专利汇可以提供一种MEMS器件及其制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种MEMS器件,包括MEMS器件上 电极 (2)、 隔热 结构层(1)及MEMS器件下电极(3),MEMS器件下电极(3)中设有 硅 柱(3b),硅柱的下端与MEMS器件上电极(2)中的 锚点 (2b)对应键合连接、上端与MEMS器件下电极(3)中的金属引线(4)连接,实现垂直引线。本发明的一种MEMS器件,可以通过现有的技术手段按照本发明的步骤即可生产出来,在不需要改变器件结构的情况下,通过添加一独立的隔离结构来达到有效降低热应 力 、提高器件性能的效果,该热隔离结构简单、易于加工,制作完成后直接与器件层键合即可,大大提高了封装产品的可靠性和器件性能;实现器件垂直引线,缩小芯片体积,减小寄生电容,更高的传输速率及低功耗。,下面是一种MEMS器件及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种MEMS器件,包括MEMS器件上电极(2),MEMS器件上电极的底面键合隔热结构层(1)、MEMS器件上电极的上面键合MEMS器件下电极(3),其特征在于:MEMS器件下电极(3)中设有一组带有绝缘结构的硅柱(3b),硅柱下端与MEMS器件上电极中的锚点(2b)对应键合连接,MEMS器件下电极(3)顶层的埋氧层(3e)中制作与硅柱连接的金属引线(4),所述每个硅柱(3b)上端与器件结构下电极(3)中的金属引线(4)对应连接。
2.一种MEMS器件的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
a. 隔热结构层(1)的制作:在双抛片中部光刻制作浅腔(1a),双抛片硅衬底的四个拐角形成键合面(1b),浅腔(1a)的位置对应MEMS器件上电极中的可动部件;
b. MEMS器件下电极(3)的制作:在SOI硅片上制作浅腔(3c)、键合面(3a)以及硅柱(3b),制作刻蚀掩膜层,沿着硅柱(3b)圆柱面进行深环槽(3d)刻蚀直至SOI硅片的埋氧层(3e),形成硅柱(3b)结构,在深环槽(3d)及硅柱(3b)的表面制作电隔离绝缘层(3f),最后在深环槽中填充填充物(3h);
c. MEMS器件上电极(2)的制作:将热隔离结构层(1)的硅衬底的四个拐角的键合面(1b)与采用SOI硅片键合,刻蚀该SOI硅片衬底层和埋氧层,释放可动结构形成可动结构(2c)、锚点(2a),形成MEMS器件上电极(2);
d.将MEMS器件上电极(2)与MEMS器件下电极(3)中对应的键合面硅硅键合,同时MEMS器件下电极(3)中的硅柱与MEMS器件上电极中的锚点也硅硅键合,然后去除MEMS器件下电极(3)中顶层硅,光刻打开埋氧层,制作引线孔(4a),溅射金属,光刻制作金属引线(4),合金。
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