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金属络合物

阅读：970发布：2020-05-08

专利汇可以提供金属络合物专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及适用于有机电致发光器件中，特别是用作发光体的铱络合物。，下面是金属络合物专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种式(1)的化合物，
其中使用的符号如下：
L1是式(2)的亚配体，所述亚配体通过两个Z基团与铱配位并通过虚线键与V键合，A在每种情况下相同或不同并且是CR2、O、S或NR，其中至少一个A基团是CR2；
Z在每种情况下相同或不同并且是O、S或NR；
L2是二齿单阴离子亚配体，所述二齿单阴离子亚配体通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位；
L3是二齿单阴离子亚配体，所述二齿单阴离子亚配体通过一个碳原子和一个氮原子或
1
通过两个碳原子与铱配位，或者是所述式(2)的可以与L相同或不同的亚配体；
V是式(3)的基团，其中虚线键各自代表亚配体L1、L2和L3的连接，
X1在每种情况下相同或不同并且是CR或N；
X2在每种情况下相同或不同并且是CR或N，或两个相邻的X2基团一起是NR、O或S，因此形
3 2
成五元环；或者当环中的一个X基团是N时，两个相邻的X基团一起是CR或N，因此形成五元环；条件是在每个环中不超过两个相邻的X2基团是N；
X3在每种情况下在一个环中是C，或者一个X3基团是N并且在同一环中的另一个X3基团是C，其中三个环中的X3基团可独立地选择，条件是当环中的一个X3基团是N时，两个相邻的X2基团一起是CR或N；
R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，OR1，SR1，CN，NO2，COOH，C(＝O)N(R1)2，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被Si(R1)2、C＝O、NR1、O、S或CONR1替换，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个R基团也可以一起形成环系；
1 2 2 2 2
R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R)2，OR ，SR ，CN，NO2，Si(R)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，其中
2 2 2
一个或多个不相邻的CH2基团可以被Si(R)2、C＝O、NR、O、S或CONR替换，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个R1基团可以一起形成环系；
R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族的有机基团，特别是烃基基团，其中一个或多个氢原子也可以被F替换；
同时，除了桥连基V之外，三个二齿配体L1、L2和L3也可以被另一桥连基闭合以形成穴状化合物。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于V选自式(4a)至(7a)，
其中的符号具有权利要求1中详述的定义。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于V具有式(4b')、(4c)或(5c)的结构，其中的符号具有权利要求1中给出的定义。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于亚配体L1中的两个A基团均为CR2。
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于亚配体L1中的两个Z基团均为O。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的化合物，其特征在于L1具有式(2c)的结构，其中虚线键表示与V连接的键，并且R在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，OR1，具有
1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的支链或环状的烷基基团，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；并且R1具有权利要求1中给出的定义。
7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的化合物，其特征在于两个亚配体L2和L3各自具有一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的化合物，其特征在于亚配体L2和L3在每种情况下相同或不同，并且是式(L-1)或(L-2)的结构，
其中虚线键表示所述亚配体与V连接的键，并且其它符号如下：
CyC在每种情况下相同或不同，并且是取代或未取代的芳基或杂芳基基团，所述芳基或杂芳基基团具有5至14个芳族环原子并且在每种情况下通过碳原子与金属配位且通过共价键与CyD键合；
CyD在每种情况下相同或不同，并且是取代或未取代的杂芳基基团，所述杂芳基基团具有5至14个芳族环原子并通过氮原子或通过卡宾碳原子与所述金属配位且通过共价键与CyC键合；
同时，任选的取代基中的两个或更多个可以一起形成环系。
9.根据权利要求8所述的化合物，其特征在于所述亚配体L2和L3中的一个具有所述式(L-1)的结构，并且所述亚配体L2和L3中的另一个具有所述式(L-2)的结构。
10.根据权利要求8或9所述的化合物，其特征在于CyC选自式(CyC-1)至(CyC-19)的结构，其中CyC基团在每种情况下在由#标识的位置处与CyD键合并且在由*标识的位置处与铱键合，并且特征在于CyD基团选自式(CyD-1)至(CyD-12)的结构，其中所述CyD基团在每种情况下在由#标识的位置处与CyC键合并且在由*标识的位置处与铱键合，
其中R具有权利要求1中给出的定义，并且其它符号如下：
X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环中不超过两个符号X是N；
W在每种情况下相同或不同并且是NR、O或S；
条件是当所述桥连基V与CyC键合时，相应CyC基团中的一个符号X是C，并且所述桥连基V与这个碳原子键合，并且当所述桥连基V与CyD键合时，相应CyD基团中的一个符号X是C，并且所述桥连基V与这个碳原子键合；在这种情况下，与所述桥连基V的键合是通过“o”标记的位置实现的。
11.一种用于制备根据权利要求1至10中的一项或多项所述的化合物的方法，所述方法通过使游离配体与式(52)的铱烷醇盐、与式(53)的铱酮酮合物、与式(54)的卤化铱或与式(55)的羧酸铱反应进行，
其中R具有权利要求1中给出的定义，Hal＝F、Cl、Br或I，并且式(52)至(55)的铱反应物也可以是水合物的形式。
12.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至10中的一项或多项所述的化合物和至少一种其它化合物，其中所述其它化合物优选选自基质材料和/或溶剂。
13.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的化合物在电子器件中或作为氧敏化剂或作为光引发剂或作为光催化剂的用途。
14.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至10中的一项或多项所述的化合物，其中所述电子器件优选选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池、红外传感器、氧传感器和有机激光二极管。
15.根据权利要求14所述的电子器件，所述电子器件是有机电致发光器件，其特征在于根据权利要求1至10中的一项或多项所述的化合物用于一个或多个发光层中。

说明书全文

金属络合物

技术领域

[0001] 本发明涉及适用于有机电致发光器件中，特别是用作发光体的铱络合物。

背景技术

[0002] 根据现有技术，磷光有机电致发光器件(OLED)中使用的三重态发光体是铱络合物，特别是具有芳族配体的双-和三-邻位金属化络合物，其中配体通过带负电荷的碳原子和不带电荷的氮原子或通过带负电荷的碳原子和不带电荷的卡宾碳原子与金属键合。这类络合物的实例是三(苯基吡啶基)铱(III)及其衍生物，并且许多相关的络合物是已知的，例如具有1-或3-苯基异喹啉配体、具有2-苯基喹啉配体或具有苯基卡宾配体的络合物，其中这些络合物还可以具有乙酰丙酮酸盐作为辅助配体。还已知这类络合物具有多足配体，如在例如WO 2016/124304中所述的。尽管这些具有多足配体的络合物显示出优于原本具有相同的配体结构、只是其中的各个配体没有多足桥连的络合物的优点，但仍然需要改善。这特别取决于化合物的发光效率，以及化合物的升华温度。较低的升华温度使得能够在合成中更简单地纯化络合物，并且当通过真空气相沉积将这些络合物应用于OLED中时，简化了加工。

[0003] 因此，本发明所解决的问题在于提供适合作为OLED中使用的发光体的新颖且特别是改善的金属络合物。

发明内容

[0004] 已经发现，令人惊奇的是，这个问题通过具有下述结构的六齿三足配体的金属络合物得到解决，所述络合物非常适合在有机电致发光器件中使用。因此，本发明提供这些络合物和包含这些络合物的有机电致发光器件。

[0005] 因此，本发明提供一种式(1)的化合物：

[0006]

[0007] 其中使用的符号如下：

[0008] L1是下式(2)的亚配体，其通过两个Z基团与铱配位，并通过虚线键与V键合：

[0009]

[0010] 其中：

[0011] A在每种情况下相同或不同并且是CR2、O、S或NR，其中至少一个A基团是CR2；

[0012] Z在每种情况下相同或不同并且是O、S或NR；

[0013] L2是二齿单阴离子亚配体，其通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位；

[0014] L3是二齿单阴离子亚配体，其通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位，或者是上面详述的式(2)的可以与L1相同或不同的亚配体；

[0015] V是式(3)的基团，其中虚线键各自代表亚配体L1、L2和L3的连接位置，

[0016]

[0017] X1在每种情况下相同或不同并且是CR或N；

[0018] X2在每种情况下相同或不同并且是CR或N，或两个相邻的X2基团一起是NR、O或S，因此形成五元环；或者当所述环中的一个X3基团是N时，两个相邻的X2基团一起是CR或N，因此形成五元环；条件是在每个环中不超过两个相邻的X2基团是N；

[0019] X3在每种情况下在一个环中是C，或者一个X3基团是N并且在同一环中的另一X3基团为C，其中三个环中的X3基团可独立地选择，条件是当所述环中的一个X3基团是N时，两个相邻的X2基团一起是CR或N；

[0020] R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R1)2，OR1，SR1，CN，NO2，COOH，C(＝O)N(R1)2，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，P(＝O)(R1)2，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，OSO2R1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被Si(R1)2、C＝O、NR1、O、S或CONR1替换，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个R基团也可以一起形成环系；

[0021] R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R2)2，OR2，SR2，CN，NO2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，并且其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2替换，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个R1基团可以一起形成环系；

[0022] R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族的有机基团，特别是烃基基团，其中一个或多个氢原子也可以被F替换；

[0023] 同时，除了桥连基V之外，三个二齿配体L1、L2和L3也可以被另一桥连基闭合以形成穴状化合物。

[0024] 根据本发明，所述配体因此是具有三个二齿亚配体L1、L2和L3的六齿三足配体。“二齿”是指络合物中的特定亚配体通过两个配位位点与铱配位或键合。“三足”是指配体具有三个与桥连基V或式(3)的桥连基键合的亚配体。由于配体具有三个二齿亚配体，因此总体结果是六齿配体，即通过六个配位位点与铱配位或键合的配体。在本申请的上下文中，表述“二齿亚配体”是指如果不存在桥连基V或式(3)的桥连基，则L1、L2或L3在每种情况下将是二齿配体。然而，由于来自所述二齿配体的一个氢原子的形式上消失和与式(3)的桥连基的连接，其不是单独的配体，而是因此产生的六齿配体的一部分，因此使用术语“亚配体”。

[0025] 因此，本发明化合物的配体具有以下结构(LIG)：

[0026]

[0027] 配体与铱的键可以是配位键或共价键，或者所述键的共价部分可以根据配体而变。当在本申请中提及配体或亚配体与铱配位或键合时，在本申请的上下文中，这是指配体或亚配体与铱的任何种类的键，而与键的共价组分无关。

[0028] 当两个R或R1基团一起形成环系时，其可以是单环或多环的且是脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下，这些一起形成环系的基团可以是相邻的，这意味着这些基团与同一碳原子键合或与彼此直接键合的碳原子键合，或者其可以彼此进一步远离。例如，键合到X2基团上的R基团也可以与键合到X1基团上的R基团形成环。当在键合到X2基团上的R基团和键合到X1基团上的R基团之间存在这种环形成时，所述环优选由具有三个桥连基原子，优选具有三个碳原子的基团形成，并且更优选由-(CR2)3-基团形成。

[0029] 在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可以一起形成环的措辞应理解为尤其是指两个基团通过化学键彼此连接，形式上消除了两个氢原子。这通过以下方案说明：

[0030]

[0031] 然而，此外，上述措辞还指，如果两个基团中的一个是氢，则第二个基团键合到氢原子键合的位置，从而形成环。这将通过以下方案说明：

[0032]

[0033] 如上所述，这种成环可以在与直接彼此相邻的碳原子键合的基团上，或在与进一步远离的碳原子键合的基团上。优选在与直接彼此键合的碳原子键合的基团上形成这种环。

[0034] 在本发明的上下文中，芳基基团含有6至40个碳原子；在本发明的上下文中，杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在这种情况下，杂芳基基团优选包含不超过三个杂原子。芳基基团或杂芳基基团在此应理解为是指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。

[0035] 在本发明的上下文中，芳族环系在环系中含有6至40个碳原子。在本发明的上下文中，杂芳族环系在环系中含有1至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在本发明的上下文中，芳族或杂芳族环系应理解为是指以下体系，其未必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团也可能被非芳族单元(优选少于10％的非H原子)如碳、氮或氧原子或羰基基团间断。因此，诸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、均二苯乙烯等的体系在本发明的上下文中因此也应被视为芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团例如通过直链或环状烷基基团或通过甲硅烷基基团间断的体系也是如此。此外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系，例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶，同样应被视为芳族或杂芳族环系。

[0036] 在本发明的上下文中，环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团应理解为是指单环、双环或多环的基团。

[0037] 在本发明的上下文中，其中个别氢原子或CH2基团也可以被上述基团替换的C1-至C20-烷基基团应理解为是指例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2.2.2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二碳-1-基、1,1-二甲基-正十四碳-1-基、1,1-二甲基-正十六碳-1-基、1,1-二甲基-正十八碳-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、
1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四碳-1-基、1,1-二乙基-正十六碳-1-基、1,1-二乙基-正十八碳-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。烯基基团应理解为是指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团应理解为是指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。OR1基团应理解为是指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。

[0038] 具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下也可以被上述基团取代并且可以通过任何所需位置连接到芳族或杂芳族体系的芳族或杂芳族环系，应理解为意指例如衍生自以下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式单苯并茚并芴、顺式或反式二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3- 二唑、1,2,4- 二唑、1,2,5- 二唑、1,3,4- 二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。

[0039] 以下记载的是桥头V、即式(3)结构的优选实施方式。

[0040] 式(3)的基团的合适实施方式是下式(4)至(7)的结构：

[0041]

[0042] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0043] 在本发明的一个优选的实施方式中，式(3)的基团中的所有X1基团都是CR，因此式(3)的中心三价环是苯。更优选地，式(4)、(6)和(7)中的所有X1基团均为CH。在本发明的另一个优选的实施方式中，所有X1基团都是氮原子，因此式(3)的中心三价环是三嗪。因此，式(3)的优选实施方式是式(4)和(5)的结构。

[0044] 对于在式(4)的三价中心苯环上或在式(6)的中心嘧啶环上或在式(7)的中心吡啶环上的优选R基团，以下适用：

[0045] R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，OR1，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，R基团也可以与X2上的R基团一起形成环系；

[0046] R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，OR2，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可以被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成环系；

[0047] R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，或具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族的有机基团，其中一个或多个氢原子也可以被F替换。

[0048] 对于在式(4)的三价中心苯环上或在式(6)的中心嘧啶环上或在式(7)的中心吡啶环上的特别优选的R基团，以下适用：

[0049] R在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，具有1至4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，或具有6至12个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，R基团也可以与X2上的R基团一起形成环系；

[0050] R1在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，CN，具有1至4个碳原子的直链烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可以被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，或具有6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成环系；

[0051] R2在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，或具有1至12个碳原子的脂族或芳族烃基基团。

[0052] 更优选地，式(4)的基团是下式(4')的结构：

[0053]

[0054] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0055] 下面描述如在式(3)至(7)的基团中出现的优选的二价芳亚基或杂芳亚基单元。从式(3)至(7)的结构清楚看到，这些结构包含三个邻位键合的二价芳亚基或杂芳亚基单元。

[0056] 在本发明的一个优选的实施方式中，符号X3是C，并且因此式(3)至(7)的基团可以由下式(3a)至(7a)表示：

[0057]

[0058] 其中符号具有上面列出的定义。

[0059] 式(3)的基团可以由以下式(3')形式上表示，其中式(3)和(3')包含相同的结构：

[0060]

[0061] 其中Ar在每种情况下相同或不同并且是下式(8)的基团：

[0062]

[0063] 其中虚线键在每种情况下表示二齿亚配体L1、L2或L3与所述结构的键的位置，*表示式(8)的单元与中心三价芳基或杂芳基基团的连接位置，并且X2具有上面给出的定义。式(8)的基团中的优选取代基选自上述取代基R。

[0064] 式(8)的基团可以表示杂芳族五元环或者芳族或杂芳族六元环。在本发明的一个优选的实施方式中，式(8)的基团在芳基或杂芳基基团中含有不超过两个杂原子，更优选不超过一个杂原子。这并不意味着与所述基团键合的任何取代基也不能含有杂原子。此外，所述定义并不意味着由取代基形成的环不会产生稠合的芳族或杂芳族结构，例如萘、苯并咪唑等。式(8)的基团优选选自苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、吡咯、呋喃、噻吩、吡唑、咪唑、唑和噻唑。

[0065] 当一个环中的两个X3基团均为碳原子时，式(8)的基团的优选实施方式是下式(9)至(25)的结构：

[0066]

[0067] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0068] 当一个环中的一个X3基团是碳原子并且同一环中的另一个X3基团是氮原子时，式(8)的基团的优选实施方式是下式(26)至(33)的结构：

[0069]

[0070] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0071] 特别优选上面描绘的式(9)至(13)的任选取代的六元芳族环和六元杂芳族环。非常特别优选邻苯亚基，即上述式(9)的基团。

[0072] 同时，也如上文在取代基的描述中所述的，相邻的取代基也可以一起形成环系，从而可以形成稠合的结构，包括稠合的芳基和杂芳基基团，例如萘、喹啉、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。

[0073] 在这种情况下，在式(3)至(7)或式(3')的基团中存在的三个式(8)的基团可以相同或不同。在本发明的一个优选的实施方式中，式(8)中的所有三个基团相同并且也具有相同的取代基。

[0074] 更优选地，式(4)至(7)的结构选自下式(4b)至(7b)的结构：

[0075]

[0076] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0077] 式(4b)的一个优选的实施方式是下式(4b’)的结构：

[0078]

[0079] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0080] 更优选地，式(3)至(7)中的R基团在每种情况下相同或不同，并且是H、D或具有1至4个碳原子的烷基基团。最优选地，R＝H。因此，非常特别优选下式(4c)或(5c)的结构：

[0081]

[0082] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0083] 以下是二齿亚配体L1的描述。如上所述，亚配体L1具有式(2)的结构。

[0084] 在本发明的一个优选的实施方式中，两个A基团均为CR2，更优选是CH2。

[0085] 在本发明的另一个优选的实施方式中，至少一个Z基团是O。更优选地，两个Z基团都是O。

[0086] 因此，L1优选是下式(2a)的亚配体：

[0087]

[0088] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0089] 还可以优选两个R基团一起形成环。特别优选两个R基团与同一碳原子键合，即在CR2基团中，或在乙酰丙酮酸盐基团中直接相邻的两个R基团之间。所述环优选是具有5或6个环原子的脂族环或芳族环。取代基之间的合适成环的实例由以下结构(L1-A)至(L1-F)显示：

[0090]

[0091] 其中这些结构也可以被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。

[0092] L1更优选是下式(2b)的亚配体：

[0093]

[0094] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0095] L1最优选是下式(2c)的亚配体：

[0096]

[0097] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0098] 式(2)、(2a)、(2b)和(2c)中的R在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，OR1，具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代、但优选未被取代的支链或环状的烷基基团，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个R基团也可以一起形成环系。特别优选的R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，具有1至4个碳原子的直链烷基基团，或具有3至6个碳原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代、但优选未被取代的支链或环状的烷基基团，或具有6至12个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代的芳族环系；同时，两个或更多个R基团也可以一起形成环系。特别优选的烷基基团是甲基、乙基、异丙基、异丁基、叔丁基和新戊基，特别是甲基。

[0099] 此外，R1优选选自H，D，F，具有1至10个碳原子的直链烷基基团，或具有3至10个碳原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取代的支链或环状的烷基基团，或具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成环系。

[0100] 以下是二齿亚配体L2和L3的描述。如上所述，L2通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位。此外，L3相同或不同，并且是L1或L2，即是式(2)的亚配体或是通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱配位的亚配体。在本发明的一个优选的实施方式中，L2和L3均为亚配体，其各自通过一个碳原子和一个氮原子或通过两个碳原子与铱2 3
配位。两个亚配体L和L可以相同或不同。

[0101] 优选地，亚配体L2和L3中的至少一个具有一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。最优选地，两个亚配体L2和L3均具有一个碳原子和一个氮原子作为配位原子。

[0102] 还优选由铱和亚配体L2或L3形成的金属环是五元环。这在下文中示意性地示出：

[0103]

[0104] 其中N是配位氮原子，且C是配位碳原子，并且所示碳原子是亚配体L2或L3的原子。

[0105] 在本发明的一个优选的实施方式中，亚配体L2和L3中的至少一个，更优选亚配体L2和L3两者，在每种情况下相同或不同，并且是下式(L-1)和(L-2)的结构：

[0106]

[0107] 其中虚线键表示所述亚配体与所述式(3)的桥连基的键，并且使用的其它符号如下：

[0108] CyC在每种情况下相同或不同，并且是取代或未取代的芳基或杂芳基基团，其具有5至14个芳族环原子并且在每种情况下通过碳原子与金属配位且通过共价键与CyD键合；

[0109] CyD在每种情况下相同或不同，并且是取代或未取代的杂芳基基团，其具有5至14个芳族环原子并通过氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位且通过共价键与CyC键合；

[0110] 同时，任选的取代基中的两个或更多个可以一起形成环系；任选的基团优选选自上述R基团。

[0111] CyD优选通过不带电荷的氮原子或通过卡宾碳原子配位。此外，CyC通过阴离子碳原子配位。

[0112] 当两个或更多个取代基，特别是两个或更多个R基团，一起形成环系时，环系可以由与直接相邻的碳原子键合的取代基形成。此外，CyC和CyD上的取代基也可以一起形成环，结果是CyC和CyD也可以一起形成作为二齿配体的单个稠合芳基或杂芳基基团。

[0113] 在此，两个亚配体L2和L3可以具有式(L-1)的结构，或者两个亚配体L2和L3都可以具有式(L-2)的结构，或者亚配体L2和L3中的一个具有式(L-1)的结构并且另一个亚配体具有式(L-2)的结构。在本发明的一个优选的实施方式中，亚配体L2和L3中的一个具有式(L-1)的结构，并且亚配体L2和L3中的另一个具有式(L-2)的结构。

[0114] 在本发明的一个优选的实施方式中，CyC是具有6至13个芳族环原子，更优选具有6至10个芳族环原子，最优选具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，其通过碳原子与金属配位，可以被一个或多个R基团取代，并且其通过共价键与CyD键合。

[0115] CyC基团的优选实施方式是下式(CyC-1)至(CyC-19)的结构，其中CyC基团在每种情况下在由#指示的位置处与CyD键合并且在由*指示的位置处与铱键合，

[0116]

[0117]

[0118] 其中R具有上面给出的定义，并且使用的其它符号如下：

[0119] X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环中不超过两个符号X是N；

[0120] W在每种情况下相同或不同并且是NR、O或S；

[0121] 条件是，当式(3)的桥连基与CyC键合时，一个符号X是C且式(3)的桥连基与这个碳原子键合。当CyC基团与式(3)的桥连基键合时，所述键合优选通过上面描绘的式中的由“o”标记的位置实现，因此在这种情况下由“o”标记的符号X优选是C。不含任何由“o”标记的符号X的上面描绘的结构优选不与式(3)的桥连基直接键合，因为与所述桥连基的这种键合由于空间原因是不利的。

[0122] 优选地，CyC中总共不超过两个符号X是N，更优选在CyC中不超过一个符号X是N，并且最优选所有符号X都是CR，条件是，当式(3)的桥连基与CyC键合时，一个符号X是C，并且式(3)的桥连基与这个碳原子键合。

[0123] 特别优选的CyC基团是下式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团：

[0124]

[0125]

[0126] 其中使用的符号具有上面给出的定义，并且当式(3)的桥连基与CyC键合时，一个R基团不存在并且式(3)的桥连基与相应的碳原子键合。当CyC基团与式(3)的桥连基键合时，所述键合优选通过上面描绘的式中的由“o”标记的位置实现，因此在这种情况下所述位置的R基团优选不存在。上面描绘的不含任何由“o”标记的碳原子的结构优选不与式(3)的桥连基直接键合。

[0127] (CyC-1)至(CyC-19)基团之中的优选基团是(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团，且特别优选(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团。

[0128] 在本发明的另一个优选的实施方式中，CyD是具有5至13个芳族环原子，更优选具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团，其通过不带电荷的氮原子或通过卡宾碳原子与金属配位并且其可以被一个或多个R基团取代，并且其通过共价键与CyC键合。

[0129] CyD基团的优选实施方式是下式(CyD-1)至(CyD-12)的结构，其中CyD基团在每种情况下在由#指示的位置处与CyC键合，并且在由*指示的位置处与铱配位，

[0130]

[0131] 其中X、W和R具有以上给出的定义，条件是，当式(3)的桥连基与CyD键合时，一个符号X是C，并且式(3)的桥连基与这个碳原子键合。当CyD基团与式(3)的桥连基键合时，所述键合优选通过上面描绘的式中的由“o”标记的位置实现，因此在这种情况下由“o”标记的符号X优选是C。不含任何由“o”标记的符号X的上面描绘的结构优选不与式(3)的桥连基直接键合，因为与所述桥连基的这种键合由于空间原因是不利的。

[0132] 在这种情况下，(CyD-1)至(CyD-4)和(CyD-7)至(CyD-12)基团通过不带电荷的氮原子与金属配位，并且(CyD-5)和(CyD-6)基团通过卡宾碳原子与金属配位。

[0133] 优选地，CyD中总共不超过两个符号X是N，更优选在CyD中不超过一个符号X是N，并且特别优选所有符号X都是CR，条件是，当式(3)的桥连基与CyD键合时，一个符号X是C，并且式(3)的桥连基与这个碳原子键合。

[0134] 特别优选的CyD基团是下式(CyD-1a)至(CyD-12b)的基团：

[0135]

[0136] 其中使用的符号具有上面给出的定义，并且当式(3)的桥连基与CyD键合时，一个R基团不存在并且式(3)的桥连基与相应的碳原子键合。当CyD基团与式(3)的桥连基键合时，所述键合优选通过上面描绘的式中的由“o”标记的位置实现，因此在这种情况下所述位置的R基团优选不存在。上面描绘的不含任何由“o”标记的碳原子的结构优选不与所述式的桥连基直接键合。

[0137] (CyD-1)至(CyD-12)基团之中的优选基团是(CyD-1)、(CyD-2)、(CyD-3)、(CyD-4)、(CyD-5)和(CyD-6)基团，特别是(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)，并且特别优选(CyD-1a)、(CyD-2a)、(CyD-3a)、(CyD-4a)、(CyD-5a)和(CyD-6a)基团，特别是(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)。

[0138] 在本发明的一个优选的实施方式中，CyC是具有6至13个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD是具有5至13个芳族环原子的杂芳基基团。更优选地，CyC是具有6至10个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且同时CyD是具有5至10个芳族环原子的杂芳基基团。最优选地，CyC是具有6个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，并且CyD是具有6至10个芳族环原子的杂芳基基团。同时，CyC和CyD可以被一个或多个R基团取代。

[0139] 上述优选的(CyC-1)至(CyC-20)和(CyD-1)至(CyD-12)基团可以根据需要彼此组合，条件是CyC或CyD基团中的至少一个具有与式(3)的桥连基合适的连接位点，合适的连接位点在上面给出的式中用“o”指示。

[0140] 特别优选的是，上述特别优选的CyC和CyD基团，即式(CyC-1a)至(CyC-20a)的基团和式(CyD-1a)至(CyD-14b)的基团彼此组合，条件是优选的CyC或CyD基团中的至少一个具有与式(3)的桥连基的合适连接位点，合适的连接位点在上面给出的式中用“o”指示。因此，不优选的是，CyC和CyD都不具有与式(3)的桥连基的这种合适连接位点的组合。

[0141] 非常特别优选的是，(CyC-1)、(CyC-3)、(CyC-8)、(CyC-10)、(CyC-12)、(CyC-13)和(CyC-16)基团且特别是(CyC-1a)、(CyC-3a)、(CyC-8a)、(CyC-10a)、(CyC-12a)、(CyC-13a)和(CyC-16a)基团之一与(CyD-1)、(CyD-2)和(CyD-3)基团之一且特别是与(CyD-1a)、(CyD-2a)和(CyD-3a)基团之一组合。

[0142] 优选的亚配体(L-1)是式(L-1-1)和(L-1-2)的结构，且优选的亚配体(L-2)是式(L-2-1)至(L-2-4)的结构：

[0143]

[0144] 其中使用的符号具有上面给出的定义，并且“o”表示键与式(3)的桥连基的连基位置。

[0145] 特别优选的亚配体(L-1)是式(L-1-1a)和(L-1-2b)的结构，并且特别优选的亚配体(L-2)是式(L-2-1a)至(L-2-4a)的结构：

[0146]

[0147] 其中使用的符号具有上面给出的定义，并且“o”表示键与式(3)的桥连基的连基位置。

[0148] 当两个R基团(其中一个与CyC键合，并且另一个与CyD键合)一起形成芳族环系时，这可以产生桥连的亚配体，并且例如还会产生整体上构成单个较大的杂芳基基团如苯并[h]喹啉等的亚配体。CyC和CyD上的取代基之间的环优选由下式(34)至(43)之一的基团形成：

[0149]

[0150] 其中R1具有上面给出的定义，并且虚线键指示与CyC或CyD的键。同时，上文提到的那些之中的不对称基团可以结合在两种可能的选项中的每一个中；例如，在式(43)的基团中，氧原子可以与CyC基团键合，并且羰基基团可以与CyD基团键合，或者氧原子可以与CyD基团键合，并且羰基基团可以与CyC基团键合。

[0151] 同时，当这引起成环以给出如下文例如由式(L-21)和(L-22)所示的六元环时，特别优选式(40)的基团。

[0152] 通过在不同环中的两个R基团之间成环而产生的优选配体是下面显示的式(L-3)至(L-30)的结构：

[0153]

[0154]

[0155] 其中使用的符号具有上面给出的定义，并且“o”指示所述亚配体与式(3)的基团连接的位置。

[0156] 在式(L-5)至(L-32)的亚配体的一个优选的实施方式中，总共一个符号X是N，而其它符号X是CR，或者所有符号X都是CR。

[0157] 在本发明的另一个实施方式中，优选在基团(CyC-1)至(CyC-20)或(CyD-1)至(CyD-14)中或在亚配体(L-5)至(L-32)中，当作为与所述氮原子相邻的取代基键合的R基团不是氢或氘时，原子X中的一个是N。这类似地适用于优选的结构(CyC-1a)至(CyC-20a)或(CyD-1a)至(CyD-14b)，其中与非配位氮原子相邻键合的取代基优选为R基团，所述R基团不是氢或氘。

[0158] 在这种情况下，所述取代基R优选是选自以下的基团：CF3，OCF3，具有1至10个碳原子的烷基基团，特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，OR1，其中R1是具有1至10个碳原子的烷基基团，特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团，芳族或杂芳族环系或者芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是有空间要求的基团。还优选地，所述R基团也可以与相邻的R基团形成环。

[0159] 用于其中金属是过渡金属的金属络合物的另一合适的二齿亚配体是下式(L-31)或(L-32)的亚配体：

[0160]

[0161] 其中R具有上面给出的定义，*表示与金属配位的位置，“o”表示亚配体与式(3)的基团的连接位置，并且使用的其它符号如下：

[0162] X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N，条件是每个环中不超过一个符号X是N。

[0163] 当与亚配体(L-31)和(L-32)中的相邻碳原子键合的两个R基团彼此形成芳族环时，所述环与这两个相邻碳原子一起优选是式(44)的结构：

[0164]

[0165] 其中虚线键表示所述基团在所述亚配体内的连接，并且Y在每种情况下相同或不同并且是CR1或N，且优选不超过一个符号Y是N。

[0166] 在亚配体(L-31)或(L-32)的一个优选的实施方式中，存在不超过一个式(44)的基团。因此，所述亚配体优选是下式(L-33)至(L-38)的亚配体：

[0167]

[0168] 其中X在每种情况下相同或不同并且是CR或N，但是R基团不一起形成芳族或杂芳族环系，并且另外的符号具有以上给出的定义。

[0169] 在本发明的一个优选的实施方式中，在式(L-31)至(L-38)的亚配体中，总共0、1或2个符号X和Y(如果存在Y的话)是N。更优选地，总共0或1个符号X和Y(如果存在Y的话)是N。

[0170] 式(L-33)至(L-38)的优选实施方式是下式(L-33a)至(L-38f)的结构：

[0171]

[0172]

[0173]

[0174] 其中使用的符号具有上面给出的定义，并且“o”指示与式(3)的基团的连接位置。

[0175] 在本发明的一个优选的实施方式中，在与金属配位的邻位的X基团是CR。在所述基团中，在与金属配位的邻位键合的R优选选自H、D、F和甲基。

[0176] 在本发明的另一个实施方式中，如果一个原子X或Y(如果存在Y的话)是N，则优选与所述氮原子相邻键合的取代基是R基团，所述R基团不是氢或氘。

[0177] 在这种情况下，所述取代基R优选是选自以下的基团：CF3，OCF3，具有1至10个碳原子的烷基基团，特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，OR1，其中R1是具有1至10个碳原子的烷基基团，特别是具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，具有2至10个碳原子的二烷基氨基基团，芳族或杂芳族环系或者芳烷基或杂芳烷基基团。这些基团是有空间要求的基团。还优选地，所述R基团也可以与相邻的R基团形成环。

[0178] 下面描述了可以存在于上述亚配体L2和L3上，而且也可在式(3)至(7)的结构中的二价芳亚基或杂芳亚基上的、即在式(8)的结构中的优选取代基。

[0179] 在本发明的一个优选实施方式中，本发明的金属络合物含有两个R取代基或两个R1取代基，所述取代基与相邻的碳原子键合，并且一起形成根据下文所述的式之一的脂族环。在这种情况下，形成所述脂族环的两个R取代基可以存在于式(3)的桥连基上和/或在一个或多个二齿亚配体上。通过两个R取代基一起或通过两个R1取代基一起成环而形成的脂族环优选由下式(45)至(51)之一描述：

[0180]

[0181] 其中R1和R2具有上面给出的定义，虚线键指示配体中的两个碳原子的连接，并且此外：

[0182] A1、A3在每种情况下相同或不同并且是C(R3)2、O、S、NR3或C(＝O)；

[0183] A2是C(R1)2、O、S、NR3或C(＝O)；

[0184] G是具有1、2或3个碳原子并且可以被一个或多个R2基团取代的烷亚基基团，-CR2＝CR2-或具有5至14个芳族环原子且可以被一个或多个R2基团取代的邻位键合的芳亚基或杂芳亚基基团；

[0185] R3在每种情况下相同或不同，并且是H，F，具有1至10个碳原子的直链烷基或烷氧基基团，具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，其中所述烷基或烷氧基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、NR2、O、S或CONR2替换，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至24个芳族环原子且可以被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，与同一碳原子键合的两个R3基团可以一起形成脂族或芳族环系，从而形成螺环系；此外，具有相邻的R或R1基团的R3可以形成脂族环系；

[0186] 条件是在这些基团中没有两个杂原子彼此直接键合，并且没有两个C＝O基团彼此直接键合。

[0187] 在上面描绘的式(45)至(51)的结构和指定为优选的这些结构的其它实施方式中，在形式意义上在两个碳原子之间描绘双键。当这两个碳原子结合到芳族或杂芳族体系中，并因此这两个碳原子之间的键在形式上介于单键的键合水平和双键的键合水平之间时，这是化学结构的简化。因此，不应将形式双键的描述解释为限制所述结构；相反，本领域的技术人员清楚的是，这是芳族键。

[0188] 当本发明结构中的相邻基团形成脂族环系时，优选的是后者不具有任何酸性苄基质子。苄基质子应理解为意指与直接与配体键合的碳原子键合的质子。这可以借助于脂族环系中的碳原子实现，所述碳原子直接与完全取代的且不含任何键合的氢原子的芳基或杂芳基基团键合。因此，式(45)至(47)中不存在酸性苄基质子是借助于A1和A3实现，当它们是C(R3)2时，定义为使得R3不是氢。这另外还可以借助于脂族环系中的碳原子实现，所述碳原子直接与作为双环或多环结构中的桥头的芳基或杂芳基基团键合。由于双环或多环的空间结构，与桥头碳原子键合的质子的酸性明显低于未在双环或多环结构内键合的碳原子上的苄基质子，并且在本发明的上下文中被视为非酸性质子。因此，式(48)至(51)中的酸性苄基质子的不存在是借助于其为双环结构而实现，因此，当R1为H时，其比苄基质子的酸性低得多，1
因为双环结构的相应阴离子不是内消旋稳定的。因此，即使式(48)至(51)中的R 为H，在本申请的上下文中，这也是非酸性质子。

[0189] 在本发明的一个优选的实施方式中，R3不是H。

[0190] 在式(45)至(51)的结构的一个优选的实施方式中，A1、A2和A3基团中不多于一个是杂原子，特别是O或NR3，并且其它基团是C(R3)2或C(R1)2，或者A1和A3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3且A2为C(R1)2。在本发明的一个特别优选的实施方式中，A1和A3在每种情况下相同或不同，并且是C(R3)2，且A2是C(R1)2并且更优选是C(R3)2或CH2。

[0191] 因此，式(45)的优选实施方式是式(45-A)、(45-B)、(45-C)和(45-D)的结构，并且式(45-A)的特别优选的实施方式是式(45-E)和(45-F)的结构：

[0192]

[0193] 其中R1和R3具有上面给出的定义，并且A1、A2和A3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3。

[0194] 式(46)的优选实施方式是下式(46-A)至(46-F)的结构：

[0195]

[0196] 其中R1和R3具有上面给出的定义，并且A1、A2和A3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3。

[0197] 式(47)的优选实施方式是下式(47-A)至(47-E)的结构：

[0198]

[0199] 其中R1和R3具有上面给出的定义，并且A1、A2和A3在每种情况下相同或不同，并且是O或NR3。

[0200] 在式(48)的结构的一个优选的实施方式中，键合到桥头的R1基团是H、D、F或CH3。还优选地，A2是C(R1)2或O，并且更优选是C(R3)2。因此，式(48)的优选实施方式是式(48-A)和(48-B)的结构，并且式(48-A)的特别优选的实施方式是式(48-C)的结构：

[0201]

[0202] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0203] 在式(49)、(50)和(51)的结构的一个优选的实施方式中，键合到桥头的R1基团是H、D、F或CH3。还优选地，A2是C(R1)2。因此，式(49)、(50)和(51)的优选实施方式是式(49-A)、(50-A)和(51-A)的结构：

[0204]

[0205] 其中使用的符号具有上面给出的定义。

[0206] 还优选地，式(48)、(48-A)、(48-B)、(48-C)、(49)、(49-A)、(50)、(50-A)、(51)和(51-A)中的G基团是1,2-乙亚基，其可以被一个或多个R2基团取代，其中R2在每种情况下优选相同或不同，并且是H，或具有1至4个碳原子的烷基基团，或具有6至10个碳原子并且可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取代的邻芳亚基基团，特别是可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取代的邻苯亚基基团。

[0207] 在本发明的另一个优选的实施方式中，式(45)至(51)的基团和优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同，并且是F，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中一个或多个不相邻的CH2基团在每种情况下可以被R2C＝CR2替换并且一个或多个氢原子可以被D或F替换，或具有5至14个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子键合的两个R3基团可以一起形成脂族或芳族环系，并且因此形成螺环系；此外，R3可以与相邻的R或1
R基团形成脂族环系。

[0208] 在本发明的一个特别优选的实施方式中，式(45)至(51)的基团和优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同，并且是F，具有1至3个碳原子的直链烷基基团，特别是甲基，或具有5至12个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代、但优选未被取3
代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子键合的两个R基团可以一起形成脂族或芳族环系，并且因此形成螺环系；此外，R3可以与相邻的R或R1基团形成脂族环系。

[0209] 特别合适的式(45)的基团的实例是下面列出的结构：

[0210]

[0211]

[0212] 特别合适的式(46)的基团的实例是下面列出的结构：

[0213]

[0214] 特别合适的式(47)、(49)和(50)的基团的实例是下面列出的结构：

[0215]

[0216] 特别合适的式(48)的基团的实例是下面列出的结构：

[0217]

[0218] 特别合适的式(49)的基团的实例是下面列出的结构：

[0219]

[0220] 当R基团键合在二齿亚配体内或在键合在式(3)至(7)或优选实施方式内的式(8)的二价芳亚基或杂芳亚基基团内时，这些R基团在每种情况下相同或不同，且优选选自H，D，F，Br，I，N(R1)2，CN，Si(R1)3，B(OR1)2，C(＝O)R1，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基或烯基基团在每种情况下可以被一个或多个R1基团取代，或具有5至30个芳族环原子且在
1
每种情况下可以被一个或多个R 基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个相邻的R基团一起或R与R1一起也可以形成单环或多环的脂族或芳族环系。更优选地，这些R基团在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，N(R1)2，具有1至6个碳原子的直链烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中一个或多个氢原子可以被D或F替换，或具有5至24
1
个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R 基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个相邻的R基团一起或R与R1一起也可以形成单环或多环的脂族或芳族环系。

[0221] 键合到R的优选R1基团在每种情况下相同或不同，并且是H，D，F，N(R2)2，CN，具有1至10个碳原子的直链烷基基团或具有2至10个碳原子的烯基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代，或具有5至24个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成单环或多环的脂族环系。键合到R的特别优选的R1基团在每种情况下相同或不同，并且是H，F，CN，具有1至5个碳原子的直链烷基基团或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基基团，其各自可以被一个或多个R2基团取代，或具有5至13个芳族环原子并且在每种情况下可以被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个或更多个相邻的R1基团可以一起形成单环或多环的脂族环系。

[0222] 优选的R2基团在每种情况下相同或不同，并且是H，F，或具有1至5个碳原子的脂族烃基基团或具有6至12个碳原子的芳族烃基基团；同时，两个或更多个R2取代基也可以一起形成单环或多环的脂族环系。

[0223] 上述优选实施方式可以根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选实施方式同时适用。

[0224] 本发明的合适结构的实例是下面描绘的化合物。

[0225]

[0226]

[0227]

[0228]

[0229]

[0230]

[0231]

[0232]

[0233]

[0234] 本发明的铱络合物是手性结构。如果所述络合物的三足配体此外还具有手性，则可能形成非对映异构体和多个对映异构体对。在这种情况下，本发明的络合物包括不同的非对映异构体或相应的外消旋体的混合物以及单独分离的非对映异构体或对映异构体。

[0235] 如果在络合反应中使用具有两个相同的亚配体的Cs-对称配体，通常得到的是C1-对称络合物的外消旋混合物，即Δ对映异构体和Λ对映异构体的外消旋混合物。这些可以通过标准方法(手性材料/柱上的色谱分离或通过结晶进行的光学拆分)分离。这在以下方案中示出，所述方案使用带有两个相同的苯基吡啶亚配体的Cs-对称配体的实例并且也类似地适用于所有其它Cs-对称配体。

[0236]

[0237] 通过非对映异构盐对的分级结晶进行的光学拆分可以通过常规方法来实现。为此目的，一种选择是氧化不带电荷的Ir(III)络合物(例如，用过氧化物或H2O2或通过电化学方法)，将对映异构体纯的单阴离子碱(手性碱)的盐添加到由此产生的阳离子Ir(IV)络合物中，通过分级结晶分离由此产生的非对映异构体盐，然后借助还原剂(例如锌、水合肼、抗坏血酸等)将其还原以给出对映异构体纯的不带电荷的络合物，如以下示意性显示的：

[0238]

[0239] 此外，通过在手性介质(例如，R-或S-1,1-二萘酚)中络合，可以实现对映异构纯或对映异构富集的合成。

[0240] 也可以用C1-或Cs-对称配体的络合物进行类似的过程。

[0241] 如果在络合中使用C1-对称配体，则通常获得的是络合物的非对映异构体混合物，其可以通过标准方法(色谱法、结晶)来分离。

[0242] 本发明的化合物原则上可通过多种方法制备。通常，为此目的，使铱盐与相应的游离配体反应。

[0243] 因此，本发明还提供一种通过使适当的游离配体与式(52)的铱烷醇盐、与式(53)的铱酮酮合物、与式(54)的卤化铱或与式(55)的羧酸铱反应来制备本发明的化合物的方法，

[0244]

[0245] 其中R具有上面给出的定义，Hal＝F、Cl、Br或I，并且铱反应物也可以采取相应水合物的形式。R在此优选是具有1至4个碳原子的烷基基团。

[0246] 同样可以使用带有烷醇盐和/或卤化物和/或羟基和酮酮阴离子基团的铱化合物。这些化合物也可以带电荷。在WO 2004/085449中公开了特别适合作为反应物的相应铱化合物。特别合适的是[IrCl2(acac)2]-，例如Na[IrCl2(acac)2]，具有作为配体的乙酰丙酮阴离子衍生物的金属络合物，例如Ir(acac)3或三(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮基)铱和IrCl3·xH2O，其中x通常是2至4的数。

[0247] 络合物的合成优选如WO 2002/060910和WO 2004/085449中所述进行。在这种情况下，合成也可以例如通过热或光化学方法和/或微波辐射来活化。此外，合成也可以在高压釜中在高压和/或高温下进行。

[0248] 在可以不添加溶剂或助熔剂的情况下，在待邻位金属化的相应配体的熔体中进行反应。任选地也可以添加溶剂或助熔剂。合适的溶剂是质子或非质子溶剂，诸如脂族和/或芳族醇(甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇等)，低聚和多元醇(乙二醇、丙-1,2-二醇、甘油等)，醇醚(乙氧基乙醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇等)，醚(二乙二醇二甲醚和三乙二醇二甲醚、二苯醚等)，芳族、杂芳族和/或脂族烃(甲苯、二甲苯、均三甲苯、氯苯、吡啶、二甲基吡啶、喹啉、异喹啉、十三烷、十六烷等)，酰胺(DMF、DMAC等)、内酰胺(NMP)、亚砜(DMSO)或砜(二甲基砜、环丁砜等)。合适的助熔剂是在室温下呈固体形式但在加热反应混合物时熔化并溶解反应物从而形成均匀熔体的化合物。特别合适的是联苯，间三联苯，三苯基，R-或S-联萘酚或相应的外消旋体，1,2-、1,3-或1,4-双苯氧基苯，三苯基氧化膦，18-冠-6，苯酚，1-萘酚，氢醌等。在此特别优选使用氢醌。

[0249] 通过这些方法，如果需要，然后进行纯化如重结晶或升华，可以以高纯度，优选大于99％(通过1H NMR和/或HPLC测定)的纯度，获得本发明的式(1)化合物。

[0250] 本发明化合物还可以通过用相对长的烷基基团(约4至20个碳原子)，特别是支链烷基基团，或任选取代的芳基基团，例如二甲苯基、均三甲苯基或支链三联苯或四联苯基团的适当取代而变得可溶。引起金属络合物的溶解度明显改善的另一种特定方法是使用稠合的脂族基团，如在例如上文公开的式(45)至(51)所示的。然后这类化合物在室温下在标准有机溶剂如甲苯或二甲苯中以足够的浓度溶解，从而能够从溶液中加工络合物。这些可溶性化合物特别适用于从溶液中例如通过印刷方法加工。

[0251] 为了从液相例如通过旋涂或印刷方法加工本发明的铱络合物，需要本发明的铱络合物的制剂。这些制剂可以是例如溶液、分散体或乳液。为此目的，可以优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选的溶剂例如是甲苯，苯甲醚，邻-、间-或对-二甲苯，苯甲酸甲酯，均三甲苯，四氢化萘，藜芦醚，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，苯氧基甲苯、特别是3-苯氧基甲苯，(-)-葑酮，1,2,3,5-四甲基苯，1,2,4,5-四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4-二甲基苯甲醚，3,5-二甲基苯甲醚，苯乙酮，α-萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，异丙苯，环己醇，环己酮，环己基苯，十氢化萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚满，NMP，对伞花烃，苯乙醚，1,4-二异丙基苯，二苄基醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二甲醚，二乙二醇单丁醚，三丙二醇二甲醚，四乙二醇二甲醚，2-异丙基萘，戊基苯，己基苯，庚基苯，辛基苯，1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷，六甲基茚满，2-甲基联苯，3-甲基联苯，1-甲基萘，1-乙基萘，辛酸乙酯，癸二酸二乙酯，辛基辛酯，庚基苯，异戊酸薄荷酯，己酸环己酯，或这些溶剂的混合物。

[0252] 因此，本发明还提供一种包含至少一种本发明化合物和至少一种其它化合物的制剂。所述其它化合物可以是例如溶剂，特别是上述溶剂中的一种或这些溶剂的混合物。或者，所述其它化合物可以是其它的有机或无机化合物，其同样用于电子器件中，例如基质材料。所述其它化合物也可以是聚合的。

[0253] 本发明的化合物可以用作电子器件中的有源组分，优选用作发光层中的发光体或用作空穴或电子传输层中的空穴或电子传输材料，或用作氧敏化剂或用作光引发剂或光催化剂。因此，本发明还提供本发明的化合物在电子器件中或作为氧敏化剂或作为光引发剂或光催化剂的用途。本发明的对映异构纯铱络合物适合用作手性光诱导合成的光催化剂。

[0254] 本发明还提供一种包含至少一种本发明化合物的电子器件。

[0255] 电子器件应理解为是指任何包括阳极、阴极和至少一层的器件，所述层包含至少一种有机或有机金属化合物。因此，本发明的电子器件包括阳极、阴极和至少一个含有至少一种本发明铱络合物的层。优选的电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)(后者应理解为意指纯有机太阳能电池和染料敏化的太阳能电池)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、氧传感器和有机激光二极管(O-激光器)，所述电子器件在至少一层中包含至少一种本发明的化合物。发射红外光的化合物适用于有机红外电致发光器件和红外传感器。特别优选有机电致发光器件。有源组分通常是引入阳极和阴极之间的有机或无机材料，例如电荷注入、电荷传输或电荷阻挡材料，但特别是发光材料和基质材料。本发明的化合物作为有机电致发光器件中的发光材料表现出特别好的性质。因此，本发明的一个优选的实施方式是有机电致发光器件。此外，本发明的化合物可以用于制造单态氧或用于光催化。

[0256] 所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，其还可以包括其它层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。在这种情况下，一个或多个空穴传输层可以是p型掺杂的，例如用金属氧化物诸如MoO3或WO3，或用(全)氟化缺电子芳族化合物或用缺电子氰基取代的杂芳族化合物(例如，根据JP 4747558、JP 2006-135145、US 2006/0289882、WO 2012/095143)，或用醌式体系(例如，根据EP1336208)，或用路易斯酸，或用硼烷(例如，根据US 2003/0006411、WO 2002/051850、WO
2015/049030)，或用第3、4或5主族的元素的羧酸盐(WO 2015/018539)p型掺杂，和/或一个或多个电子传输层是n型掺杂的。

[0257] 同样可以在两个发光层之间引入中间层，其具有例如激子阻挡功能和/或控制电致发光器件中的电荷平衡和/或产生电荷(电荷产生层，例如在具有两个或更多个发光层的层体系中，例如在发射白光的OLED组件中)。然而，应该指出，这些层中的每一个不必都存在。

[0258] 在这种情况下，有机电致发光器件可以包括发光层，或者包括多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选总共具有多个380nm至750nm之间的发光最大值，使得总体结果是发射白光；换句话说，在发光层中使用可以发荧光或磷光的多种发光化合物。特别优选三层体系，其中这三个层表现出蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本构造，参见例如WO 2005/011013)，或具有多于三个发光层的体系。所述体系还可以是混合体系，其中一个或多个层发荧光并且一个或多个其它层发磷光。一个优选的实施方式是串联式OLED。发白光的有机电致发光器件可以用于照明应用，或者用于全色显示器的滤色器。

[0259] 在本发明的一个优选的实施方式中，有机电致发光器件包含本发明的铱络合物作为一个或多个发光层中的发光化合物。

[0260] 当本发明的铱络合物用作发光层中的发光化合物时，优选将其与一种或多种基质材料组合使用。基于发光体和基质材料的总混合物计，本发明的铱络合物和基质材料的混合物含有0.1体积％至99体积％，优选1体积％至90体积％，更优选3体积％至40体积％，且特别是5体积％至15体积％的本发明的铱络合物。相应地，基于发光体和基质材料的总混合物计，所述混合物含有99.9体积％至1体积％，优选99体积％至10体积％，更优选97体积％至60体积％且特别是95体积％至85体积％的基质材料。

[0261] 使用的基质材料通常可以是根据现有技术已知用此目的的任何材料。基质材料的三重态能级优选高于发光体的三重态能级。

[0262] 用于本发明化合物的合适基质材料是酮，氧化膦，亚砜和砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、WO 2008/086851或US 2009/0134784中公开的咔唑衍生物，联咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746，茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109或WO 2011/000455，氮杂咔唑，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP
1731584、JP 2005/347160，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725，硅烷，例如根据WO
2005/111172，硼氮杂环戊熳或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052，硅二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054729，磷二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054730，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746，锌络合物，例如根据EP
652273或WO 2009/062578，二苯并呋喃衍生物，例如根据WO 2009/148015或WO 2015/
169412，或桥连的咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/
042107或WO 2011/088877。用于溶液加工的OLED的合适基质材料也可以是聚合物，例如根据WO 2012/008550或WO 2012/048778，低聚物或树枝状大分子，例如根据Journal of Luminescence 183(2017)，150～158。

[0263] 还可以优选使用作为混合物的多种不同的基质材料，特别是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。优选的组合是例如使用芳族酮、三嗪衍生物或氧化膦衍生物与三芳基胺衍生物或咔唑衍生物作为本发明的金属络合物的混合基质。同样优选使用电荷传输基质材料和电惰性基质材料(称为“宽带隙主体”)的混合物，所述电惰性基质材料即使参与电荷传输也没有明显参与电荷传输，如在例如WO 2010/108579或WO 2016/184540中所述的。同样优选使用两种电子传输基质材料，例如三嗪衍生物和内酰胺衍生物，如在例如WO 2014/094964中所述的。

[0264] 下面描绘的是适合作为本发明化合物的基质材料的化合物的实例。

[0265] 可以用作电子传输基质材料的三嗪和嘧啶的实例是以下结构：

[0266]

[0267]

[0268]

[0269]

[0270]

[0271]

[0272]

[0273]

[0274]

[0275]

[0276]

[0277]

[0278]

[0279]

[0280] 可以用作电子传输基质材料的内酰胺的实例是以下结构：

[0281]

[0282]

[0283]

[0284]

[0285]

[0286]

[0287] 可以用作电子传输基质材料的酮衍生物的实例是以下结构：

[0288]

[0289]

[0290]

[0291]

[0292]

[0293] 可以用作电子传输基质材料的金属络合物的实例是以下结构：

[0294]

[0295]

[0296] 可以用作电子传输基质材料的氧化膦的实例：

[0297]

[0298]

[0299] 在根据取代模式可以用作空穴或电子传输基质材料的最广泛意义上，吲哚并咔唑和茚并咔唑衍生物的实例是以下结构：

[0300]

[0301]

[0302]

[0303]

[0304]

[0305]

[0306]

[0307] 根据取代模式可以用作空穴或电子传输基质材料的咔唑衍生物的实例是以下结构：

[0308]

[0309]

[0310] 可以用作空穴传输基质材料的桥连咔唑衍生物的实例：

[0311]

[0312]

[0313]

[0314]

[0315]

[0316] 可以用作空穴传输基质材料的联咔唑衍生物的实例：

[0317]

[0318]

[0319]

[0320]

[0321]

[0322] 可以用作空穴传输基质材料的胺的实例：

[0323]

[0324]

[0325]

[0326]

[0327] 可以用作宽带隙基质材料的材料的实例：

[0328]

[0329]

[0330] 此外优选使用两种或更多种三重态发光体，特别是两种或三种三重态发光体，以及一种或多种基质材料的混合物。在这种情况下，具有较短波发射光谱的三重态发光体用作具有较长波发射光谱的三重态发光体的共基质。例如，本发明的金属络合物可以与作为共基质的以较短波长发光的金属络合物，例如发射蓝光、绿光或黄光的金属络合物组合。例如，可以使用本发明的金属络合物作为用于较长波长发光的三重态发光体的共基质，例如用于发红光的三重态发光体的共基质。在这种情况下，还优选的是，短波发光金属络合物和长波发光金属络合物都是本发明的化合物。在使用三种三重态发光体的混合物的情况下，一个优选的实施方式是两种用作共主体，而一种用作发光材料。这些三重态发光体优选具有绿色、黄色和红色或蓝色、绿色和橙色的发光颜色。

[0331] 发光层中的优选混合物包含电子传输主体材料，即所谓的“宽带隙”主体材料，其由于其电子性能，即使有也没有显著程度地参与层中的电荷传输，和共掺杂剂，其为发光波长比本发明化合物短的三重态发光体，以及本发明的化合物。

[0332] 发光层中的另一优选混合物包含电子传输主体材料，即所谓的“宽带隙”主体材料，其由于其电子性能即使有也没有显著程度地参与层中的电荷传输，和空穴传输主体材料，共掺杂剂，其为发光波长比本发明化合物短的三重态发光体，以及本发明的化合物。

[0333] 本发明的化合物还可以用于电子器件中的其它功能，例如作为空穴注入或传输层中的空穴传输材料，作为电荷产生材料，作为电子阻挡材料、作为空穴阻挡材料或作为例如在电子传输层中的电子传输材料。同样可以使用本发明的化合物作为发光层中的其它磷光金属络合物的基质材料。

[0334] 优选的阴极是具有低逸出功的金属，由多种金属如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)组成的金属合金或多层结构。另外合适的是由碱金属或碱土金属和银组成的合金，例如由镁和银组成的合金。在多层结构的情况下，除了所述金属之外，还可以使用具有相对高逸出功的其它金属，例如Ag，在这种情况下，例如，通常使用金属的组合，诸如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。还可以优选在金属阴极与有机半导体之间引入具有高介电常数的材料的薄中间层。用于此目的的有用材料的实例是碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如，LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。同样可用于此目的的是有机碱金属络合物，例如，Liq(喹啉锂)。所述层的层厚度优选在
0.5nm与5nm之间。

[0335] 优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，阳极具有相对于真空大于4.5eV的逸出功。首先，具有高氧化还原电位的金属适合此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金属/金属氧化物电极(例如，Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)也可以是优选的。对于一些应用，至少一个电极必须是透明的或部分透明的，以便能够照射有机材料(O-SC)或发光(OLED/PLED、O-激光器)。在此优选的阳极材料是导电的混合金属氧化物。特别优选的是氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。还优选导电掺杂的有机材料，特别是导电掺杂的聚合物，例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。还优选将p型掺杂的空穴传输材料作为空穴注入层施加到阳极上，在这种情况下，合适的p型掺杂剂是金属氧化物，例如MoO3或WO3，或(全)氟化缺电子芳族体系。其它合适的p型掺杂剂是HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或来自诺瓦尔德(Novaled)的化合物NPD9。这种层简化了向具有低HOMO的材料中的空穴注入，所述低HOMO也即在大小方面的大HOMO。

[0336] 在其它层中，通常可以使用如根据现有技术用于层的任何材料，并且本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下将这些材料中的任何一种与本发明的材料组合在电子器件中。

[0337] 可用于根据本发明的有机电致发光器件的空穴注入或空穴传输层或电子阻挡层或电子传输层中的合适的电荷传输材料例如是公开在Y.Shirota等，Chem.Rev.2007,107(4),953-1010中的化合物，或如在根据现有技术的这些层中使用的其它材料。可以用于本发明的电致发光器件中的空穴传输、空穴注入或电子阻挡层中的优选空穴传输材料是茚并芴胺衍生物(例如，根据WO 06/122630或WO 06/100896)，EP 1661888中公开的胺衍生物，六氮杂联三苯叉衍生物(例如，根据WO 01/049806)，具有稠合芳族体系的胺衍生物(例如，根据US 5,061,569)，WO 95/09147中公开的胺衍生物，单苯并茚并芴胺(例如，根据WO 08/006449)，二苯并茚并芴胺(例如，根据WO 07/140847)，螺二芴胺(例如，根据WO 2012/
034627、WO 2014/056565)，芴胺(例如，根据EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004)，螺二苯并吡喃胺(例如，EP 2780325)和二氢吖啶衍生物(例如，根据WO 2012/150001)。

[0338] 所述器件相应地(根据应用)结构化、设置接触连接并最终气密密封，因为这些器件的寿命在存在水和/或空气的情况下严重缩短。

[0339] 另外优选的是有机电致发光器件，其特征在于通过升华工艺涂覆一层或多层。在这种情况下，材料在真空升华系统中在通常小于10-5毫巴，优选小于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积施用。初始压力也可以甚至更低或甚至更高，例如小于10-7毫巴。

[0340] 同样优选一种有机电致发光器件，其特征在于一层或多层通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助于载气升华涂覆。在这种情况下，材料是在10-5毫巴和1巴之间的压力下施加的。所述方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷射印刷)方法，其中材料直接通过喷嘴施加并因此被结构化(例如M.S.Arnold等，Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。

[0341] 另外优选一种有机电致发光器件，其特征在于，一层或多层是从溶液中例如通过旋涂，或通过任何印刷方法如丝网印刷、柔版印刷、胶版印刷或喷嘴印刷，但是更优选LITI(光诱导热成像、热转移印刷)或喷墨印刷制造的。为此目的，需要可溶性化合物，其例如通过合适的取代获得。

[0342] 有机电致发光器件也可以通过从溶液中施用一层或多层并通过气相沉积施用一个或多个其它层而制造为混合体系。例如，可以从溶液中施用包含本发明的金属络合物和基质材料的发光层，并且通过在减压下气相沉积将空穴阻挡层和/或电子传输层施用到其上。

[0343] 这些方法对于本领域的技术人员而言是通常已知的，并且本领域技术人员可以毫无困难地应用于包含式(1)化合物或上面详述的优选实施方式的有机电致发光器件。

[0344] 与现有技术相比，本发明的电子器件、特别是有机电致发光器件具有以下令人惊奇的优点中的一个或多个：

[0345] 1.本发明的金属络合物可以以非常高的收率和非常高的纯度合成，其中反应时间极短且反应温度相对低。

[0346] 2.本发明的金属络合物具有优异的热稳定性，这也在络合物的升华中显现出来。特别地讲，本发明的络合物显示出比具有三个邻位金属化配体的类似多足络合物更低的升华温度。因此，本发明的化合物非常适合于通过真空气相沉积进行加工。

[0347] 3.本发明的金属络合物具有非常好的水解稳定性。特别地讲，水解稳定性比含有乙酰丙酮酸盐衍生物作为配体(但其中配体不具有多足桥连)的络合物的情况好得多。因此，本发明的化合物也非常适合从溶液中加工。

[0348] 4.包含本发明的金属络合物作为发光材料的有机电致发光器件具有非常好的寿命。即使在简单的OLED中，其中本发明的金属络合物被掺入单一基质-即基质和主体材料中，尤其如此。

[0349] 5.包含本发明的金属络合物作为发光材料的有机电致发光器件具有优异的效率并显示定向发光。

[0350] 这些上述优势不会伴随着其它电子性质的损害。

[0351] 通过以下实施例更详细地说明本发明，但并非意图限制本发明。本领域技术人员将能够使用所给出的细节而无需付出创造性劳动，来制造本发明的其它电子器件，从而在要求保护的整个范围内实施本发明。

具体实施方式

[0352] 实施例：

[0353] 除非另有说明，否则下面的合成是在保护气氛下在干燥的溶剂中进行。另外在排除光的情况下或在黄光下处理金属络合物。溶剂和试剂可以购自例如西格玛-奥德里奇公司(Sigma-ALDRICH)或ABCR。方括号中的相应数字或对于单独化合物的引用数字与文献中已知的化合物的CAS编号有关。在化合物可以具有多种互变异构形式的情况下，以代表性方式显示一种互变异构形式。

[0354] A：合成子S的合成-第1部分：

[0355] 实施例S1：

[0356]

[0357] 根据Casey,Brian M.等，Beilstein Journal of Organic Chemistry，9,1472-1479,2013制备。

[0358] 在充分搅拌下，向2.6g(110mmol)NaH在300ml THF中的冷却到0℃的悬浮液中滴加10.3g(100mmol)乙酰丙酮[123-54-6](小心：放出氢气)，并将混合物再搅拌15分钟。然后滴加42.0ml(105mmol)正丁基锂(2.5M的正己烷溶液)并将混合物再搅拌15分钟。然后在非常充分的搅拌下，一次性添加25.0g(100mmol)2-溴苄基溴[3433-80-5]在25ml THF中的冷却到0℃的溶液。将混合物再搅拌10分钟，除去冰浴，并使混合物在30分钟内升温至15℃，并通过滴加110ml 2N HCl水溶液水解。除去水相，并用乙酸乙酯萃取三次，每次200ml。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤两次，每次用300ml饱和氯化钠溶液，并且用硫酸镁干燥。减压除去溶剂后，油状残余物在自动柱系统(来自A.Semrau的CombiFlash Torrent)中进行色谱分离。收率：12.4g(46mmol)，46％。纯度：根据1H NMR，约97％。

[0359] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0360]

[0361]

[0362]

[0363]

[0364]

[0365] 实施例S50：

[0366]

[0367] 将26.9g(100mmol)2-(3-氯-5-甲氧基苯基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷[929626]-16-4]、31.0g(100mmol)2-(2'-溴[1,1'-联苯]-4-基)吡啶[1374202-35-3]、21.2g(200mmol)碳酸钠、788mg(3mmol)三苯基膦、225mg(1mmol)乙酸钯(II)、300ml甲苯、100ml乙醇和300ml水的混合物在回流下加热48小时。冷却后，将混合物用300ml甲苯增量，且分离有机相，用500ml水洗涤一次，且用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且经硫酸镁干燥。除去溶剂后，将残余物在硅胶上进行色谱分离(正庚烷/乙酸乙酯，2:1v/v)。收率：
28.4g(76mmol)，76％。纯度：根据1H NMR，约97％。

[0368] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0369]

[0370]

[0371] 实施例S100：

[0372]

[0373] 将37.2g(100mmol)S50、31.0g(100mmol)5-(2-溴苯基)-2-苯基吡啶[1989597-29-6]、21.2g(200mmol)碳酸钠、1.23g(3mmol)SPhos、449mg(2mmol)乙酸钯(II)、300ml甲苯、
100ml乙醇和300ml水的混合物在回流下加热16小时。冷却后，将混合物用300ml甲苯增量，且分离有机相，用500ml水洗涤一次，并用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且经硫酸镁干燥。除去溶剂后，将残余物在硅胶上进行色谱分离(正庚烷/乙酸乙酯，2:1v/v)。收率：40.3g(71mmol)，71％。纯度：根据1H NMR，约97％。

[0374] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0375]

[0376]

[0377]

[0378] 实施例S200：

[0379]

[0380] 将55.6g(100mmol)S100和115.6g(1mol)盐酸吡啶盐[628-13-7]的混合物在水分离器上加热到200℃，持续3小时，不时地排出馏出液。冷却后，向反应混合物中添加1000ml冰水，使产物结晶。将混合物在冰箱中放置过夜，并且抽滤出晶体，用少量冰水洗涤
1
并减压干燥。收率：55.0g(87mmol)，87％；纯度：根据H NMR，约97％。

[0381] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0382]

[0383]

[0384]

[0385] 实施例S300：

[0386]

[0387] 在充分搅拌下，向55.6g(100mmol)S200在500ml二氯甲烷和100ml吡啶的混合物中的冷却到0℃的溶液中滴加34ml(200mmol)三氟甲磺酸酐[358-23-6]。将反应混合物温热至室温并再搅拌16小时，倾入1000ml冰水中，同时搅拌，并再搅拌10分钟，分离有机相，并且将水相萃取三次，每次用300ml二氯甲烷。将合并的有机相用冰水洗涤两次，每次用300ml冰水，并且用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且经硫酸钠干燥。减压除去二氯甲烷后获得的蜡从乙腈中重结晶。收率：60.5g(88mmol)，88％；纯度：根据1H NMR，约95％。

[0388] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0389]

[0390]

[0391] 实施例S400：

[0392]

[0393] 在充分搅拌下，向68.5g(100mmol)S300和二氯化双(二苯基膦)钯(II)×DCM在500ml二烷中的溶液中添加41.8ml(300mmol)三乙胺，然后以滴加方式添加29.0ml(200mmol)4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]-二氧杂硼杂环戊烷，并且将混合物加热回流16小时。
冷却后，将混合物减压浓缩至干，且将油状物溶于500ml乙酸乙酯中，用水洗三次，每次用
300ml水，并且用300ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，用硫酸镁干燥，并且在乙酸乙酯浆液中使用硅胶床滤出干燥剂。减压除去溶剂，并且将残余物从添加有少量乙酸乙酯的乙腈中重结晶两次。收率：49.7g(75mmol)，75％；纯度：根据1H NMR，约95％。

[0394] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0395]

[0396]

[0397]

[0398] B：配体L的合成：

[0399] 实施例L1：

[0400]

[0401] 将66.3g(100mmol)2,2'-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1':2',1”:3”,1”':2”',1””-对五联苯]-4,4””-二基]双吡啶[1989597-72-9]、29.6g(110mmol)S1、31.8g(300mmol)碳酸钠、1.23g(3mmol)SPhos、449mg(2mmol)乙酸钯(II)、300ml甲苯、100ml乙醇和300ml水的混合物在回流下加热18小时。冷却后，使用乙酸调节pH至6-7，分离有机相，将水相用甲苯萃取三次，每次用100ml甲苯，并且将合并的有机相用300ml水洗涤一次，用500ml饱和氯化钠溶液洗涤一次，并且经硫酸钠干燥。除去溶剂后，将残余物进行色谱分离(来自A.Semrau的CombiFlash Torrent)。收率：50.0g(69mmol)，
69％；纯度：根据1H NMR，约97％。

[0402] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0403]

[0404]

[0405] 实施例L100：

[0406]

[0407] 类似于实施例L1的步骤，不同之处在于不是使用2,2'-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1':2',1”:3”,1”':2”',1””-对五联苯]-4,4””-二基]双吡啶[1989597-72-9]，而是使用3,3'-[5'-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1':3',1”-三联苯]-2,2”-二基]双[6-苯基吡啶][1989597-70-7]。收率：53.2g(73mmol)，73％；纯度：根据1H NMR，约97％。

[0408] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0409]

[0410]

[0411] 实施例L200：

[0412]

[0413] 类似于实施例L1的步骤，不同之处在于不是使用2,2'-[5”-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1':2',1”:3”,1”':2”',1””-对五联苯]-4,4””-二基]双吡啶[1989597-72-9]，而是使用S400。收率：53.0g(72mmol)，72％；纯度：根据1H NMR，约
97％。以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0414]

[0415]

[0416]

[0417]

[0418]

[0419] C：金属络合物的制备

[0420] 实施例Ir(L1)：

[0421]

[0422] 变体A：

[0423] 首先将7.25g(10mmol)配体L1、4.90g(10mmol)三乙酰丙酮酸铱(III)[15635-87-7]和120g氢醌[123-31-9]的混合物装入带有玻璃护套磁棒的1000ml双颈圆底烧瓶中。所述烧瓶具备水分离器(用于密度低于水的介质)和具有氩气覆盖层的空气冷凝器。将烧瓶置于金属加热浴中。通过氩气覆盖系统从顶部用氩气吹扫所述装置15分钟，使氩气流出双颈烧瓶的侧颈。通过双颈烧瓶的侧颈，将玻璃护套的Pt-100热电偶引入烧瓶中，并将末端正好安置在磁力搅拌棒的上方。然后，所述装置用家用铝箔的若干松散绕组进行隔热，绝缘层向上延伸到水分离器的提升管的中部。然后用加热的实验室搅拌器系统将装置快速加热到250～255℃，用Pt-100热传感器测量，所述传感器浸入熔融的搅拌反应混合物中。在接下来的1小时内，将反应混合物保持在250～255℃，在此过程中蒸馏出少量冷凝物并将其收集在水分离器中。1小时后，使混合物冷却至190℃，移除加热套，然后滴加100mL的乙二醇。冷却至100℃后，缓慢滴加400ml甲醇。将由此获得的米色悬浮液通过双端玻璃料过滤，并将米色固体用50ml甲醇洗涤三次，然后减压干燥。粗收率：定量。将由此获得的固体溶解于200ml二氯甲烷中，且以二氯甲烷浆液形式在黑暗中在排除空气的情况下经约1kg的硅胶(柱直径约18cm)过滤，开始时留下深色组分。切出核心级分并将其在旋转蒸发器上浓缩，同时连续滴加MeOH直至结晶。在抽吸分离后，用少量MeOH洗涤并在减压下干燥，在小心地排除空气和光的情况下通过用二氯甲烷/乙腈1:1(v/v)连续热萃取五次对橙色产物进行进一步纯化(在每种情况下最初装入的量为约200ml，萃取套管：得自沃德曼(Whatman)的由纤维素制成的标准索氏套管)。母液中的损失可以通过二氯甲烷(低沸点物和良好溶剂):乙腈(高沸点物和不良溶剂)的比例来调节。其通常应为所用量的
3-6重量％。热萃取也可使用其它溶剂如甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等完成。最后，在
390℃下在高真空下使产物升华。收率：5.95g(6.1mmol)，61％；纯度：根据HPLC，>99.9％。

[0424] 变体B：

[0425] 类似于Ir(L1)变体A的步骤，不同之处在于使用300ml乙二醇[111-46-6]而不是120g氢醌，并将混合物在190℃下搅拌16小时。冷却到70℃后，将混合物用300ml乙醇稀释，并将固体抽滤(P3)，用乙醇洗涤三次，每次用100ml乙醇，然后减压干燥。如变体A中所述进行进一步纯化。收率：6.35g(6.5mmol)，65％；纯度：根据HPLC，>99.9％。

[0426] 变体C：

[0427] 类似于Ir(L1)变体B的步骤，不同之处在于使用3.53g(10mmol)氯化铱(III)×n H2O(n为约3)，而不是4.90g(10mmol)三乙酰丙酮酸铱(III)[15635-87-7]，并且使用300ml 2-乙氧基乙醇/水(3:1，vv)而不是120g氢醌，且将混合物在回流下搅拌30小时。冷却后，用抽吸(P3)滤出固体，用乙醇洗涤三次，每次用30ml乙醇，然后减压干燥。如变体B所述进行进一步纯化。收率：4.67g(5.1mmol)，51％；纯度：根据HPLC，>99.9％。

[0428] 金属络合物通常以Λ和Δ异构体/对映异构体的1:1混合物的形式获得。以下引入的络合物的图像通常仅显示一种异构体。如果使用具有三个不同亚配体的配体，或使用手性配体作为外消旋体，则获得非对映异构体混合物形式的衍生的金属络合物。这些可以通过分级结晶或通过色谱法，例如用自动柱系统(来自A.Semrau的CombiFlash)分离。如果手性配体以对映异构体纯的形式使用，则获得非对映异构体混合物形式的衍生的金属络合物，通过分级结晶或色谱法分离得到纯对映异构体。分离的非对映异构体或对映异构体可以如上所述例如通过热萃取进一步纯化。

[0429] 非对映异构体1在下文指在薄膜色谱板(TLC硅胶60F254，得自默克公司(Merck))上用乙酸乙酯作为洗脱剂时显示较大Rf的非对映异构体；非对映异构体2指显示较小Rf的非对映异构体。

[0430] 以类似的方式，可以制备以下化合物：

[0431]

[0432]

[0433]

[0434]

[0435]

[0436] *如果不同

[0437] 升华温度和速率：

[0438] 通过与具有三个苯基吡啶样亚配体的三足配体相比较，本发明的化合物在较低温度下升华，并且在给定的升华温度下具有较高的升华速率(g/h)，如下表详述。确切的温度和升华速率总是取决于确切的压力和所用升华装置的特定几何形状。在每种情况下在相同的装置中在约10-5毫巴的基础压力下确定温度和升华速率。

[0439] 络合物升华温度[℃] 给定升华温度下的升华速率[g/h]Ir-Ref.1 约440 0.6
Ir-Ref.2 约440 0.5
Ir-Ref.3 约420 1.0
Ir(L1) 约390 1.4
Ir(L100) 约390 1.3
Ir(L200) 约380 1.8

[0440] 实施例：OLED的制造

[0441] 1)真空加工的器件：

[0442] 本发明的OLED和根据现有技术的OLED是通过根据WO 2004/058911的通用方法制造，所述方法适合于这里描述的情况(层厚度、所用材料的改变)。

[0443] 在下面的实施例中，提供多种OLED的结果。涂有厚度为50nm的结构化ITO(氧化锡铟)的清洁玻璃板(在Miele实验室玻璃清洁器中清洁，Merck Extran清洁剂)用UV臭氧预处理25分钟(来自UVP的PR-100 UV臭氧发生器)，并且为了改善加工，在30分钟内涂覆20nm的PEDOT:PSS(聚(3,4-乙亚基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)(从德国贺利氏贵金属材料有限公司(Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland)作为CLEVIOSTMP VP AI 4083购买，从水溶液中旋涂)，然后在180℃下烘烤10分钟。这些涂覆的玻璃板形成施加OLED的基底。OLED基本上具有以下层结构：基底/空穴传输层1(HTL1)，其由掺杂有5％NDP-9(可从诺瓦尔德(Novaled)商购获得)的HTM组成，20nm/空穴传输层2(HTL2)/任选的电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)，且最后是阴极。阴极通过厚度为100nm的铝层形成。

[0444] 首先，描述真空加工的OLED。为此目的，所有材料都通过在真空室中热气相沉积施加的。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，所述发光掺杂剂通过共蒸发以特定的体积比例添加到一种或多种基质材料中。以诸如M1:M2:Ir(L2)(55％:35％:10％)的形式给出的细节在此是指材料M1以55％的体积比例、M2以35％的体积比例且Ir(L1)以10％的体积比例存在于层中。类似地，电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。OLED的精确结构可在表2中见到。用于制造OLED的材料示于表4中。

[0445] 以标准方式表征OLED。为此目的，确定电致发光光谱、作为亮度函数的电流效率(以cd/A计量)、功率效率(以lm/W计量)和外量子效率(EQE，以百分比计量)，从假定郎伯发光特性的电流-电压-亮度特性(IUL特性)来计算，并且确定寿命。电致发光光谱在1000cd/m2的亮度下确定，并由此计算CIE 1931 x和y色坐标。寿命LD80定义为在40mA/cm2的恒定电流下操作的过程中亮度下降到起始亮度的80％后的时间。

[0446] 在磷光OLED中使用本发明的化合物作为发光体材料

[0447] 本发明化合物的一种用途是作为OLED的发光层中的磷光发光体材料。根据表4的铱化合物用作根据现有技术的比较。OLED的结果整理在表2中。

[0448] 表1：OLED的结构

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[0451] 表2：真空加工的OLED的结果

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[0453]

[0454] 溶液加工的器件：

[0455] 自低分子量的可溶性功能材料加工

[0456] 本发明的化合物也可以从溶液中加工，并且在这种情况下，得到与真空加工的OLED相比在加工技术方面简单得多、但是仍然具有良好性质的OLED。这些组件的制造是基于聚合物发光二极管(PLED)的制造，其已经在文献中多次描述(例如，在WO 2004/037887中)。所述结构由基底/ITO/空穴注入层(60nm)/中间层(20nm)/发光层(60nm)/空穴阻挡层(10nm)/电子传输层(40nm)/阴极组成。为此目的，使用来自Technoprint的基底(钠钙玻璃)，其上施用了ITO结构(氧化锡铟，透明的导电阳极)。在洁净室中用去离子水和去污剂(Deconex 15 PF)清洁基底，然后通过UV/臭氧等离子体处理进行活化。此后，同样在洁净室中，通过旋涂施用20nm空穴注入层。所需的旋涂速率取决于稀释程度和特定旋涂机的几何形状。为了从层中除去残留的水，将基底在200℃的加热板上烘烤30分钟。所用的中间层用于空穴传输；在这种情况下，使用来自默克公司(Merck)的HL-X092。中间层也可以替代地用一个或多个层代替，这些层只需要满足不被随后的从溶液中进行EML沉积的加工步骤再次浸出的条件。为了制造发光层，将本发明的三重态发光体与基质材料一起溶解在甲苯或氯苯中。这种溶液的通常固体含量为16至25g/l，在这种情况下，器件特有的60nm的层厚度将通过旋涂实现。1型溶液加工器件包括由M3:M4:IrL(20％:60％:20％)组成的发光层，并且2型溶液加工器件包括由M3:M4:IrLa:IrLb(30％:34％:30％:6％)组成的发光层；换句话说，它们含有两种不同的铱络合物。在惰性气体气氛中旋涂发光层，在本例中所述惰性气体为氩气，并在160℃下烘烤10分钟。在发光层之上气相沉积空穴阻挡层(10nm ETM1)和电子传输层(40nm ETM1(50％)/ETM2(50％))(Lesker等的气相沉积系统，通常的气相沉积压力为5×10-6毫巴)。最后，通过气相沉积施用铝阴极(100nm)(来自奥德里奇公司(Aldrich)的高纯度金属)。为了保护器件免受空气和空气湿度的影响，最后将器件封装起来，然后进行表征。提到的OLED实施例尚未优化；表3汇总所获得的数据。

[0457] 表3：利用从溶液中加工的材料获得的结果

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[0459] 表4：所用材料的结构式

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