具有高导电率的芯片
阅读：1发布：2021-07-01
专利汇可以提供具有高导电率的芯片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种具有高导电率的芯片，包括基片，基片外还具有一层导电层。本发明的具有高导电率的芯片，由于在芯片外设置了一层导电导热的纳米钻石层，使 硅 片 具有优良的导热效能和导电效能，导热率可达4.7W/m·K。而且其制造简单；所使用的纳米钻 石膏 无侵蚀性、抗 氧 化性，也不易产生 固化 现象。因此该具有高导电率的芯片适用 温度 的范围较广、热传导效果稳定。可广泛用作LED晶片、光伏多晶 硅片 和各种 散热 接口 芯片。，下面是具有高导电率的芯片专利的具体信息内容。
1.一种具有高导电率的芯片，包括基片，其特征在于基片外还具有一层导电层。
2.根据权利要求1所述的具有高导电率的芯片，其特征在于所述导电层为纳米钻石层。
3.根据权利要求2所述的具有高导电率的芯片，其特征在于所述纳米钻石层的厚度为
1-3纳米。
4.根据权利要求1所述的具有高导电率的芯片，其特征在于所述基片的厚度为1.5-2.5毫米。
具有高导电率的芯片
技术领域
[0001] 本发明涉及一种芯片，尤其涉及具有高导电率的芯片。
背景技术
[0002] 芯片所使用的硅片具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加。一般为提高导电率，是在硅片生产中掺入微量的IIIA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；或掺入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。但在硅片的各种应用领域中都需要具有较高导电率的硅片，但具有高导电率的芯片制造成本高，制造工艺复杂。
发明内容
[0003] 本发明的目的是针对以上现有实用导电率技术的不足，提供一种具有高导电率的芯片，其制造简单，成本较低。
[0004] 本发明的技术方案为：一种具有高导电率的芯片，包括基片，基片外还具有一层导电层。基片可以是现有芯片或硅片或晶片等。
[0006] 所述纳米钻石层的厚度为1-3纳米。
[0007] 所述芯片的厚度为1.5-2.5毫米。
[0008] 本发明的具有高导电率的芯片，由于在芯片外设置了一层导电导热的纳米钻石层，使芯片具有优良的导热效能和导电效能，导热率可达4.7(W/m·K)。而且其制造简单；所使用的纳米钻石膏无侵蚀性、抗氧化性，也不易产生固化现象。因此该具有高导电率的芯片适用温度的范围较广、热传导效果稳定。可广泛用作LED晶片、光伏多晶硅片和各种散热接口芯片。附图说明
[0009] 图1是本发明的竖剖面结构示意图。
具体实施方式
[0010] 一种具有高导电率的芯片，包括基片1，基片1外还具有一层导电层2。
[0011] 导电层2为纳米钻石层。纳米钻石层是将纳米钻石膏均匀涂抹在基片1上形成的。
[0012] 纳米钻石层的厚度为1-3纳米。
[0013] 基片1厚度为1.5-2.5毫米。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种高透光率、低方阻透明电加热玻璃的制造方法 | 2020-11-11 | 2 |
| 具有高导电率的芯片 | 2021-07-01 | 1 |
| 一种图像传感单元及其制作方法、图像传感器 | 2020-09-09 | 2 |
| 具有超薄氮化硅观察窗口的TEM液体测试芯片及其制法 | 2021-07-26 | 1 |
| 基于干涉仪测量的气磁结合气浮双工件台矢量圆弧回转换台方法及装置 | 2022-11-25 | 0 |
| 一种电镀铜方法 | 2021-05-29 | 0 |
| 一种隔板的处理方法 | 2020-07-14 | 0 |
| 太阳能硅片拆片机构 | 2020-06-03 | 1 |
| 一种改良型多片花篮 | 2020-09-07 | 0 |
| 一种硅片切割机的砂浆过滤装置 | 2021-10-07 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
硅片热门专利
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈