半導体装置
阅读：940发布：2024-02-26
专利汇可以提供半導体装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且要約書 特性の変動、 素子の劣化、 形状異常または絶縁破壊に繋がる帯電現象を抑制する半導体装置を提供す る。 同一平面上に第１の領域と、 第２の領域と、 を有する半導体装置であって、 第１の領域は、 トランジ スタを有し、第２の領域は、ダミートランジスタを有し、トランジスタは、第１の配線層と、第１の 配線層の上方に配置された 酸化 物を含む半導体層と、半導体層の上方に配置された第２の配線層と、 第２の配線層の上方に配置された第３の配線層と、を有し、ダミートランジスタは、第１の配線層、 第２の配線層、半導体層、及び第３の配線層の中から選ばれた一または複数と同じ面積を有する。，下面是半導体装置专利的具体信息内容。
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