专利汇可以提供一种减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种减少绕 镀 和色差的PERC 太阳能 电池 制作方法,包括制绒、扩散、 正面 激光、 刻蚀 、 退火 、背面沉积 钝化 膜、正面沉积减反膜、背面激光、丝网印刷和 烧结 步骤,所述背面沉积钝化膜步骤在 硅 片 背面依次沉积背面 氧 化 铝 膜、背面氧化硅膜、第一层背面氮化硅膜,在所述正面沉积减反膜步骤之后、所述背面激光步骤之前增加背面沉积第二层氮化硅膜步骤,所述背面沉积第二层氮化硅膜步骤在 硅片 背面沉积折射率低但膜厚较厚的第二层背面氮化硅膜。采用本方法制成的电池片,正面外观 颜色 较深且偏黑,边缘绕镀较少,正面膜色均匀无色差出现,能满足黑 背板 组件对电池片正面外观膜色严苛的要求。,下面是一种减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法专利的具体信息内容。
1.一种减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面沉积钝化膜、正面沉积减反膜、背面激光、丝网印刷和烧结步骤,其特征在于:所述背面沉积钝化膜步骤在硅片背面依次沉积背面氧化铝膜、背面氧化硅膜、第一层背面氮化硅膜,在所述正面沉积减反膜步骤之后、所述背面激光步骤之前增加背面沉积第二层氮化硅膜步骤,所述背面沉积第二层氮化硅膜步骤在硅片背面沉积折射率低但膜厚较厚的第二层背面氮化硅膜。
2.如权利要求1所述的减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,其特征在于:所述背面沉积钝化膜步骤形成的所述背面氧化铝膜厚度为5至15纳米,背面氧化硅膜的厚度为
12至35纳米。
3.如权利要求1所述的减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,其特征在于:所述背面沉积钝化膜步骤形成的第一层背面氮化硅膜为折射率高膜厚偏低的膜层,所述第一层背面氮化硅膜折射率为2.18至2.25、膜厚为10至30纳米。
4.如权利要求1所述的减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,其特征在于:所述第二层背面氮化硅膜折射率为1.95至2.05、膜厚为30至80纳米。
5.如权利要求1所述的减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,其特征在于:所述正面沉积减反膜步骤在硅片正面依次沉积高折射率的第一层正面氮化硅膜、低折射率的第二层正面氮化硅膜、折射率低于所述第二层正面氮化硅膜的第一层正面氮氧化硅膜、折射率低于所述第一层正面氮氧化硅膜的第二层正面氮氧化硅膜、折射率低于所述第二层正面氮氧化硅膜的正面氧化硅膜。
6.如权利要求5所述的减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,其特征在于:所述第一层正面氮化硅膜折射率为2.15至2.25、膜厚为12至24纳米,所述第二层正面氮化硅膜折射率为1.95至2.10、膜厚为32至55纳米,所述第一层正面氮氧化硅膜折射率为1.85至
1.95、膜厚为5至20纳米,所述第二层正面氮氧化硅膜折射率为1.61至1.82、膜厚为5至20纳米,所述正面氧化硅膜折射率为1.31至1.52、膜厚为5至20纳米。
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