一种带包封的芯片封装结构与实现工艺
专利汇可以提供一种带包封的芯片封装结构与实现工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种带包封的芯片封装结构与实现工艺，其工艺流程如下：提供 晶圆 ；对晶圆背面进行减薄；翻膜后在所述晶圆功能面进行线路引出，形成金属布线层；在线路层上涂覆一层绝缘层；在该绝缘层上 刻蚀 出植球焊盘并植焊球；再次翻膜后对晶圆进行切割；在晶圆的背面 覆盖 一层绝缘层，同时，也会将切割道进行填充；将晶圆进行切割分离成单个芯片，形成六面包覆结构。该带包封的芯片封装结构可以改善产品生产过程中对 硅 造成的不良影响，如吸潮、分层或其他破损，提升芯片保护等级，减少包封材料CTE差距对芯片造成的影响。进而改善产品的可靠性，提高产品良率。，下面是一种带包封的芯片封装结构与实现工艺专利的具体信息内容。
1.一种带包封芯片封装结构，其特征在于：该封装结构包括：芯片单元(9)及包覆芯片单元的第一绝缘层(6)和第二绝缘层(8)，芯片单元(9)的底部及两侧被第二绝缘层(8)包裹，芯片单元(9)的顶部被第一绝缘层(6)包裹；所述芯片单元(9)包括含有集成电路功能层的硅片(1)和氧化层(7)，含有集成电路功能层的硅片(1)位于芯片单元(9)的下方；所述氧化层(7)置于含有集成电路功能层的硅片(1)的上方；所述氧化层(7)中有若干PIN脚(2)。
2.根据权利要求1所述的一种带包封芯片封装结构，其特征在于：所述PIN脚(2)为金属引脚。
3.根据权利要求1所述的一种带包封芯片封装结构，其特征在于：第一绝缘层(6)、第二绝缘层(8)的材料为聚酰亚胺或聚苯并噁唑或苯并环丁烯。
4.根据权利要求1所述的一种带包封芯片封装结构，其特征在于：第一绝缘层(6)、第二绝缘层(8)的厚度范围由所封装的芯片单元(9)厚度决定。
5.一种基于权利要求1所述的带包封芯片封装结构的实现工艺，其特征在于：形成六面包覆结构的工艺流程如下，
1)提供晶圆；
2)在晶圆的功能面进行线路引出，形成金属布线层(3)，金属布线层(3)为单层金属或多层金属；若为多层金属，则金属布线层(3)的材质为铝、铜、镍、金中的一种或多种合金；
3)在相邻芯片之间的切割道(4)之间进行预切割；
4)在晶圆的功能面填充一层第一绝缘层(6)，同时材料也会填充入切割道(4)内；
5)在绝缘层刻蚀出植球焊盘并植焊球(5)；
6)将植焊球后的晶圆翻膜后在背面进行研磨，研磨深度超过预切割终点位置；
8)在晶圆的背面覆盖一层第二绝缘层(8)；第二绝缘层(8)与第一绝缘层(6)的材质相同或不同；
9)将晶圆进行切割分离成单个芯片单元，形成六面包覆结构。
6.一种基于权利要求1所述的带包封芯片封装结构的实现工艺，其特征在于：形成六面包覆结构的工艺流程如下，
1)提供晶圆；
2)对晶圆背面进行减薄；
3)翻膜后在所述晶圆功能面进行线路引出，形成金属布线层(3)；
4)在线路层上(3)涂覆一层第一绝缘层(6)；
5)在该绝缘层刻蚀出植球焊盘并植焊球(5)；
6)再次翻膜后对晶圆进行切割；
7)在晶圆的背面覆盖一层第二绝缘层(8)；同时，也会将切割道(4)进行填充；第二绝缘层(8)的与第一绝缘层(6)的材质相同或不同；
8)将晶圆进行切割分离成单个芯片单元，形成六面包覆结构。
7.根据权利要求5所述的带包封芯片封装结构的实现工艺，其特征在于：在步骤3)中预切割的深度为0.1～750μm。
8.根据权利要求5所述的带包封芯片封装结构的实现工艺，其特征在于：所述步骤3)中的切割方式为刀切割或激光切割。
9.根据权利要求5所述的带包封芯片封装结构的实现工艺，其特征在于：金属布线层(3)为单层金属或多层金属；若为多层金属，则金属布线层的材质为铝、铜、镍、金中的一种或多种的合金。
一种带包封的芯片封装结构与实现工艺
技术领域
发明内容
具体实施方式
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