专利汇可以提供半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及 半导体 8寸晶元 薄膜 制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法。先 干 冰 微粒喷射清洗对零部件表面进行再生,利用干冰在 升华 过程中吸收 热能 形成的局部温差变化在基体及被清洗物之间产生“剪切应 力 ”,使被清洗物从基体表面迅速剥离;文丘里 喷嘴 能产生含有更多干冰微粒的二 氧 化 碳 气流; 超 声波 辅助超临界CO2清洗对零部件内表面、腔室及槽中进行再生,超临界CO2极易渗入零部件的微细孔和腔内或槽中溶解污染物,使得污染物在超临界CO2中的迁移速度很快,达到清洗的目的; 超声波 辅助进一步提高了清洗效果和效率;缩短了再生时间和成本,工艺简单,环保无污染,再生效果好且对半导体零部件无损伤,对其性能毫无影响。,下面是半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法专利的具体信息内容。
1.半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将待再生的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件用旋转夹紧装置夹紧固定;
(2)将钢瓶中的CO2气体通过文丘里喷嘴喷射出形成由CO2气体、液体和固体混合而成的高速流体到待再生的Al/Al2O3件表面进行干冰微粒喷射再生,同时以氮气作为保护气体防止水蒸气凝结到Al/Al2O3件表面,混合高速流体与Al/Al2O3件表面的有机污染物发生非弹性碰撞,将有机污染物溶解,在脱离Al/Al2O3件表面时,CO2重新固化将有机污染物剥离;
(3)干冰微粒喷射清洗后继续往Al/Al2O3件表面吹氮气10-20s;
(4)将经过步骤(3)处理后的Al/Al2O3件放入到超/兆声波装置,将钢瓶中CO2气体经加压加热形成超临界CO2流体通过喷嘴喷射到Al/Al2O3件内腔和槽中,开启超/兆声波装置电源,设置好超/兆声波装置的频率,通过超临界CO2产生振荡进行再生,直至Al/Al2O3件再生完成,含有污染物的超临界CO2经出口排出后分离超临界CO2循环利用。
2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(2)中的固体二氧化碳含量占总二氧化碳含量的8%-10%,所述固体二氧化碳的粒径为1-50μm。
3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(2)钢瓶中的CO2气体的压力为6-8MPa,纯度为5N;所述保护气体氮气的压力为0.1-1MPa,纯度为5N。
4.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(2)中文丘里喷嘴与所述Al/Al2O3件表面的夹角为30-45°。
5.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(2)中文丘里喷嘴与所述Al/Al2O3件表面的距离为10-30mm。
6.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(2)干冰微粒喷射再生的时间为15-30s。
7.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(4)中超声波频率为500KHZ-1MHZ。
8.根据权利要求1所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(4)中超临界CO2再生时CO2温度为40-60℃,压力为10-15MPa。
9.根据权利要求1或8所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(4)中超临界CO2再生的时间为1-2min。
10.根据权利要求1或8所述的半导体8寸晶元薄膜制程的TD/DRM工艺的Al/Al2O3件的再生方法,其特征在于:所述步骤(4)中加热加压形成超临界CO2时压力为7.4MPa,温度为32℃。
方法
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
基于发酵法处理多种重金属的装置及方法 | 2020-06-07 | 2 |
一种光触媒净化器 | 2020-07-25 | 2 |
等离子体与气固或气液分散系协同净化污染物的方法 | 2020-11-05 | 1 |
流通电容器和方法 | 2021-10-23 | 3 |
分离和纯化核酸的色谱设备和方法 | 2021-01-23 | 3 |
一种基于荷电喷雾的烟气污染物处理装置 | 2020-05-25 | 0 |
一种检测装置及试验方法 | 2020-06-19 | 3 |
Method to reduce contaminants from semiconductor wafers | 2022-02-01 | 0 |
Forceps plug for endoscope | 2022-02-05 | 1 |
用於以液體及/或氣體燃料運轉之氣渦輪機之具有低排放污染物之改良式預混合室與燃燒室之組合 IMPROVED COMBINATION OF A PREMIXING CHAMBER AND A COMBUSTION CHAMBER, WITH LOW EMISSION OF POLLUTANTS, FOR GAS TURBINES RUNNING ON LIQUID AND/OR GAS FUEL | 2021-12-23 | 3 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。