的射线D1和使得角(D2，D1)等于三角法中的45°角的射线D2。这样， 铁氧体环的前部22就完全包含在由两条射线D1和D2所确定的平面区域 内。看上去在这样的结构中，环10严重地干扰了磁力线，尤其是位于环 下面对应于偏转来自电子枪的电子束的装置所在的区域。为了在所述的 电子束上获得同样的效用，例如修正图像几何形状，引入的铁氧体环10 包括使用具有引入对偏转线圈前部磁场进行扰乱的高功率磁体，此外还 包括额外的生产费用。
在图4和图5所示的本发明的实施例中，磁体8具有平行六边形横截面 18；在磁体的对称YZ平面中的点M表示了所述磁体横截面中的该点的坐 标值是横截面18沿着Y轴和Z轴的点的坐标的最小值。考虑从M出发且垂 直于主轴Z的射线D1和也是从M出发并与D1成45°角的射线D2，铁氧体环 10的位置是使得位于向外展开最大位置的环的前部部分25至少部分地位 于由射线D1和D2所定界的区域26之外。
如图4所示，描述了环10的出现对磁体8产生的磁力线的影响，可以 看到，在本发明的结构中，在偏转电子枪的电子束的区域中，位于所述 铁氧体环下方的区域的磁力线相对磁体8单独产生的磁力线本质上没有改 变。这样，就可以使用便宜些的和对水平和垂直偏转线圈产生的偏转场 影响小一些的低功率的磁体。
此外，注意到此结构，直线D2与环10的端部22相交，也就是说此结 构中磁体8和环10的向外展开的前端和垂直于纵轴Z的方向成45°角，该结 构对应于寻求修正图像几何特性的正面影响与对水平和垂直偏转场的干 扰影响之间的折中的最优结构。
磁体8也可以等效的具有圆的、方的或者长方形的横截面。
在本发明的范围内，磁体8可以被放置在6H和12H，如图6所示，特 别地，这是为了修正南/北几何缺陷，或者放置在3H和9H以用于修正东/ 西几何缺陷。
在图7所示的另一实施例中，此磁性修正装置是线圈30，该线圈包括 大体位于与偏转系统的纵轴Z垂直的平面中的磁心31，所述线圈被放置在 6H-12H或者3H-9H；如果修正模式是静态的，流经线圈30的电流就是恒 定电流，产生静态修正场；在修正模式是动态的情况下，修正电流是变 化的以及例如可以与水平或者垂直偏转电流成比例。
在所描述的实施例中，环10是具有大体为圆形的前部区域22的截头 圆锥体形，使得所述环轴对称以及使得制造更为容易且降低生产费用。 但是，此结构并不局限于此，例如，为了更好地和显像管尾部封装的向 外展开的形状相吻合来最小化偏转能量，向外展开的前部的形状也可能 是方形的或者椭圆的。
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