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X 光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法

阅读：323发布：2020-05-08

专利汇可以提供X 光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种X 光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法。X光探测器包含基板、多个信号线、多个扫描线、多个感测单元以及第一主动元件。信号线设置于基板上。扫描线设置于该基板上且与信号线交错。感测单元电性连接信号线与扫描线。第一主动元件具有第一端、第二端以及控制端，控制端用以导通第一端以及第二端，其中第一主动元件的第一端连接信号线的第一者，第一主动元件的第二端连接信号线的第二者。借此，经由控制第一主动元件开启，可均匀化信号线的第一者与第二者的电荷，以降低残留电荷的局部差异，进而提升影像品质。，下面是X 光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种X光探测器，其特征在于，包含：
一基板；
多个信号线，设置于该基板上；
多个扫描线，设置于该基板上且与所述多个信号线交错；
多个感测单元，电性连接所述多个信号线与所述多个扫描线；以及
一第一主动元件，具有一第一端、一第二端以及一控制端，该控制端用以导通该第一端以及该第二端，其中该第一主动元件的该第一端连接所述多个信号线的一第一者，该第一主动元件的该第二端连接所述多个信号线的一第二者。
2.根据权利要求1所述的X光探测器，其特征在于，还包含：
一控制信号线；以及
一控制电路，其中该控制信号线连接该第一主动元件的该控制端至该控制电路。
3.根据权利要求2所述的X光探测器，其特征在于，其中所述多个信号线连接至该控制电路。
4.根据权利要求1所述的X光探测器，其特征在于，还包含：
一第二主动元件，具有一第一端、一第二端以及一控制端，该第二主动元件的该控制端用以导通该第二主动元件的该第一端以及该第二主动元件的该第二端，其中该第二主动元件的该第一端连接所述多个信号线的该第二者，该第二主动元件的该第二端连接所述多个信号线的一第三者。
5.根据权利要求4所述的X光探测器，其特征在于，还包含：
一控制信号线，连接该第一主动元件的该控制端以及该第二主动元件的该控制端。
6.根据权利要求1所述的X光探测器，其特征在于，还包含：
一第三主动元件，具有一第一端、一第二端以及一控制端，该控制端用以导通该第一端以及该第二端，其中该第三主动元件的该第一端连接所述多个信号线的该第一者，该第一主动元件的该第二端连接一接地电位源。
7.根据权利要求6所述的X光探测器，其特征在于，还包含：
一控制信号线；以及
一控制电路，其中该控制信号线连接该第三主动元件的该控制端至该控制电路。
8.根据权利要求1所述的X光探测器，其特征在于，每一所述感测单元包含一光感测元件。
9.根据权利要求1所述的X光探测器，其特征在于，还包含一X光转换层，其中所述多个感测单元设置于该X光转换层与该基板之间。
10.一种X光探测器，其特征在于，包含：
一基板；
多个信号线，设置于该基板上；
多个扫描线，设置于该基板上且与所述多个信号线交错；
多个感测单元，电性连接所述多个信号线与所述多个扫描线；以及
一控制电路，连接所述多个信号线，其中该控制电路用以在一第一时点导通所述多个信号线的一第一者与所述多个信号线的一第二者。
11.根据权利要求10所述的X光探测器，其特征在于，其中该控制电路更用以在一第二时点使所述多个信号线的该第一者接地，其中该第一时点不同于该第二时点。
12.根据权利要求10所述的X光探测器，其特征在于，其中该控制电路设置于该基板上。
13.一种使用X光探测器拍摄影像的方法，其特征在于，包含：
将一第一光感测元件的一第一电极与一第二光感测元件的一第二电极导通；以及以该第一光感测元件以及该第二光感测元件感测光线，以建立一影像。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包含：
对该影像进行校正。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包含：
在将该第一电极与该第二电极导通之前，将该第一电极与该第二电极接地。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其中在将该第一电极与该第二电极导通时，该第一电极与该第二电极不接地。
17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包含：
在以该第一光感测元件以及该第二光感测元件感测光线前，停止该第一电极以及该第二电极的导通。
18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包含：
将一第三光感测元件的一第三电极与该第二光感测元件的该第二电极导通。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，其中将该第一电极与该第二电极导通以及将该第三电极与该第二电极导通包含：
以一控制信号开启一第一主动元件以及一第二主动元件，其中该第一主动元件连接该第一电极与该第二电极，该第二主动元件连接该第二电极与该第三电极。

说明书全文

X 光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法

技术领域

[0001] 本发明是关于一种X光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法。

背景技术

[0002] X射线数字摄影技术在当今医疗影像诊断领域得到了广泛的应用，在各种X射线数字摄影设备中，X射线探测器是在整个影像的成像采集过程中，起到了不可或缺的关键作用。X射线探测器的成像过程需要经历“X射线”到“可见光”到“电子”的转化过程。在影像拍摄过程中，X射线首先会入射到X射线感测器上表面的闪烁体层，其将入射的X射线转化为可见光。可见光激发X射线感测器上的光电二极管产生电子，随后透过搜集这些电子，将其转为适当信号，可以读出数字影像。数字影像可以很容易的进行各种数字影像处理。

[0003] 在X射线探测器的工作过程中，光电二极管中可能残留电荷，而使采集到的影像受到残影的影响，例如当前采集的影像迭加了前次影像残留的资讯，而影响影像品质。数字影像处理可适度修正此影像，但其修正效果有限。如何有效解决X射线影像感测器中残影的问题、提高影像的品质已成为本领域技术人员极欲解决的问题之一。

发明内容

[0004] 于本发明的多个实施方式中，通过均匀化电荷，可降低残留电荷的局部差异，并通过影像处理统一调整影像的各个像素，而提升影像品质。

[0005] 根据本发明的部分实施方式，X光探测器包含基板、多个信号线、多个扫描线、多个感测单元以及第一主动元件。信号线设置于基板上。扫描线设置于该基板上且与信号线交错。感测单元电性连接信号线与扫描线。第一主动元件具有第一端、第二端以及控制端，控制端用以导通第一端以及第二端，其中第一主动元件的第一端连接信号线的第一者，第一主动元件的第二端连接信号线的第二者。

[0006] 于部分实施方式中，X光探测器还包含控制信号线以及控制电路。控制信号线连接该第一主动元件的该控制端至该控制电路。

[0007] 于部分实施方式中，信号线连接至该控制电路。

[0008] 于部分实施方式中，X光探测器还包含第二主动元件。第二主动元件具有第一端、第二端以及控制端。第二主动元件的控制端用以导通第二主动元件的第一端以及第二主动元件的第二端。第二主动元件的第一端连接信号线的第二者，第二主动元件的第二端连接信号线的第三者。

[0009] 于部分实施方式中，X光探测器还包含控制信号线，连接该第一主动元件的该控制端以及该第二主动元件的该控制端。

[0010] 于部分实施方式中，X光探测器还包含第三主动元件，具有第一端、第二端以及控制端，控制端用以导通第一端以及第二端，其中第三主动元件的第一端连接信号线的第一者，第一主动元件的第二端连接接地电位源。

[0011] 于部分实施方式中，X光探测器还包含控制信号线以及控制电路。控制信号线连接该第三主动元件的该控制端至该控制电路。

[0012] 于部分实施方式中，每一感测单元包含光感测元件。

[0013] 于部分实施方式中，X光探测器还包含X光转换层，其中感测单元设置于X光转换层与基板之间。

[0014] 根据本发明的部分实施方式，X光探测器包含基板、多个信号线、多个扫描线、多个感测单元以及控制电路。信号线设置于基板上。扫描线设置于基板上且与信号线交错。感测单元电性连接信号线与扫描线。控制电路连接信号线，其中该控制电路用以在第一时点导通信号线的第一者与信号线的第二者。

[0015] 于部分实施方式中，控制电路更用以在第二时点使信号线的第一者接地，其中第一时点不同于第二时点。

[0016] 于部分实施方式中，控制电路设置于基板上。

[0017] 根据本发明的部分实施方式，使用X光探测器拍摄影像的方法，包含将第一光感测元件的第一电极与第二光感测元件的第二电极导通；以及以第一光感测元件以及第二光感测元件感测光线，以建立一影像。

[0018] 于部分实施方式中，对影像进行校正。

[0019] 于部分实施方式中，在将第一电极与第二电极导通之前，将第一电极与第二电极接地。

[0020] 于部分实施方式中，在将第一电极与该第二电极导通时，第一电极与第二电极不接地。

[0021] 于部分实施方式中，在以第一光感测元件以及第二光感测元件感测光线前，停止第一电极以及第二电极的导通。

[0022] 于部分实施方式中，方法还包含将第三光感测元件的第三电极与第二光感测元件的第二电极导通。

[0023] 于部分实施方式中，将第一电极与第二电极导通以及将第三电极与第二电极导通包含：以控制信号开启第一主动元件以及第二主动元件，其中第一主动元件连接第一电极与第二电极，第二主动元件连接第二电极与第三电极。附图说明

[0024] 图1A为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的示意图；

[0025] 图1B为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的运作示意图；

[0026] 图2A为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的主动元件阵列基板的上视示意图；

[0027] 图2B为图2A的局部布局示意图；

[0028] 图2C为图2B沿线2C-2C的剖面示意图；

[0029] 图3为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的剖面示意图；

[0030] 图4为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的剖面示意图；

[0031] 图5为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的剖面示意图；

[0032] 图6为依据本发明的部分实施方式的处理X光探测器的残留电荷的方法；

[0033] 图7A为依据本发明的部分实施方式的各个操作阶段下扫描信号以及控制信号的波形示意图；

[0034] 图7B为依据本发明的部分实施方式的各个操作阶段下扫描信号以及控制信号的波形示意图。

具体实施方式

[0035] 以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式为之。

[0036] 图1A为依据本发明的部分实施方式的X光探测器100的示意图。图1B为依据本发明的部分实施方式的X光探测器100的运作示意图。同时参照图1A与图1B，X光探测器100包含主动元件阵列基板110以及X光转换层130。X光转换层130设置于主动元件阵列基板110上。于本实施方式中，X光转换层130可将电子转换为光线。举例而言，X光转换层130包含闪烁体层，以将X光转换为光线(例如可见光)。主动元件阵列基板110包含多个数据线DL、多个扫描线SL、多个主动元件114a以及光感测元件PD。

[0037] 经X光转换层130产生的光线被光感测元件PD接收而转换为正/负电荷，在施加适当偏压bias下，电荷以电流形式流至主动元件114a。主动元件114a受扫描线SL控制开关，而使光感测元件PD的电流经由主动元件114a而流至数据线DL，进而传递光感测信号。举例而言，光感测元件PD可以是光电二极管。主动元件阵列基板110更可包含信号控制电路115与扫描控制电路116，分别连接数据线DL与扫描线SL，进而分别取出光感测信号以及传递控制主动元件114a的开关信号。

[0038] 图2A为依据本发明的部分实施方式的X光探测器100的主动元件阵列基板110的上视示意图。详细而言，主动元件阵列基板110包含基板111、多个信号线DL1～DL5、扫描线SL1～SL5、感测单元SU、信号控制电路115、扫描控制电路116、主动元件114b、114c、控制信号线SW1、SW2以及偏压线bias。基板111具有阵列区AA与非阵列区PA(亦称为周边区)，非阵列区PA邻近阵列区AA的至少一侧。感测单元SU设置于阵列区AA，信号控制电路115、扫描控制电路116、主动元件114b、114c以及控制信号线SW1、SW2设置于非阵列区PA。于此，信号线DL1～DL5与扫描线SL1～SL5延伸经阵列区AA而至非阵列区PA，以连接感测单元SU与信号控制电路115、扫描控制电路116。

[0039] 于本实施方式中，信号线DL1～DL5与扫描线SL1～SL5互相电性隔绝且交错。举例而言，信号线DL1～DL5沿第一方向D1延伸，扫描线SL1～SL5沿第二方向D2延伸，第一方向D1不平行于第二方向D2延伸。举例而言，第一方向D1垂直于第二方向D2。信号控制电路115以及扫描控制电路116分别连接信号线DL1～DL5与扫描线SL1～SL5，进而控制并读出感测单元SU的信号。于部分实施方式中，信号控制电路115亦称为信号接收器，扫描控制电路116亦称为扫描驱动器。

[0040] 于部分实施方式中，感测单元SU包含主动元件114a以及前述的光感测元件PD。每一主动元件114a具有第一端(例如源极S)、第二端(例如漏极D)以及控制端(例如栅极G)，其中控制端(例如栅极G)可控制第一端(例如源极S)与第二端(例如漏极D)的导通与否。

[0041] 于本实施方式中，主动元件114a的栅极G分别连接扫描线SL1～SL5，主动元件114a的漏极D分别连接信号线DL1～DL5，主动元件114a的源极S分别连接光感测元件PD的下电极1144(参照图2C)。借此，经由扫描控制电路116依时序提供扫描线SL1～SL5控制信号，可依时序开启各列的主动元件114a，进而依时序使各列的光感测元件PD感测到的信号经由主动元件114a传送至信号线DL1～DL5。

[0042] 于本实施方式中，主动元件114b、114c的配置如同主动元件114a，而具有源极S、漏极D以及栅极G。主动元件114b的栅极G连接控制信号线SW1，主动元件114b的漏极D接地，主动元件114b的源极S分别连接信号线DL1～DL5。借此，在某一时间范围，通过控制信号线SW1打开主动元件114b，可以使各信号线DL1～DL5接地，且在该时间范围内，通过扫描线SL1～SL5同时或依序打开所有主动元件114a，可让光感测元件PD与接地的信号线DL1～DL5导通，而清除光感测元件PD的残留电荷。于部分实施方式中，控制信号线SW1可连接至信号控制电路115或扫描控制电路116，以接收来自信号控制电路115或扫描控制电路116的控制信号。

[0043] 于本实施方式中，主动元件114c的栅极G连接控制信号线SW2，主动元件114c的源极S/漏极D分别连接信号线DL1～DL5，且多个主动元件114c的源极S/漏极D互相连接。借此，在某一时间范围，通过控制信号线SW2打开主动元件114c，可以使各信号线DL1～DL5彼此互相电性连接而短路，并在该时间范围内，以扫描线SL1～SL5同时打开所有主动元件114a，而使各光感测元件PD短路，进而使光感测元件PD的残留电荷均匀化。在此过程中，可以设计信号线DL1～DL5不接地，以达到电荷均匀化的目的。于部分实施方式中，控制信号线SW2可连接至信号控制电路115或扫描控制电路116，以接收来自信号控制电路115或扫描控制电路116的控制信号。举例而言，于此控制信号线SW2连接至信号控制电路115。

[0044] 偏压线bias可连接光感测元件PD的一端，提供适当的直接偏压，以利于光感测元件PD输出电流。偏压线bias可连接至信号控制电路115或扫描控制电路116，以接收来自信号控制电路115或扫描控制电路116的偏压信号。举例而言，于此，偏压线bias连接至扫描控制电路116。

[0045] 图2B为图2A的主动元件阵列基板110的局部布局示意图。图2C为图2B沿线2C-2C的剖面示意图。同时参照图2B与图2C，主动元件阵列基板110包含基板111、栅极G、栅极介电层1141、半导体层1142、源极S与漏极D、钝化层1143、下电极1144、钝化层1145、光感测结构PDS、上电极1146、钝化层1147、数据线DL与偏压线bias以及钝化层1148，其依序设置于基板
111上。以下由下往上介绍各个特征。

[0046] 于本发明的部分实施方式中，基板111可以为硬质基板，例如玻璃、压克力、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate)；PMMA)等材料。或者，于部分其他实施方式中，基板111亦可以为软质基板(即可挠性基板)，例如塑胶膜材(film)等材质。

[0047] 于本发明的部分实施方式中，主动元件114a～114c的栅极G、扫描线SL1～SL5、控制信号线SW1以及SW2可包含适当导电材料，例如金属，如铜、钼/铝/钼、钼/铝钕/钼、钼等。于部分实施方式中，主动元件114a～114c的栅极G、扫描线SL1～SL5、控制信号线SW1以及SW2可由同一制程步骤形成。举例而言，设置一金属层于基板111上，并通过图案化一金属层而形成主动元件114a～114c的栅极G、扫描线SL1～SL5、控制信号线SW1以及SW2。扫描线SL1～SL5连接栅极G至扫描控制电路116。于本实施方式中，控制信号线SW1以及SW2与信号线DL1～DL5交错，例如控制信号线SW1以及SW2亦沿第一方向D1延伸。

[0048] 栅极介电层1141设置于主动元件114a～114c的栅极G、扫描线SL1～SL5、控制信号线SW1以及SW2上。半导体层1142设置于栅极介电层1141上。如此一来，栅极介电层1141可将半导体层1142与栅极G分隔开来。于本发明的部分实施方式中，栅极G、栅极介电层1141、半导体层1142、源极S与漏极D构成主动元件114a、114b、114c。主动元件114a、114b、114c可以是场效晶体管(field effect transistor；FET)，例如和金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor FET；MOSFET)。主动元件114a、114b、114c可以薄膜晶体管制程一同形成。栅极G与通道层(例如半导体层1142的一部分)在垂直方向上重迭，源极S以及漏极D分别连接通道层两端，而可以透过栅极G的控制打开通道层，进而导通源极S以及漏极D。于部分实施方式中，主动元件114a、114b、114c可以为底栅极结构(通道层在栅极G上方)或顶栅极结构(栅极G在通道层上方)。主动元件114b的结构与形成方式与主动元件114a、114b、114c相似，在此不再赘述。

[0049] 于本发明的部分实施方式中，钝化层1143覆盖主动元件114a～114c。下电极1144设置于钝化层1143上并透过钝化层1143的通孔连接主动元件114a的源极S。下电极1144可包含适当透明或不透明导电材料，例如金属，如铜、钼/铝/钼、钼/铝钕/钼、钼等。钝化层1145覆盖主动元件114a～114c，且露出下电极1144。光感测结构PDS设置于露出的下电极
1144上。光感测结构PDS可以是PN二极管结构、PIN二极管结构或其他适当结构。上电极1146设置于光感测结构PDS上。上电极1146包含透明导电材料，例如氧化铟锡(IndiumTin Oxide；ITO)或金属网格，而使X光转换层130产生的光线能穿过上电极1146而抵达光感测结构PDS。至此，上电极1146、光感测结构PDS以及下电极1144构成光感测元件PD。此外，主动元件阵列基板110更具有电极AD与下电极1144由同一层体形成。电极AD可经由钝化层1143的通孔连接主动元件114a的漏极D。

[0050] 钝化层1147设置于光感测元件PD上。信号线DL1～DL5与偏压线bais设置于钝化层1147上，且信号线DL1～DL5经由钝化层1147的通孔而连接电极AD，进而电性连接主动元件
114a～114c的漏极D，偏压线bais经由钝化层1147的通孔而连接上电极1146。信号线DL1～DL5与偏压线bais可包含适当导电材料，例如金属，如铜、钼/铝/钼、钼/铝钕/钼、钼等。信号线DL1～DL5与偏压线bais可由同一制程步骤形成。举例而言，通过图案化一金属层而形成偏压线bais与信号线DL1～DL5。其后，可设置钝化层1148于信号线DL1～DL5与偏压线bais上以保护信号线DL1～DL5与偏压线bais。于本发明的部分实施方式中，钝化层1143、1145、
1147、1148包含适当绝缘材料，例如氮化硅、氧化硅等。

[0051] 于本发明的部分实施方式中，信号控制电路115以及扫描控制电路116可为多个集成电路(integrated circuit；IC)晶片。集成电路晶片可包含多个支脚，以连接信号线DL1～DL5、扫描线SL1～SL5以及/或控制信号线SW1以及SW2。信号控制电路115以及扫描控制电路116互相电性连接(例如于此透过一或多个导线WL连接)，而使信号能时序搭配。于部分实施方式中，信号控制电路115以及扫描控制电路116可设置于一个集成电路晶片中。本实施方式所采用的驱动晶片的配置可称为晶片-玻璃接合技术(Chip on Glass；COG)。当然不应以此限制本发明的范围，于其他实施方式中，亦可以采用覆晶薄膜接合技术(Chip on Film；COF)或卷带式晶片载体封装(Tape Carrier Package；TCP)等。

[0052] 图3为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的剖面示意图。本实施方式与图2A的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，信号控制电路115以及扫描控制电路116的至少其中一者可用以使多个信号线DL1～DL5电性导通，进而使多个信号线DL1～DL5短路。举例而言，信号控制电路115内建有开关115a，其连接至少二个信号线DL1～DL5，并可选择性使其导通。具体而言，在某一时间范围，控制电路115/116可以同时开通多个开关115a，而使所有信号线DL1～DL5导通，并在该时间范围内，以扫描线SL1～SL5同时打开所有主动元件114a，而使光感测元件PD的电极互相导通短路，进而使光感测元件PD的残留电荷均匀化。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。

[0053] 图4为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的剖面示意图。本实施方式与图2A的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，X光探测器100还包含软性电路板FPC，且信号控制电路115以及扫描控制电路116可作为晶片设置于软性电路板FPC上，并经由软性电路板FPC上的电路电性连接信号线DL1～DL5与扫描线SL1～SL5。本实施方式所采用的驱动晶片的配置可称为覆晶薄膜接合技术(Chip on Film；COF)。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。

[0054] 图5为依据本发明的部分实施方式的X光探测器的剖面示意图。本实施方式与图3的实施方式相似，差别在于：本实施方式中，X光探测器100还包含软性电路板FPC，且信号控制电路115以及扫描控制电路116可作为晶片设置于软性电路板FPC上，并经由软性电路板FPC上的电路电性连接信号线DL1～DL5与扫描线SL1～SL5。本实施方式所采用的驱动晶片的配置可称为覆晶薄膜接合技术(Chip on Film；COF)。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘述。

[0055] 图6为依据本发明的部分实施方式的处理X光探测器的残留电荷的方法200。请一并参照前述的图1A以及图2A或图3的X光探测器，以了解此方法200。

[0056] 首先，从方法200的步骤210开始，开启X光探测器100的电源，而使信号控制电路115以及扫描控制电路116能够运行。于部分实施方式中，此步骤可包含以偏压线bias提供光感测元件PD的上电极1146适当的直流偏压(参照图1B与图2A)，以利于光感测元件PD输出电流。

[0057] 接着，来到方法200的步骤220，将光感测元件PD的下电极1144接地，以清除电极1144上的电荷。于本实施方式中，信号控制电路115或扫描控制电路116发出控制信号，并经由控制信号线SW1开启主动元件114b且经由扫描线SL1～SL5开启主动元件114a，而使光感测元件PD的电极1144经由主动元件114b而接地。通过此步骤，可减少或清除光感测元件PD的电极1144的电荷。在此步骤中，主动元件114c可处于关闭的状态，例如信号控制电路115或扫描控制电路116发出信号经由控制信号线SW2而使主动元件114c维持在关闭的状态。或者，开关115a处于未导通的状态。

[0058] 然而，接地电位源可能位于其他元件(例如软性电路板或电路板)上，而致使从光感测元件PD至接地电位源的路径可能过长，而难以完全清除电极1144上的电荷，而会有残留电荷存在于电极1144上。且，由于各个光感测元件PD的位置差异，从光感测元件PD至接地电位源的路径有所差异，而导致各光感测元件PD能经由接地降低的电荷量不同，残留电荷量也不尽相同。此残留电荷量的局部差异增加了后续经由影像处理提升影像品质的负担。

[0059] 于本发明的部分实施方式中，进行方法200的步骤230，利用前述的晶体管114c或开关115a，将光感测元件PD的多个电极1144经由数据线DL1～DL5互相导通而短路，以使多个电极1144的残留电荷均匀化。于本实施方式中，信号控制电路115或扫描控制电路116发出控制信号，而经由控制信号线SW2开启主动元件114c且经由扫描线SL1～SL5开启主动元件114a，而使各个光感测元件PD的电极1144经由主动元件114a、114c而互相连接，使光感测元件PD的电极1144(参照图2C)的残留电荷均匀化。或者，于部分实施方式中，开关115a导通，而使各个光感测元件PD的电极1144经由开关115a而互相连接。通过此步骤，可以降低各个光感测元件PD的电极1144(参照图2C)上的残留电荷量的局部差异。在此步骤230中，主动元件114b处于关闭的状态，例如信号控制电路115或扫描控制电路116发出信号经由控制信号线SW1而使主动元件114b维持在关闭的状态。换句话说，在进行步骤230时，光感测元件PD的电极1144(参照图2C)不接地。

[0060] 接着，来到方法200的步骤240，以X光照射人体，X光经由前述的X光转换层130可转化成光线，光感测元件PD接收光线并将其转换为电子，经由扫描线SL1～SL5扫描分别经由信号线DL1～DL5取出各光感测元件PD的电极1144的电子信号，可建立影像。于本实施方式中，步骤240可以透过同时关闭控制信号线SW1、SW2并依时序提供扫描线SL1～SL5适当电位而达成。进一步而言，经由扫描线SL1～SL5时序扫描控制，可使光感测元件PD的电极1144经由信号线DL1～DL5时序性的传送信号至信号控制电路115。在此步骤240之前，信号控制电路115或扫描控制电路116发出信号经由控制信号线SW2而停止导通主动元件114c，进而停止电极1144之间的导通。如此一来，在进行步骤240时，控制信号线SW1不导通主动元件114b，而不使电极1144接地，且控制信号线SW2不导通主动元件114c，而不使电极1144短路。

[0061] 于本实施方式中，步骤220～230可以透过开启扫描线SL1～SL5并依时序提供控制信号线SW1、SW2适当电位而达成。进一步而言，经由时序扫描控制信号线SW1、SW2，可使光感测元件PD的电极1144(或各)接地或彼此导通。图7A为依据本发明的部分实施方式的各个操作阶段下扫描信号以及控制信号的波形示意图。在本实施例中，可在时点T1下进行步骤220，在时点T2下进行步骤230，在时点T3下进行步骤240。在时点T1，控制信号线SW1开启、控制信号线SW2关闭，且依序开启扫描线SL1～SL5，以达到使光感测元件PD的电极1144接地的目的。在时点T2，控制信号线SW1关闭、控制信号线SW2开启，且依序开启扫描线SL1～SL5，以达到均匀化电荷的目的。在时点T3，控制信号线SW1、SW2关闭，且依序开启扫描线SL1～SL5以扫描取得光感测元件PD的感测资讯。于此，在时点T1/T2采用扫描的方式开启扫描线SL1～SL5，然而不应以此限制本发明的范围。图7B为依据本发明的部分实施方式的各个操作阶段下扫描信号以及控制信号的波形示意图。于图7B的实施方式中，可以在时点T1/T2同时开启扫描线SL1～SL5，而不以扫描方式依序开启扫描线SL1～SL5为限。

[0062] 接着，来到方法200的步骤250，调整影像的信号。在此，因为先前的步骤230将残留电荷均匀化，影像受到残留电荷的影响较一致而较没有区域性的问题。借此，可统一调整影像的各个像素，而提升影像品质。举例而言，可以经由偏移(Offset)方式调整影像整体，再经由校正(Calibration)方式调整，以免残留电荷影响过大而难以校正(Calibration)至能接受的影响品质。

[0063] 于部分实施方式中，在取得影像(即步骤240)后，可以进行下一次的影像拍摄。在下一次的影像拍摄之前，可从步骤220开始进行，以减少或消除前次拍摄而残留在电极E1的电荷，并重复进行步骤230的电荷均匀化，再取得下一影像(即下一次的步骤240)。

[0064] 于本发明的多个实施方式中，设计主动元件阵列基板具有连接各信号线的主动元件以及控制此主动元件的控制信号线，借此，经由适当控制各扫描线以及控制信号线，可以使光感测元件的电极在不同时间点接地、彼此导通或传送信号至信号线。通过导通各光感测元件的电极，可降低残留电荷的局部差异，并通过影像处理统一调整影像的各个像素，而提升影像品质。

[0065] 于本发明的部分实施方式中，虽然本发明已以多种实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

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X光探测器以及使用X光探测器拍摄影像的方法

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