权利要求

本発明は有機電界発光素子又は有機太陽電池素子に用いられる材料に関する。

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。 有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。 真空蒸着法は積層化が容易であるため、陽極及び／又は陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。 一方、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を含有させることが容易である等の利点がある。

しかしながら、湿式成膜法は積層化が困難であるため、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性が低く、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。 特に、湿式成膜法で有機薄膜を積層する際には、有機電界発光素子材料に長鎖アルキル基を導入する等して、塗布溶媒に対する溶解性を付与することが求められる。 また、有機薄膜上に、さらに湿式成膜法にて異なる有機薄膜（上層）を形成する場合には、上層成膜用の塗布溶液に対して、下層に含まれる有機電界発光素子材料が不溶性であることも求められる。 従来、このような積層を行なう場合には、下層に含まれる有機電界発光素子材料に架橋性基等を導入し、下層を成膜後、加熱処理やエネルギー照射等により架橋性基を架橋させ、上層成膜用の塗布溶液に対して不溶化させる方法等が採用されていた。 例えば非特許文献１及び非特許文献２では、下記のような架橋性基を有する化合物が提案され、架橋性基が反応することによって有機溶媒に不溶となる有機薄膜の積層方法が提案されている。

しかしながら、上記方法では、有機薄膜中に長鎖アルキル基や、架橋性基が残留することとなる。 このような長鎖アルキル基や架橋性基は、電荷輸送効率の低下や、有機電界発光素子の発光効率の低下、駆動安定性の低下を招く場合がある、という課題があった。

また、有機薄膜が積層された構造を有する素子に用いられる有機絶縁膜や、有機薄膜を積層した構成とされる有機太陽電池、カラーフィルター用着色レジスト、カラーフィルター用透明レジスト、有機ＴＦＴ材料、電子写真感光体等に用いられる材料においても同様の課題があった。

そこで、湿式成膜法による成膜が可能であり、成膜後の膜安定性が高く、他の層を湿式成膜法等により積層可能であり、かつ電荷輸送効率や発光効率の低下が少なく、駆動安定性に優れた、有機電界発光素子材料として用いられる重合体や発光層材料等の提供が望まれていた。

本発明者らの鋭意研究により、熱解離可溶性基を有する重合体や発光層材料は、湿式成膜の際、塗布溶媒に可溶であり、湿式成膜後に加熱を行なうことによって、他の塗布溶液等に不溶化可能であることを見出し、本発明に至った。

本発明の要旨は、熱解離可溶性基を有することを特徴とする、重合体、電子デバイス用組成物、有機電界発光素子、有機太陽電池素子、並びに有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明に存する。
本発明の別の要旨は、熱解離可溶性基を有する低分子化合物からなることを特徴とする、発光層材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、並びに有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明に存する。
更に、本発明の別の要旨は、分子内に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を有する化合物であって、前記芳香族炭化水素環または前記芳香族複素環に縮合した炭化水素環に熱解離可溶性基が結合している部分構造を有する化合物を加熱して得られることを特徴とする、有機電界発光素子材料に存する。

また、本発明のさらに別の要旨は、下記繰り返し単位群Ｘから選ばれる少なくとも一つの繰り返し単位を含むことを特徴とする、重合体に存する。

本発明の重合体や発光層材料は、熱解離可溶性基が結合している部分構造を有することから、湿式成膜の際に塗布溶媒に可溶なものとすることができる。 またさらに、成膜後の加熱により該熱解離可溶性基が解離するため、他の塗布溶媒等に対する溶解性を大幅に低下させることができる。 したがって、重合体や発光層材料を用いて形成された有機層上に、他の有機層を、例えば湿式成膜法等により積層することも可能である。
また本発明の重合体や発光層材料は、分子内に、塗布溶媒へ可溶化するための長鎖アルキル基や、他の溶媒に不溶化するための架橋性基を含む必要性が少ない。 したがって、該重合体や発光層材料を有機電界発光素子材料として用いて形成した有機電界発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低い等の駆動安定性に優れる。

本発明の有機電界発光素子の一例を示す概略断面図である。

本発明の実施例及び比較例で作製した測定用素子の層構成を模式的に示す断面図である。

本発明の実施例８及び比較例３において測定した電流−電圧特性を示す図である。 なお、縦軸は電流密度［Ａ／ｃｍ

^２ ］を表し、横軸は電圧［Ｖ］を表す。

本発明の有機太陽電池素子の一例を示す概略断面図である。

以下に例示する物や方法等は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を逸脱しない限り、これらの内容に特定はされない。
尚、本願発明において、重合体とは、構造中に２価の繰り返し単位を複数含み、分子量分布をもつものを示す。 一方、分子量が単一な化合物を、低分子化合物と示すものとする。
また、本発明の重合体を含む電子デバイス用組成物中、有機電界発光素子用組成物を、「有機電界発光素子用組成物Ａ」とし、本発明の発光層材料を含む組成物を「有機電界発光素子用組成物Ｂ」とする。 「本発明の有機電界発光素子用組成物」は、有機電界発光素子用組成物Ａと有機電界発光素子用組成物Ｂの総称である。

Ａ． 重合体 本発明の重合体は、熱解離可溶性基を有することを特徴とし、例えば有機電界発光素子材料等として用いることができる。 具体例としては、有機電界発光素子の正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、ホスト材料、電子注入材料、電子輸送材料等として適用可能であり、好ましくは湿式成膜法により形成される層に用いられる。

重合体の重量平均分子量は、通常３，０００，０００以下、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは５００，０００以下であり、また通常１，０００以上、好ましくは２，５００以上、より好ましくは５，０００以上である。

また、数平均分子量は、通常２，５００，０００以下、好ましくは７５０，０００以下、より好ましくは４００，０００以下であり、また通常５００以上、好ましくは１，５００以上、より好ましくは３，０００以上である。

通常、上記重量平均分子量はＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により決定される。 ＳＥＣ測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量が算出される。

重合体の分子量が上記上限値を超えると、不純物の高分子量化によって高分子化合物の精製が困難となる可能性がある。 また重合体の分子量が上記下限値を下回ると、成膜性が低下する可能性があり、ガラス転移温度、融点および気化温度が低下するため、耐熱性が著しく損なわれる可能性がある。

（熱解離可溶性基）
熱解離可溶性基とは、溶媒に対して可溶性を示す基であり、結合している基（例えば、炭化水素環）から７０℃以上で熱解離する基を表す。 また、熱解離可溶性基が解離することにより、重合体の溶媒への溶解度は低下する。
但し、解離後に、他の原子が結合する反応、例えば加水分解で解離する基などは除く。 加水分解で分解する基は、解離後、分子内に活性プロトンを有することになる。 この活性プロトンが素子中に存在すると、素子特性に影響する場合がある。
本発明の重合体は、２０℃〜２５℃でトルエンに通常０．１重量％以上溶解し、重合体のトルエンへの溶解性は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上である。
このような熱解離可溶性基は、炭化水素環に縮合し、該炭化水素環は極性基を有さない芳香族炭化水素環に結合していることが好ましく、逆ディールスアルダー反応により熱解離する基であることがより好ましい。
また熱解離する温度は、好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上、また好ましくは３００℃以下、さらに好ましくは２４０℃以下である。 上記範囲内であると、重合体の合成が容易であり、また成膜時に化合物が分解がすることが少ない。

また特に、分子間のスタッキングを抑制する立体構造を有する基が可溶性に優れるため好ましい。 化合物から熱解離可溶性基が脱離する反応の一例を下記に示す。

尚、上記反応式の場合、熱解離可溶性基は、以下に示す構造の丸枠で囲った部分である。

このような熱解離可溶性基の脱離の例としては、例えば脱スルフィニルアセトアミド（ＪＡＣＳ，Ｖ１２４，Ｎｏ．３０，２００２，８８１３参照）、脱オレフィン、脱アルコール、脱アルキル（Ｈ．Ｋｗａｒｔ ａｎｄ Ｋ．Ｋｉｎｇ，Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｄｅｌａｗａｒｅ，Ｎｅｗｏｒｋ，Ｄｅｌａｗａｒｅ １９７７１，ｐ４１５−４４７（１９６７），Ｏ．Ｄｉｅｌｓ ａｎｄ Ｋ．Ａｌｄｅｒ，Ｂｅｒ．，６２，５５４（１９２９）及びＭ．Ｃ．Ｋｌｏｅｔｚｅｌ，Ｏｒｇ．Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ，４，６（１９４８）参照）、脱１，３−ジオキソール（Ｎ．Ｄ．Ｆｉｅｌｄ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８３，３５０４（１９６１）参照）、脱ジエン（Ｒ．Ｈｕｉｓｇｅｎ，Ｍ．Ｓｅｉｄｅｌ，Ｇ．Ｗａｌｌｂｉｌｌｉｃｈ，ａｎｄ Ｈ．Ｋｎｕｐｆｅｒ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，１７，３（１９６２）参照）、脱イソキサゾール（Ｒ．Ｈｕｉｓｇｅｎ ａｎｄ Ｍ，Ｃｈｒｉｓｔｉ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔｅｒｎ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．，５，４５６（１９６７）参照）、脱トリアゾール（Ｒ．Ｋｒｅｈｅｒ ａｎｄ Ｊ．Ｓｅｕｂｅｒｔ，Ｚ．Ｎａｔｕｒｆｏｒａｃｈ．，２０Ｂ，７５（１９６５）参照）等が挙げられる。
本発明においては特に、熱解離可溶性基が結合する炭化水素環が、エテノ基またはエタノ基を含む環であることが、熱解離可溶性基がより安定であり、合成がし易い点で好ましい。

このような熱解離可溶性基は、加熱処理前において、その嵩高い分子構造から、分子間のスタッキングを防止したり、有機塗布溶媒に対して該重合体が良好な溶解性を有するものとすることができる。 また、加熱処理によって該重合体から熱解離可溶性基が脱離するため、加熱後の化合物の溶媒への溶解性を著しく抑制することができ、該化合物を含む有機層に耐有機溶媒塗布性を付与することが出来る。 したがって、本発明の重合体を用いて形成された有機層上に、さらに湿式成膜法によって有機薄膜を積層して形成することが容易となる。

また、従来の多層塗布の際に用いられてきた重合体のように、分子内に塗布溶媒への溶解性を高めるための長鎖アルキル基や、他の有機溶媒への耐性を付与するための架橋基等が必要なく、これらを有さないものとすることができる。 したがって、従来の有機電界発光素子材料として用いられていた重合体とは異なり、成膜後（加熱後）、熱架橋性基や長鎖アルキル基が有機層内に残存しないものとすることができ、有機電界発光素子の発光効率や寿命の低下等が生じることがなく、素子安定性が良好となる。

［熱解離可溶性基の割合］
熱解離可溶性基は、該重合体の繰り返し単位以外の部分に含まれていてもよい。 重合体の１つの重合体鎖の中に含まれる熱解離可溶性基は、好ましくは平均５以上、より好ましくは平均１０以上、より好ましくは平均５０以上である。 この下限値を下回ると加熱前の該重合体の塗布溶媒に対する溶解性が低い場合があり、またさらに加熱後の化合物の、有機溶媒に対する溶解性の低下の効果も低くなる可能性がある。

[繰り返し単位の配列および割合等]
重合体は、その構造中に熱解離可溶性基を有するものであれば、その繰り返し単位等の構造は特に制限はないが、繰り返し単位内に芳香族環を有し、この芳香族環に縮合した炭化水素環に上記熱解離可溶性基が結合していることが好ましい。

また中でもエテノ基、あるいは、エタノ基を含む炭化水素環に熱解離可溶性基が結合している部分構造を有する繰り返し単位を含む重合体であることが、成膜性が優れる点から好ましい。
尚、エテノ基又はエタノ基が結合している炭化水素環はさらに６員環であることが好ましい。

このような重合体における繰り返し単位の配列として、特に、下記式（Ｘ）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

（式（Ｘ）中、ｍは０〜３の整数を表し、

Ａｒ

^１１及びＡｒ

^１２は各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、

Ａｒ

^１３ 〜Ａｒ

^１５は、各々独立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。

但し、Ａｒ

^１１及びＡｒ

^１２が同時に直接結合であることはない。 ）

上記式（Ｘ）中、ｍは０〜３の整数を表す。
ｍは、０であることが重合体の、有機溶媒に対する溶解性及び成膜性が高められる点で好ましい。 また、ｍが１〜３であることが、重合体の正孔輸送能が向上する点で好ましい。

式（Ｘ）中、Ａｒ ^１１及びＡｒ ^１２は、各々独立して、直接結合、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、Ａｒ ^１３ 〜Ａｒ ^１５は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、フルオランテン環等の、５または６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価または２価の基が挙げられる。

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の１価または２価の基が挙げられる。

得られる化合物の電気化学的安定性の点から、Ａｒ ^１１ 〜Ａｒ ^１５は、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の１価または２価の基が好ましい。 またＡｒ ^１１ 〜Ａｒ ^１５としては、前記群から選ばれる１種または２種以上の環を直接結合により連結した２価の基も好ましく、ビフェニレン基、ターフェニレン基がさらに好ましい。

またＡｒ ^１１ 〜Ａｒ ^１５の置換基の具体例としては、置換基を有していてもよい直鎖または分岐のアルキル基（好ましくは炭素数１以上、８以下の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。）；置換基を有していてもよいアルケニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。）；置換基を有していてもよいアルキニル基（好ましくは炭素数２以上、９以下のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。）；置換基を有していてもよいアラルキル基（好ましくは炭素数７以上、１５以下のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいアルコキシ基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数１以上、８以下のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。）；置換基を有していてもよいアリールオキシ基（好ましくは炭素数６以上、１２以下の芳香族炭化水素環基を有するものであり、例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。）；置換基を有していてもよいヘテロアリールオキシ基（好ましくは５または６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。）；置換基を有していてもよいアシル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２以上１０以下のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２以上１０以下のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数７以上１３以下のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２以上１０以下のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）；ハロゲン原子（特に、フッ素原子または塩素原子）；カルボキシ基；シアノ基；水酸基；メルカプト基；置換基を有していてもよいアルキルチオ基（好ましくは炭素数１以上８以下のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。 ）；置換基を有していてもよいアリールチオ基（好ましくは炭素数６以上１２以下のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいスルホニル基（例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいシリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいボリル基（例えばジメシチルボリル基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよいホスフィノ基（例えばジフェニルホスフィノ基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基（例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５または６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；置換基を有していてもよい芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の１価の基が挙げられる。）；置換基を有していてもよいアミノ基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数１以上８以下のアルキル基を１つ以上有するアルキルアミノ基であり、例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）；置換基を有していてもよい炭素数６以上１２以下の芳香族炭化水素環基を有するアリールアミノ基（例えばフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。）等が挙げられる。 また、上記置換基がさらに置換基を有する場合、その置換基としては、上記例示置換基が挙げられる。
これらの置換基の個数に制限はなく、１種、または２種以上が任意の組み合わせで、１つまたは２つ以上置換しているもの等とすることができる。

また、重合体内には、上記の化学式（Ｘ）で表される繰り返し単位以外に、熱解離可溶性基が結合している部分構造を有する繰り返し単位、及び化学式（Ｘ）で表される繰り返し単位以外の、他の繰り返し単位が分子内に含まれていてもよい。 また、それぞれ独立して、異なる２種以上の熱解離可溶性基が結合している部分構造を有する繰り返し単位、または２種以上の化学式（Ｘ）で表される繰り返し単位が重合体鎖中に含まれていてもよい。

重合体鎖中に含まれる、熱解離可溶性基が結合している部分構造を有する繰り返し単位に対する化学式（Ｘ）で表される繰り返し単位の割合は、正孔輸送能に優れ、還元耐久性に優れる点から、０．１倍以上であることが好ましく、また５倍以下であることが好ましい。

本発明の重合体は、下記化学式（Ｕ３）または（Ｕ４）で表される構造を繰り返し単位中に含むことが好ましい。 この場合、重合体鎖中の繰り返し単位（Ｕ３）あるいは（Ｕ４）の含有量は、好ましくは１０モル％以上、更に好ましくは３０モル％以上である。

（式（Ｕ３）中、環Ａ

^１は芳香族環を表す。前記芳香族環は１又は２以上の置換基を有していてもよい。また、前記置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。

Ｓ

^２１ 、Ｓ

^２２ 、Ｒ

^２１ 〜Ｒ

^２６は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基または置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。

Ｘ

¹及びＸ

^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６以上５０以下の２価の芳香族炭化水素環基、または置換基を有していてもよい炭素数５以上５０以下の２価の芳香族複素環基を表す。

式（Ｕ４）中、環Ｂ

^１は芳香族環を表す。 前記芳香族環は１又は２以上の置換基を有していてもよい。 また、前記置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。

Ｓ

^３１ 〜Ｓ

^３４ 、Ｒ

^３１ 〜Ｒ

^３６ 、Ｘ

^３及びＸ

^４は、それぞれ独立に、上記Ｓ

^２１ 、Ｓ

^２２ 、Ｒ

^２１ 〜Ｒ

^２６ 、Ｘ

^１及びＸ

^２として示したものと同様である。

ｎ

^１ 〜ｎ

^４はそれぞれ独立に、０〜５の整数を表す。 ）

化学式（Ｕ３）及び（Ｕ４）中における、環Ａ ^１ 、環Ｂ ^１は、それぞれ熱解離可溶性基を含む炭化水素環が縮合する芳香族環を表し、芳香族炭化水素環であってもよく、芳香族複素環であってもよいが、電気化学的安定性に優れるため、電荷が局在化しにくいため、芳香族炭化水素環であることが好ましい。 また、該芳香族環は１又は２以上の置換基を有していてもよい。 また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。
環Ａ ^１及びＢ ^１が、芳香族炭化水素環である場合に、該芳香族炭化水素環の核炭素数は通常６以上である。 また通常４０以下であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下である。 また、環Ａ ^１及びＢ ^１が、芳香族複素環である場合に、該芳香族複素環の核炭素数は、通常３以上、好ましくは４以上、より好ましくは５以上である。 また通常５０以下であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下である。

該芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンゾピレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、フルオレン環等が挙げられる。
上記の中でも環Ａ ^１および環Ｂ ^１が、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環およびテトラセン環からなる群から選ばれることが好ましい。

また芳香族複素環としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、等が挙げられる。

また、上記化学式（Ｕ３）及び（Ｕ４）中の環Ａ ^１及び環Ｂ ^１は、同種または異なる２種以上の環構造単位が１以上１０以下、直接、もしくは酸素原子、窒素原子、硫黄原子、核炭素数１以上２０以下のヘテロ原子を含んでも良い鎖状基、及び炭素数が１以上２０以下の脂肪族基から選ばれる１種以上の２価の連結基を介して連結した構造とすることも可能である。 なお連結される環構造単位としては、上記芳香族炭化水素環や芳香族複素環と同様、または異なる芳香族炭化水素環や芳香族複素環とすることができる。 またこれらの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環は置換基を有していてもよい。

環Ａ ^１または環Ｂ ^１の置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１以上１０以下の直鎖または分岐のアルキル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等の炭素数１以上８以下のアルケニル基；エチニル基、プロパルギル基等の炭素数１以上８以下のアルキニル基；ベンジル基等の炭素数２以上８以下のアラルキル基；フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等のアリールアミノ基；ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等のヘテロアリールアミノ基；アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等の炭素数１以上８以下のアルコキシ基；アクリロイルオキシル基、メチルカルボニルアオキシル基、エチルカルボニルアオキシル基、ヒドロキシカルボニルメチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシカルボニルエチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシフェニルカルボニルオキシル基等の炭素数１以上１５以下のアシルオキシル基；フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、等の炭素数１０以上２０以下のアリールオキシル基；等が挙げられる。 これらの置換基はお互いに直接、あるいは、−Ｏ−、−Ｓ−、＞ＣＯ、＞ＳＯ _２ 、−（Ｃ _ｘ Ｈ _２ｘ ）−、−Ｏ−（Ｃ _ｙ Ｈ _２ｙ ）−、置換もしくは無置換の炭素数２以上２０以下のアルキリデン基、置換基を有していてもよい炭素数２以上２０以下のアルキレン基等、２価の連結基を介して結合し、環状構造を形成してもよい。 上記ｘおよびｙは、それぞれ１以上２０以下の整数を表す。
これらの置換基は１種のみ、または２種以上が任意の組み合わせで１つ、または２つ以上が環Ａ ^１または環Ｂ ^１に置換していてもよい。

上記化学式（Ｕ３）及び化学式（Ｕ４）におけるＳ ^２１ 、Ｓ ^２２ 、Ｒ ^２１ 〜Ｒ ^２６ 、Ｓ ^３１ 〜Ｓ ^３４ 、Ｒ ^３１ 〜Ｒ ^３６は、それぞれ独立に、水素原子；水酸基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上、通常５０以下、好ましくは１０以下の直鎖または分岐のアルキル基；置換基を有していてもよい核炭素数が通常５以上５０以下の芳香族炭化水素環基；置換基を有していてもよい核炭素数が５以上４０以下の芳香族複素環基；ベンジル基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常６以上、好ましくは７以上、通常５０以下、好ましくは８以下のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上、通常５０以下、好ましくは８以下のアルコキシ基；フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常５以上、好ましくは６以上、通常５０以下、好ましくは１５以下のアリールオキシ基；置換基を有していてもよい核炭素数が通常２以上５０以下のアシル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上８以下のアルケニル基；エチニル基、プロパギル基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上８以下のアルキニル基；アクリロイルオキシル基、メチルカルボニルオキシル基、エチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシカルボニルメチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシカルボニルエチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシフェニルカルボニルオキシル基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常２以上、通常５０以下、好ましくは１５以下のアシルオキシ基；フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常６以上５０以下のアリールアミノ基；ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常５以上５０以下のへテロアリールアミノ基；またはアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常２以上５０以下のアシルアミノ基を表す。

また、Ｘ ¹ 、Ｘ ^２ 、Ｘ ^３及びＸ ^４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６以上５０以下の２価の芳香族炭化水素環基、または置換基を有していてもよい炭素数３以上５０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
Ｘ ¹ 、Ｘ ^２ 、Ｘ ^３及びＸ ^４における芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基の具体例は、前記環Ａ ^１又は環Ｂ ^１におけるものと同様である。
ｎ ^１ 〜ｎ ^４はそれぞれ独立に、０〜５の整数を表す。

上記繰り返し単位を有する重合体としては、下記化学式（Ｕ７）あるいは（Ｕ８）で表される２価の繰り返し単位を有する化合物である場合に、電気化学的耐久性がさらに向上し、好ましい。

ここで化学式（Ｕ７）及び（Ｕ８）中、ｖは０〜４の整数を表す。 ｖはベンゼン環の数を表し、ｖが０の場合、熱解離可溶性基が結合する芳香族炭化水素環はベンゼン環であり、ｖが１の場合はナフタレン環、ｖが２の場合はアントラセン環やフェナントレン環等となる。

また化学式（Ｕ７）及び（Ｕ８）中のＳ

^２１' 、Ｓ

^２２' 、Ｒ

^２１' 〜Ｒ

^２６' 、Ｓ

^３１' 〜Ｓ

^３４' 、及びＲ

^３１' 〜Ｒ

^３６'は、それぞれ独立に、上記化学式（Ｕ３）及び（Ｕ４）においてＳ

^２１ 、Ｓ

^２２ 、Ｓ

^３１ 〜Ｓ

^３４ 、Ｒ

^２１ 〜Ｒ

^２６ 、Ｒ

^３１ 〜Ｒ

^３６として例示したものと同様である。 また複数のＴはそれぞれ独立である。 Ｔについては、上記化学式（Ｕ３）及び（Ｕ４）における環Ａ

^１及び環Ｂ

^２の置換基と同様である。 また、複数のＴはそれぞれ独立であり、同一であってもよくまた異なっていてもよい。 また複数のＴは、直接、あるいは、−Ｏ−、−Ｓ−、＞ＣＯ、＞ＳＯ

_２ 、−（Ｃ

_ｘ Ｈ

_２ｘ ）−、−Ｏ−（Ｃ

_ｙ Ｈ

_２ｙ ）−、置換基を有してもよい炭素数２以上２０以下のアルキリデン基、置換基を有してもよい炭素数２以上２０以下のアルキレン基等の２価の連結基を介して結合していてもよく、環状構造を形成していてもよい。 上記ｘおよびｙは、それぞれ０以上２０以下の整数を表す。

またＸ

^５ 〜Ｘ

^８についてはそれぞれ独立に、２価の連結基を表し、例えば上記化学式（Ｕ３）及び（Ｕ４）においてＸ

^１ 〜Ｘ

^４として例示したものと同様とすることができる。 ｎ

^５ 〜ｎ

^８はそれぞれ独立に、０〜５の整数を表す。

［重合体の合成方法及び化合物の具体例］
前述の重合体の合成方法は特に制限はなく、重合体の構造等により適宜選択される。 以下にその例を示すが、これらに限定されるものではない。

例えば、下記式で示すように、化学式（IIIａ）で表される１種または２種以上のハロゲン化物のみを、Ａｒ−Ａｒ結合を形成する反応によって逐次重合させることによって、本発明の有機電界発光素子材料に用いられる重合体を得ることができる。 反応は、通常、銅やパラジウム、ニッケル錯体等の遷移金属触媒存在下で行われる。

（式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ａｒ

^pは熱解離可溶性基を有する置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を示す。ｎは１以上の整数を表す。）

また本発明の有機電界発光素子材料に用いられる重合体は、例えば下記式に示すように、化学式（IIIａ）で表されるハロゲン化物と化学式（IIIｂ）で表される二級アミン化合物とを、Ｎ−Ａｒ結合を形成する反応（例えば、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｎｇカップリング、Ｕｌｌｍａｎｎカップリング等）によって逐次重合させることによっても得られる。 Ｎ−Ａｒ結合を形成する反応は、通常、炭酸カリウム、ｔｅｒｔ-ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行い、必要に応じて、銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。

（式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ａｒ

^ｄ 、Ａｒ

^eは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示す。またＡｒ

^ａ 、Ａｒ

^ｂはそれぞれ独立に置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ

^ａ 、Ａｒ

^ｂ 、Ａｒ

^ｄ 、Ａｒ

^ｅのうち少なくとも一つは、熱解離可溶性基が結合した２価の芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を含む基である。ｎは１以上の整数を表す。）

Ａｒ ^ａ 、Ａｒ ^ｂの置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基としては、例えば上記式（Ｘ）におけるＡｒ ^１１ 〜Ａｒ ^１５として説明した置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有してもよい芳香族複素環基の２価の基が挙げられ、置換基についても上記式（Ｘ）におけるＡｒ ^１１ 〜Ａｒ ^１５における置換基として説明したものが挙げられる。

また、本発明の有機電界発光素子材料に用いられる重合体は、例えば、化学式（IIIａ）で表されるハロゲン化物と化学式（IIIｃ）で表されるホウ素化合物とを、Ａｒ−Ａｒ結合を形成する反応（例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング等）によって逐次重合させることによっても得られる。 Ａｒ−Ａｒ結合を形成する反応は、通常、炭酸カリウム、ｔｅｒｔ-ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行い、必要に応じて、 銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。

（式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ'はヒドロキシ基または互いに結合して環を形成していてもよいアルコキシ基を示す。またＡｒ

^a 、Ａｒ

^cはそれぞれ独立に置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ

^a及びＡｒ

^cのうち少なくとも一つは熱解離可溶性基が結合した置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。ｎは１以上の整数を表す。）

以下繰り返し単位群Ａに、式（Ｕ３）、（Ｕ４）、（Ｕ７）、及び（Ｕ８）の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。

＜繰り返し単位群Ａ＞

各化学式（Ｂ１）〜（Ｂ１０）中の各基の組み合わせについては、下記の表１または２に示す。

本発明の重合体に、前記繰り返し単位Ａとともに含まれていてもよい繰り返し単位について、以下繰り返し単位群Ｂ及び構造式群Ｅに示す。 なお、構造式群Ｅについては、構造式群Ｅ由来の２価基が重合体中に含まれる。

＜繰り返し単位群Ｂ＞

＜構造式群Ｅ＞

なお、本発明の重合体は、上述した重合方法以外にも、例えば特開２００１−２２３０８４号公報に記載の重合方法、特開２００３−２１３００２号公報に記載の重合方法、特開２００４−２７４０号公報に記載の重合方法、さらには、不飽和二重結合を有する化合物のラジカル重合、エステル結合やアミド結合を形成する反応による逐次重合等の公知の方法により合成することができる。

上記重合体を合成後、精製する方法としては、例えば「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ ピー シー発行）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。 具体例としては、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー、移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。

生成物の確認や純度の分析方法としては、例えばガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、高速アミノ酸分析計（有機化合物）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）、質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ，ＧＣ／ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（ ^１ ＨＮＭＲ， ^１３ ＣＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。

［重合体である理由］
熱解離可溶性基を有する化合物の場合、重合体は、一分子内に含まれる熱解離可溶性基を調整し易い。 その為、熱解離可溶性基の解離前後での、溶媒に対する有機溶媒への溶解性の差がつけやすい。
また、重合体は低分子化合物より結晶化しにくいため、成膜性に優れる。 このため、素子とした場合に、電流の集中が起きないため、短絡などが生じ難く、駆動寿命の長い素子が得られる。

また、本発明の重合体は、下記繰り返し単位群Ｘから選ばれる少なくとも一つの繰り返し単位を含む重合体であることが特に好ましい。

重合体中に、上記繰り返し単位は１種のみ含まれていてもよく、また２種以上が任意の比率及び組み合わせで含まれていてもよい。 また、上記繰り返し単位以外の繰り返し単位が含まれていてもよい。
本発明においては、重合体鎖中における上記繰り返し単位群Ｘから選ばれる繰り返し単位の含有量は、好ましく２０モル％以上、更に好ましくは４０モル％以上である。 なお、上記繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、上記で説明した繰り返し単位等が挙げられる。

［用途］
上記重合体の用途としては、有機電界発光素子材料だけでなく、例えばカラーフィルター用着色レジストやリブ、オーバーコート、フォトスペーサー等のカラーフィルター用透明レジスト、有機絶縁膜、有機ＴＦＴ材料、有機太陽電池等の有機電子材料、電子写真感光体材料、及びこれらを含む有機デバイス全般があげられ、本発明の重合体を用いることにより、これらのデバイスの電気安定性や絶縁性等が優れたものとすることができる。

また、上記重合体は、例えばレジスト材料等として用いることも可能である。 なおレジスト材料に適応する場合には、アルカリ現像液に対する溶解性あるいは光感光性を付与するため、熱解離可溶性基中にカルボン酸を有する置換基、あるいは、アクリレート基、ビニルエーテル基などのネガ型感光性基、または炭酸エステル基、ナフトキノンジアミド基、アセタール基、オルトニトロベンゼン基等のポジ型感光性基を導入することが好ましい。

［電子デバイス用組成物］
本発明の電子デバイス用組成物は、本発明の重合体及び溶媒を含むものであり、電子デバイスに好適に用いられる。 電子デバイスの中でも、特に有機電界発光素子又は有機太陽電池素子に用いることが好ましい。
つまり、本発明の電子デバイス用組成物は、有機電界発光素子用組成物（以下、有機電界発光素子用組成物Ａ）、又は有機太陽電池素子用組成物（以下、有機太陽電池素子用組成物Ａ）であることが好ましい。

（有機電界発光素子用組成物Ａ）
本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、陽極と陰極との間に配置された有機層を有する有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法により成膜する際の塗布液として好適に用いられる。
なお、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、本発明の重合体の１種のみを含むものであってもよく、２種以上を任意の比率及び組み合わせで含むものであってもよい。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、該有機電界発光素子における正孔注入層または正孔輸送層を形成するために用いられることが特に好ましい。
なお、ここでは、有機電界発光素子における陽極−発光層間の層が１つの場合には、これを「正孔輸送層」と称し、２つ以上の場合は、陽極に接している層を「正孔注入層」、それ以外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。 また、陽極−発光層間に設けられた層を総称して「正孔注入・輸送層」と称する場合がある。

有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶媒は、本発明の重合体を溶解するものが好ましく、通常、本発明の重合体を０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶媒である。

なお、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、本発明の重合体を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、また、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下含有する。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶媒の種類は、特に制限されるものではない。 本発明の重合体を溶解させるものとして、好ましくは、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族化合物；１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等のエステル系溶媒等の有機溶媒が挙げられる。 これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率及び組み合わせで併用してもよい。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶媒の濃度は、通常４０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。
なお、水分は有機電界発光素子の性能低下、中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進する可能性があることが広く知られている。 したがって有機層中に残留する水分をできる限り低減することが好ましく、これらの溶媒の中でも、２５℃における水の溶解度が１重量％以下であるものが好ましく、０．１重量％以下である溶媒がより好ましく、これらの溶媒を通常、有機電界発光素子用組成物Ａ中に１０重量％以上含有することが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。

また、一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する可能性のある材料が多く使用されているため、素子の劣化の観点からも、有機電界発光素子用組成物Ａ中に水分が存在することは好ましくない。 有機電界発光素子用組成物Ａ中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶媒を予め脱水する、水の溶解度が低い溶媒を使用する等が挙げられる。 なかでも、水の溶解度が低い溶媒を使用する場合には、塗布工程中に、溶液塗膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。

また本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶媒として、２０℃における表面張力が好ましくは４０ｄｙｎ／ｃｍ未満、より好ましくは３６ｄｙｎ／ｃｍ以下、さらに好ましくは３３ｄｙｎ／ｃｍ以下である溶媒が挙げられる。
本発明の重合体を含有する層を湿式成膜法により形成する場合、下地との親和性が重要である。 膜質の均一性は有機電界発光素子の発光の均一性、安定性に大きく影響するため、湿式成膜法に用いる塗布液には、よりレベリング性が高く均一な塗膜を形成し得るように表面張力が低いことが求められる。 このような溶媒を使用することにより、本発明の重合体を含有する均一な層を形成することができる。

このような低表面張力を有する溶媒の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系溶媒、安息香酸エチル等のエステル系溶媒、アニソール等のエーテル系溶媒、トリフルオロメトキシアニソール、ペンタフルオロメトキシベンゼン、３−（トリフルオロメチル）アニソール、エチル（ペンタフルオロベンゾエート）等が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶媒としてはまた、２５℃における蒸気圧が通常１０ｍｍＨｇ以下、好ましくは５ｍｍＨｇ以下で、通常０．１ｍｍＨｇ以上の溶媒が挙げられる。 このような溶媒を使用することにより、有機電界発光素子を湿式成膜法により製造するプロセスに好適なものとすることができ、また、本発明の重合体の性質に適した組成物とすることができる。 このような溶媒の具体例としては、前述したトルエン、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶媒、エーテル系溶媒およびエステル系溶媒が挙げられる。 これらの溶媒の組成物中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

また本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに含有される溶媒として、２５℃における蒸気圧が通常２ｍｍＨｇ以上、好ましくは３ｍｍＨｇ以上、より好ましくは４ｍｍＨｇ以上であり、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下である溶媒と、２５℃における蒸気圧が通常２ｍｍＨｇ未満、好ましくは１ｍｍＨｇ以下、より好ましくは０．５ｍｍＨｇ以下である溶媒との混合溶媒も挙げられる。 このような混合溶媒を使用することにより、湿式成膜法により本発明の重合体、更には電子受容性化合物を含む均質な層を形成することができる。 このような混合溶媒の有機電界発光素子用組成物Ａ中の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、必要に応じ、電子受容性化合物や、有機電界発光素子用組成物Ａを用いて形成した有機層の溶解性を低下させ、該有機層上へ他の層を塗布することを可能とする、架橋反応を促進するための添加物等の添加剤を含んでいてもよい。 また架橋反応を促進する添加物は、本発明の重合体を含有する層に隣接する層に添加することも可能である。
有機電界発光素子用組成物Ａ中に上記添加剤を用いる場合、本発明の重合体と上記添加剤との双方を通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上溶解する溶媒を使用することが好ましい。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに用いられる、本発明の重合体の架橋反応を促進する添加物としては、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩などの重合開始剤や重合促進剤、縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物などの光増感剤等が挙げられる。 これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａに含まれる電子受容性化合物としては、後述する有機電界発光素子の正孔注入層の欄で説明する電子受容性化合物を１種または２種以上を使用することができる。

また上述した溶媒以外の溶媒も用いることができ、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド等を用いることも可能である。

またさらに、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａは、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。 また、例えば有機電界発光素子用組成物Ａが発光層を形成する際に用いられるものである場合等には、後述する有機電界発光素子の欄で説明する発光材料等を含んでいてもよい。

（有機太陽電池素子用組成物Ａ）
本発明の有機太陽電池素子用組成物Ａは、本発明の重合体及び溶媒を含有する。 本発明の効果を損なわない限り、必要に応じてその他の成分を含有していてもよい。

（有機電界発光素子用組成物Ａを用いた有機層の成膜）
有機電界発光素子は、通常、多数の重合体からなる有機層を積層して形成するため、膜質が均一であることが非常に重要である。
本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを用いて有機層を形成する場合、通常湿式成膜法により成膜を行なう。

尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等の湿式で成膜される方法をいう。 これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。 これらが、上記有機電界発光素子用組成物Ａの液性に合うためである。

本発明においては、上記有機電界発光素子用組成物Ａを用いて形成した有機層上に、さらに他の有機層を湿式成膜法等により形成する場合、有機電界発光素子用組成物Ａを用いて形成した層を他の溶媒に不溶化させるため、成膜後、通常加熱処理を行なう。

加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。 加熱乾燥の場合の条件としては、通常１００℃以上、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１５０℃以上、また通常４００℃以下、好ましくは３５０℃以下、より好ましくは３００℃以下に、有機電界発光素子用組成物Ａを用いて形成された層を加熱する。 加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。 加熱手段としては特に限定されないが、形成された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。 例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。

また、加熱と合わせて、光などの電磁エネルギー照射を行なってもよい。 電磁エネルギーの照射は、例えば超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。 光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。

照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。 組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
加熱および光を含む電磁エネルギー照射は、実施後に層に含有する水分および／または表面に吸着する水分の量を低減するために、窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが好ましい。 同様の目的で、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射を組み合わせて行う場合には、少なくとも有機発光層の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うことが特に好ましい。
また、本発明の有機太陽電池素子用組成物Ａを用いた有機層の成膜も上記と同様である。

Ｂ． 発光層材料 本発明の発光層材料は、熱解離可溶性基を有する低分子化合物からなることを特徴とする。 発光層材料を低分子化合物（分子量が単一な化合物）とした場合、高純度化が容易であり、かつ有機層を形成した際の性能のぶれを小さくできるという利点がある。 以下、本発明の発光層材料を低分子化合物、と称する場合がある。

本発明の発光層材料が、低分子化合物（分子量が単一な化合物）である場合、該化合物の分子量は、通常３００以上、好ましくは５００以上、より好ましくは１０００以上、通常２００００以下、好ましくは１００００以下、より好ましくは５０００以下である。 分子量がこの上限値を上回ると、合成経路が煩雑となり高純度化が困難となる場合がある。 また不純物の高分子量化によって化合物の精製が困難となる場合がある。 また、分子量がこの下限値を下回ると、成膜性が低下する場合があり、ガラス転移温度、融点および気化温度が低下するため、耐熱性が著しく損なわれる場合がある。

[熱解離可溶性基の割合]
また、低分子化合物の分子量／熱解離可溶性基数の比率は、通常２００以上であり、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上である。 また通常４０００以下、好ましくは３５００以下、より好ましくは３０００以下である。 この下限値を下回ると、熱解離可溶性基が熱解離後の化合物の電気的耐久性が低下したり、結晶性が過多になりすぎて膜のクラッキングが起きる可能性がある。 また反対に上限値を大きく上回ると、熱解離可溶性基の熱解離による溶解性抑制の効果が低くなりやすく、電気的耐久性が低下したり、電荷輸送性が低下したり、耐熱性が低下したりする可能性がある。

［低分子化合物の構造］
本発明の熱解離可溶性基を有する、低分子化合物として、例えば、下記化学式（Ｕ１）あるいは（Ｕ２）で表される化合物が挙げられる。

（式（Ｕ１）中、環Ａ

^０は芳香族環を表す。該芳香族環は１又は２以上の置換基を有していてもよい。また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。

Ｓ

^１ 、Ｓ

^２ 、Ｒ

^１ 、Ｒ

^６は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基または置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。

Ｒ

^２ 〜Ｒ

^５は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。

ただし、Ｒ

^２ 〜Ｒ

^５が全てが同時に水素原子であることはない。 ）

（式（Ｕ２）中、環Ｂ

^０は芳香族環を表す。該芳香族環は１又は２以上の置換基を有していてもよい。また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。

Ｓ

^１１ 〜Ｓ

^１４ 、Ｒ

^１１ 〜Ｒ

^１６は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基または置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。 ）

ここで、化学式（Ｕ１）中、環Ａ

^０は、芳香族環を表す。 また化学式（Ｕ２）中、環Ｂ

^０は、芳香族環を表す。 環Ａ

^０及び環Ｂ

^０で表される該芳香族環は、それぞれ１又は２以上の置換基を有していてもよい。 芳香族環は、芳香族炭化水素環であってもよくまた、芳香族複素環であってもよい。

該芳香族炭化水素環の核炭素数は通常６以上である。 また通常４０以下であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下である。

該芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンゾピレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、フルオレン環等が挙げられる。
上記の中でも環Ａ ^０および環Ｂ ^０が、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環およびテトラセン環からなる群から選ばれることが好ましい。

また、該芳香族複素環の核炭素数は、通常３以上である。 また通常５０以下であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下である。

また芳香族複素環としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、等が挙げられる。

また、上記化学式（Ｕ１）及び（Ｕ２）中の環Ａ ^０及び環Ｂ ^０は、同種または異なる２種以上の環構造単位が１以上１０以下、直接、もしくは酸素原子、窒素原子、硫黄原子、核炭素数１以上２０以下のヘテロ原子を含んでも良い鎖状基、及び炭素数が１以上２０以下の脂肪族基から選ばれる１種以上の２価の連結基を介して連結した構造とすることも可能である。 なお連結される環構造単位としては、上記芳香族炭化水素環や芳香族複素環と同様、または異なる芳香族炭化水素環や芳香族複素環とすることができる。 またこれらの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環は置換基を有していてもよい。

環Ａ ^０または環Ｂ ^０の置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１以上１０以下の直鎖または分岐のアルキル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等の炭素数１以上８以下のアルケニル基；エチニル基、プロパルギル基等の炭素数１以上８以下のアルキニル基；ベンジル基等の炭素数２以上８以下のアラルキル基；フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等のアリールアミノ基；ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等のヘテロアリールアミノ基；アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等の炭素数１以上８以下のアルコキシ基；アクリロイルオキシル基、メチルカルボニルアオキシル基、エチルカルボニルアオキシル基、ヒドロキシカルボニルメチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシカルボニルエチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシフェニルカルボニルオキシル基等の炭素数１以上１５以下のアシルオキシル基；フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、等の炭素数１０以上２０以下のアリールオキシル基；等が挙げられる。 これらの置換基はお互いに直接、あるいは、−Ｏ−、−Ｓ−、＞ＣＯ、＞ＳＯ _２ 、−（Ｃ _ｘ Ｈ _２ｘ ）−、−Ｏ−（Ｃ _ｙ Ｈ _２ｙ ）−、置換もしくは無置換の炭素数２以上２０以下のアルキリデン基、置換基を有していてもよい炭素数２以上２０以下のアルキレン基等、２価の連結基を介して結合し、環状構造を形成してもよい。 上記ｘおよびｙは、それぞれ１以上２０以下の整数を表す。
これらの置換基は１種のみ、または２種以上が任意の組み合わせで１つ、または２つ以上が環Ａ ^０または環Ｂ ^０に置換していてもよい。

上記化学式（Ｕ１）及び化学式（Ｕ２）におけるＳ ^１ 、Ｓ ^２ 、Ｓ ^１１ 〜Ｓ ^１４ 、Ｒ ^１ 、Ｒ ^６ 、及びＲ ^１１ 〜Ｒ ^１６は、それぞれ独立に、水素原子；水酸基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上、通常５０以下、好ましくは１０以下の直鎖または分岐のアルキル基；置換基を有していてもよい核炭素数が通常５以上５０以下の芳香族炭化水素環基；置換基を有していてもよい核炭素数が５以上４０以下の芳香族複素環基；ベンジル基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常６以上、好ましくは７以上、通常５０以下、好ましくは８以下のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上、通常５０以下、好ましくは８以下のアルコキシ基；フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常５以上、好ましくは６以上、通常５０以下、好ましくは１５以下のアリールオキシ基；置換基を有していてもよい核炭素数が通常２以上５０以下のアシル基；ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上８以下のアルケニル基；エチニル基、プロパギル基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常１以上８以下のアルキニル基；アクリロイルオキシル基、メチルカルボニルオキシル基、エチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシカルボニルメチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシカルボニルエチルカルボニルオキシル基、ヒドロキシフェニルカルボニルオキシル基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常２以上、通常５０以下、好ましくは１５以下のアシルオキシ基；フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常６以上５０以下のアリールアミノ基；ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等の置換基を有していてもよい核炭素数が通常５以上５０以下のへテロアリールアミノ基；またはアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等の置換基を有していてもよい炭素数が通常２以上５０以下のアシルアミノ基を表す。

上記化学式（Ｕ１）におけるＲ ^２ 〜Ｒ ^５は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基を有していてもよい核炭素数が通常１以上、好ましくは２以上、また通常２０以下、好ましくは１０以下のアルキル基を表す。 ただし、Ｒ ^２ 〜Ｒ ^５全てが同時に水素原子であることはない。
式（Ｕ１）において、Ｒ ^２ 〜Ｒ ^５全てが同時に水素原子であることがない理由は下記の通りである。
低分子化合物の場合、一つの分子内に有する熱解離可溶性基の数が、重合体の場合と比べて少ない。 つまり、熱解離可溶性基の解離前後で、溶媒に対する溶解性の差が付き難い。 しかしながら、Ｒ ^２ 〜Ｒ ^５の少なくとも一つにアルキル基が導入されることにより、Ｒ ^２ 〜Ｒ ^５が同時に水素原子である場合に比べて、熱解離可溶性基の解離前後での、溶媒に対する溶解性が付き易い。
また、式（Ｕ２）ではＲ ^１２ 〜Ｒ ^１５の全てが同時に水素原子であってもよく、Ｒ ^１２ 〜Ｒ ^１５の全てが同時に水素原子でなくてもよい。 式（Ｕ２）ではＲ ^１２ 〜Ｒ ^１５全てが同時に水素原子であってもよい理由は下記の通りである。
式（Ｕ２）では、もう一つの（ビシクロ環の）架橋部分がアルキレン基（−ＣＳ ^１１ Ｓ ^１３ −ＣＳ ^１２ Ｓ ^１４ −）であり、（Ｕ１）におけるアルケニル基（−ＣＳ ^１ ＝ＣＳ ^２ −）よりも溶解性を向上させる効果が高いためＲ ^１２ 〜Ｒ ^１５はすべて水素原子であってもよい。
また、式（Ｕ２）では、２段階に熱解離するため、式（Ｕ１）に比べ、溶解性のオンオフがつきやすいことも挙げられる。

上記化合物の中でも、下記化学式（Ｕ５）あるいは下記化学式（Ｕ６）で表される化合物が、電気化学的耐久性がさらに向上するため、より好ましい。

ここで化学式（Ｕ５）及び（Ｕ６）中、ｕは０〜４の整数を表す。 ｕはベンゼン環の数を表し、ｕが０の場合、熱解離可溶性基が結合する芳香族炭化水素環はベンゼン環であり、ｕが１の場合はナフタレン環、ｕが２の場合はアントラセン環やフェナントレン環等となる。
また、Ｓ ^１' 、Ｓ ^２' 、Ｒ ^１' 〜Ｒ ^６' 、Ｓ ^１１' 〜Ｓ ^１４' 、及びＲ ^１１' 〜Ｒ ^１６'については、上記化学式（Ｕ１）及び（Ｕ２）におけるＳ ^１ 、Ｓ ^２ 、Ｒ ^１ 〜Ｒ ^６ 、Ｓ ^１１ 〜Ｓ ^１４ 、及びＲ ^１１ 〜Ｒ ^１６と同様であり、Ｔは、上記化学式（Ｕ１）及び（Ｕ２）における環Ａ ^０及び環Ｂ ^０の置換基と同様である。 また、複数のＴはそれぞれ独立であり、同一であってもよくまた異なっていてもよい。 また複数のＴは、直接、あるいは、−Ｏ−、−Ｓ−、＞ＣＯ、＞ＳＯ _２ 、−（Ｃ _ｘ Ｈ _２ｘ ）−、−Ｏ−（Ｃ _ｙ Ｈ _２ｙ ）−、置換基を有してもよい炭素数２以上２０以下のアルキリデン基、置換基を有してもよい炭素数２以上２０以下のアルキレン基等の２価の連結基を介して結合していてもよく、環状構造を形成していてもよい。 上記ｘおよびｙは、それぞれ０以上２０以下の整数を表す。

また、本発明の発光層材料は、前記「Ａ．重合体」の項で説明した、化学式（Ｕ３）又は（Ｕ４）で表される、２価の繰り返し単位を含む化合物であることが好ましい。
さらに、化学式（Ｕ３）又は化学式（Ｕ４）で表される化合物は、各々、「前記Ａ．重合体」の項で記載した化学式（Ｕ７）又は化学式（Ｕ８）で表される２価の繰り返し単位を含む化合物であることが好ましい。
また、低分子化合物（分子量が単一な化合物）は、正孔をトラップし発光効率を高める点で、下記式（II）で表される２価の基を分子内に含むことが好ましい。

（化学式（II）中、Ａｒ

^ａ１及びＡｒ

^ａ２は、各々独立に、置換基を有していていてもよい芳香族炭化水素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。

但し、Ａｒ

^ａ２が末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。 ）

上記化学式（II）中、Ａｒ

^ａ１及びＡｒ

^ａ２は、同一であってもよく、また異なっていてもよい。 Ａｒ

^ａ１及びＡｒ

^ａ２は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有してもよい芳香族複素環基を表す。 Ａｒ

^ａ２が末端にある場合には、連結部位の一方が水素で置換される。

Ａｒ

^ａ１及びＡｒ

^ａ２における置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、及び置換基を有していてもよい芳香族複素環基の具体例は、前記「Ａ．重合体」の項の、式（Ｘ）におけるＡｒ

^１１ 〜Ａｒ

^１５におけるものと同様である。

また、Ａｒ

^ａ１及びＡｒ

^ａ２における芳香族炭化水素環基、及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基の具体例は、前記「Ａ．重合体」の項の、式（Ｘ）におけるＡｒ

^１１ 〜Ａｒ

^１５におけるものと同様である。

［発光層材料（低分子化合物）の具体例］
以下に、発光層材料（低分子化合物）の好ましい例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

化学式（Ａ１）及び（Ａ２）中の、Ｓ

^ａ１ 、Ｓ

^ａ２ 、Ｒ

^ａ１ 〜Ｒ

^ａ６ 、Ｓ

^ａ１１ 〜Ｓ

^ａ１４ 、Ｒ

^ａ１１ 〜Ｒ

^ａ１６ 、Ｚ

^ａ１ 、Ｚ

^ａ２ 、Ｚ

^ａ１１ 、及びＺ

^ａ１２の組み合わせについては、それぞれ下記の表３〜表８に示される。 以下、表中、Ｐｈはフェニル基を表す。

上記化合物において、エタノ基およびエテノ基上のＳ ^ａ２またはＳ ^a12に置換基を有する場合には、Ｓ ^ａ1またはＳ ^ａ１１にアルキル基を有することが熱解離可溶性基の熱解離反応効率が向上するため、好ましい。 また好ましい化合物として以下に示すものも挙げられる。

各化学式（Ａ１）〜（Ａ１０）中の各基の組み合わせについては、下記の表９〜１１に示す。

また本発明の発光層材料が、その構造中に有していてもよい基を以下構造式群Ｃに示す。

＜構造式群Ｃ＞

［発光層材料（低分子化合物）の合成方法］
上述の発光層材料（低分子化合物）の合成は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いることにより行なうことができる。 例えば以下の方法により合成可能であるが、これらに限定されるものではない。

以下の式１または式２で例示するように、ジエン化合物とアセチレンあるいはキノン化合物とを付加させることにより、目的とする、エテノ構造を有する熱解離可溶性基を有する低分子化合物を合成することができる。

上記方法による合成の際、水、メタノール、エタノール、プロパノールなどアルコール系のプロティック溶媒、好ましくは５重量％以上、５０重量％以下エタノールを含有する水溶液中で、ジエン化合物（ＤＤＩ）とキノン化合物（ＥＥＩ）とを反応させることが、付加反応時の副生成物が少なく、高い収率で目的物が得られることから好ましい。

＜ＤＤＩ＞

またエタノ基型の熱解離可溶性基を有する化合物のジブロモ体は、下記の式３及び式４で表される反応により得られる。 式１で得られたエテノ基型の熱解離可溶性基を有する化合物のジヒドロキシ体（Ｑ２）を２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノーｐ−ベンゾキノン（ＤＤＱ）によりキノン化した後（Ｑ４）、ｐ−ブロモフェニル基を導入しジヒドロキシ体（Ｑ５）とする（式３）。 さらに、該ジヒドロキシ体（Ｑ５）を沃化水素水溶液と反応させることによって、ヒドロキシ置換エタノ基型の熱解離可溶性基を有する化合物のジブロモ体（Ｑ６）が得られる。
さらに、このエタノ基上の水酸基に水酸基と反応する各種官能基を有する化合物を反応させることにより、様々な機能を有する置換基を導入することができ、目的とする化合物（Ｑ７）を得ることが出来る（式４）。

また、エテノ基型の熱解離可溶性基を有する化合物のジアミノ体は、式５で示すように、式１で得られたエテノ基型の熱解離可溶性基を有する化合物のジヒドロキシ体（Ｑ２）にｐ−アミドフェニル基を導入し（Ｑ８）、水酸化カリウムによりアミド基をアミノ化することにより合成される。

また、低分子化合物についても、重合体の項で説明したＮ−Ａｒ結合を形成する反応やＡｒ−Ａｒ結合を形成する反応など公知のカップリング手法を用いて合成することができる。
以下に、分子量が単一である化合物のＮ−Ａｒ結合を形成する反応やＡｒ−Ａｒ結合を形成する反応を用いた合成法を示す。

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ _３ ＳＯ _２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示す。Ａｒ ^a 、Ａｒ ^ｄ及びＡｒ ^ｅは、それぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ ^ｂは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。Ａｒ ^ａ 、Ａｒ ^ｂ 、Ａｒ ^ｄ及びＡｒ ^ｅのうち少なくとも一つは、熱解離可溶性基が結合した部分構造を有し、Ａｒ ^ａ 、Ａｒ ^ｂ 、Ａｒ ^ｄ 、及びＡｒ ^ｅのうちいずれか１つ以上が架橋性基を有していてもよい。）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示す。Ａｒ

^ｂ及びＡｒ

^ｄは、それぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ

^aは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。

Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｂ 、及びＡｒ

^ｄのうち少なくとも一つは、熱解離可溶性基が結合した部分構造を有し、これらは架橋性基を有してもよい。 ）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示す。Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｂ及びＡｒ

^ｄは、それぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示す。

Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｂ 、及びＡｒ

^ｄのうち少なくとも一つは、熱解離可溶性基が結合した部分構造を有し、これらは架橋性基を有していてもよい。 ）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ'はヒドロキシ基または互いに結合して環を形成してもよいアルコキシ基を示す。Ａｒ

^aは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ

^ｃは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。

Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｃのうち少なくとも一つは熱解離可溶性基が結合した部分構造を有し、これらは架橋性基を有していてもよい。 ）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ'はヒドロキシ基または互いに結合して環を形成してもよいアルコキシ基を示す。Ａｒ

^ｃは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示し、Ａｒ

^ａは置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい２価の芳香族複素環基を示す。

Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｃのうち少なくとも一つは熱解離可溶性基が結合した部分構造を有し、これらは架橋性基を有していてもよい。 ）

（上記式中、Ｘはハロゲン原子又は、ＣＦ

_３ ＳＯ

_２ Ｏ−基等のスルホン酸エステル基を示し、Ｒ'はヒドロキシ基または互いに結合して環を形成してもよいアルコキシ基を示す。Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｃは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を示す。Ａｒ

^a 、Ａｒ

^ｃのうち少なくとも一つは熱解離可溶性基が結合した部分構造を有し、これらは架橋性基を有していてもよい。）

［低分子化合物からなる発光層材料である理由］
発光層では、他の層に比べて、微量の不純物がクエンチャーとして働いたり、電荷バランスを崩して、発光効率を低下させる可能性があるため、発光層材料は他の層に比べて高純度化する必要がある。
発光層材料は、分子量単一で純度の決定が容易な点、及び、分子量分布のブレが素子性能のブレにつながる可能性がない点、末端基を持たない点から低分子化合物であることが好ましい。
発光効率が高い材料は、通常、対称性が高く、有機溶媒に対する溶解性に乏しく、高純度化が困難な傾向がある。 熱解離可溶性基を有することによって、発光効率が高い材料の溶解性向上が可能となり、高純度化が容易となる。

［有機電界発光素子用組成物Ｂ］
本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、少なくとも上記発光層材料及び溶媒を含有する。
発光材料（ドーパント材料）が最も高純度であることが要求される点から、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂは、発光材料（ドーパント材料）として、熱解離可溶性基を有する材料を含むことが好ましい。
該有機電界発光素子用組成物Ｂにおける発光層材料の含有量は、通常０．５重量部以上、好ましくは１重量部以上、通常５０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。 この範囲とすることにより、発光効率の向上及び素子の低電圧化の効果が得られる。 尚、前記発光層材料は組成物Ｂ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が組み合わせて含まれていてもよい。

有機電界発光素子用組成物Ｂに含有される溶媒は、湿式成膜により発光層材料を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
溶媒は、溶質が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類；シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。 これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。

また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。 このため、溶媒の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
溶媒の使用量は、有機電界発光素子用組成物Ｂ１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。 含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。 一方、上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。

本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂには、本発明の発光層材料や溶媒の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。
本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用いて、発光層を形成する場合には、本発明の発光層材料をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化合物をホスト材料として含んでいてもよい。

他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。 例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセン、ピレン、トリフェニレン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。

他の電荷輸送性化合物は、該組成物Ｂを１００重量部とすると、通常１重量部以上、また、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
有機電界発光素子用組成物Ｂには、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。 例えば、上記の溶媒の他に、別の溶媒を含有していてもよい。 そのような溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。 これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。

（有機電界発光素子用組成物Ｂを用いた有機層の成膜）
有機電界発光素子用組成物Ｂを用いた有機層の成膜は、前記（有機電界発光素子用組成物Ａを用いた有機層の成膜）の項に記載の方法と同様である。 好ましい態様も同様である。

Ｃ． 有機電界発光素子材料 また、本発明の有機電界発光素子材料は、分子内に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を有する化合物であって、該芳香族炭化水素環または該芳香族複素環に縮合した炭化水素環に熱解離可溶性基が結合している部分構造を有する化合物を加熱して得られるものであってもよい。
該有機電界発光素子材料としては、上記で説明した重合体または発光層材料を加熱して得られる構造を有するものとすることができる。 具体的には、上述した重合体または発光層材料（低分子化合物）から熱解離可溶性基が脱離した構造等とすることができる。
なお、上記加熱は、通常７０℃以上、好ましくは１００℃以上で行なわれ、また好ましくは３００℃以下で行なわれる。

Ｄ． 有機電界発光素子 本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極、該陽極と該陰極の間に有機層を有するものであり、該有機層として、前述の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層を有することを特徴とする。 本発明においては、特に有機層の中でも正孔注入層、正孔輸送層、または発光層を、上記有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成することが好ましい。
尚、本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを用いて湿式成膜法で形成された層が、正孔注入層又は正孔輸送層であることが特に好ましい。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用いて湿式成膜法で形成された層が、発光層であることが好ましい。

＜有機電界発光素子の構成＞
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその形成方法等について、図１を参照して説明する。
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極をそれぞれ表す。

（基板）
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、例えば石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。 これらは１種類のみ用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせで用いてもよい。 上記の中でも特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。 合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。 基板１のガスバリア性が小さすぎると、基板１を通過した外気により有機電界発光素子が劣化する可能性がある。 このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

（陽極）
陽極２は発光層５側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。 これらは１種類のみ用いてもよく、また２種類以上を任意の比率及び組み合わせで用いてもよい。

陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。 また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。 さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。 透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。 この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。 不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。 また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。

陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。

（正孔注入層）
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましく、この際、前述の有機電界発光素子用組成物Ａを用いることが好ましい。

正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶媒（正孔注入層用溶媒）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。

（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶媒を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、高分子化合物であっても、低分子化合物であってもよい。 本発明においては、正孔輸送性化合物として前述の本発明の重合体を用いることができる。

また、正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。 正孔輸送性化合物の他の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン化合物、シラザン化合物、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン系化合物等が挙げられる。

正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。 ２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。 ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。 芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。

（式（Ｉ）中、Ａｒ

^１およびＡｒ

^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ

^３ 〜Ａｒ

^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ

^１ 〜Ａｒ

^５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。

（上記各式中、Ａｒ

^６ 〜Ａｒ

^１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ

^１およびＲ

^２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。）

Ａｒ ^１ 〜Ａｒ ^１６の芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。

Ａｒ ^１ 〜Ａｒ ^１６の芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。 置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。 置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ ^１およびＲ ^２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。

式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。 この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。

（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層３の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。 さらに具体的には、４−イソプロピル−４'−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層３の導電率を向上させることができる。
正孔注入層３或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。 但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。

（その他の構成材料）
正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。 その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。 なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

（溶媒）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶媒のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。 また、この溶媒の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。 溶媒の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。 また、溶媒の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
溶媒として例えば、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。

エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。

エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。

芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶媒は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。

（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。

成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。 特に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて正孔注入層３を形成する場合には、通常、加熱工程が行なわれる。 加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。 中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶媒の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。 また、正孔注入層中に本発明の有機電界発光素子材料が含有される場合、熱解離可溶性基が解離する温度以上の温度で加熱することが好ましい。 また、正孔注入層形成用組成物に用いた溶媒が２種類以上含まれている混合溶媒の場合、少なくとも１種類がその溶媒の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。 溶媒の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶媒の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。 加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層３が不均質になる傾向がある。 加熱は２回にわけて行ってもよい。

＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０ ^−４ Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板１の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。 なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０ ^−６ Ｔｏｒｒ（０．１３×１０ ^−４ Ｐａ）以上、通常９．０×１０ ^−６ Ｔｏｒｒ（１２．０×１０ ^−４ Ｐａ）以下である。 蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。 蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。

［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。 この際、前述の本発明の有機電界発光素子用組成物Ａを用い、湿式成膜することが好ましい。

正孔輸送層４は、正孔注入層３がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層４を省いた構成であってもよい。

正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。 そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。 また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。

このような正孔輸送層４の材料としては、例えば本発明の重合体や、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料を用いることができ、従来用いられている材料としては、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。 また、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。 また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。

湿式成膜で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。 用いる溶媒は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。 また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。 なお、正孔輸送層形成用組成物として、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いることが可能である。

真空蒸着により正孔輸送層４を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。

正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。 架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。

架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。 正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。 その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。

正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。 架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。

正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させてポリマー化する。
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。 加熱乾燥の場合の加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。

加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。 加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。 例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。

光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。 光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。 照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。 組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

［発光層］
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。 発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
発光層を形成する方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポットの低減の観点から、発光層を湿式成膜法により形成することが好ましい。 この際、前述の本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用い、湿式成膜することが好ましい。

＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。 発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。 発光層の材料としては、熱解離前の溶解性が高く成膜性に優れ、熱解離後の耐熱性が高く駆動安定性に優れる点で、本発明の発光層材料を用いることが好ましい。 更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。 なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。

（発光材料）
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。 例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。 また、青色は蛍光発光材料を用い、緑色や赤色は燐光発光材料を用いるなど、組み合わせて用いてもよい。
なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
以下、発光材料のうち蛍光色素の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。

青色発光を与える蛍光色素（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光色素（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ _９ Ｈ _６ ＮＯ） _３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光色素（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光色素（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。

燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。 ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。

発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。 発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。 一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機電界発光素子材料の精製が困難となってしまったり、溶媒に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５重量％以上、通常３５重量％以下である。 発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。 なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（正孔輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。 ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ， １９９７年， Ｖｏｌ．７２−７４， ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， １９９６年， ｐｐ．２１７５）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．９１， ｐｐ．２０９）等が挙げられる。
なお、発光層５において、正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。 正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。 なお、２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（電子輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。 ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６'−（２'，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４'−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。なお、発光層５において、電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。 電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。 なお、２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

＜発光層の形成＞
発光層５を形成する場合は、上記材料を適切な溶媒に溶解させて発光層形成用組成物を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。 この際、本発明の有機電界発光素子用組成物Ｂを用いることが好ましい。
発光層５を湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶媒としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。 発光層用溶媒の好適な例は、上記正孔注入層形成用組成物で説明した溶媒と同様である。
発光層５を形成するための発光層形成用組成物に対する発光層用溶媒の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下、である。 なお、発光層用溶媒として２種以上の溶媒を混合して用いる場合には、これらの溶媒の合計がこの範囲を満たすようにする。

また、発光層形成用組成物中の発光材料、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下である。 この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。

発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶媒を除去することにより、発光層が形成される。 具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。 湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。

発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。 発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。

［正孔阻止層］
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。 正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。 このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。 更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。 従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

［電子輸送層］
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。

電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。 このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ'−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。 従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。

［電子注入層］
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。 電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。 例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。 この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。 従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

［陰極］
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。 具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。

さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。 この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。 なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

［その他の層］
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。 例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。 例えば、後述の実施例で作製した有機電界発光素子は、図１の有機電界発光素子に対して、正孔阻止層６、および電子輸送層７が省略されている。

＜電子阻止層＞
上記各層以外に有機電界発光素子が有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。 特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。 更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。 このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット記載）等が挙げられる。
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。 従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

＜その他＞
さらに陰極９と発光層５または電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ ₂ ）、酸化リチウム（Ｌｉ ₂ Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ ₃ ）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。 例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。 その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ ₂ Ｏ ₅ ）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。

本発明の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明は、上述のような本発明の有機電界発光素子を用いたものである。 本発明の有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ照明を形成することができる。

また本発明の熱解離可溶性基を有する有機電界発光素子材料を含有する有機層を有する有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
が好ましい。

＜有機太陽電池素子＞
本発明の有機太陽電池素子は、陽極と、陰極との間に、有機層を有する有機太陽電池素子であって、該有機層が、本発明の重合体を含有する有機太陽電池素子用組成物Ａを用いて湿式成膜法により形成された層（解離層）を有する有機太陽電池素子である。
さらに、本発明の有機太陽電池素子は、有機層として光電変換層及び正孔取出し層を含み、該正孔取出し層が解離層であることが好ましい。

［基板］
基板は有機半導体素子（有機半導体層を含む素子）を支持する支持部材である。 基板を形成する材料としては、例えば、ガラス、サファイア、チタニア等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ナイロン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、フッ素樹脂フィルム、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、セルロース、アセチルセルロース、ポリ塩化ビニリデン、アラミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリノルボルネン等の有機材料；ステンレス、チタン、ニッケル、銀、金、銅、アルミニウム等の金属材料；などが挙げられる。
これらの中でも、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリ（メタ）アクリル樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウムが有機半導体素子の形成しやすさの点で好ましい。
なお、基板の材料は、１種を用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 また、これら有機材料に炭素繊維、ガラス繊維などの強化繊維を含ませ、機械的強度を補強させてもよい。 また、これら金属材料に絶縁性を付与するために表面をコートあるいはラミネートしたものなどの複合材料としてもよい

［有機半導体素子］
有機半導体素子として、下記に有機薄膜太陽電池素子（本明細書では、単に有機太陽電池素子ともいう）について記載するが、本発明を著しく損なわない限り他の有機電子デバイスを排除するものではない。 さらに、有機薄膜太陽電池素子も、以下に説明される例に限定されるものではない。
有機薄膜太陽電池素子は、少なくとも一対の電極の間に設けられた有機半導体を含有する有機半導体層（本明細書では、単に有機層ともいう）から構成される。 かかる有機半導体層で光を吸収して電力が発生し、発生した電力が電極から取り出されるようになっている。

［有機半導体層］
任意の有機半導体により形成できる。 有機半導体は半導体特性により、ｐ型、ｎ型に分けられる。 ｐ型、ｎ型は、電気伝導に寄与するのが、正孔、電子いずれであるかを示しており、材料の電子状態、ドーピング状態、トラップ状態に依存する。 したがって、以下に有機半導体の例を挙げるが、ｐ型、ｎ型は必ずしも明確に分類できない場合があり、同一物質でｐ型、ｎ型両方の特性を示すものもある。

ｐ型半導体の例として、テトラベンゾポルフィリン、テトラベンゾ銅ポルフィリン、テトラベンゾ亜鉛ポルフィリン等のポルフィリン化合物；フタロシアニン、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン等のフタロシアニン化合物；ナフタロシアニン化合物；テトラセンやペンタセンのポリアセン；セキシチオフェン等のオリゴチオフェンおよびこれら化合物を骨格として含む誘導体が挙げられる。 さらに、ポリ（３−アルキルチオフェン）などを含むポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリトリアリルアミン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール等の高分子等が例示される。

ｎ型半導体の例として、フラーレン（Ｃ _６０ 、Ｃ _７０ 、Ｃ _７６ ）；オクタアザポルフィリン；上記ｐ型半導体のパーフルオロ体；ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物； 及び、これら化合物を骨格として含む誘導体などが挙げられる。

少なくともｐ型の半導体およびｎ型の半導体が含有されていれば、有機半導体層の具体的な構成は任意である。 単層の膜のみによって構成されていてもよく、２以上の積層膜によって構成されていてもよい。 例えば、ｎ型の半導体とｐ型の半導体とを別々の膜に含有させるようにしてもよく、ｎ型の半導体とｐ型の半導体とを同じ膜に含有させてもよい。
また、ｎ型の半導体及びｐ型の半導体は、それぞれ、１種を用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

有機半導体層の具体的な構成例としては、ｐ型半導体とn型半導体が層内で相分離した層（i層）を有するバルクヘテロ接合型、それぞれｐ型半導体を含む層（ｐ層）とｎ型半導体を含む層（ｐ層）が界面を有する積層型（ヘテロｐｎ接合型）、ショットキー型およびそれらの組合せが挙げられる。 これらの中でもバルクへテロ接合型およびバルクへテロ接合型と積層型を組み合わせた（ｐ−i―ｎ接合型）が高い性能を示すことから好ましい。
有機半導体層のｐ層、i層、ｎ層各層の厚みに制限はないが、通常３ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下とすることが好ましい。 層厚を厚くすることで膜の均一性が高まる傾向にあり、薄くすることで透過率が向上する、直列抵抗が低下する傾向にある。

［正孔取出し層］
正孔取出し層は、有機半導体層側に面した電極界面に電気特性等の改良のために設ける層である。
正孔取出し層を形成する為の材料としては、本発明の重合体を用いることが特に好ましいが、その他の材料を用いることもできる。 その他の材料としては、例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、酸化モリブデン、フッ化リチウム、２，９ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンなどが挙げられる。

［電極］
電極としては導電性を有する任意の材料により形成することが可能である。 電極の材料の例を挙げると、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属あるいはそれらの合金；酸化インジウムや酸化錫等の金属酸化物、あるいはその合金（ＩＴＯ）；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン等の導電性高分子；前記導電性高分子に、塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＦｅＣｌ _３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子などのドーパントを含有させたもの；金属粒子、カーボンブラック、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性粒子をポリマーバインダー等のマトリクスに分散した導電性の複合材料などが挙げられる。 なかでも、正孔の捕集する電極には、Ａｕ、ＩＴＯ等の深い仕事関数を有する材料が好ましい。 一方、電子の捕集する電極には、Ａｌのような浅い仕事関数を有する材料が好ましい。 仕事関数を最適化することにより、光吸収により生じた正孔及び電子を良好に捕集する利点がある。

一対の電極のうち、少なくとも受光面側の電極は、発電のために光透過性を有していることが好ましい。 但し、発電層の面積に比べて電極の面積が小さいなど、電極が透明でなくても発電性能に著しく悪影響を与えない場合は必ずしも透明でなくてもよい。 透明な電極の材料を挙げると、例えば、ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物；金属薄膜などが挙げられる。 また、この際、光の透過率の具体的範囲に制限は無いが、有機太陽電池素子の発電効率を考慮すると、光学界面での部分反射によるロスを除き、８０％以上が好ましい。
なお、電極の材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

また、電極の形成方法に制限はない。 例えば、真空蒸着、スパッタ等のドライプロセスにより形成することができる。 また、例えば、導電性インク等を用いたウェットプロセスにより形成することもできる。 この際、導電性インクとしては任意のものを使用することができ、例えば、導電性高分子、金属粒子分散液等を用いることができる。
さらに、電極は２層以上積層してもよく、表面処理による特性（電気特性やぬれ特性等）を改良してもよい。

［その他の層］
上記の例に示した有機太陽電池素子 は、上述した有機半導体層、電極以外に、その他の層を備えてもよい。 なお、その他の層を形成する位置は有機太陽電池素子の発電を阻害しない限り任意である。

＜有機太陽電池素子の性能評価＞
本発明に係る有機太陽電池素子は、以下のような性能を持つ。
下記に示す加速試験を行ない、試験前後での光電変換特性の変化を比較することで性能を評価することができる。
評価方法：加速試験は、環境試験機（例えば、エスペック社製ＳＨ−２４１）中にて高温高湿環境に設置することとする。 高温高湿環境は、４０℃９０％ＲＨもしくは８５℃８５％ＲＨとすることが好ましい。 試験期間は、デバイス構成材料により適宜選択できるが、２４時間以上は行なうことが好ましい。 また、光電変換特性は、有機薄膜太陽電池素子にソーラシュミレーターでＡＭ１．５Ｇ条件の光を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ ^２照射して、電流・電圧特性の測定を行なう。 かかる測定から得られる電流・電圧曲線から、エネルギー変換効率（ＰＣＥ）、短絡電流、開放電圧、ＦＦ（フィルファクター）、直列抵抗、シャント抵抗を求めることができる。
光電変換特性の加速試験前後を比較する式としては、例えば、ＰＣＥ変化率＝（加速試験後のＰＣＥ）／（加速試験前のＰＣＥ）が挙げられる。
つまり本発明に係る有機太陽電池素子のエネルギー変換効率（ＰＣＥ）変化率は、上式で定義されるように通常、初期性能に対して加速試験後の値が、０．８６以上であり、好ましくは、０．８８以上、より好ましくは０．９０以上である。

本発明に係わる有機電子デバイスは、荷重がかかった時にも捕捉剤を含む層と素子電極が接触せず、劣化防止効果が高い性能もある。 評価としては、ガスバリアフィルム側から捕捉剤を含む層を有機半導体素子方向に押しつけるときに接触有無を確認すればよい。
本発明に係わる有機電子デバイスは、耐候性良好である。 屋外暴露試験、耐候性試験機により耐候性試験を実施しても、性能を維持し、高い耐久性能を示す。 防食層の存在により電極劣化が抑制されているためと考えられる。 また、耐候性保護シートを積層した場合にはより高い耐候性を有する。

本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

［合成例］
（合成例１）化合物Ｑ２の合成

空気気流中、水(４５００ｍｌ）にアルファ-フェランドレン(４２．１２ｇ)とベンゾキノン(３３．８ｇ)を添加し、２日間、室温、超音波にて攪拌し、析出してきた結晶を濾取、水洗、乾燥させ、化合物Ｑ１を得た。

続いて、攪拌しながらエタノール(２００ｍｌ）に化合物Ｑ１(３９ｇ)を溶解、ついで３５％ＮａＯＨ溶液０．１ｇを添加し、３０分間攪拌を保持した後、水(４００ｍｌ)を加え、析出してくる結晶を濾取、水洗、乾燥させ、化合物Ｑ２(３９ｇ)を得た。

（ＮＭＲ測定の結果)
化合物Ｑ２： ^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ _３ ，４００ＭＨｚ） δ０．８４（ｄ，３Ｈ）、０．９３（ｄ，３Ｈ）、１．０４−１．１１８（ｍ，１Ｈ）、１．１９−１．２３（ｍ，３Ｈ）、１．８０（ｓ、３Ｈ），３．９４−３．９７（ｍ、１Ｈ），４．２２（ｄ、１Ｈ），５．８４（ｄ、１Ｈ），６．４５（ｓ、２Ｈ）、

（合成例２）化合物Ｑ６の合成

窒素気流中、化合物Ｑ２（３０．６ｇ）と２，３−ジクロロー５，６−ジシアノーｐ−ベンゾキノン（ＤＤＱ）（３３ｇ）とをトルエン溶液（７００ｍｌ）に溶解させ、２時間攪拌反応させた後、析出してきた複精製物を濾取し、濾液を濃縮ヘキサンおよび酢酸エチルを展開溶媒としたシリカゲルカラムによって精製し、乾燥化合物Ｑ４（２４．５ｇ）を得た。 １，４−ジブロモベンゼン（２９．５ｇ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌ溶液に溶解させ、−７８℃に冷却、攪拌しながらｎ−ブチルリチウム１．６Ｍ／Ｌ ７０ｍｌを３０分かけ滴下し、３時間攪拌した。 この溶液に、化合物Ｑ１（１０．２４ｇ）を溶解させたＴＨＦ溶液１００ｍｌを１時間かけて滴下した後、−７８℃にて２時間攪拌保持した。 この反応溶液を室温に戻し一晩放置させた。 続いて、この溶液に水２００ｍｌを加え攪拌、有機層を分取、さらにＭｇＳＯ

_４乾燥した後、ヘキサンおよび酢酸エチルを展開溶媒としたシリカゲルカラムによって精製し、乾燥化合物Ｑ５（２４．５ｇ）を得た。

次に空気気流中、化合物Ｑ５（２４．５ｇ）をＴＨＦ（５００ｍｌ）に溶解した後、５５％沃化水素を２ｇ添加、６０分間攪拌を保持し、続いて、この溶液に水（２００ｍｌ）を添加し、粗品化合物Ｑ６を析出させた。 この粗品化合物Ｑ６をヘキサンおよび酢酸エチルを展開溶媒としたシリカゲルカラムによって精製し、さらに日本分析工業社製リサイクル分取ＨＰＬＣＬＣ−９２０４型（分取カラムＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ−４０）により精製して化合物Ｑ６（０．８ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果)
化合物Ｑ４： ^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ _３ ，４００ＭＨｚ） δ０．８３４（ｄ，３Ｈ）、１．１０１９（ｄ，３Ｈ）、１．０４−１．１１８（ｍ，１Ｈ）、１．１９−１．２３（ｍ，３Ｈ）、１．８７（ｓ、３Ｈ），３．９４−３．９７（ｍ、１Ｈ），４．２２（ｄ、１Ｈ），５．８３（ｄ、１Ｈ），６．５９（ｓ、２Ｈ）

(Ｍａｓｓ測定の結果)
化合物Ｑ６のＭＡＳＳ分析手法は、下記の方法にて行なった。
ＤＥＩ法、ＤＣＩ法（日本電子社製質量分析計 ＪＭＳ−７００／ＭＳｔａｔｉｏｎ）
イオン化法 ＤＥＩ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ｍｏｄｅ）、
ＤＣＩ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ｍｏｄｅ）−イソブタンガス 加速電圧：７０ｅＶ
エミッター電流変化率：０Ａから０．９Ａ
走査質量数範囲：ｍ／ｚ１００−１３００ ２．０ｓｅｃ／ｓｃａｎ
結果はｍ／ｚ＝Ｍ＋５３８であった。

（合成例３）化合物Ｑ１０の合成

窒素気流中、攪拌しながら化合物Ｑ２（５．０８ｇ）と４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）アセトアニリド（５．２ｇ）と炭酸ソーダ（４．３ｇ）とをトルエン（２６０ｍｌ）、エタノール（１３０ｍｌ）、及び水（２４０ｍｌ）の混合溶媒に溶解し、４０分間窒素バブリングを施した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを０．２５ｇ加え１００℃にて６時間反応させた。 次いで室温に戻し１晩放置し結晶を析出させた。 結晶を濾取、エタノールにて洗浄して化合物Ｑ８（４．３ｇ）を得た。

化合物Ｑ８（４．３ｇ）と水酸化カリウム（１５ｇ）とを７５％エタノール水溶液（２５０ｍｌ）に溶解させ、１００℃にて１０時間加熱したのち室温に戻し、水を１００ｍｌ添加析出してくる結晶を濾取し、化合物Ｑ９（２ｇ）を得た。

１０分間窒素バブリングしたトルエン（１０ｇ）にジパラジウムトリス（ジベンジリデンアセトン）クロロフォルム（０．０１５ｇ）と１，１'−フェロセンビス（ジフェニルフォスフィン）（０．０５６ｇ）とを溶解したのち、７０℃にて１０分間加熱した。 その後、このパラジウム触媒溶液を、化合物Ｑ９（２ｇ）、ブロモベンゼン（１．６ｇ）とターシャリーブトキシナトリウム（３，４ｇ）とをトルエン（２００ｍｌ）に溶解、４０分間窒素バブリングを施した溶液に添加、窒素気流中、１００℃にて４時間攪拌した。 この溶液を室温に戻し、水を１００ｍｌ添加して析出してくる結晶を濾取、エタノールで洗浄し化合物Ｑ１０（１．３ｇ）を得た。

（Ｍａｓｓ測定の結果）
化合物Ｑ１０のＭＡＳＳ分析手法は下記の方法により行なった。
ＤＥＩ法、ＤＣＩ法（日本電子社製 質量分析計 ＪＭＳ−７００／ＭＳｔａｔｉｏｎ）
イオン化法 ＤＥＩ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ｍｏｄｅ）、
ＤＣＩ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ｍｏｄｅ）−イソブタンガス 加速電圧：７０ｅＶ
エミッター電流変化率： ０Ａから０．９Ａ
走査質量数範囲： ｍ／ｚ １００−８００ ２．０ｓｅｃ／ｓｃａｎ
結果は、ｍ／ｚ＝Ｍ＋５４６であった。

（合成例４）化合物Ｑ１１の合成

１０分間窒素バブリングしたトルエン（１０ｇ）にジパラジウムトリス（ジベンジリデンアセトン）クロロフォルム（０．０１５ｇ）とトリス−ターシャリーブチルフォスフィン（０．０１５ｇ）を溶解したのち、７０℃にて１０分間加熱した。 その後、このパラジウム触媒溶液を、化合物Ｑ９（２ｇ）、ブロモベンゼン（３．２ｇ）とターシャリーブトキシナトリウム（３．４ｇ）とをトルエン（２００ｍｌ）に溶解、４０分間窒素バブリングを施した溶液に添加、窒素気流中、１００℃にて４時間攪拌した。 この溶液を室温に戻し、水を１００ｍｌ添加し、析出してくる結晶を濾取、エタノールで洗浄し化合物Ｑ１１（１．５ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）

化合物Ｑ１１：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ０．８３（ｄ，３Ｈ）、０．９３（ｄ，３Ｈ）、１．０４−１．１１８（ｍ，１Ｈ）、１．１９−１．２３（ｍ，３Ｈ）、１．８７（ｓ、３Ｈ），３．９４−４．０５（ｍ、１Ｈ），４．２６（ｄ、１Ｈ），５．９０（ｄ、１Ｈ），６．９０−７．３（ｍ、３０Ｈ）

（実施例１）
化合物Ｑ１１に２３０℃で３０分間加熱処理を施すと、ＮＭＲの同定から化合物Ｑ１１から２−ビニルプロパンが脱離した化合物Ｑ１２が得られた。
前述した化合物Ｑ１１ ２ｍｇをトルエン１００ｇに溶解させた溶液に、紫外光（３６６ｎｍ）を照射すると、紫青発光が観測されたが、２３０℃で３０分間の加熱処理を施して得られた化合物Ｑ１２ ２ｍｇをトルエン１００ｇに溶解させた溶液に、紫外光（３６６ｎｍ）を照射すると、真青発光が得られた。

＜Ｅｔｈａｎｏｌに対する溶解性の評価＞
エタノール１０ｍｇが入った２本の５ｍｌサンプル瓶に１０ｍｇの化合物Ｑ１１を添加、超音波攪拌機により、２０分間攪拌処理を施したところ化合物Ｑ１１は完全に溶解した。 一方、同様の実験を化合物Ｑ１２に対して行ったところ８０％以上が溶解できずに残留した。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物Ｑ１２： ^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ _３ ，４００ＭＨｚ） δ２．４（ｓ，３Ｈ）、６．９−７．８５（ｍ、３３Ｈ）

（実施例２）
化合物Ｑ６に２３０℃で３０分間加熱処理を施すと、化合物Ｑ６から２−ビニルプロパンと水が脱離した化合物Ｑ１４が得られた。

＜Ｅｔｈａｎｏｌに対する溶解性の評価＞
エタノール１０ｍｇが入った２本の５ｍｌサンプル瓶に１０ｍｇの化合物Ｑ６を添加し、超音波攪拌機により、２０分間攪拌処理を施したところ化合物Ｑ６は完全に溶解した。 一方、同様の実験を化合物Ｑ１４に対して行ったところ９０％以上が溶解できずに残留した。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物Ｑ１４： ^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ _３ ，４００ＭＨｚ） δ２．４（ｓ，１Ｈ）、７．２−７．８５（ｍ、１３Ｈ）

（Ｍａｓｓ測定の結果）
化合物Ｑ１４のＭＡＳＳ分析手法は以下のように行なった。
ＤＥＩ法、ＤＣＩ法（日本電子社製 質量分析計 ＪＭＳ−７００／ＭＳｔａｔｉｏｎ）
イオン化法 ＤＥＩ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ｍｏｄｅ）
ＤＣＩ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ｍｏｄｅ）−イソブタンガス 加速電圧：７０ｅＶ エミッター電流変化率： ０Ａから０．９Ａ
走査質量数範囲： ｍ／ｚ １００−８００ ２．０ｓｅｃ／ｓｃａｎ
結果はｍ／ｚ＝Ｍ＋４５０であった。

（合成例５）重合体１の合成

上記で合成された化合物Ｑ１０（０．７１ｇ、１．３０ｍｍｏｌ）、４，４'−ジブロモビフェニル（０．３９ｇ、１．２６ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（０．４７ｇ、４．８６ｍｍｏｌ）、及びトルエン（７ｍｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、５０℃まで加温した（溶液Ａ）。

トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．０１３ｇ、０．００１３ｍｍｏｌ）のトルエン２ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．０２１０ｇ、０．０１０４ｍｍｏｌ）を加え、５０℃まで加温した（溶液Ｂ）。

窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、２時間加熱還流反応した。 反応液を放冷して、反応液をメタノール２００ｍｌ中に滴下し、粗ポリマー１を晶出させた。

この粗ポリマー１をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。 得られた粗ポリマー１をトルエン４５ｍｌに溶解させ、ブロモベンゼン（０．０４１ｇ、０．３ｍｍｏｌ）、及びｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（１．８０ｇ、２ｍｍｏｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、５０℃まで加温した（溶液Ｃ）。

トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．０１３ｇ、１．２ｍｍｏｌ）のトルエン５ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．００３ｇ、１．６ｍｍｏｌ）を加え、５０℃まで加温した（溶液Ｄ）。

窒素気流中、溶液Ｃに溶液Ｄを添加し、２時間、加熱還流反応した。 この反応液に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（０．２２ｇ、１．３ｍｍｏｌ）のトルエン（３４ｍｌ）溶液を添加し、さらに、８時間、加熱還流反応した。 反応液を放冷し、メタノールに滴下し、粗ポリマー１を得た。

得られた粗ポリマー１をトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。 濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、本発明に係る重合体１を得た（０．２９ｇ）。

重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０６６９６

数平均分子量（Ｍｎ）＝４７９３７

分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝２．２３

重合体１の熱解離を示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製：ＤＳＣ６２２０）により観測した。 熱解離は、温度が２３０℃で効率よく起こることが確認された。

（合成例６）
合成例１においてアルファ-フェランドレン(４２．１ｇ)を１，３−シクロヘキサジエン（２４．７ｇ）に変更した外は、同様に反応および、精製処理を行い化合物Ｑ１５（２９．６ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）

化合物Ｑ１５：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ１．５−１．６（ｍ，４Ｈ）、４．３２（ｍ，２Ｈ）、６．４５（ｓ，２Ｈ）

（合成例７）
合成例２において得られた、粗品化合物Ｑ６中に副精製物として含まれる化合物Ｑ１６をリサイクル分取ＨＰＬＣＬＣ−９２０４型（分取カラムＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ−４０：日本分析工業社製）により分取し化合物Ｑ１６（０．５ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果)

化合物Ｑ１６：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ０．８３４（ｄ，３Ｈ）、０．９２（ｄ，３Ｈ）、１．０４−１．１１８（ｍ，１Ｈ）、１．１９−１．２３（ｍ，３Ｈ）、１．８７（ｓ、３Ｈ），３．９４−３．９７（ｍ、１Ｈ），４．２２（ｄ、１Ｈ），５．８３（ｄ、１Ｈ），６．９−７．４（ｍ、１０Ｈ）

（合成例８）
（合成例２）においてＱ２（３０．６ｇ）の代わりにＱ５（２２．４ｇ）に変えた他は、同様にして下記構造式で表される化合物Ｑ１７（０．３ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果)

化合物Ｑ１７：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ１．５−１．６（ｍ，４Ｈ）、４．３２（ｍ，２Ｈ）、６．４５（ｍ，２Ｈ）、７．０−７．７（ｍ、１０Ｈ）

（合成例９）

１０分間窒素バブリングしたトルエン（３０ｇ）にジパラジウムトリス（ジベンジリデンアセトン）クロロフォルム（０．２８ｇ）とトリス−ターシャリーブチルフォスフィン（０．２９ｇ）を溶解したのち、７０℃にて１０分間加熱した。 その後、このパラジウム触媒溶液を、化合物Ｑ１６（０．８４ｇ）（合成例７で合成した化合物Ｑ１６）、Ｎ−フェニル-1-アミノピレン（１．０８ｇ）とターシャリーブトキシナトリウム（１．０７ｇ）とをトルエン（１００ｍｌ）に溶解、４０分間窒素バブリングを施した溶液に添加、窒素気流中、８０℃にて３時間攪拌した。 この溶液を室温に戻し、水を１０ｍｌ添加し、析出してくる結晶を濾取、エタノールで洗浄し化合物Ｑ１９（０．７ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）
化合物Ｑ１９： ^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ _３ ，４００ＭＨｚ） δ０．８３（ｄ，３Ｈ）、０．９３（ｄ，３Ｈ）、１．０４−１．１１８（ｍ，１Ｈ）、１．１９−１．２３（ｍ，３Ｈ）、１．８７（ｓ、３Ｈ），３．９４−４．０５（ｍ、１Ｈ），４．２６（ｄ、１Ｈ），５．９０（ｄ、１Ｈ），６．９０−３．３（ｍ、３８Ｈ）

（合成例１０）

１０分間窒素バブリングしたトルエン（１０ｇ）にジパラジウムトリス（ジベンジリデンアセトン）クロロフォルム（０．０２５ｇ）とトリス−ターシャリーブチルフォスフィン（０．０２７ｇ）を溶解したのち、７０℃にて１０分間加熱した。 その後、このパラジウム触媒溶液を、化合物Ｑ１７（０．０６７ｇ）（合成例８で合成した化合物Ｑ１７）、Ｎ−フェニル-1-アミノピレン（０．０９８ｇ）とターシャリーブトキシナトリウム（０．０９８ｇ）とをトルエン（１０ｍｌ）に溶解、４０分間窒素バブリングを施した溶液に添加、窒素気流中、８０℃にて３時間攪拌した。 この溶液を室温に戻し、水を１０ｍｌ添加し、析出してくる結晶を濾取、エタノールで洗浄し化合物Ｑ２０（０．０６ｇ）を得た。

（ＮＭＲ測定の結果）

化合物Ｑ２０：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ１．５−１．６（ｍ，４Ｈ）、４．３２（ｍ，２Ｈ）、６．４５（ｍ，２Ｈ）、６．９−８．３（ｍ、３８Ｈ）

（合成例１１）
化合物Ｑ１９に２３０℃で３０分間加熱処理を施すと、ＮＭＲの同定から化合物Ｑ１９から２−ビニルプロパンが脱離した化合物Ｑ２１が得られた。

（ＮＭＲ測定の結果）

化合物Ｑ２１：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ２．４（ｓ，３Ｈ）、６．９−８．３（ｍ、４１Ｈ）

＜有機溶媒に対する溶解性の評価＞
トルエン：ヘキサン（１０：１重量比）の混合溶液１００ｍｇが入った２本の５ｍｌサンプル瓶に５ｍｇの化合物Ｑ１９を添加、超音波攪拌機により、５秒間攪拌処理を施したところ化合物Ｑ１９は完全に溶解した。 一方、同様の実験を化合物Ｑ２１に対して行ったところ８０％以上が溶解できずに残留した。

（合成例１２）
化合物Ｑ２０に２３０℃で３０分間加熱処理を施すと、ＮＭＲの同定から化合物Ｑ２０からエチレンが脱離した化合物Ｑ２２が得られた。

（ＮＭＲ測定の結果）

化合物Ｑ２２：

^１ Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ

_３ ，４００ＭＨｚ） δ６．９−８．３（ｍ、４２Ｈ）

＜有機溶媒に対する溶解性の評価＞
トルエン：ヘキサン（１：１重量比）の混合溶液１００ｍｇが入った２本の５ｍｌサンプル瓶に５ｍｇの化合物Ｑ２０を添加、超音波攪拌機により、５秒間攪拌処理を施したところ化合物Ｑ２０は完全に溶解した。 一方、同様の実験を化合物Ｑ２２に対して行ったところ８０％以上が溶解できずに残留した。
トルエン：ヘキサン（１０：１重量比）の混合溶液に対する溶解性を評価したところ、Ｑ２０とＱ２２ともに８０％以上溶解できずに残留した。

（合成例１３）

トルエン（６０ｍｌ）、ＥｔＯＨ（３０ｍｌ）の混合溶媒にＱ２３（６．９１ｇ）、ボロン酸エステル（３．５４ｇ）を加え、４０分間窒素バブリングした。 反応溶液に炭酸ナトリウム水溶液（炭酸水素ナトリウム ６．６ｇを水３０ｍｌに溶解した後、３０分窒素バブリング）を加えた。 続いて、Ｐｄ（ＰＰｈ

_３ ）

_４ ０．７８ｇを加え、反応溶液を２時間還流した。 有機層を分取したのち、水で２回洗浄した。 有機層を減圧乾固した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、Ｑ２４（４．６ｇ、収率：６９％）を得た。

（合成例１４）

トルエン（６０ｍｌ）、ＥｔＯＨ（３０ｍｌ）の混合溶媒にＱ２４（６．９ｇ）、フェニルボロン酸エステル（１．２５ｇ）を加え、４０分間窒素バブリングした。 反応溶液に炭酸ナトリウム水溶液（炭酸水素ナトリウム ６．６ｇを水３０ｍｌに溶解した後、３０分窒素バブリング）を加えた。 続いて、Ｐｄ（ＰＰｈ

_３ ）

_４ ０．５４ｇを加え、反応溶液を８時間還流した。 有機層を分取したのち、水で２回洗浄した。 有機層を減圧乾固した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、Ｑ２５（２．６ｇ、収率：６６％）を得た。

（合成例１５）

２００ｍＬのナスフラスコにＱ２５（２．６ｇ）、エタノール（８０ｍｌ）を加え攪拌した。 溶液に水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ １３．８ｇ／水 １５ｍｌ）を加えた後、溶液を８５℃オイルバスにつけ７時間反応した。 溶液を室温まで放冷したのち、氷で冷却し、生成物を結晶化した。 結晶をろ過した後、水で懸洗、乾燥し、Ｑ２６（１．６６ｇ、収率：７１％）を得た。

（合成例１６）

Ｑ２６（２．２３ｇ）、４，４'−ジブロモビフェニル（０．９２ｇ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（１．８１ｇ）、及びトルエン（３０ｍｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、６５℃まで加温した（溶液Ａ）。

一方、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（６０ｍｇ）のトルエン溶液（５ｍｌ）に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン９５ｍｇを加え、６５℃まで加温した（溶液Ｂ）。

窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、加熱還流反応した。 ２時間後、ジブロモベンゼン（０．６８ｇ）を加え、１２０分還流した。 反応溶液に再度溶液Ｂを加え、３０分後、ジブロモベンゼン（１５ｍｇ）を追加し、このまま２時間反応した。

反応液を放冷して、反応液をエタノール中に滴下し、粗ポリマー２を晶出させた。

得られた粗ポリマー２をトルエン１００ｍＬに溶解させ、ブロモベンゼン０．１８ｇ、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム１．８１ｇを仕込み、系内を十分に窒素置換して、６５℃まで加温した（溶液Ｃ）。

一方、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体３０ｍｇのトルエン溶液６ｍＬに、トリ−ｔ−ブチルホスフィン４５ｍｇを加え、６５℃まで加温した（溶液Ｄ）。

窒素気流中、溶液Ｃに溶液Ｄを添加し、２時間、加熱還流反応した。 この反応液に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン０．９９ｇを添加し、さらに、４時間、加熱還流反応した。 反応液を放冷し、エタノールに滴下し、エンドキャップした粗ポリマー２を得た。

このエンドキャップした粗ポリマー２をトルエン２５０ｍＬに溶解し、希塩酸２００ｍＬにて洗浄し、アンモニア含有エタノール４００ｍＬにて再沈殿した。 得られたポリマーをアセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。 濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、重合体２（１．０４ｇ）を得た。 なお、重合体２の重量平均分子量及び数平均分子量を測定したところ、以下の通りであった。

重量平均分子量（Ｍｗ）＝３１０００

数平均分子量（Ｍｎ）＝１８４００

分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．６８

（合成例１７）

攪拌しながらＱ２７（３．４ｇ）に室温で塩酸（３．８ｇ）を滴下し、３０分後水１０ｍｌを加え、０℃で冷やしたＮａＮＯ

_２ （１．３ｇ）溶液を滴下、このまま１時間反応した。 この反応液を６０℃のヨウ化カリウム（５．７ｇ）溶液に加え、析出した沈殿を集めて塩化メチレンに溶かして分液を行った。 硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。 さらに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１）で精製することにより、Ｑ２８（３．６ｇ）を得た。

（合成例１８）

Ｑ２８（２．０ｇ、３．２４５４ｍｍｏｌ）、Ｑ２９（１．７７ｇ、３．２４５ｍｍｏｌ）およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（０．８４ｇ、８．７６ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ａ）。

トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．０３４ｇ、０．０３３ｍｍｏｌ）のトルエン２ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．０５３ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｂ）。

窒素気流中、溶液Ａに溶液Ｂを添加し、５０分間、加熱還流反応した。 反応液を放冷して、反応液をエタノール３００ｍｌ中に滴下し、粗ポリマー３を晶出させた。

得られた粗ポリマー３をトルエン１００ｍｌに溶解させ、ブロモベンゼン（０．１ｇ、０．６４９ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（０．８４ｇ、８．７６ｍｍｏｌ）を仕込み、系内を十分に窒素置換して、６０℃まで加温した（溶液Ｃ）。

トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０．０３４ｇ）のトルエン２ｍｌ溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．０５３ｇ）を加え、６０℃まで加温した（溶液Ｄ）。

窒素気流中、溶液Ｃに溶液Ｄを添加し、２時間、加熱還流反応した。 この反応液に、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン（０．５５ｇ、３．２４５ｍｍｏｌ）のトルエン（３ｍｌ）溶液を添加し、さらに、４時間、加熱還流反応した。 反応液を放冷し、エタノール／水（２５０ｍｌ／５０ｍｌ）溶液に滴下し、粗ポリマー３を得た。

この粗ポリマー３をトルエンに溶解し、アセトンに再沈殿し、析出したポリマーを濾別した。 得られたポリマーをトルエンに溶解させ、希塩酸にて洗浄し、アンモニア含有エタノールにて再沈殿した。 濾取したポリマーをカラムクロマトグラフィーにより精製し、重合体３を得た（０．６ｇ）。

重量平均分子量（Ｍｗ）＝３７０００

分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７

（実施例３）有機電界発光素子の作製［陽極］
ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍの厚みで成膜した（スパッタ成膜品、シート抵抗１５Ω）。 この透明導電膜を、通常のフォトリソグラフィー技術により、２ｍｍ幅のストライプにパターニングし、陽極を形成した。
陽極が形成された基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、紫外線オゾン洗浄を行った。

［正孔注入層］
続いて、陽極の上に正孔注入層を形成した。 正孔注入層の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミン系高分子化合物（ＰＢ−１：重量平均分子量２９，４００、数平均分子量１２，６００）および電子受容性化合物（Ａ−１）、溶媒として、安息香酸エチルを含有する、正孔注入層形成用組成物を調製した。 正孔注入層形成用組成物の固形分濃度（ＰＢ−１およびＡ−１）は２重量％であり、ＰＢ−１：Ａ−１＝１０：４（重量比）とした。 この組成物を上記陽極が形成された基板上にスピンコート（スピナ回転数：１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間：３０秒）により成膜した。 スピンコートを行なった後、２６０℃で１８０分の乾燥を行ない、膜厚３０ｎｍの均一な正孔注入層の薄膜を形成した。

［正孔輸送層］
正孔輸送層の材料として上記重合体１、溶媒としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物（有機電界発光素子用組成物）を調製した。 正孔輸送層形成用組成物の固形分濃度は、０．４重量％とした。 この組成物を用いて、スピンコート（スピナ回転数：１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間：３０秒）により、正孔注入層の上に正孔輸送層を成膜した。 スピンコートを行なった後、２３０℃で６０分の加熱乾燥を行ない、膜厚２０ｎｍの均一な正孔輸送層の薄膜を形成した。

［発光層］
発光層の材料として、以下に示す化合物（ＤＤＤ−１）と、以下に示す化合物（Ｄ−１）、溶媒としてトルエンを含有する発光層形成用組成物を調製した。 発光層形成用組成物の固形分濃度（ＤＤＤ−１およびＤ−１）は０．７５重量％であり、（ＤＤＤ−１）：（Ｄ−１）＝１０：１（重量比）とした。 この組成物を用いて、スピンコート（スピナ回転数：１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間：３０秒）により、正孔輸送層の上に発光層を成膜した。 スピンコートを行なった後、１００℃で６０分の加熱乾燥を行ない、膜厚５０ｎｍの均一な発光層の薄膜を形成した。

［正孔阻止層・電子輸送層］
続いて、形成した発光層の上に正孔阻止層を形成し、さらに、正孔阻止層の上に電子輸送層を形成した。 正孔阻止層の材料として、下記に示すＨＢ−１を用いて、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を形成した。 次に、電子輸送層の材料として、下記に示すＥＴ−１を用いて、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

［電子注入層・陰極］
次に、電子輸送層の上に電子注入層を形成し、さらに、電子注入層の上に陰極を形成した。
電子注入層は、フッ化リチウム（ＬＩＦ）を用い、電子輸送層と同様に真空蒸着法によって膜厚０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
また、陰極の材料としてアルミニウムを用い、膜厚８０ｎｍの陰極を、それぞれ陽極であるＩＴＯストライプと直交する形状の２ｍｍ幅のストライプ状に積層した。
以上の操作によって作製した大きさ２ｍｍ×２ｍｍの発光面積部分を有する有機電界発光素子に、７Ｖの電圧を印加した際の、発光素子としての発光の有無と発光色を評価した。
その結果、化合物ＤＤＤ−１を用いて作製した有機電界発光素子から、青色発光が得られた。 さらに、１０００ｃｄ／ｍ ^２にて発光させた際の駆動電圧は、７．０Ｖであった。

（比較例１）
正孔輸送層形成用組成物に用いた重合体１を下記のポリマー（ＨＴ−１）に変更した以外は、実施例３と同様にして、有機電界発光素子を作製した。 その結果、青色の発光が観測された。 しかし、１０００ｃｄ／ｃｍ ^２に発光させた際の駆動電圧は８．１Ｖと高電圧であった。

（実施例４）
まず、ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜（三容真空社製、スパッタ成膜品）が、２ｍｍ幅のストライプ状にパターニングされている基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
（正孔注入層の形成）
下記に示す構造式の芳香族アミン系高分子化合物（ＰＢ−３：重量平均分子質量６００００）２重量％と、前記電子受容性化合物（Ａ−１）０．８重量％を、溶媒として安息香酸エチルに溶解し、固形分濃度２重量％の正孔注入層用塗布液を調製した。

洗浄処理したＩＴＯ基板上に、上記正孔注入層用塗布溶液を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。 スピンコートは気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。 塗布後、ホットプレート上で８０℃１分間加熱乾燥した後、電極上の不要部分を拭き取り、オーブン大気中で２３０℃１時間ベークし、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
次に、下記式（Ｖ）で表されるポリマー（重量平均分子質量９５０００）０．４重量％を、溶媒としてトルエンに溶解し、正孔輸送層用塗布液を作製した。 トルエンは市販品の脱水グレードを使用し、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で正孔輸送層用塗布液を調製した。

正孔注入層を塗布した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層用塗布液を用いてスピンコート法にて正孔注入層を形成した。 回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。 塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークし、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層（Ｂ１）を形成した。

正孔輸送層用塗布液調製、スピンコート、ベークすべて、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で大気暴露させずに行った。

（発光層の形成）
次に、発光層を塗布成膜するための発光層塗布液を調製した。
・発光層塗布液の調製 下記式（VI）で表される化合物を１００重量部、下記化合物Ｑ１９を１０重量部を、溶媒としてトルエンに溶解させ、０．８重量％の溶液を調製した。 この溶液を、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターでろ過し、発光層塗布液（Ｄ１）を調製した。 発光層塗布液（Ｄ１）は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。

（発光層塗布成膜）
正孔輸送層上に、発光層塗布液（Ｄ１）を用いてスピンコート法にて発光層を形成した。 スピンコートは、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行い、回転数は１５００ｒｐｍ、回転時間は３０秒とした。 塗布後、電極上の不要部分を拭き取り、ホットプレート上で２３０℃１時間加熱し、化合物Ｑ１９（合成例９で合成された化合物Ｑ１９）で表される化合物を化合物Ｑ２１（合成例１１で合成された化合物Ｑ２１）で表される化合物に変換し、膜厚６５ｎｍの発光層を形成した。

この基板を一旦大気中に取り出し、真空蒸着装置のチャンバー内に設置した。 チャンバーはロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。 真空度は１．０×１０

^−４ Ｐａであった。 基板には、所定の領域に、蒸着用マスクを配置し、チャンバーにはあらかじめ必要な蒸着材料をそれぞれ別のモリブデン製ボートに入れて配置しておいた。

（正孔阻止層の形成）
前記式ＨＢ−１で表される材料を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、発光層の上に蒸着した。 蒸着時の真空度は１．０×１０ ^−４ Ｐａ、蒸着速度１．０Å／ｓとし、正孔阻止層を膜厚１０ｎｍで形成した。
（電子輸送層の形成）
次に、前記式ＥＴ−１で表されるＡｌｑ _３を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、正孔阻止層の上に蒸着した。 蒸着時の真空度は１．０×１０ ^−４ Ｐａ、蒸着速度１．０Å／ｓとし、電子輸送層を膜厚３０ｎｍで形成した。

（陰極形成）
次に、基板を一旦大気中に取り出し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプと直交するように配置し、蒸着装置に設置した。 チャンバーはロータリーポンプで粗引きした後、クライオポンプにて減圧した。 真空度は３．０×１０ ^−４ Ｐａであった。 陰極として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を入れたモリブデン製ボートを通電加熱し、電子輸送層の上に蒸着した。 蒸着条件は、蒸着時の真空度は３．０×１０ ^−４ Ｐａ、蒸着速度０．０５Å／ｓとし、膜厚０．５ｎｍで成膜した。 最後に、アルミニウムを入れたモリブデン製ボートを通電加熱して陰極を蒸着した。 蒸着条件は、蒸着時の真空度は５．０×１０ ^−４ Ｐａ、蒸着速度２．０Å／ｓとし、膜厚７０ｎｍ成膜した。

（封止）
次に、基板を一旦大気中に取り出し、窒素置換されたグローブボックスに移した。 窒素置換されたグローブボックス中では封止ガラス板の凹部に吸湿剤シートを貼り付け、封止ガラス板の凹部の周囲にＵＶ硬化樹脂塗をディスペンサーにて塗布し、蒸着を行なった基板の蒸着領域を封止ガラス板で密封するように密着させ、ＵＶランプにてＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させた。
以上の様にして、有機電界発光素子を得た。
（素子評価確認）
この素子に通電したところ、青色発光が得られた。 この素子を１０００ｃｄ／ｍ ^２の輝度で発光させたときの電圧は９．２Ｖ、電流発光効率は３．１ｃｄ／Ａであった。

（実施例５）
（有機電界発光素子作製）
実施例４の発光層の材料のうち、化合物Ｑ１９の代わりに下記式で表される化合物Ｑ２０（合成例１０で合成された化合物Ｑ２０）を用いた以外は実施例４と同様にして、有機電界発光素子を作製した。
下記式で表される化合物Ｑ２０は、発光層塗布後、ホットプレート上で２３０℃１時間加熱した際に、下記式で表される化合物Ｑ２２に変換されている。

（素子評価確認）
この素子に通電したところ、青色発光が得られた。 この素子を１０００ｃｄ／ｍ ^２の輝度で発光させたときの電圧は９．８Ｖ、電流発光効率は３．１ｃｄ／Ａであった。

（実施例６）
実施例５において、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５を下記のようにして形成した他は、実施例５と同様にして有機電界発光素子を形成した。
（正孔注入層の形成）
正孔注入層３を形成する材料として、下記式に示す構造の高分子化合物ＰＢ−２（重量平均分子量（Ｍｗ）：９３０００、分散度：１．６９）、電子受容性化合物として、下記式に示す構造の化合物Ａ−１および溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。 組成物中、該高分子化合物ＰＢ−２は２．０重量％、該化合物Ａ−１は０．４重量％の濃度とした。 この組成物を、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、大気中にてスピンコート法により、上記陽極上に成膜し、２３０℃で３時間加熱することにより、該高分子化合物ＰＢ−２を架橋させ、乾燥させることにより、膜厚４５ｎｍの均一な薄膜（正孔注入層３）を形成した。

（正孔輸送層の形成）
正孔輸送層４を形成する材料として、本発明の重合体ＮＨ−１（合成例５で合成された重合体１、重量平均分子量（Ｍｗ）：７００００、分散度：１．９）および溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。 組成物中、重合体ＮＨ−１は、１．４重量％の濃度とした。 この組成物を、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、窒素中にてスピンコート法により、上記正孔注入層上に成膜し、２３０℃で１時間、窒素中にて加熱することにより、膜厚２０ｎｍの均一な薄膜（正孔輸送層）を形成した。

（発光層の形成）
発光層５を形成する材料として、前記化合物（ＤＤＤ−１）と、前記化合物（Ｄ−１）、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含有する発光層形成用組成物を調製した。 発光層形成用組成物の固形分濃度（ＤＤＤ−１およびＤ−１）は３．１重量％であり、（ＤＤＤ−１）：（Ｄ−１）＝１０：１（重量比）とした。 この組成物を用いて、スピンコート（スピナ回転数：１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間：３０秒）により、正孔輸送層の上に発光層を成膜した。 スピンコートを行なった後、減圧下、１３０℃で６０分の加熱乾燥を行ない、膜厚５０ｎｍの均一な発光層の薄膜を形成した。
得られた素子の発光特性は以下の通りである。
電圧：９．５［Ｖ］ （２，５００ｃｄ／ｍ ^２の輝度で発光時）
輝度／電流：４．８［ｃｄ／Ａ］ （２，５００ｃｄ／ｍ ^２の輝度で発光時）
この素子の特性を表１２に示す。 本発明の有機電界発光素子は、駆動電圧が低く、電流効率が高い素子であることが分かる。

（実施例７）
実施例６において、正孔注入層３を下記のようにして形成したほかは、実施例６と同様にして有機電界発光素子を形成した。
（正孔注入層の形成）
正孔注入層３を形成する材料として、本発明の重合体ＮＨ−２（合成例１５で合成された重合体２、重量平均分子量（Ｍｗ）：３１０００、分散度：１．６８）、電子受容性化合物として、下記式に示す構造の化合物Ａ−１および溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。 組成物中、該重合体ＮＨ−２は２．０重量％、該化合物Ａ−１は０．４重量％の濃度とした。 この組成物を、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、大気中にてスピンコート法により、上記陽極上に成膜し、２３０℃で３時間加熱することにより、膜厚４５ｎｍの均一な薄膜（正孔注入層３）を形成した。

得られた素子の発光特性は以下の通りである。

電圧：７．４［Ｖ］ （２，５００ｃｄ／ｍ

^２の輝度で発光時）

輝度／電流：４．６［ｃｄ／Ａ］ （２，５００ｃｄ／ｍ

^２の輝度で発光時）

この素子の特性を表１２示す。 本発明の有機電界発光素子は、駆動電圧が低く、電流効率が高い素子であることが分かる。

（比較例２）
実施例６において、正孔輸送層３を下記のようにして形成したほかは、実施例６と同様にして有機電界発光素子を形成した。
（正孔輸送層の形成）
正孔輸送層４を形成する材料として、下記に示す構造の高分子化合物ＨＴ−２（重量平均分子量（Ｍｗ）：９５０００、分散度：２．２）および溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。 組成物中、重合体ＨＴ−２は、１．４重量％の濃度とした。 この組成物を、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、窒素中にてスピンコート法により、上記正孔注入層上に成膜し、２３０℃で１時間、窒素中にて加熱することにより、膜厚２０ｎｍの均一な薄膜（正孔輸送層）を形成した。

得られた素子の発光特性は以下の通りである。

電圧：１０．６［Ｖ］ （２，５００ｃｄ／ｍ

^２の輝度で発光時）

輝度／電流：４．５［ｃｄ／Ａ］ （２，５００ｃｄ／ｍ

^２の輝度で発光時）

この素子の特性を表１２に示す。

（実施例８）単層素子の電流−電圧特性 図２に示す単層素子を作製した。
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。 パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
前記本発明の重合体（ＮＨ−２）４．５重量％及び、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４'−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート０．９重量％を、溶媒としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製メンブレンフィルターを用いて濾過し、塗布組成物を作製した。 この塗布組成物を上記基板１上にスピンコートした。 スピンコートは気温２３℃、相対湿度６０％の大気中で行い、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。 スピンコート後、オーブンにて常圧大気雰囲気中、２３０℃で１時間加熱した。 このようにして、サンプル層１０を形成した。
続いて、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交するように素子に密着させた。 油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、クライオポンプを用いて装置内の真空度が３×１０ ^-４ Ｐａ以下になるまで排気した。
陰極９としてアルミニウムをモリブデンボートにより加熱し、蒸着速度０．５〜５Å／秒、真空度２〜３×１０ ^-４ Ｐａで制御して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。 以上の陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの素子面積を有する単層素子が得られた。
得られた単層素子をＫｅｉｔｈｌｅｙ社製２４００型ソースメーターに接続し、電圧を順次印加していき電流値を読み取った。
この素子の電流-電圧特性を図３に表す。
図３に示すが如く、本発明の重合体を用いた素子は、比較例３の素子に比べて、低い電圧で電流が流れた。 このことから、本発明の重合体は、比較例３で使用したポリマーよりも電荷輸送能に優れることは明らかである。

（比較例３）
本発明の重合体（ＮＨ−２）を前記高分子化合物（ＰＢ−２）に代えた以外は、実施例８と同様に、図２に示す単層素子を作製した。
得られた単層素子をＫｅｉｔｈｌｅｙ社製２４００型ソースメーターに接続し、電圧を順次印加していき電流値を読み取った。 この素子の電流-電圧特性を図３に表す。

（実施例９）本発明の重合体を用いた有機太陽電池の作製 図４に示す有機太陽電池素子を作成した。
溶媒としてトルエンを用い、下記式で表されるＮＨ−１（合成例５で合成された重合体１）を０．９重量％、Ａ−１を０．０９重量%溶解させ正孔取り出し層用組成物を調製した。 電極（陽極２）としてＩＴＯ電極がパターニングされたガラス基板１上に、正孔取り出し層１１として、正孔取り出し層用組成物をスピンコート(１５００ｒｐｍ)により塗布した後、基板を２３０℃のクリーンオーブンで１時間、加熱処理を施した。

真空蒸着装置内に配置されたメタルボートに、下記式（Ａ）で表される化合物 テトラベンゾポルフィリン（三菱化学社製）を入れ、蒸着及び窒素雰囲気下での加熱処理（１８０℃２０分間）により、正孔取り出し層の上に、約７５ｎｍのｐ型半導体の層を形成した。

次に、下記式（Ｂ）で表されるフェニルＣ

_６１ ―酪酸ブチル［６０］フラーレン（フロンティアカーボン製）を１．２重量％溶解したトルエン溶液を、窒素雰囲気下でスピンコート（３０００ｒｐｍ）して、６５℃５分間の加熱処理によって、ｐ型半導体の層上に、フラーレン誘導体の層を形成し光電変換層１２とした。

真空蒸着装置内に配置されたメタルボートに下記式（Ｃ）で表される化合物２，９−ジメチルー４，７−ジフェニルー１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、同仁化学製）を入れ、真空蒸着により、フラーレン誘導体の層上に約６ｎｍの電子取り出し層１３を形成した。

更に、電子取り出し層の上に真空蒸着により厚さが８０ｎｍのアルミニウム電極（陰極９）を設けて、有機太陽電池素子を作製した。

作製した有機太陽電池素子にＩＴＯ電極側からソーラシミュレーター（ＡＭ１．５Ｇ）で１００ｍＷ／ｃｍ

^２の強度の光を照射し、ソースメーター（ケイスレー社製、２４００型）にて、ＩＴＯ電極とアルミニウム電極と間における電流−電圧特性を測定し、光電変換効率を算出したところ、１．３３％であった。

（比較例４） 正孔取り出し層を用いない有機太陽電池の作製 正孔取り出し層を用いずに、ＩＴＯ電極がパターニングされたガラス基板上に約７５ｎｍのｐ型半導体の層を形成した以外は、実施例９と同様に有機太陽電池素子を作製した。
作製した有機太陽電池素子の光電変換効率を実施例９と同様に算出したところ、０．８３％であった。

表１３に示すが如く、本発明の重合体を用いて形成した層を有する有機太陽電池素子は、光電変換効率（ＰＣＥ）が高く、また開放電圧（Ｖｏｃ）も高いことが分かる。

１ 基板２ 陽極３ 正孔注入層４ 正孔輸送層５ 発光層６ 正孔阻止層７ 電子輸送層８ 電子注入層９ 陰極１０ サンプル層１１ 正孔取出し層１２ 光電変換層１３ 電子取出し層