有机发光二极管及包括其的有机发光二极管显示器
阅读：1发布：2020-06-12
专利汇可以提供有机发光二极管及包括其的有机发光二极管显示器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 涉及 有机发光 二极管 ，其包括：第一 电极 ；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的 发光层 ；在所述第二电极与所述发光层之间的 电子 注入层；以及在所述电子注入层与所述第二电极之间的 缓冲层 ，其中所述电子注入层包含偶极材料和第一金属，以及所述缓冲层包含功函为4.0eV或小于4.0eV的金属。，下面是有机发光二极管及包括其的有机发光二极管显示器专利的具体信息内容。
1.有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；
在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；
在所述第二电极与所述发光层之间的电子注入层；
在所述电子注入层与所述第二电极之间的缓冲层，
在所述发光层与所述第一电极之间的空穴传输层；以及
在所述空穴传输层与所述第一电极之间的空穴注入层，
其中所述电子注入层包含偶极材料和第一金属，
所述缓冲层包含功函为4.0eV或小于4.0eV的金属，
所述空穴注入层包含其中功函为4.3eV或大于4.3eV的金属或非金属与卤素结合的偶极材料，
所述电子注入层中的所述偶极材料包含具有不同极性的第一组分和第二组分的组合，所述第一组分包括选自周期表的碱金属和碱土金属中的一种，并且所述第二组分包括卤素，
所述第一金属包括选自Yb、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述电子注入层中的所述偶极材料和所述第一金属被共沉积以形成一个层。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述第二电极包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其中：
所述缓冲层包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中：
所述缓冲层包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种与选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种的合金。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：
在所述发光层与所述电子注入层之间的电子传输层，
其中所述空穴传输层和所述电子传输层各自独立地包含有机材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中：
所述发光层包括发红光层、发绿光层和发蓝光层，并且
还包括在所述发蓝光层下方的辅助层。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，还包括：
在所述发红光层下方的红色共振辅助层和在所述发绿光层下方的绿色共振辅助层。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中：
所述辅助层包含由以下化学式1表示的化合物：
在化学式1中，A1、A2和A3各自独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或联苯基，并且a、b、和c各自是0至4的整数。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中：
所述辅助层包含由以下化学式2表示的化合物：
在化学式2中，a是0至3的整数，b和c各自是0至3的整数，并且X选自O、N或S，并且每个X与每个其他的X相同或不同。
11.有机发光二极管显示器，包括：
衬底；
在所述衬底上的薄膜晶体管；以及
在所述薄膜晶体管上并且联接于所述薄膜晶体管的有机发光二极管，
其中所述有机发光二极管包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；
在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；
在所述第二电极与所述发光层之间的电子注入层，
在所述电子注入层与所述第二电极之间的缓冲层，
在所述发光层与所述第一电极之间的空穴传输层；
在所述空穴传输层与所述第一电极之间的空穴注入层，
所述电子注入层包含偶极材料和第一金属，
所述缓冲层包含功函为4.0eV或小于4.0eV的金属，
所述空穴注入层包含其中功函为4.3eV或大于4.3eV的金属或非金属与卤素结合的偶极材料，
所述电子注入层中的所述偶极材料包含具有不同极性的第一组分和第二组分的组合，所述第一组分包括选自周期表的碱金属和碱土金属中的一种，并且所述第二组分包括卤素，
所述第一金属包括选自Yb、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述电子注入层中的所述偶极材料和所述第一金属被共沉积以形成一个层。
13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述第二电极包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。
14.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述缓冲层包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述缓冲层包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种与选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种的合金。
16.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，还包括：
在所述发光层与所述电子注入层之间的电子传输层，
其中所述空穴传输层和所述电子传输层各自独立地包含有机材料。
17.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述发光层包括发红光层、发绿光层和发蓝光层，并且
还包括在所述发蓝光层下方的辅助层。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，还包括：
在所述发红光层下方的红色共振辅助层和在所述发绿光层下方的绿色共振辅助层。
19.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述辅助层包含由以下化学式1表示的化合物：
在化学式1中，A1、A2和A3各自独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或联苯基，并且a、b、和c各自是0至4的整数。
20.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述辅助层包含由以下化学式2表示的化合物：
在化学式2中，a是0至3的整数，b和c各自是0至3的整数，并且X选自O、N或S，并且每个X与每个其他的X相同或不同。
有机发光二极管及包括其的有机发光二极管显示器
技术领域
[0001] 本公开内容的实施方案涉及有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光二极管显示器。
背景技术
[0002] 最近，监视器、电视等已经被制造为具有轻的重量和薄的厚度。根据最近的需求，阴极射线管(CRT)显示器已经被液晶显示器(LCD)替代。然而，LCD是需要单独背光的光-发射/接收装置，并且考虑到响应速度、视角等而存在限制。其中视角宽、对比度优良且响应时间快速的有机发光二极管显示器，作为能够克服LCD的上述最近限制的自发光型(类型)显示装置，已受到极大关注。有机发光二极管显示器包括用于发光的有机发光二极管，其中在有机发光二极管中，从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在发光层中结合以形成激子，并且激子发射光，同时释放能量。根据相关技术，阴极被用作有机发光二极管的电极，并且进行热蒸发法以形成阴极。然而，热蒸发法由于玻璃和掩膜的翘曲现象而难以应用于大面积设备中。在此背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本公开内容的背景的理解，并因此其可以包含不形成在本国中对本领域普通技术人员已经已知的现有技术的信息。发明内容
[0003] 已做出本公开内容的实施方案以试图提供有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管具有如下特征：通过确保有机发光二极管在大面积设备中的稳定性而具有高的发光效率。
[0004] 本公开内容的示例性实施方案提供了有机发光二极管，包括：面向彼此的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；在所述第二电极与所述发光层之间的电子注入层；以及在所述电子注入层与所述第二电极之间的缓冲层，其中所述电子注入层包含偶极材料和第一金属，以及所述缓冲层包含功函为4.0eV或小于4.0eV的金属。
[0005] 所述偶极材料和所述第一金属可以被共沉积以形成一个层。
[0006] 所述第一金属可以包括选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
[0007] 所述第二电极可以包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。
[0008] 所述缓冲层可以包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
[0009] 所述缓冲层可以包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种与选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种的合金。
[0011] 所述有机发光二极管还可以包括在所述发光层与所述电子注入层之间的电子传输层和在所述发光层与所述第一电极之间的空穴传输层，其中所述空穴传输层和所述电子传输层可以各自独立地包含有机材料。
[0012] 所述发光层可以包括发红光层、发绿光层和发蓝光层，并且还包括在所述发蓝光层下方的辅助层。
[0013] 所述有机发光二极管还可以包括在所述发红光层下方的红色共振辅助层和在所述发绿光层下方的绿色共振辅助层。
[0014] 所述辅助层可以包含由以下化学式1表示的化合物：
[0015]
[0016] 在化学式1中，A1、A2和A3各自可以独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃(DBF)基或联苯基，并且a、b、和c各自可以是0至4的整数。
[0017] 所述辅助层可以包含由以下化学式2表示的化合物：
[0018]
[0019] 在化学式2中，a是0至3的整数，b和c各自是0至3的整数，并且X选自O、N或S，并且每个X与每个其他的X相同或不同。
[0020] 本公开内容的另一个实施方案提供了有机发光二极管显示器，包括：衬底；在所述衬底上的薄膜晶体管；以及在所述薄膜晶体管上并且联接于所述薄膜晶体管的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；在所述第二电极与所述发光层之间的电子注入层；以及在所述电子注入层与所述第二电极之间的缓冲层，所述电子注入层包含偶极材料和第一金属，以及所述缓冲层包含功函为4.0eV或小于4.0eV的金属。
[0021] 所述偶极材料和所述第一金属可以被共沉积以形成一个层。
[0022] 所述第一金属可以包括选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
[0023] 所述第二电极可以包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。
[0024] 所述缓冲层可以包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
[0025] 所述缓冲层可以包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种与选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种的合金。
[0026] 所述偶极材料可以是具有不同极性的第一组分和第二组分的组合，所述第一组分包含选自周期表的碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属中的一种，并且所述第二组分包含卤素。
[0027] 所述有机发光二极管还可以包括在所述发光层与所述电子注入层之间的电子传输层和在所述发光层与所述第一电极之间的空穴传输层，其中所述空穴传输层和所述电子传输层可以各自独立地包含有机材料。
[0028] 所述发光层可以包括发红光层、发绿光层和发蓝光层，并且还包括在所述发蓝光层下方的辅助层。
[0029] 所述有机发光二极管还可以包括在所述发红光层下方的红色共振辅助层和在所述发绿光层下方的绿色共振辅助层。
[0030] 所述辅助层可以包含由以下化学式1表示的化合物：
[0031]
[0032] 在化学式1中，A1、A2和A3各自独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃(DBF)基或联苯基，并且a、b、和c各自是0至4的整数。
[0033] 所述辅助层可以包含由以下化学式2表示的化合物：
[0034]
[0035] 在化学式2中，a是0至3的整数，b和c各自是0至3的整数，并且X选自O、N或S，并且每个X与每个其他的X相同或不同。
[0036] 根据本公开内容的示例性实施方案，发光效率可以通过形成包含所述偶极材料和所述金属的所述电子注入层而提高。
[0037] 根据本公开内容的示例性实施方案，可以通过在所述阴极与所述电子注入层之间形成包含具有低功函的金属的所述缓冲层来减少或防止由在形成阴极时的溅射过程导致的对所述有机发光二极管的损伤。
[0040] 图1是根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管显示器的横截面视图。
[0041] 图2是图1的有机发光二极管的扩大的横截面视图。
[0042] 图3是图2的有机发光二极管的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0043] 图4和图5是图2的有机发光二极管的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
具体实施方式
[0044] 在下文，将参照附图详细地描述本公开内容的示例性实施方案。然而，本公开内容不限于本文描述的示例性实施方案，并且可以以各种不同的方式进行修改。实际上，提供下文描述的本公开内容的示例性实施方案，从而提供全面并且完整的描述，并且将本公开内容的精神完整地传递给本领域技术人员。
[0045] 在附图中，为了清楚，可以放大层和区的厚度。此外，在本申请的上下文中，在其中规定层在另一层或衬底“上”存在的情况下，该层可以直接地在另一层或衬底上，或间接地在另一层或衬底上，并且具有插入其间的其他的层。此外，在本申请的上下文中，当第一元件被称为“联接”或“连接”于第二元件时，其可以直接地联接或连接于第二元件，或间接地联接或连接于第二元件，并且其间插入一个或多个中介元件。在整个说明书中由相同的参考数字表示的部分指代相同的元件。
[0046] 图1是根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管显示器的横截面视图。图2是图1的有机发光二极管的扩大的横截面视图。
[0047] 参照图1和图2，根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管显示器包括衬底123、驱动薄膜晶体管130、第一电极160、发光二极管层170和第二电极180(第二电极面向第一电极)。在某些实施方案中，第一电极160可以是阳极电极，并且第二电极180可以是阴极电极。在其他实施方案中，第一电极160可以是阴极电极，并且第二电极180可以是阳极电极。
[0049] 此外，衬底缓冲层126可以布置在衬底123上。衬底缓冲层126用于减少或防止杂质元素向衬底中的渗透以及用于平坦化(例如平整化)衬底的表面。
[0050] 此处，衬底缓冲层126可以由各种合适的能够实现减少或防止杂质向衬底123中的渗透以及平坦化衬底123的表面的功能的材料制成。例如，硅氮化物(SiNx；1≤x≤2；例如，x＝1.33)层、硅氧化物(SiOy；1≤y≤2；例如，y＝2)层、和硅氮氧化物(SiOxNy；1≤x≤2；且1≤y≤2)层中的任一层可以用作衬底缓冲层126。然而，衬底缓冲层126不必是必需的组件，并且可以根据衬底123的类型(例如组成)和工艺条件(例如形成条件)省略衬底缓冲层126。
[0051] 驱动半导体层137形成在衬底缓冲层126上(或直接形成在衬底123上)。驱动半导体层137可以由包括多晶硅的材料制成。此外，驱动半导体层137包括其中未掺杂杂质的沟道区135，以及通过在沟道区135的两侧进行掺杂过程而形成的源区134和漏区136。此处，作为掺杂的离子材料，可以使用P型杂质，例如硼(B)，如B2H6。此处，杂质可以根据薄膜晶体管的类型(例如组成)而变化。
[0052] 由硅氮化物(SiNx；1
[0053] 同时，基本或完全地覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128形成在栅极绝缘层127上。分别暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的第一接触孔122a和第二接触孔122b形成在栅极绝缘层127和层间绝缘层128中。层间绝缘层128可以由诸如硅氮化物(SiNx；1
[0054] 此外，包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线可以布置在层间绝缘层128上。此外，驱动源电极131和驱动漏电极132通过分别在层间绝缘层128和栅极绝缘层127中形成的第一接触孔122a和第二接触孔122b中的各个孔而分别联接或连接于驱动半导体层
137的源区134和漏区136。
137的源区134和漏区136。
[0055] 如上文所述，驱动薄膜晶体管130包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132。驱动薄膜晶体管130的配置不限于上述实例，而可以修改成能够被本领域技术人员容易实践的各种合适的配置。
[0056] 此外，基本或完全地覆盖数据线的平整层124形成在层间绝缘层128上。平整层124用于通过去除阶梯(或缺陷)来提供数据线和层间绝缘层128的平整化以提高将在其上形成的有机发光二极管的发光效率。此外，平整层124具有暴露一部分驱动漏电极132的第三接触孔122c。
[0057] 平整层124可以由选自基于丙烯酸的树脂(例如聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、基于聚酰胺的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于不饱和聚酯的树脂、基于聚亚苯基的树脂、基于聚苯硫醚的树脂和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种材料制成。
[0058] 此处，根据本公开内容的示例性实施方案不限于上述的配置，并且在一些情况下，可以省略平整层124和层间绝缘层128中的任一个(或二者)。
[0059] 此处，有机发光二极管的第一电极160(例如像素电极160)布置在平整层124上。例如，有机发光二极管显示器包括为多个像素而布置的多个像素电极160(例如，像素电极中的每一个对应于像素中的各个像素)。此处，布置多个像素电极160以使得彼此间隔。像素电极160通过平整层124的第三接触孔122c联接或连接于驱动漏电极132。
[0060] 此外，其中形成有暴露像素电极160的开口部分的像素限定层125布置在平整层124上。例如，多个开口部分可以形成在像素限定层125中，并且开口部分中的每一个可以相应于像素中的各个像素。此处，可以为由像素限定层125形成的每个开口部分布置发光二极管层170。据此，其中形成有每个发光二极管层170的像素区域可以由像素限定层125限定。
[0061] 此处，像素电极160经布置以对应于像素限定层125的开口部分。然而，像素电极160不必仅布置在像素限定层125的开口部分中，并且一部分像素电极160可以布置在像素限定层125的下方，从而与像素限定层125重叠。
[0062] 像素限定层125可以由基于聚丙烯酸酯的树脂、基于聚酰亚胺的树脂和/或类似物、和/或基于硅的无机材料和/或类似物制成。
[0063] 同时，发光二极管层170布置在像素电极160上。在下文，更详细地描述发光二极管层170的结构。
[0064] 第二电极180(例如公共电极180)可以布置在发光二极管层170上。如上所述，形成包括像素电极160、发光二极管层170和公共电极180的有机发光二极管(LD)。
[0065] 此处，像素电极160和公共电极180可以分别由透明导电材料、半透射半反射导电材料或反射导电材料制成。根据用于形成像素电极160和公共电极180的材料的类型，有机发光二极管显示器可以是顶部发光型(或类型)的显示器、底部发光型(或类型)的显示器或双侧发光型(或类型)的显示器。
[0066] 对应于在根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管中包括的第二电极的公共电极180可以包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。在本示例性实施方案中，公共电极180可以通过溅射法而沉积。
[0069] 薄膜包封层121包括包封有机层121a和121c和包封无机层121b和121d，其逐一交替地堆叠。在图1中以实例的方式示出其中包封有机层121a和121c和包封无机层121b和
121d被逐一交替地堆叠以形成薄膜包封层121的情况。然而，薄膜包封层不限于此。
121d被逐一交替地堆叠以形成薄膜包封层121的情况。然而，薄膜包封层不限于此。
[0070] 在下文，参照图2描述根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管。
[0071] 参照图2，根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管(在图1中由圆形X表示的部分)包括其中依次堆叠(例如以所规定的顺序堆叠)第一电极160、空穴传输层174、发光层175、电子传输层177、电子注入层179和第二电极180的结构。
[0072] 当第一电极160是阳极时，第一电极160的材料可以选自具有高功函的材料，以使空穴注入容易地进行。第一电极160可以是透明电极或非透明电极(例如反射电极)。当第一电极160是透明电极时，第一电极160可以通过使用导电氧化物或金属而形成为薄的厚度，所述导电氧化物例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其组合，所述金属例如铝、银和/或镁。当第一电极160是非透明电极时，第一电极160可以通过使用诸如铝、银和/或镁的金属而形成。
[0073] 第一电极160可以形成为具有包含不同类型的材料的分层结构(例如包括两层或多于两层)。例如，第一电极160可以形成为具有其中依次堆叠氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)的结构。
[0074] 第一电极160可以通过使用溅射法、真空沉积法等而形成。
[0075] 空穴传输层174布置在第一电极160上。空穴传输层174可以用于平稳地传输从第一电极160传送的空穴。空穴传输层174可以包含有机材料。例如，空穴传输层174可以包含N,N'-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(NPD)、N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺(TPD)、s-TAD、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)等，但是空穴传输层不限于此。
[0076] 此处，空穴传输层174可以具有15nm至25nm的厚度。例如，空穴传输层174可以具有20nm的厚度。空穴传输层174可以通过改变在本示例性实施方案中描述的空穴传输层174而形成为包含空穴注入材料的空穴传输/空穴注入层。空穴传输/空穴注入层可以形成为单
层。
层。
[0077] 发光层175布置在空穴传输层174上。发光层175包含显示某种颜色的发光材料。例如，发光层175可以显示基本色，例如蓝色、绿色或红色，或其组合。
[0079] 当发光层175发射红光时，发光层175可以由包含主体材料和至少任一种掺杂剂的磷光材料制成，所述主体材料包括咔唑联苯(CBP)或1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)，所述至少任一种掺杂剂选自PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)和PtOEP(八乙基卟啉铂)，并且在另一方面，发光层175可以由包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝的荧光材料制成，但是发光层不限于此。
[0080] 当发光层175发射绿光时，发光层175可以由包含主体材料并包含掺杂剂材料的磷光材料制成，所述主体材料包括CBP或mCP，所述掺杂剂材料包括Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)铱)，并且在另一方面，发光层175可以由包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料制成，但是发光层不限于此。
[0081] 当发光层175发射蓝光时，发光层175可以由包含主体材料和掺杂剂材料的磷光材料制成，所述主体材料包括CBP或mCP，所述掺杂剂材料包括(4,6-F2ppy)2Irpic。在另一方面，发光层175可以由荧光材料制成，所述荧光材料包括选自螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙烯基苯(DSB)、联苯乙烯基亚芳基(DSA)、基于PFO的聚合物和基于PPV的聚合物中的任一种，但是发光层不限于此。
[0082] 电子传输层177布置在发光层175上。电子传输层177可以将电子从第二电极180传送至发光层175。此外，电子传输层177可以防止从第一电极160注入的空穴传递经过发光层175并移动至第二电极180(或可以减少空穴的这样的移动)。例如，电子传输层177用作空穴阻挡层以有助于促进发光层175中的空穴和电子的结合。
[0083] 此处，电子传输层177可以包含有机材料。例如，电子传输层177可以由选自Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq中的至少任一种制成，但是电子传输层不限于此。
[0084] 电子注入层179布置在电子传输层177上。电子注入层179可以促进从第二电极180至电子传输层177的电子注入。在本示例性实施方案中，电子注入层179包含偶极材料和第一金属。此处，偶极材料和第一金属可以被共沉积以形成一个层。第一金属可以包括选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。
[0085] 偶极材料是具有不同极性的第一组分和第二组分的组合，第一组分包括选自元素周期表的碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属中的至少一种，并且第二组分包括卤素。例如，第一组分可以是选自Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr和Ba中的一种元素，并且第二组分可以是选自F、Cl、Br和I中的一种元素。此处，当偶极材料被离子化时，第一组分可以是成为正离子(阳离子)的元素并且第二组分可以是成为负离子(阴离子)的元素。
[0086] 在本示例性实施方案中，电子注入层179的厚度经考虑到加工余量而具有5埃的最小值，并且经考虑到实现作为电子注入层的功能的困难性而具有50埃 的最大值，并且因此，电子注入层179具有5埃 至50埃 的厚度。然而，电子注入层的厚度可以是10
埃 至20埃
埃 至20埃
[0087] 缓冲层(BL)布置在电子注入层179上。根据本公开内容的示例性实施方案的缓冲层(BL)可以包含功函为4.0eV或小于4.0eV的金属。缓冲层可以包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种。在另一个示例性实施方案中，缓冲层可以包含选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种与选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种的合金。
[0088] 在本示例性实施方案中，缓冲层(BL)的厚度经考虑到加工余量而具有5埃 的最小值，并且为了电子注入而具有100埃 的最大值，并且因此，缓冲层(BL)具有5埃 至
100埃 的厚度。然而，缓冲层的厚度可以是10埃 至40埃
100埃 的厚度。然而，缓冲层的厚度可以是10埃 至40埃
[0089] 第二电极180布置在缓冲层(BL)上。对应于在根据本公开内容的示例性实施方案的有机发光二极管中包括的第二电极的公共电极180可以包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。公共电极的厚度可以是约30埃 至300埃在本示例性实施方案中，公共电极180可以通过溅射法而沉积。
[0090] 图3是图2的有机发光二极管的部分改变的示例性的实施方案的横截面视图。
[0091] 参照图3，示出阴极182结构，在阴极182结构中根据图2的示例性实施方案的有机发光二极管(LD)的缓冲层(BL)和阴极182形成为一个复合层。在本示例性实施方案中，阴极182可以包含第一材料和第二材料的合金，所述第一材料包括选自Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu中的至少一种，所述第二材料包含选自Ag、Al、Mg、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In、Sn、Ru、Mo和Nb中的至少一种。阴极182可以通过第一材料和第二材料的共沉积而形成。
[0092] 除了上述的差异之外，关于图2的描述也可以应用于图3的示例性实施方案。因此，此处将不再重复可以与图2的相应特征相同或基本相同的图3的特征的进一步描述。
[0094] 表1
[0095]
[0096] 在表1中，比较例1、比较例2和比较例3对应于以下情况，其中电子注入层分别由Liq、Yb和Yb:LiF制成，而不形成缓冲层，并且阴极由厚度为90埃 的MgAg(比较例1)或厚度为90埃 的Ag(比较例2和3)制成。比较例4对应于以下情况，其中缓冲层由LiF制成，电子注入层由Yb制成，并且阴极由厚度为90埃 的Ag制成。比较例5对应于以下情况，其中缓冲层由厚度为20埃 的Yb:LiF制成，电子注入层由厚度为50埃 的Yb制成，并且阴极由厚度为150埃 的Ag制成。
[0097] 本公开内容的实施例对应于以下情况，其中缓冲层由厚度为20埃 的Yb:LiF制成，电子注入层由厚度为50埃 的Yb制成，并且阴极由厚度为150埃 的Ag制成。
[0098] 此处，比较例1至比较例5的所有薄膜(例如：阴极)通过垂直热蒸发(VTE)法形成，并且示例性实施方案的薄膜(例如：阴极)通过溅射法形成。
[0099] 参照表1，可以确认的是，与比较例1至5相比，在本公开内容的实施例中的效率(蓝色二极管的效率)得到改善，同时保持与比较例1至5相同的电流密度。
[0100] 图4和图5是图2的有机发光二极管的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。
[0101] 参照图4，示出其中空穴注入层172被加入至根据图2的示例性实施方案的有机发光二极管(LD)的结构。在本示例性实施方案中，空穴注入层172布置在空穴传输层174与第一电极160之间。空穴注入层172使得空穴容易地从第一电极160注入至空穴传输层174。本示例性实施方案中的空穴注入层172可以包含其中功函为4.3eV或大于4.3eV的金属或非金属与卤素结合的偶极材料。然而，空穴注入层172在形成材料方面不受限制，并且可以由其他的无机材料或有机材料制成。
[0102] 功函为4.3eV或大于4.3eV的金属或非金属可以是选自Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W和Zn中的一种元素。
[0103] 除了上述差异之外，关于图2的描述也可以应用于图4的示例性实施方案。因此，此处不再重复可以与图2的相对应的特征相同的或基本相同的图4的特征的进一步描述。
[0104] 参照图5，示出修改的示例性实施方案，其中修改了图2中示出的有机发光二极管(LD)的发光层175。例如，本示例性实施方案中的发光层175可以包括发红光层(R)、发绿光层(G)和发蓝光层(B)，并且用于提高发蓝光层(B)的效率的辅助层BIL可以布置在发蓝光层(B)的下方。
[0105] 发红光层(R)可以具有约30nm至50nm的厚度，发绿光层(G)可以具有约10nm至30nm的厚度，并且发蓝光层(B)可以具有约10nm至30nm的厚度。布置在发蓝光层(B)下方的辅助层(BIL)可以具有约20nm或小于20nm的厚度。辅助层(BIL)可以用于通过控制空穴电荷平衡来提高发蓝光层(B)的效率。辅助层(BIL)可以包含由以下化学式1表示的化合物：
[0106]
[0107] 在化学式1中，A1、A2和A3各自可以独立地为H、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃(DBF)基或联苯基，并且a、b、和c各自可以是0至4的整数。
[0108] 由以上化学式1表示的化合物的实例可以包括由以下化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5和1-6表示的化合物：
[0109]
[0110]
[0111]
[0112] 根据另一个示例性实施方案，辅助层(BIL)可以包含由以下化学式2表示的化合物：
[0113]
[0114] 在化学式2中，a可以是0至3的整数，b和c各自可以是0至3的整数，并且X可以选自O、N或S，并且每个X可以彼此相同或彼此不同(例如，与每个其他的X相同或不同)。
[0115] 由化学式2表示的化合物的实例可以包括由以下化学式2-1至2-6表示的化合物：
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120] 根据另一个示例性实施方案，辅助层(BIL)可以包含由以下化学式3表示的化合物：
[0121]
[0122] 在化学式3中，A1可以是烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃(DBF)基，L1和L2各自可以是 (n是0至3)，并且结合或连接于各个L1和L2的DBF可以被咔唑基或二苯并噻吩基取代。
[0123] 在下文，描述了根据本公开内容的示例性实施方案的辅助层(BIL)的合成方法。例如，描述了以下化学式1-1的合成方法。
[0124]
[0125] 合成例
[0126] 将4-二苯并呋喃硼酸(6.3g)、4,4',4”-三溴三苯胺(4.8g)、四(三苯基膦)钯((PdPPh3)4)(104mg)、2M碳酸钠(Na2CO3)溶液(48ml)和甲苯(48ml)在氩气气氛下放置入三颈烧瓶(300毫升)中，并且在80℃反应8小时。反应溶液用甲苯/水萃取，并且经无水硫酸钠干燥以获得产物。将所获得的产物在减压下浓缩，并且所获得的粗产物经柱纯化以获得灰白色粉末(3.9g)。
[0127] 如图5中所示，红色共振辅助层(R')可以布置在发红光层(R)的下方，并且绿色共振辅助层(G')可以布置在发绿光层(G)的下方。红色共振辅助层(R')和绿色共振辅助层(G')是为各自的颜色(例如红色或绿色)设置共振的距离(共振距离)的层。在一些实施方案中，不包括蓝色共振辅助层。例如，在对应于发红光层(R)或发绿光层(G)的发蓝光层(B)以及辅助层(BIL)的下方可以不形成布置在空穴传输层174与发蓝光层(B)之间(以及在空穴
传输层174与辅助层(BIL)之间)的单独的共振辅助层。在某些实施方案中，BIL物理地接触空穴传输层174。
传输层174与辅助层(BIL)之间)的单独的共振辅助层。在某些实施方案中，BIL物理地接触空穴传输层174。
[0128] 在图5中示出的实施方案中，空穴注入层172可以形成在第一电极160与空穴传输层174之间，如在图4的示例性实施方案中所示出的。
[0129] 除了上述差异之外，根据图2的描述也可以应用于图5的示例性实施方案。
[0130] 尽管与目前认为可行的示例性实施方案相关联地描述了本公开内容的实施方案，但应理解，本公开内容不限于所公开的实施方案，而是相反，意图覆盖包括在所附的权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置，及其等同物。
[0131] 附图标记说明
[0132] 160 第一电极 172 空穴注入层
[0133] 174 空穴传输层 175 发光层
[0134] 177 电子传输层 179 电子注入层
[0135] 180 第二电极 BIL 辅助层
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种α-蒎烯加氢反应的绿色催化方法 | 2020-06-30 | 0 |
| 一种用于面部保湿乳膏的变性淀粉及其生产工艺 | 2020-09-15 | 1 |
| 一种含氨基寡糖素和香芹酚的香蕉保鲜剂 | 2021-01-06 | 0 |
| 右，后处理相对简单，实现了绿色化学合成的节一种离子液体催化合成1,3,5-三取代基-2- 能高效。吡唑啉衍生物的绿色方法 | 2021-01-20 | 2 |
| 一种新型防晒护肤品的制备方法 | 2023-04-13 | 1 |
| 一种绿色建筑用环保型涂料 | 2020-10-16 | 0 |
| 一种FeZSM-5分子筛及其合成方法 | 2020-11-02 | 1 |
| 一种白萝卜高产种植方法 | 2021-02-12 | 2 |
| 两步固相化学反应制备负温度系数热敏陶瓷材料的方法 | 2021-08-12 | 0 |
| 一种N,N-二烷基对苯二胺的合成方法 | 2021-07-27 | 2 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈