【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、例えば大型計算機システムや並列計算機等に適用され、半導体装置等の温度特性を有するデバイスが所望の動作速度で動作するように、デバイスの動作温度をその目標動作温度に制御するようにした温度制御装置、温度制御方法、及びデバイスに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】大型計算機や並列計算機等に使用される半導体装置等のデバイスは、その周囲温度によって動作速度が変化するという温度特性を有する。 このため、半導体装置等のデバイスを有するシステムにおいては、従来よりその温度制御を行うようにした多くの技術が知られている。 例えば特開平９−３０５２６８号公報では、
適正環境で運転していたシステムが、半導体のＴｊ（チップ温度）の低下又はｔｐｄ（遅延時間）小を検出すると、冷却用ファンの風量削減状態で運転を行い、改善が見られない場合は、発熱専用回路を動作させて適正環境値に戻し、また、Ｔｊの上昇又はｔｐｄ大又は供給電流量の増大を検出すると、冷却ファンの風量増加を行い、
これによっても改善がみられない場合にはダミー動作を行ってシステムの動作を緩慢にし、これでも改善されない場合には、動作周波数の低下と供給電圧の低下の少なくとも一方を行い、適正値になれば、通常状態での動作に移行するようにした技術が示されている。 このような技術によれば、情報処理システムから適正な環境下での最大性能を引き出し、最適な消費電力量でシステム運転を可能にすることができる。 【０００３】又、特開２０００−３６６８１号公報においては、冷却対象となるＬＳＩの温度を観測する発熱観測手段で検出された各ＬＳＩの発熱量データを基に、Ｌ
ＳＩ温度報告手段にて、論理カード単位で、最大発熱量値を作成する。 そしてこの倫理カード単位での最大発熱量を必要冷却量判定回路にて集計し、情報処理装置筐体内の最大発熱量（最大温度）を作成すると同時に、筐体内の必要な冷却量を判定する。 そして、判定結果を受けた冷却制御回路では、その判定結果に基づいて、冷却手段へオン／オフ指示を行い、情報処理装置筐体内の冷却を発熱量に応じて適切に行うようにした技術が開示されている。 このような技術によれば、大規模な情報処理装置に使用する冷却用大型ファンの発生する騒音の低下及び消費電力化を図ることができる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置等のデバイスは各デバイス毎に温度特性や動作速度自体にばらつきを有する。 従って、半導体装置の動作温度を制御しても、かかる温度特性や動作速度の相異を考慮しなければ、それらをシステムに組み込んで動作させた場合、動作速度の大きいロットのデバイスでは、動作時にレーシングが発生してエラーが発生するおそれがあり、
また、装置全体の動作速度はスイッチング速度の遅いロットの素子に制限されることとなる。 一方、上述した従来の技術においては、冷却等、温度調節に際しての低消費電力化をその一つの目的とし、それを達成する温度制御装置を提案しているが、このような温度特性や動作速度の相異に基づく温度制御については触れられておらず、かかる従来技術では、動作速度自体のばらつきから生じる上述したような問題は依然として解消されない。 【０００５】本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置等、温度特性を有するデバイスから構成される情報処理機器等の装置において、各デバイスの温度をその目標動作速度から定められる目標動作温度に制御することにより、各デバイス毎の動作速度のばらつきの問題を低減し、もってシステム全体の動作速度を向上することができると共にレーシング等の障害発生及び製造の歩留問題を低減することができて動作の信頼性を図り、さらには温度制御の小電力化にも貢献し得る温度制御装置、温度制御方法、及びデバイスを提供することを目的としている。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するため、本発明に係る温度制御装置は、デバイスの所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記デバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記デバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなるものである。 【０００７】このような構成によれば、半導体装置等のデバイスをその温度特性に応じて、所定の動作速度となるように温度制御することができ、従って複数のデバイスを用いて構成される情報処理装置等の装置における各デバイスの動作速度を同じにすることができ、歩留を低減できると共に装置の動作の信頼性を高めることができる。 なお、実施の形態においては、検出温度が目標動作温度となるように制御を行っている。 【０００８】また、本発明に係る温度制御装置は、複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスにおける所定の目標動作速度に基づいて得られる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記複数のデバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された目標動作温度とに基づいて、
前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなるものである。 この場合に、前記複数のデバイスは、目標動作温度が互いに近似したもので構成するようにすることができる。 さらに、この場合に、前記温度検出手段は、前記複数のデバイスの中で中央付近に位置するデバイスの温度を検出するようにすれば、熱が最もこもりやすく、温度が高くなりやすい、中央部のデバイスがクリティカルな温度になることを防止できる。 なお、デバイスとしての半導体装置は、温度に対する動作速度の変動が顕著であり、本装置を半導体装置に適用することにより、その効果を顕著なものとすることができる。 この半導体装置としては、ＣＭＯＳ等のＬＳＩや集積回路が挙げられる。 【０００９】そして、以上のような構成によれば、複数のデバイスの中で例えば中央に位置するデバイス等、代表的なデバイスの目標動作温度を用いて複数のデバイスの温度制御を行うことができ、従って、目標動作温度記憶手段や温度検出手段等の数を削減でき、全体構成を簡略化することができる。 【００１０】なお、本発明に係る温度制御装置において、前記記憶手段は前記デバイス内にメモリとして構成されるようにしても良く、このような構成とすれば、半導体装置等のデバイスは内部にメモリを容易に構成でき、またこのように制御されるべきデバイスにその目標動作温度を書き込むようにすることで、それらのデータ管理が極めて容易となる。 また、本発明に係る温度制御装置において、前記冷却又は加熱手段はペルチェ素子で構成されるようにしても良く、あるいは冷却又は加熱装置が接続されたヒートパイプを用いて構成されるようにしても良い。 ペルチェ素子やヒートパイプによれば、冷却又は加熱手段が容易に構成できる。 【００１１】さらに、この場合に、前記ヒートパイプにより冷却又は加熱されるデバイスが複数ある場合においては、冷却程度又は加熱程度の高いデバイスを冷却程度又は加熱程度の低いデバイスよりも前記冷却又は加熱装置の近くに配置するようにすることにより、熱媒体（例えば冷却液）による冷却又は加熱を効率的に行うことができる。 【００１２】また、本発明に係るデバイスは、温度により動作速度が定まるデバイスであって、前記デバイスを所定の目標動作速度で動作させるため、温度制御装置により前記デバイスの温度を前記目標動作速度に対応する目標動作温度に制御するに際し、前記デバイスが前記温度制御装置に与えるデータとしての前記目標動作温度を記憶する記憶手段を備えていることを特徴とするものである。 【００１３】このようなデバイスによれば、そのデバイスの温度を目標動作温度に制御することが容易であり、
また目標動作温度を管理することも容易となる。 なお、
更には前記デバイスに温度制御装置に実温度を与えるための温度検出手段を備えるようにすれば、温度制御に際して温度検出手段を別途備える必要が無く、温度制御装置の構築が容易となる。 【００１４】また、本発明に係る温度制御を受けるデバイスを有する装置は、前記デバイスの所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記デバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記デバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなるものである。 【００１５】このような構成によれば、半導体装置等のデバイスをその温度特性に応じて、所定の動作速度となるように温度制御することができ、従って複数のデバイスを用いて構成される情報処理装置等の装置における各デバイスの動作速度を同じとすることができ、装置の動作の信頼性を高めることができる。 なお、実施の形態においては、温度制御を受ける複数のデバイスを有する装置であって、複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスにおける所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記複数のデバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなるデバイスを有する装置も開示されている。 【００１６】また、本発明に係る温度制御方法は、予めデバイスの動作速度と温度との関係に基づいて、前記デバイスを所定の目標動作速度で動作させるための目標動作温度を記憶しておくステップと、前記デバイスの温度を検出するステップと、前記温度を検出するステップで検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度を記憶するステップで記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記デバイスを冷却又は加熱制御するステップとを備えてなるものである。 【００１７】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態をデバイスとしてＬＳＩ等の半導体装置に例をとり、図面を用いて説明する。 実施の形態１． 図１は本発明の実施の形態１における概略構成図、図２は図１の一部拡大図、図３は同斜視図、
図４は実施の形態１における半導体装置の温度特性を示す図である。 実施の形態１は、基板（マザーボード）１
に搭載された各ＬＳＩ２に冷却又は加熱手段であるペルチェ素子３を設け、このペルチェ素子３により、ＬＳＩ
２の熱を吸収して冷却し、あるいは加熱して昇温させるようにしたものである。 【００１８】図２に示されるように、基板１上に搭載されるＬＳＩ２は、その内部に温度検出手段としての温度検出部２１と目標動作温度記憶手段としての記憶部である例えばＲＯＭ２２が設けられ、その上面にペルチェ素子３が設けられている。 ペルチェ素子３は電流が流れることにより吸熱を行う冷却側がＬＳＩ２の上面に密着するように設けられ、その反対側である発熱側がヒートシンク４に密着するように設けられている。 ペルチェ素子３の適所に設けられる端子３ａ，３ｂは温度制御部５に接続されている。 また、ヒートシンク４は、図３に示されるように冷却用のファン７により冷却される。 なお、
温度検出部２１は、温度パラメータを電気パラメータに変換するセンサ（トランスデューサ）を有するトランジスタ温度計やサーミスタ温度計等により構成され得るが、ＬＳＩ内に設けるセンサとしては特にトランジスタ温度計が好ましい。 【００１９】この温度制御部５は、ＬＳＩ２内に設けられた温度検出部２１の検出温度（電流又は電圧）がＲＯ
Ｍ２２に記憶されている目標動作温度（所定電流又は電圧）となるようにペルチェ素子３に流す電流を制御するものであり、ＬＳＩ２の検出温度が目標動作温度より高くなった場合は、電流を増大させ、逆の場合は電流を減少させる。 温度制御部５は検出温度と目標動作温度との比較を行う比較部５１と、この比較部５１の比較結果に基づいて、ペルチェ素子３へ流す電流を制御する電流制御部５２とを有し、例えば電流制御部５２は比較部５１
の比較結果がゼロとなるように電流を加減する。 【００２０】図４は複数のＬＳＩの温度と動作速度との関係を示す図である。 ＬＳＩ等の半導体装置（素子）は温度（内部温度）が上がると動作速度が下がり、一方温度が下がると動作速度が上がるという温度特性を有する。 ＬＳＩを多数搭載した装置において、これらの動作速度がばらつくとレーシングが生じ、誤動作が起こる。
このため、温度制御部５は、各ＬＳＩの動作速度を同じにして、レーシングの発生を防止するように、各ＬＳＩ
の温度を制御している。 【００２１】図４によれば、例えば動作速度がＡとなるように設定される。 この動作速度Ａに対応する各温度（Ｔ１〜Ｔ４）は、各デバイスの製造時等に測定され、
目標動作温度としてＲＯＭ２２に記憶される。 図４においては、ＲＯＭ２２に記憶される目標動作温度は、素子（半導体装置）Ｄ１〜Ｄ４の順で低くなり、素子Ｄ１
（目標動作温度Ｔ１）よりも素子Ｄ２（目標動作温度Ｔ
２）が、素子Ｄ２よりも素子Ｄ３（目標動作温度Ｔ３）
が、素子Ｄ３よりも素子Ｄ４（目標動作温度Ｔ４）が冷却の程度は大きくなる。 そして場合によっては、例えば図４における素子Ｄ２の目標動作温度（Ｔ２）と等しい温度環境下においては、素子Ｄ３，Ｄ４を冷却する一方、素子Ｄ１を加熱することとなる。 また、素子Ｄ２においては、その温度を維持する。 【００２２】実施の形態２． 実施の形態１は、各ＬＳＩ
２について目標動作温度を記憶しておき、ペルチェ素子３により個別に温度制御を行う例について示した。 しかし、多数の半導体装置を用いる場合、温度特性が近似し、所定の目標動作速度に対応する目標動作温度が互いに近似するＬＳＩも多い。 図５はそのような温度特性を有する複数の半導体装置の温度特性を示した図である。
図５によれば、例えば素子（半導体装置）のＤ１´とＤ
２´、Ｄ３´とＤ４´、Ｄ５´とＤ６´が互いに近似した温度特性を有しており、従ってこのような場合は、互いに温度特性が近似する素子の目標動作温度を同じとすることで、それらの動作速度をほぼ同じ（マージンを有する動作速度範囲）とすることができる。 【００２３】そこで、例えば図６に示すように、温度特性が互いに近似する複数のＬＳＩ（例えば２個）毎にグループ化し、それらグループＧ１〜Ｇ３毎に温度制御を行うようにすることもできる。 この場合、実施の形態１
に比較して、温度制御に要する構成要素、例えば温度検出部２１、電流制御部２２、目標動作温度を記憶するＲ
ＯＭ２２を各グループ毎に一つずつ設ければ良いため、
それらの省略化が図れ、簡易化、低コスト化を図ることができる。 【００２４】実施の形態３． 実施の形態１は、冷却又は加熱手段としてペルチェ素子を用いた場合について説明したが、ペルチェ素子に代わり、ヒートパイプを用いて温度制御を行うようにしても良い。 図７及び図８はヒートパイプを用いて温度制御を行うようにした概略構成例を示している。 ＬＳＩ２上面にヒートパイプ６を直接、
あるいは熱伝導部材６１を介して接続して熱の吸収又は加熱を行わせ、このヒートパイプ６をヒートシンク４に接続して、熱の循環（放熱、吸熱）を行わせるようにする。 この場合も、各ＬＳＩ２には温度を検出するための温度検出部２１と、目標動作温度を記憶した例えばＲＯ
Ｍ２２とを備え、温度検出部２１の検出温度が目標動作温度となるように、ヒートシンク４の冷却用のファン７
を駆動する。 【００２５】図８に示す温度制御部９は、温度検出部２
１からの検出温度とＲＯＭ２２からの目標動作温度を比較する比較部９１と、この比較部９１からの比較結果が零となるように、各冷却用のファン７を駆動するファン駆動制御部９２とから構成される。 なお、図７において、複数のヒートシンク４はそれぞれ目標動作温度の異なるＬＳＩからのヒートパイプに接続されており、それぞれ温度の異なる冷却風（冷却空気７ａ〜７ｃ）で冷却されるように構成され、目標動作温度の低いＬＳＩについては、目標動作温度の高いＬＳＩよりも、より温度の低い冷却風が供給される。 【００２６】なお、この実施の形態３の変形例として、
実施の形態２と同様に、複数のＬＳＩを目標動作温度が互いに近似する複数のグループに分け、各グループの代表的な目標動作温度に温度制御するようにしても良い。
この変形例については次の実施の形態４においてより詳細に説明する。 【００２７】実施の形態４． 図９は実施の形態４を示す構成図である。 実施の形態４では複数のＬＳＩを目標動作温度が互いに近似するグループ（例えば３個ずつ）に分け、それぞれグループ単位でヒートパイプを用いた温度制御を行うようにしたものである。 図９に示される温度制御構成は、ＬＳＩ２を各グループ単位で搭載して冷却する第１〜第Ｎ冷却モジュール１１〜１Ｎと、各冷却モジュール１〜１Ｎに冷却液を供給する主循環管路３０
と、前段の冷却モジュールをバイパスして次段の冷却モジュールに直接冷却液を供給するバイパス管路３１と、
主循環管路３０に設けられ、冷却液の流量を制御する第１流量制御弁４１と、主循環管路３０とバイパス管路３
１の接続部に設けられる第２〜第Ｎ流量制御弁（４２〜
４Ｎ）とを備えている。 【００２８】そして、各冷却モジュール１１〜１Ｎに搭載された複数（３個）のＬＳＩ２のうち、その中央に位置するＬＳＩ２Ａ，２Ｂ，…２Ｍには、目標動作温度を記憶したＲＯＭと温度検出部が設けられ（図８と同じ）、温度制御部６０は、これらの温度を比較する比較部６１ａ〜６１ｎと、比較部６１ａ〜６１ｎの比較結果に基づいて流量制御弁４１〜４Ｎの弁の開閉角度を調整して流量を制御することで各冷却モジュールに搭載されたＬＳＩの温度制御を行う弁の開度制御部６２ａ〜６２
ｎとで構成されている。 【００２９】以上の構成における動作について説明する。 第１冷却モジュール１１側では、比較部６１ａがＬ
ＳＩ２Ａの目標動作温度と検出温度を比較し、弁の開度制御部６２ａは、検出温度が目標動作温度より高い場合は、冷却液の流量を増すように第１流量制御弁４１を制御する。 一方、検出温度が目標動作温度よりも低い場合は、冷却液の流量を減らすように第１流量制御弁４１を制御する。 第２冷却モジュール１２側では、比較部６１
ｂがＬＳＩ２Ｂの目標動作温度と検出温度を比較し、弁の開度制御部６２ｂは、検出温度が目標動作温度より高い場合は、その検出温度を下げるように第２流量制御弁４２の開度を制御する。 【００３０】第２流量制御弁４２は、図１０に示すように、バイパス管路３１側に設けられるバイパス側弁体４
２１と、主循環管路３０側に設けられる主循環管路側弁体４２２とを有しており、検出温度が目標動作温度より高い場合、弁の開度制御部６２ｂはバイパス管路３１側から主循環管路３０への流入量が増えるように、バイパス側弁体４２１の開度を大きく開く。 この理由は、主循環管路３０により送られる冷却液は第１冷却モジュール１１を通過する際に熱を吸収し、温度が高くなっており、バイパス管路３１側からの冷却液を取り入れた方が冷却効率を高められるからである。 一方、冷却程度が低い場合、あるいは検出温度が十分に低く、温度を下げる必要が無い場合、あるいは加熱する必要がある場合は、
バイパス側弁体４２１の開度は小さくし、主循環管路３
０側から送られる冷却液による温度制御が主として行われる。 【００３１】なお、第２流量制御弁４２の主循環管路側弁体４２２は第１流量制御弁４１の開度と関連性を有し、例えば第１冷却モジュール１１の冷却の必要性が低いときは、第１流量制御弁４１と共にその開度は小さくされ、一方、第１冷却モジュール１１の冷却の必要性が高いときは、その開度は第１流量制御弁４１と共に大きくされる。 また、第１冷却モジュール１１の冷却の必要性が低いときに、第２冷却モジュール１２の冷却の必要性が高い場合は、主循環管路側弁体４２２の開度は小さく、バイパス側弁体４２１の開度が大きくされる。 以下第３冷却モジュール以降についても同様であり、ここでの説明を省略する。 【００３２】本実施の形態においては、第１冷却モジュール１１に搭載されるＬＳＩ（２Ａ等）は第２冷却モジュール１２に搭載されるＬＳＩ（２Ｂ等）よりも目標動作温度が低いものが選ばれている。 これらＬＳＩ（２Ａ
等）は冷却の程度が大きく、従って主循環管路３０における冷凍機（冷却装置）７０の近くに配置される方が、
冷却の効率が高められるからである。 一方、目標動作温度が高く、冷却の程度が小さなＬＳＩ（２Ｂ等）はその反対に主循環管路３０における冷凍機７０から離れた冷却モジュール（第２冷却モジュール以降）に搭載される。 これらＬＳＩは目標動作温度が低いものに比してそれほど冷却しなくて良いからである。 【００３３】また、本実施の形態においては、各冷却モジュールに搭載される複数のＬＳＩの内、その中央部に搭載されるＬＳＩ２Ａ，２Ｂに温度検出部を設けて温度を検出するようにしているが、複数のＬＳＩの中で、中央部に位置するＬＳＩは熱がこもり易く、従って、最も温度が高くなるおそれのあるＬＳＩと考えられるからである。 【００３４】以上に詳述した実施の形態における温度制御装置又は温度制御方法は、大型計算機システムや並列計算機システム等に用いるとレーシング発生防止に効果的である。 またデバイスを所定単位で必要に応じて個別に冷却又は加熱できるので、温度制御の省電力化を図ることもできる。 なお、実施の形態においては、グループ毎に温度制御する場合として２個又は３個ずつ制御する場合を示したが、本発明は、これらの数に限定されないことは言うまでもなく、要は、温度特性が近似するデバイス毎ならば幾つでも良い。 また、目標動作温度としては、一つの値だけではなく、温度特性に従った複数の値を記憶しておくようにしても良く、これら複数の値を温度環境、使用環境等に基づいて適宜選択するようにしても良い。 【００３５】（付記１）デバイスの所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記デバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記デバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなる温度制御装置。 （１） （付記２）複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスにおける所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記複数のデバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、
前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなる温度制御装置。 （２） （付記３）付記２に記載の温度制御装置において、前記複数のデバイスは、前記目標動作温度が互いに近似していることを特徴とする温度制御装置。 （３） （付記４）付記２に記載の温度制御装置において、前記温度検出手段は、前記複数のデバイスの中で中央付近に位置するデバイスの温度を検出することを特徴とする温度制御装置。 （付記５）付記１乃至付記４のいずれかに記載の温度制御装置において、前記デバイスは半導体装置であることを特徴とする温度制御装置。 （付記６）付記５に記載の温度制御装置において、前記デバイスはＬＳＩ単位で構成されることを特徴とする温度制御装置。 （付記７）付記５又は付記６に記載の温度制御装置において、前記目標動作温度記憶手段は前記デバイス内にメモリとして構成されることを特徴とする温度制御装置。 （付記８）付記１乃至付記７のいずれかに記載の温度制御装置において、前記冷却又は加熱手段はペルチェ素子で構成されることを特徴とする温度制御装置。 （付記９）付記１乃至付記８のいずれかに記載の温度制御装置において、前記冷却又は加熱手段は冷却又は加熱装置が接続されたヒートパイプを用いて構成されることを特徴とする温度制御装置。 （付記１０）付記９に記載の温度制御装置において、前記ヒートパイプにより冷却又は加熱されるデバイスが複数ある場合において、冷却程度又は加熱程度の高いデバイスを冷却程度又は加熱程度の低いデバイスよりも前記冷却又は加熱装置の近くに配置することを特徴とする温度制御装置。 （付記１１）温度により動作速度が定まるデバイスであって、前記デバイスを所定の目標動作速度で動作させるため、温度制御装置により前記デバイスの温度を前記目標動作速度に対応する目標動作温度に制御するに際し、
前記デバイスが前記温度制御装置に与えるデータとしての前記目標動作温度を記憶する記憶手段を備えていることを特徴とするデバイス。 （４） （付記１２）付記１１に記載のデバイスにおいて、更に、前記温度制御装置に前記デバイスの実温度を与えるための温度検出手段を備えたことを特徴とするデバイス。 （付記１３）温度制御を受けるデバイスを有する装置において、前記デバイスの所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記デバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記デバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなるデバイスを有する装置。 （付記１４）温度制御を受ける複数のデバイスを有する装置において、複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスにおける所定の目標動作速度に基づいて定められる前記デバイスの目標動作温度を記憶した目標動作温度記憶手段と、前記複数のデバイスのうち、少なくとも所定のデバイスの温度を検出する温度検出手段と、前記複数のデバイスを冷却又は加熱する冷却又は加熱手段と、前記温度検出手段で検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度記憶手段に記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記冷却又は加熱手段を制御する制御手段とを備えてなるデバイスを有する装置。 （付記１５）予めデバイスの動作速度と温度との関係に基づいて、前記デバイスを所定の目標動作速度で動作させるための目標動作温度を記憶しておくステップと、前記デバイスの温度を検出するステップと、前記温度を検出するステップで検出された前記デバイスの検出温度と、前記目標動作温度を記憶するステップで記憶された前記目標動作温度とに基づいて、前記デバイスを冷却又は加熱制御するステップとを備えてなる温度制御方法。
（５） 【００３６】 【発明の効果】以上に詳述したように、本発明によれば、デバイスの所定の目標動作速度に基づいて定められる目標動作温度に各デバイスの動作温度を制御するようにしたので、半導体装置等、温度特性を有するデバイスから構成される情報処理機器等の装置において、各デバイス毎の動作速度のばらつきの問題を低減し、もってシステム全体の動作速度を向上することができると共にレーシング等の障害発生及び製造の歩留問題を低減することができ、動作の信頼性を図り、さらには温度制御の小電力化にも貢献し得る温度制御装置、温度制御方法、及びデバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の実施の形態１における概略構成図である。 【図２】図１の一部拡大図である。 【図３】図２の斜視図である。 【図４】実施の形態１における半導体装置の温度特性を示す図である。 【図５】実施の形態２における半導体装置の温度特性を示す図である。 【図６】実施の形態２を示す概略構成図である。 【図７】実施の形態３を示す概略構成図である。 【図８】図７の一部拡大図である。 【図９】実施の形態４を示す概略構成図である。 【図１０】第２流量制御弁の構成を示す図である。 【符号の説明】 １ 基板、２，２Ａ，２Ｂ ＬＳＩ、３ ペルチェ素子、４ ヒートシンク、５，９，６０ 温度制御部、７
冷却用のファン、２１ 温度検出部、２２ ＲＯＭ、
４１ 第１流量制御弁、４２ 第２流量制御弁、５１，
６１ａ〜６１ｎ，９１ 比較部、５２ 電流制御部、６
２ａ〜６２ｎ 開度制御部、９２ ファン駆動制御部。