一种硅片晶圆划片后检测工艺
专利汇可以提供一种硅片晶圆划片后检测工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 具体涉及一种 硅 片 晶圆 划片后检测工艺，包括以下步骤：步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在 显微镜 下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效 电路 区中是否有缺 角 ,裂缝， 钝化 层受损，擦伤和沾污等的芯片；步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割 位置 等；步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。本发明的一种 硅片 晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，提高了产品 质量 ，降低企业的生产成本。，下面是一种硅片晶圆划片后检测工艺专利的具体信息内容。
1.一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角， 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片，所述如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常；
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；
步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；
步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，在步骤2中，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。
一种硅片晶圆划片后检测工艺
技术领域
背景技术
发明内容
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；
步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；
步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
具体实施方式
步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；
步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；
步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。
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