专利汇可以提供一种便携式超音频感应加热装置及方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种便携式超音频 感应加热 装置及方法,包括电源、 开关 控制 电路 、驱动电路,开关控制电路包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控 硅 Q9;驱动电路包括芯片U1、晶体管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管Q2、晶体管Q1、 二极管 D5、二极管D6、二极管D8、二极管D7、 变压器 T1;本装置电路简单, 电子 元器件少,开通和关断迅速,稳定可靠, 散热 器件轻,变压器T1磁芯利用率高,推挽工作时,两只对称的晶体管Q1、Q2每次只有一个导通,导通损耗小。工作时,电感L2内产生极性瞬间变化的强磁束,强磁束的 电磁感应 作用于被加热金属零件,产生涡 电流 ,由于被加热金属零件内部存在着 电阻 ,所以会产生 焦 耳 热 ,使 电能 转换成为 热能 。,下面是一种便携式超音频感应加热装置及方法专利的具体信息内容。
1.一种便携式超音频感应加热装置,包括电源、开关控制电路、驱动电路,其特征在于:
所述开关控制电路,包括晶体管Q11、晶体管Q8、晶体管Q5、可控硅Q9;
所述晶体管Q11的发射极与晶体管Q8的集电极通过接点A连接,所述晶体管Q5的集电极通过电阻R22与晶体管Q8的基极连接,所述晶体管Q5的基极与A点连接,所述晶体管Q5的发射极通过电阻R21与A点连接,所述晶体管Q11的基极通过电阻R24与A点连接;所述晶体管Q8的发射极通过温度开关RT连接VCC端,VCC端通过电容C7和电容C13接地;
所述A点通过两个串联的稳压管D9、D10接地;A点与地之间接有电容C10;
所述可控硅Q9的阴极连接晶体管Q5的发射极,可控硅Q9的控制极通过二极管D12连接晶体管Q11的集电极,可控硅Q9的阳极通过电阻R18连接晶体管Q11的基极,可控硅Q9的阴极与控制极之间并联电阻R20和电容C11;
所述可控硅Q9的阳极通过电阻R17接电源的正极。
2.根据权利要求1所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述驱动电路,包括芯片U1、晶体管Q7、晶体管Q4、晶体管Q6、晶体管Q3、晶体管Q2、晶体管Q1、二极管D5、二极管D6、二极管D8、二极管D7、变压器T1;
所述晶体管Q7的基极通过电容C9连接晶体管Q4的集电极,晶体管Q7的基极通过电阻R8接地,晶体管Q7的发射极接地,晶体管Q4的集电极通过电阻R12接地,晶体管Q4的基极与发射极之间并联电阻R10,晶体管Q4的发射极接VCC端;晶体管Q4的基极通过电阻R14、电阻R16连接变压器T1初级线圈的第1脚;二极管D8和二极管D7串联后负极接变压器T1初级线圈的第1脚,正极接电阻R14与电阻R16之间的连接点;
所述晶体管Q2的栅极与漏极之间并联电阻R30,漏极接地,源极接变压器T1初级线圈的第1脚,源极与漏极之间并联电容C30,栅极通过二极管D4的负极接芯片U1的第5脚,二极管D4并联电阻R2;
所述芯片U1的第4脚与第5脚并联电阻R4,第4脚接晶体管Q7的集电极,第7脚通过电容C5和电阻R5接晶体管Q7的集电极;芯片U1的第3脚、第1脚、第8脚接地;
所述所述晶体管Q6的基极通过电容C8连接晶体管Q3的集电极,晶体管Q6的基极通过电阻R7接地,晶体管Q6的发射极接地,晶体管Q3的集电极通过电阻R11接地,晶体管Q3的基极与发射极之间并联电阻R9,晶体管Q3的发射极接VCC端;晶体管Q3的基极通过电阻R13、电阻R15连接变压器T1初级线圈的第3脚;二极管D5和二极管D6串联后负极接变压器T1初级线圈的第3脚,正极接电阻R13与电阻R15之间的连接点;
所述晶体管Q1的栅极与漏极之间并联电阻R31,漏极接地,源极接变压器T1初级线圈的第3脚,源极与漏极之间并联电容C31,栅极通过二极管D3的负极接芯片U1的第7脚,二极管D3并联电阻R1;
所述芯片U1的第2脚与第7脚并联电阻R3,第2脚接晶体管Q6的集电极,第5脚通过电容C6和电阻R6接晶体管Q6的集电极;
所述变压器T1初级线圈的第2脚为中心抽头,接电源的正极;
所述变压器T1次级线圈接电感L2。
3.根据权利要求1或2所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述变压器T1初级线圈的第1脚与第2脚之间并联电容C3。
4.根据权利要求3所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述晶体管Q11的集电极依次通过电阻R11、开关S1连接可控硅Q9的的阳极。
5.根据权利要求3所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:芯片U1采用通用芯片MC33151。
6.根据权利要求2所述的便携式超音频感应加热装置,其特征在于:所述电感L2采用紫铜管绕制。
7.权利要求1至6中任一项所述便携式超音频感应加热装置的控制方法,其特征在于下述步骤:
按下开关S1,可控硅Q9的控制极电压高于阴极电压,阳极电压高于阴极电压,可控硅Q9开通;晶体管Q5的发射级电压高于基级电压,晶体管Q5开通,晶体管Q5的集电极为高电平;晶体管Q8的基级电压高于发射级电压,Q8开通,经过电阻R17、R18、R24、D9和D10分压后的电压通过Q8给驱动电路供电,本装置开启工作;
松开S1,可控硅Q9的控制级电压低于阴极电压,这时可控硅阳极和阴极之间的电压差是正弦半波,阳极和阴极之间的电压差有零点,可控硅Q9关闭;晶体管Q5的发射级电压低于基级电压,晶体管Q5关闭,晶体管Q5的集电极为低电平;晶体管Q8的基级电压为低电平,晶体管Q8关闭,经过电阻R17、R18、R24分压后的电压不能通过晶体管Q8给驱动电路供电,本装置停止工作;
当开关S1按下时,芯片U1的第6脚为高电平,U1开始工作,5脚为高电平,7脚为低电平,晶体管Q2开通,晶体管Q4的基级为低电平,晶体管Q4开通,晶体管Q4集电极对电容C9充电,电阻R8两端的电压由高电平降为低电平,电容C5上的电荷通过Q7放出;与此同时,芯片U1的第5脚高电平通过电阻R4、R5向电容C5充电,芯片U1的第4脚的电压由低升高,同时第5脚高电平通过R6、R3向电容C6充电,第2脚的电压由高降低,第4脚的电压开始高于高态输入阀值电压,第2脚电压开始低于低态输入阀值电压,工作状态切换;
切换之后,芯片U1第5脚输出为低电平,第7脚输出为高电平;晶体管Q1开通,晶体管Q3的基级为低电平,晶体管Q3开通,晶体管Q3集电极对电容C8充电,电阻R7两端的电压由高电平降为低电平,电容C6上的电荷通过晶体管Q6放出;与此同时,第7脚高电平通过电阻R3、R6向电容C6充电,第2脚的电压由低升高,同时第7脚高电平通过R5、R4向电容C5充电,第4脚的电压由高降低,第2脚的电压开始高于高态输入阀值电压,第4脚电压开始低于低态输入阀值电压,工作状态再次切换。
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