技术领域
[0001] 本
发明属于
太阳能电池技术领域，具体涉及一种
薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法。
背景技术
[0002]
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池，其具有高
稳定性、低成本和长寿命的优势。铜铟镓硒薄膜太阳能电池本质上是一种直接带隙
半导体，其基本结构包括依次叠层设置的衬底、背
电极、光吸收层、
缓冲层、
窗口层、减反射层和金属电极层，其中的光电吸层是由铜、铟、镓和硒四种元素组成的化合物半导体薄膜。目前，制备铜铟镓硒光吸收层的方法主要有共
蒸发法和溅射硒化法，溅射硒化法由于其成本低于共蒸发法，在大尺寸电池的生产工艺中得到广泛的应用。
[0003] 溅射硒化法是首先在衬底上溅射沉积铜铟镓的半导体预制层，然后将半导体预制层置于含硒化氢或硒蒸气的气氛中
退火，使铜、铟、镓、硒四种元素相互反应并结晶，得到符合化学计量比的铜铟镓硒薄膜。硒化处理是溅射硒化法的核心工艺，硒化环境对于制备出高
质量的吸收层薄膜非常关键。通常在制备工艺中为了防止硒化过量，往往需要对参与反应的硒元素含量进行计算，然后通入对应的高温硒蒸气或者预先在反应体系中提前加入硒元素。在实际工艺过程中，需要尽可能的通入足量的硒元素保证反应过程中有足够的硒元素的蒸气压，以保证反应高效进行，形成结晶、尺寸都优良的铜铟镓硒吸收层。由于硒元素对薄膜质量形成期有着至关重要的作用，而大尺寸的薄膜制备中，由于反应体积的原因很难提前准确计算硒元素的用量，因此为了保证反应过程中时刻都有足够的硒元素参与反应，需要在反应前提供过量或者实时通入足量的硒元素。通过加大硒元素的方式可以保证反应过程更加有效的进行，同时也会带来不良影响：过量的硒元素，在硒化过程结束后会继续对背电极进行
腐蚀，造成电池损失或者失效。
[0004] 通常地，在溅射硒化的工艺路径中也要进行硫化，硫化的目的是让硫能够进入硒存在的空位，补偿
缺陷，同时硫的引入也能够提高禁带宽度，使整个光吸收层的禁带宽度呈V型(如图1所示)，也称为U型梯度分布，即，光吸收层的两侧表面的禁带宽度高于光吸收层内部禁带宽度，由此达到提高开路
电压的效果，进而提高光电转换率。硫源的引入目前主要有通入
硫化氢气体、固体硫的热蒸发和气体硒，其中采用硫化氢气体的方式活性高，效果明显。
[0005] 目前，溅射后硒化硫化的工艺都是同步进行，具体是：首先在铜铟镓预制层上蒸
镀硒薄膜层形成铜铟镓硒前驱体；然后将所制得的铜铟镓硒前驱体放入到
退火炉中进行预热，预热
温度为80°С～200°С，让前驱体表面变得平整；接着在预热温度下，通入硫化氢气体；最后在氮气保护氛围下进行升温，升至500°С～600°С左右，使铜铟镓硒前驱体同时进行硒化和硫化，形成铜铟镓硒硫(CIGSSe)光吸收层。在这种高温硒化硫化过程中，虽然能有效进行硫化，增加其禁带宽度，但无法分别精确控制硒化和硫化过程，高温下硒元素扩散较快，随机因素较大，过量的硒也会对硫化造成不利影响，会使每个薄膜区域硒化硫化的程度不同，导致薄膜均匀性差、重复性低，很难保证工业生产中光吸收层的品质。同时，采用这种一步法硒化硫化的工艺，虽然简便且节省时间，但在高温下硫的活性高，同时进行的硫化和硒化会使大量的硫会进入到铜铟镓硒吸收层的内部，使其内部的禁带宽度提高，由此整个光吸收层的禁带宽度无法达到公认最佳的V型分布，会降低薄膜电池的光电转换率。
发明内容
[0006] 鉴于
现有技术存在的不足，本发明提供了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，以提高薄膜太阳能电池的光吸收层的品质，进而提升电池的光电转换率。
[0007] 为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：
[0008] 一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，其包括：
[0009] 应用
磁控溅射工艺制备获得铜铟镓预制层；
[0010] 在所述铜铟镓预制层上蒸发沉积形成硒薄膜层，硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比大于1；
[0011] 将沉积形成硒薄膜层后的铜铟镓预制层置于退火炉中；
[0012] 将所述铜铟镓预制层加热至第一预定温度后恒温第一预定时间；
[0013] 将所述铜铟镓预制层从所述第一预定温度加热升温至第二预定温度后恒温第二预定时间，以使所述铜铟镓预制层硒化；
[0014] 通过设置在退火炉中的喷淋装置，从硒化完成后的铜铟镓预制层的上方通入硫化氢气体，以使得退火炉中的过量的硒蒸气被排出而保存有硫化氢气体；
[0015] 将所述铜铟镓预制层保持在所述第二预定温度保温第三预定时间，以使所述铜铟镓预制层硫化，制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。
[0016] 优选地，所述第一预定温度为80℃～200℃，所述第一预定时间为1min～3min；所述第二预定温度为500℃～600℃，所述第二预定时间为0.5min～3min，所述第三预定时间为2min～5min。
[0017] 优选地，将所述铜铟镓预制层从室温加热至所述第一预定温度的时间为0.5min～1min，将所述铜铟镓预制层从所述第一预定温度加热升温至所述第二预定温度时间为3min～5min。
[0018] 优选地，通
过喷淋装置通入的气体是硫化氢与氮气的混合气体，所述混合气体中，硫化氢的体积浓度为2％～20％，通入混合气体的速率为0.2sccm/cm2～2sccm/cm2。
[0019] 优选地，在所述第一预定时间内还向所述退火炉中通入硫化氢与氮气的混合气体，其中，通入气体的速率为0.2sccm/cm2～2sccm/cm2，硫化氢的体积浓度为0.5％～3％。
[0020] 优选地，在将沉积形成硒薄膜层后的铜铟镓预制层置于退火炉中之后，先对所述退火炉的腔室进行洗气处理然后进行抽
真空处理，再加热至所述第一预定温度；在保温至所述第三预定时间结束后自然冷却至第三预定温度，然后在所述第三预定温度时先对所述退火炉的腔室进行抽真空处理再通入氮气保护气体直至冷却第四预定温度，在所述第四预定温度时从退火炉中取出制备得到的产品。
[0021] 优选地，所述第三预定温度为200℃～300℃，所述第四预定温度为70℃～90℃。
[0022] 优选地，所述铜铟镓预制层中，铜与铟镓之和的摩尔比为0.9～0.95，镓与铟镓之和的摩尔比为0.1～0.3。
[0023] 优选地，所述硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为1.6～2.2。
[0024] 优选地，所述硒薄膜层的厚度为700nm～1000nm。
[0025] 本发明
实施例提供的薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为大于1，即硒是过量的，使用过量的硒进行硒化，提高铜铟镓硒(CIGSe)结晶质量。而在硒化结束后又通过喷淋装置通入硫化氢气体的方式使得退火炉中的过量的硒蒸气被排出而保存有硫化氢气体，此时再进行硫化工艺，即，铜铟镓预制层的硒化和硫化分步进行，控制了硒和硫的反应竞争关系，以避免硒化的过度和不均匀性，同时也保证了硫化的质量，提高光吸收层的品质，进而提升电池的光电转换率。通过喷淋装置通入硫化氢气体的方式以排出过量的硒蒸气，不仅可以有效地排出硒蒸气，而且还可以使得退火炉内保持稳定压强，避免高温的条件下因气压过低导致在铜铟镓预制层分解而产生缺陷。
附图说明
[0026] 图1是光吸收层的禁带宽度呈V型梯度分布的示例性图示；
[0027] 图2是本发明中的薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法的
流程图；
[0028] 图3是本发明具体实施例的硒化硫化工艺中退火温度与时间关系图；
[0029] 图4是本发明具体实施例制备获得的太阳能电池的I-V曲线图；
[0030] 图5是本发明具体实施例制备获得的太阳能电池的剖面的SEM图。
具体实施方式
[0031] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的，并且本发明并不限于这些实施方式。
[0032] 在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
[0033] 本发明提供了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，如图2所示，所述制备方法包括步骤：
[0034] S10、应用磁控溅射工艺制备获得铜铟镓预制层。
[0035] 具体地，在真空环境下将构成铜铟镓预制层的
合金元素用磁控溅射的方法溅镀到沉积衬底(例如是太阳能电池的背电极)上获得合金薄膜，形成铜铟镓预制层。优选地，所述铜铟镓预制层中，铜与铟镓之和的摩尔比为0.9～0.95，镓与铟镓之和的摩尔比为0.1～0.3。
[0036] S20、在所述铜铟镓预制层上蒸发沉积形成硒薄膜层，硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为大于1。
[0037] 具体地，使用固态硒作为硒源，在所述铜铟镓预制层上蒸镀获得硒薄膜层。其中，所述硒薄膜层的厚度优选为700nm～1000nm。使用固态硒作为硒源，避免使用硒化氢剧毒气体，保证了生产过程中安全性。
[0038] 其中，硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为大于1，即硒相对于铜镓之和是过量的。优选的方案中，所述硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为1.6～2.2。更为优选的是，所述硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为1.6～1.8。
[0039] S30、将沉积形成硒薄膜层后的铜铟镓预制层置于退火炉中。
[0040] 其中，本发明实施例的退火炉相比于传统的退火炉来说，在退火炉的反应腔室中还设置有气体喷淋装置，所述气体喷淋装置设置在退火炉中的用于承载铜铟镓预制层的
支撑平台的相对上方。
[0041] 其中，步骤S30中，将沉积形成硒薄膜层后的铜铟镓预制层置于退火炉中之后，先对所述退火炉的腔室进行洗气处理然后进行抽真空处理。具体地，所述进行洗气处理具体是：对所述退火炉的腔室抽真空在通入氮气，如此重复3次以上。
[0042] S40、将所述铜铟镓预制层加热至第一预定温度后恒温第一预定时间。
[0043] 该步骤主要是对铜铟镓预制层进行预热，使得铜铟镓预制层的表面变得更加平整。在优选的方案中，所述第一预定温度可以设置为80℃～200℃的范围内，所述第一预定时间可以设置为1min～3min的范围内。进一步地，将所述铜铟镓预制层从室温加热至所述第一预定温度的时间优选为0.5min～1min。
[0044] 在优选的方案中，在所述第一预定时间内还向所述退火炉中通入少量的硫化氢气体，从而保证反应过程中保持硫化氢气体的
基础浓度，使得后续工艺中预制层更易硫化。优选地，向所述退火炉中通入硫化氢与氮气的混合气体，其中，通入气体的速率为0.2sccm/cm2～2sccm/cm2，硫化氢的体积浓度为0.5％～3％。
[0045] 在所述第一预定时间内还向所述退火炉中通入少量的硫化氢气体，一方面是可以保持硫化氢气体的基础浓度使得后续工艺中预制层更易硫化；另一方面，通入硫化氢和氮气的混合气体，可以使得退火炉中的气压保持稳定，防止因炉内气压过低时预制层的表面发生高温分解而形成缺陷。在这一阶段，由于炉内硒蒸气的浓度高，硫化氢的体积浓度为3％左右时不会发生硫化，也不会影响硒化的过程，但是如果硫化氢浓度进一步提高，则可能会导致硫化和硒化同时发生，因此，在所述第一预定时间内通入的硫化氢气体的浓度应当保持在3％以下。
[0046] S50、将所述铜铟镓预制层从第一预定温度加热升温至第二预定温度后恒温第二预定时间，以使所述铜铟镓预制层硒化。
[0047] 在优选的方案中，所述第二预定温度可以设置为500℃～600℃的范围内，所述第二预定时间可以设置为0.5min～3min的范围内。进一步地，将铜铟镓预制层从所述第一预定温度加热升温至所述第二预定温度时间优选为2min～5min。
[0048] 对镀硒的预制层预热后，升温至500°С～600°С(更为优选的温度范围是580°С～600°С)，保持在该温度下进行硒化，晶体长大，形成良好的铜铟镓硒晶体。在本发明实施例中，如前所述，硒是过量的，使用过量的硒进行硒化，提高铜铟镓硒(CIGSe)结晶质量。
[0049] S60、通过设置在退火炉中的喷淋装置通入硫化氢气体，以使得退火炉中的过量的硒蒸气被排出而保存有硫化氢气体。
[0050] 具体地，通过喷淋装置从硒化完成后的铜铟镓预制层的上方通过气体，可以是通入纯硫化氢气体，优选是是硫化氢与氮气的混合气体。通入混合气体时，硫化氢的体积浓度为2％～20％，通入混合气体的速率为0.2sccm/cm2～2sccm/cm2。通入硫化氢与氮气的混合气体，可以满足更好地排出过量的硒蒸气，而有不会使得硫化氢的量过高。在这一阶段，由于硒蒸气被排出，使用浓度较小的硫化氢气体即可实现硫化。由于硫化氢气体是有毒气体，在满足硫化的前提下尽可能减小硫化氢气体的用量，优选的方案中，通入混合气体时，硫化氢的体积浓度为2％～10％，更为优选的浓度是2％～5％。
[0051] 具体地，控制喷淋装置与铜铟镓预制层的上表面的距离大致为2mm～3mm，通入气体时，硫化氢气体(或者是混合气体)从喷淋装置的小孔阵列中均匀排出，喷到铜铟镓预制层的表面，推动铜铟镓预制层的表面上的过量硒蒸气向边缘流动，从退火炉的排气孔排出。
[0052] 在一些技术方案中，也可以考虑采用抽真空的方式抽除过量的硒蒸气。但是采用抽真空的方式，由于担心抽气过程中反应腔室内气体含量减少，气压下降，硒化完成后的铜铟镓预制层的表面会发生高温分解，形成缺陷，降低器件性能。因此，抽真空的方式抽除过量的硒蒸气，一般是不能完全抽除过量的硒蒸气，不能完全结束硒化反应。
[0053] 本发明通过喷淋装置通入硫化氢气体的方式以排出过量的硒蒸气，可以使得退火炉内保持稳定气压，能够完全排出硒蒸气以结束硒化反应，更加有效地避免硒蒸气的存在而影响后续的硫化过程。
[0054] S70、将铜铟镓预制层保持在第二预定温度保温第三预定时间，以使铜铟镓预制层硫化，制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。
[0055] 在优选的方案中，所述第三预定时间可以设置为2min～5min的范围内。
[0056] 在优选的方案中，在保温至所述第三预定时间结束后自然冷却至第三预定温度，然后在所述第三预定温度时先对所述退火炉的腔室进行抽真空处理再通入氮气保护气体(防止残余的反应气体和一些多元化合物冷却后污染样品表面)，接着继续冷却第四预定温度，在所述第四预定温度时从退火炉中取出制备得到的产品。所述第三预定温度选择为200℃～300℃的范围内，所述第四预定温度选择为70℃～90℃的范围内。
[0057] 实施例1
[0058] 一、制备背电极：在钠
钙玻璃衬底上蒸镀1000nm厚的钼作为背电极。
[0059] 二、制备铜铟镓预制层：使用具有20％～30％的镓含量的铜镓靶材，在钼背电极上溅射沉积200nm厚度的铜镓薄膜，然后再用铟靶材继续在样片上溅射沉积500nm厚度的铟薄膜。
[0060] 三、在铜铟镓预制层上蒸镀700nm厚度的固态硒薄膜层，硒薄膜层中的硒与铜铟镓预制层中的铜镓之和的摩尔比为1.6。
[0061] 四、将镀硒后的铜铟镓预制层放入可密闭的退火炉中，对炉内先进行洗气：抽真空、冲入氮气，如此重复3次，最后保持抽真空状态。
[0062] 五、对铜铟镓预制层分步进行硒化和硫化处理，获得光吸收层。
[0063] 具体地，参阅图3，先进行预热，1分钟升至80°С，保温3分钟；然后经过3分钟温度升至590°С，保温3分钟进行硒化；硒化结束后通过喷淋装置通入硫化氢与氮气的混合气体(硫化氢的体积浓度为5％)，一方面是为了排出过量的硒蒸气，一方面是通入后续硫化时使用的硫化氢气体；待气压稳定后，在590°С的温度下继续保温3分钟进行硫化；保温结束后，自然冷却至260°С，对退火炉抽真空，再通入氮气保护气体然后继续冷却；在温度降到80°С左右时，取出退火样品。
[0064] 六、通过化学
水浴法在光吸收层上制备形成50nm厚度的硫化镉缓冲层。
[0065] 七、在硫化镉缓冲层上采用传统工艺依次制备本征
氧化锌层、导电氧化锌层以及用于收集
电流的栅电极，由此制备获得薄膜太阳能电池。
[0066] 图4是本实施例制备获得的太阳能电池的I-V曲线图，该太阳能电池的开路电压(Voc)为605mV，
短路电流(Isc)为17.8mA，填充因子(FF)为66.35％，转换效率(Eff)为14.97％。
[0067] 图5是本实施例制备获得的太阳能电池的剖面的SEM图，从图5中可以获知以上方法制备的太阳能电池的光吸收层具有良好的结晶状态，厚度均匀。
[0068] 以上的实施例中，首先使用过量的硒进行硒化形成良好的铜铟镓硒半导体晶体；硒化结束后通入硫化氢气体的方式以排出过量的硒蒸气，可以使得退火炉内保持稳定气压，能够完全排出硒蒸气以结束硒化反应，实现硒化和硫化更好地分离，控制了硒和硫的反应竞争关系，避免过量的硒对硫化过程造成不利影响。在尽可能完全排出过量的硒蒸气之后，硫的活性大大提高，硫会通过
晶界，在光吸收层两侧表面处形成CIGSSe晶体，不仅让硫进入了硒缺失空位，弥补形成的铜铟镓硒晶体的缺陷，同时能够保证在对光吸收层内部的禁带宽度影响较小的情况下，提高光吸收层两侧表面的禁带宽度，达到良好的V型梯度分布，由此获得高品质的光吸收层。
[0069] 以上所述仅是本
申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
