【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、紫外線（ＵＶ）検出器に関し、特に、活性材料としてＩＩ−ＶＩ合金を含む可視−ブラインドＵＶ検出器に関する。

【０００２】

【従来の技術】４００ｎｍ未満の波長について高い応答性を有するＵＶ検出器は、炎の監視、汚染物質の検出およびＵＶ天文学のような応用にとって、並びに進歩した医療技術および機器にとって極めて重要である。 従来は、２つのタイプの装置がＵＶ検出器として用いられてきた、すなわち、光増倍管およびシリコンｐ−ｉ−ｎ光ダイオードである。

【０００３】従来の光増倍管は過去においては満足のいくものであったがしかし、応用の数が増える中で、シリコンｐ−ｉ−ｎ光ダイオードが低い量子効率を有するにもかかわらずその小さなサイズと低い電圧操作性のために好ましくなった。 近年では、可視−ブラインドおよび太陽−ブラインドＵＶ検出器用途のためのＧａＡｌＮ合金およびＳｉＣ薄膜を開発することについてもまた関心が大きくなってきた。 ＳｉＣに比較して、ＧａＡｌＮは多数の利点を有する、すなわち、（１）それは直接禁止帯材料であり、従って、より高い吸収効率を有する、
（２）それはより鋭いカットオフ値を有する、および（３）材料のドーピング制御は十分良好に開発されているので、ヘテロ接合デバイスが現在可能であり、それはよりすぐれた量子効率となり得る。 加えて、ＧａＡｌＮ
合金のバンドギャップエネルギーは、略３６００Åないし略２０００Åの特定長波長カットオフ値を有する検出器を製作することを可能とするように３．４から６．２
ｅＶの範囲を取る。 ショットキーおよびｐ−ｉ−ｎ接合タイプの両方および良好な性能を有する幾つかのＧａＮ
−ＧａＡｌＮ系光導体および光ダイオードは成功裏に製造されてきた。 より最近は、更に高いゲインのＧａＮ／
ＡｌＧａＮのヘテロ接合光トランジスターが現れた。 達成された最も高い外部量子効率は３５５ｎｍでほぼ７０
％である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これまでの半導体系ＵＶ光検出器についての問題は、適切な格子整合基板の欠如である。 最も一般的に用いられる基板のサファイア（Ａｌ ₂ Ｏ ₃ ）は、略１４％まで窒化物に対して格子不整合であり、ＧａＮの熱膨張係数のほとんど２倍の大きさである熱膨張係数を有する。 結果として、高密度の不整合転移および束縛がそれらの構造の中に不可避的に存在し、それは検出器の応答時間を著しく制限する。 例えば、２５０×２５０μｍＧａＮ光ダイオードについて報告された最高速の応答時間はいまだマイクロ秒台である。 Ｓｉテクノロジーで窒化物系光検出器を集積することもまた困難である。 ＧａＮとＳｉとのあいだの格子不整合は更に大きく（立方ＧａＮとＳｉとのあいだで１８．７％）、従って今のところ、Ｓｉ基板上に成長する良好な性能のＧａＮ系デバイスの報告は存在しない。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、活性材料としてＺｎＳ _1-x Ｔｅ _x合金を含むＵＶ検出器が提供される。 合金中のＴｅの比率は、基板に対する良好な格子整合を提供するように変化し得るし、選ばれる基板に依存するであろうが、しかし、好ましくは０≦ｘ≦０．
１である。 可能な基板材料は、ドープされているかまたはドープされていないＧａＡｓ、ＳｉまたはＧａＰである。 活性層は、例えば、ｎ型のドープされたＺｎＳＴ
ｅ：Ａｌのようなドープされた層であり得るし、または真性ＺｎＳＴｅの層であり得る。

【０００６】

【発明の実施の形態】第１の好ましい態様においては、
検出器は、（ａ）ｎ ⁺型Ｓｉ、ＧａＡｓまたはＧａＰの基板層、（ｂ）基板層の第１の上側表面上に形成された、ドープされているかされていないＺｎＳ _1-x Ｔｅ _x
の活性層、（ｃ）第１電極として活性層の表面上に形成された第１導電材料の層、および（ｄ）オーム接触として基板の第２下方表面上に形成された第２導電材料を含むショットキーバリア構造である。

【０００７】好ましくは、検出器の上側表面には反射防止膜が形成される。 これは、反射損失を最小化することにより検出器の量子効率を増加させる。

【０００８】しかしながら、ある環境においては、この構造は、基板の下に位置するオーム接触により引き起こされる相対的に低い量子効率を有し得るものであり、それゆえキャリアは、基板と活性層とのあいだの接合でトラップされ得ると言うのがその理由である。 それゆえ、
より好ましい態様においては、検出器は、（ａ）ＧａＡ
ｓ、ＳｉまたはＧａＰの基板層、（ｂ）基板層の第１の上側表面上に形成されたＡｌがドープされたＺｎＳ _1-x
Ｔｅ _xの第１層、（ｃ）第１層の表面上に形成され、露出した第１層の一部を残すように第１層を部分的にのみ覆うＺｎＳ _1-x Ｔｅ _xの第２活性層、（ｄ）第１電極を形成するように第２活性層の表面上に形成された第１導電材料の層、および（ｅ）第１活性層の表面の露出された部分上に形成されたオーム接触を含むショットキーバリア構造である。

【０００９】好ましくは、この構造は、ＳｉまたはＧａ
Ｐの基板をもって作られる。 第１電極のための材料は好ましくは金であり、それは、オーム接触が少なくとも１
つのインジウムペレットで形成され得る一方で、活性材料に対するよりよい接着のためにＣｒまたはＴｉの薄層上に堆積され得る。 Ｓｉの基板については、Ｔｅ組成物は、もし基板がＧａＰであり、好ましくはｘ＝０．０６
であっても、ｘ＝０．０３であるようでありえ、両方の場合において、ｘは、基板と活性層とのあいだの良好な格子整合を達成するよう選ばれる。

【００１０】本発明のこの態様は、（ａ）ＧａＡｓ、Ｓ
ｉまたはＧａＰの基板の第１の上側表面上の分子ビームエピタキシーによりＡｌのドープされたＺｎＳ _1-x Ｔｅ
_xの第１層を堆積させること、（ｂ）第１層の表面上の分子ビームエピタキシーによりＺｎＳ _1-x Ｔｅ _xの第２
活性層を堆積させること、（ｃ）第１層の一部を露出するように化学的エッチングにより第２活性層の一部を除去すること、（ｄ）第１電極として第２活性層上に第１
導電材料を堆積させること、および（ｅ）第１層の露出された部分上にオーム接触を形成することにより形成され得る。

【００１１】しかしながら、湿式化学的エッチングは、
有害な効果を有し得るのでそれで、検出器を製造する別の方法は、（ａ）ＧａＡｓ、ＳｉまたはＧａＰの基板の第１上方表面上に分子ビームエピタキシーによりＡｌのドープされたＺｎＳ _1-x Ｔｅ _xの第１の層を堆積させ、
（ｂ）表面の一部を覆うために第１層の表面の一部に保護材料を与え、（ｃ）保護材料により覆われない第１層の表面上に分子ビームエピタキシーによりＺｎＳ _1-x Ｔ
ｅ _xの第２活性層を堆積させ、（ｄ）第１電極として第２活性層上に第１導電材料を堆積させ、および（ｅ）前記第１層の露出された部分上にオーム接触を形成することによる。

【００１２】ＺｎＳＴｅ系ＵＶ光検出器に加えて、本発明はまた、活性材料として他のＩＩ−ＶＩ合金を含むＵ
Ｖ光検出器に関し、特に、活性材料としてＺｎＳ _1-x Ｓ
ｅ _xを含むＵＶ光検出器に関する。 ＺｎＳＳｅ光検出器は、ＺｎＳＴｅ系光検出器についてと同じ技術を用いて同じ構造で形成され得る。 また、Ｓｅの比率は、基板材料について良好な格子整合を提供するように選ばれ得るが、しかし、好ましくは０≦ｘ≦０．５であり、より好ましくは更にｘ＝０．５である。

【００１３】

【実施例】本発明の幾つかの態様が、実施例によりおよび添付の図面を参照してこれから記載されるであろう。

【００１４】図１は、本発明の第１の態様によるＵＶ検出器構造を断面図で示す。

【００１５】図２は、ドーピング剤濃度の３つのレベルについての発生波長の関数として図１の態様の光電圧応答を示す。

【００１６】図３は、Ｔｅ組成物の３つのレベルについての発生波長の関数として図１の態様の光電圧応答を示す。

【００１７】図４は、本発明の第２の態様によるＵＶ光検出器構造を断面図で示す。

【００１８】図５は、入射光子エネルギーの関数として図４の態様の光電圧応答を示す。

【００１９】図６は、入射光子エネルギーの関数として図４の態様の量子効率を示す。

【００２０】図７は、本発明の第３の態様によるＵＶ光検出器の斜視図である。

【００２１】図８は、発生波長の関数として図７の態様の検出器の光電流および光電圧応答性を示す。

【００２２】図９は、図７の態様の検出器のピーク反応波長における発生電力の関数としての光電流および光電圧を示す。

【００２３】図１０は、図７の態様のＵＶ検出器の応答時間を示す。

【００２４】図１１は、ＺｎＳＴｅの活性層を含む検出器とＺｎＳの活性層を有する検出器の応答を比較するプロッティングである。

【００２５】図１２は、本発明の第４の態様によるＵＶ
光検出器の斜視図である。

【００２６】図１３は、図１２の検出器についての発生波長に対する電流応答のプロッティングである。

【００２７】図１４は、ピーク反応波長における図１２
のＵＶ検出器の発生電力に対する光電流および光電圧のプロッティングである。

【００２８】図１５は、Ａｕ／Ｃｒ第１電極を用いるデバイスの光応答曲線のプロッティングである。

【００２９】本発明の第１の態様は図１において示される。 ドープされたＺｎＳ _1-x Ｔｅ _x薄膜を含む活性層が、分離したエフュージョンセルにおいて含まれるＺｎ
ＳおよびＺｎＴｅ化合物源を用いてＶＧ Ｖ８０Ｈ Ｍ
ＢＥシステムの中でｎ ⁺ −ＧａＡｓ（１００）基板上に成長される。 Ａｌを含む第３のエフュージョンセルがｎ
型ドーピング剤源として用いられた。 活性層は、４％のＴｅ組成をもって５０００Åの厚さに成長される。 １０
０〜２００Å厚さのＡｕ層が、透明頂部電極を形成するためのｒｆスパッタリングまたは熱気化技術により活性ＺｎＳＴｅの頂部上に堆積された。 このように形成された検出器材料の試料は次いで、オーム接触がＧａＡｓ基板の下に形成される様に測定のための導電性銀インクを用いて銅試料ホルダー上に載置された。

【００３０】光検出器のこの態様の操作においては、電子正孔対は、ＺｎＳＴｅ層上に入射する光子により発生し、ダイオードを横切る出力電圧を生成するように反対方向の空乏領域においてビルトイン電界により駆動される。 この出力光電圧は入射光子のエネルギーに依存する。 図２はＡｌドーピング（Ｔｅは４％であり、すなわちｘ＝０．０４である）の３つのレベルについての光子エネルギーの関数としての検出器の応答を示し、一方、
図３は３つの異なるＴｅ分率についての応答を示す。

【００３１】まず図２を参照すると、応答は基本的に可視−ブラインドであり、ＵＶ感受性であることが理解される。 活性ＺｎＳＴｅ層のバンドギャップ未満（すなわち約３．５ｅＶ未満）の光子エネルギー範囲における応答はほぼＧａＡｓ層における吸収によるものであり、振動の形態はＺｎＳＴｅ層により引き起こされる干渉効果の結果である。 高い光子エネルギーのドロップオフは、
表面の組換え効果を重要にするバンドギャップより大きいエネルギーを有する光子の短い吸収波長による。

【００３２】図２から、光電圧は減少するドーピング濃度に合せて増加することが理解され得る。 図３は、図２
に対応するがしかし、ｘの３つの値（８．６％、３．１
％および０．５％）について真性ＺｎＳＴｅ層（すなわちＡｌドーピング剤なし）からなる活性層についてのプロット図を示し、応答がより大きいことが理解され得る。

【００３３】それゆえ、図１の態様は、可視−ブラインドであるＵＶ光検出器を提供することが理解されるであろう。 しかしながら、図１の態様により作られた光検出器の量子効率の測定は効率が低いことを示すので図１の態様は好ましくない。 これは、オーム接触がＧａＡｓ基板を通して作られ、ｎ ⁺ −ＧａＡｓ基板と活性ＺｎＳＴ
ｅ層との間の界面において高密度の不整合転移が存在するからである。 それゆえ、光により発生したキャリヤの大部分はこの界面においてトラップされるようになる。
この問題は、活性ＺｎＳＴｅ層に、より良い格子整合を有するＧａＰまたはＳｉのような材料を基板として用いることにより部分的に克服され得る。

【００３４】図４は、活性層と基板との間の接合における吸収の問題への別のアプローチを提供する本発明の第２の態様を例示する。 この態様においては、オーム接触は基板の下に形成されないが、しかし代わりに、第２の電極層の上側表面上に形成される。 この態様において、
１×１０ ¹⁹ ｃｍ ^-3台のキャリヤ濃度を有する１．５μｍ
の強くドープされたｎ ⁺ −ＺｎＳ _1-x Ｔｅ _x ：Ａｌ層をＧａＰ基板上に成長させた。 引き続き、真性ＺｎＳ _1-x
Ｔｅ _xの１．５μｍホモエピタキシャル層を成長させた。 次いでＡｕの薄層をショットキーバリヤを形成するように頂部表面上に堆積させた。 次いで、（例えばＢｒ
Ｃ ₂ Ｈ ₆ Ｏ ₂溶液を用いる）湿式化学的エッチングを、
オーム接触を形成するようにインジウムペレットが半田付けされたｎ ⁺ −ＺｎＳ _1-x Ｔｅ _x ：Ａｌ層までエッチングするようにフォトリソグラフィーにより規定される選択された面積に適用する。

【００３５】Ｔｅ組成は好ましくは、２つの表面層の格子定数がＧａＰ基板のそれと整合する、例えば、Ｔｅ組成が６％（すなわちｘ＝０．０６）であり得るように選ばれ得る。 このことはきわめて少ない不整合転移しか構造全体にわたって形成されないことを保証する。 更に、
オーム接触がｎ ⁺ −ＺｎＳ _1-x Ｔｅ _x層の頂部表面上に形成されるので、界面の欠陥が装置の反応について有し得るいずれの有害な効果も大きく減少する。 加えてこの態様は、低いバンドギャップ基板における吸収によるバンドエッジ未満の応答を最小化させる。 図５は、光子エネルギーの関数としてのこの態様の光電圧出力を示し、
バンドギャップエッジにおける鋭い立ち上がりが、いずれの振動も無いこととともに、明らかに見られる。

【００３６】図６は、Ｈｇアークランプを用いて測定されるこの第２の態様の量子効率を示し、光子エネルギーの関数として示される。 図６は、立ち上がり後平坦な感受性が存在することおよび５０％を超える最大効率を示す。 これは、ＵＶ領域において０．１４Ａ／Ｗの感受性に対応し、商業的に入手可能なＵＶ増強Ｓｉ光ダイオードのそれに匹敵する。

【００３７】図６における第２の曲線は、１％のＴｅ含有量（ｘ＝０．０１）を有するＳｉ基板上に形成される第２の態様の第２の例の量子効率を示す。 応答の立ち上がりはＴｅ組成における差異によりＧａＰ上に成長する態様のそれに比較したとき青色にシフトし、測定されたピークの効率はわずかに低いがしかしいまだ４０％を超える。

【００３８】それらの態様の効率は、反射損失がそれ自体減少した量子効率において有意な要因であるので反射防止膜を用いることにより更に増加させ得る。 そのようなコーティングについての可能な材料は銀（Ａｇ）の薄層である。

【００３９】図４の態様の検出器は良好な結果を示すけれども、この態様の潜在的な不利益は、湿式化学的エッチングプロセスがオーム接触の形成を不安定なプロセスにする損傷されたかまたは粗面化された表面を残し得ることである。 本発明の第３の態様において、この潜在的な不利益は湿式化学的エッチングを用いる必要を除去する２段階成長アプローチを用いることにより回避され得る。

【００４０】図７は本発明のこの第３の態様により作られる構造を示す。 その構造は、分離したエフュージョンセルに含まれるＺｎＳおよびＺｎＴｅ化合物源を用いるＶＧＶ８０Ｈ分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）システムにおいてＧａＰ（１００）基板上に成長される。 Ａｌ
を含む第３のエフュージョンセルがｎ型ドーピング剤源として用いられる。 ２工程ＭＢＥ成長アプローチがその構造を作るために用いられる。 第１工程は、Ａｌドーピング剤レベルがｎ＝略１×１０ ¹⁹ ｃｍ ^-3の電子キャリア濃度を与える状態で３００℃での２．６μｍ厚さのＺｎ
Ｓ _1-x Ｔｅ _x ：Ａｌ（式中ｘ＝略０．０５）層の成長からなる。 この第１工程に、数１０ナノメートル厚さのＳ
ｅ保護層のほぼ５０℃での堆積が続く。 次いで、試料を成長系から取出し、ついで約３ｍｍの幅を有する薄いタンタルストリップを試料の表面を部分的に覆うように試料上に配置した。 タンタルストリップの２つの末端は溶融ガリウムを用いて試料ホルダー上に固定して保持した。

【００４１】次いで、試料を成長チャンバーの中に再装入し、ほぼ３００℃の最適成長温度に再加熱し、Ｓｅ保護層をほぼ１５０℃で起こる脱着により除去し、第２の成長工程において、同じＴｅ比率を有する２．７μｍ厚さのドープされていないＺｎＳＴｅ層をＳｅの脱着された表面の頂部上に堆積した。

【００４２】タンタルストリップは、第２の成長工程のあいだに第２の層がその上で成長しないように第１の成長したドープされた表面層を保護する役割をする。 それゆえ、成長したままの試料を成長チャンバーから取出すことができ、タンタルストリップを第１ＺｎＳＴｅ：Ａ
ｌ層を露出させるために除去することができ、１対のインジウムペレットをこの層の上に半田付けすることができ、次いで、オーム接触を提供するようにパルス電流衝撃に供すことができる。 １００Å厚さのＡｕ層をドープされていないＺｎＳＴｅ層上に熱気化技術により堆積する。 セルの配列が、性能測定を促進するために得られる検出器構造上に形成され得るがしかし、実際の光検出器構造内に与えられる必要はないであろう。

【００４３】図８は、検出器構造の上方表面上に形成される３×３ｍｍ ²正方形上で測定される図７の検出器構造の光電流および光電圧応答性を示す。 測定は、ソースとして１５０Ｗキセノンアークランプを用いてなされた。 その応答は、バンドエッジのエネルギーに対応する波長で立ち上がりを示し、より短い波長については０．
１３Ａ／Ｗの高さの値に達する。 これはＵＶ領域において５０％の高さの外部量子効率に対応し、以前の態様における様に、反射による実質的な損失（ほぼ３０％）が存在するであろうから、効率は、検出器表面に反射防止膜を適用することにより更に増加し得る。 ４６０ｎｍより長い波長については、感度は、３２０ｎｍのピークから３桁減少し、それは、この態様の光検出器構造が特に良好な可視−ブラインド特性を有することを示す。

【００４４】図９は、発生電力を変化させる可変的中立密度フィルターを用いて３２０ｎｍのピーク応答波長における発生電力の関数としての光電流および光電圧を示す。 光電流は、増加する発生電力とともに４桁の強度増加を超える良好な直線性を維持することが見て取られ得る。 対照的に、光電圧は、約１．７Ｖで予測された飽和電圧を示す。

【００４５】応答時間もまたこの態様の光検出器構造について決定され得る。 図１０は、４００×４００μｍ ²
セルの１つの時間の関数としての応答を示す。 このことから、応答時間は、ＧａＮ材料の従来の光検出器についてマイクロ秒台の既知の応答時間ときわめて好対照であるナノ秒台であることが理解され得る。

【００４６】図１１は、図４および７の態様において活性層がＺｎＳを含む、すなわちＴｅ含有量が０％である（ｘ＝０）もう１つの可能な態様を例示する。 図１１から理解され得る様に、純粋なＺｎＳの活性層を有することはより鋭い応答を提供する。

【００４７】図１２は、本発明の第４の態様の斜視図であり、それは図７の態様と同じ一般的構造を有するがしかし、ここでは、活性層はＺｎＳＳｅ合金の層を含む。
図７の態様における様に、構造は、分離したエフュージョンセルにおいて含まれるＺｎＳおよびＺｎＳｅ化合物源を用いて分子ビームエピタキシーシステムにおいてＧ
ａＰ（１００）基板上に成長される。 Ａｌを含む第３のエフュージョンセルがドーピング剤源として用いられる。 図７の態様における様に、２工程ＭＢＥ成長アプローチが、まず、ＧａＰ基板上にｘ＝０．１０の０．７３
μｍ厚さのＺｎＳ _1-x Ｓｅ _x ：Ａｌ層を成長させるために用いられる。 この層のドーピング濃度は２．７×１０
¹⁹ ｃｍ ^-3のキャリア濃度を与えるようなものである。 図７の態様における様に、タンタルストリップを第１の層の表面の一部に与え、次いで、ｘ＝０．１０を有するＺ
ｎＳ _1-x Ｓｅ _xの第２層を、１．４３μｍの厚さに第１
層上に成長させる。 タンタルストリップを除去し、インジウムオーム接触を第１層の上側表面上に形成する。 以前の態様における様に、３×３ｍｍ ²および４００×４
００μｍ ²の試験面積が試験目的のために検出器の上側表面上に規定される。 ＺｎＳＳｅについては、可視光−
ＵＶ境界についてのバンドギャップエネルギーに対応するＳｅの組成は５０％であるので、可視−ブラインド用途については、０≦ｘ≦０．５である。

【００４８】図１３は、図１２のＵＶ検出器の光電流応答性を示す。 結果は、ほぼ３５０ｎｍで鋭いカットオフ値を有する良好な可視−ブラインド応答を示す。 図１４
は、ピーク反応波長（３４０ｎｍ）における発生電力の関数として測定される光電流および光電圧を示す。 光電流は、増加する発生電力とともに増加する６桁分の強度を超える良好な直線性を維持することが理解され得る。
対照的に、光電圧は約１．１Ｖで予測された飽和を示す。

【００４９】上記態様において、第１電極はＡｕである。 しかしながら、いくつかの状況においてはこのことは理想的ではないであろう。 と言うのは、Ａｕ第１電極は高ドースのＵＶ照射への長時間の暴露に耐え得ないからである。 Ａｕ層の高ドースＵＶ暴露は、活性材料へのＡｕの劣悪な接着の結果としてＡｕの集塊化を引き起こし得る。 この問題を克服するために、ＣｒまたはＴｉの薄層が、良好な接着特性を有するので、まず堆積され得る。 次いで、Ａｕ第１電極が、ＣｒまたはＴｉ層上に堆積され得る。 第１電極としてのＡｕ／ＴｉおよびＡｕ／
Ｃｒの組合わせがＵＶの強い付与の下で試験され、いかなる劣化も観察されなかった。 図１５は、第１電極としてのＡｕ／Ｃｒ（５０Å／５０Å）を用いるデバイスの光応答曲線である。

【００５０】

【発明の効果】従って、本発明は、良好な可視−ブラインド特性、高い量子効率および高速な応答時間を有する新規な光ダイオード系ＵＶ光検出器構造を提供し、それは現存する集積回路技術に容易に組み込まれ得ることが理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の態様によるＵＶ検出器構造の断面図である。

【図２】ドーピング剤濃度の３つのレベルについての発生波長の関数としての図１の態様の光電圧応答を示す図である。

【図３】Ｔｅ組成の３つのレベルについての発生波長の関数としての図１の態様の光電圧応答を示す図である。

【図４】本発明の第２の態様によるＵＶ光検出器構造の断面図である。

【図５】入射光子エネルギーの関数としての図４の態様の光電圧応答を示す図である。

【図６】入射光子エネルギーの関数としての図４の態様の量子効率を示す図である。

【図７】本発明の第３の態様によるＵＶ光検出器の斜視図である。

【図８】発生波長の関数としての図７の態様の検出器の光電流および光電圧応答性を示す図である。

【図９】図７の態様の検出器のピーク反応波長における発生電力の関数としての光電流および光電圧を示す図である。

【図１０】図７の態様のＵＶ検出器の応答時間を示す図である。

【図１１】ＺｎＳＴｅの活性層を含む検出器とＺｎＳの活性層を有する検出器の応答を比較するプロット図である。

【図１２】本発明の第４の態様によるＵＶ光検出器の斜視図である。

【図１３】図１２の検出器についての発生波長に対する電流応答のプロット図である。

【図１４】ピーク応答波長における図１２のＵＶ検出器の発生電力に対する光電流および光電圧のプロット図である。

【図１５】Ａｕ／Ｃｒ第１電極を用いるデバイスの光応答曲線のプロット図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イアム・コン・ソウ 香港、クーロン、クリアー・ウォーター・ ベイ、ユニバーシティ・ロード １、アパ ートメント 45 (72)発明者 ツァオフイ・マ 香港、クーロン、クリアー・ウォーター・ ベイ、ザ・ホンコン・ユニバーシティー・ オブ・サイエンス・アンド・テクノロジ ー、ユニバーシティー・アパートメンツ、 タワー・ビー、ルーム 701 (72)発明者 チョイ・ライ・マン 香港、ニュー・テリトリーズ、テュエン・ ムン、シウ・ホン・コート、シウ・ファ イ・フセ、21／エフ、フラット ７ (72)発明者 ツィ・ユ・ヤン 香港、クーロン、クリアー・ウォーター・ ベイ、ザ・ホンコン・ユニバーシティー・ オブ・サイエンス・アンド・テクノロジ ー、シニア・スタッフ・クォーターズ、タ ワー ６、フラット ５ビー (72)発明者 カム・サン・ウォン 香港、クーロン、クリアー・ウォーター・ ベイ、ザ・ホンコン・ユニバーシティー・ オブ・サイエンス・アンド・テクノロジ ー、シニア・スタッフ・クォーターズ、タ ワー ２、フラット ４ビー (72)発明者 ケ−ルン・ジョージ・ウォン 香港、クーロン、クリアー・ウォーター・ ベイ、ザ・ホンコン・ユニバーシティー・ オブ・サイエンス・アンド・テクノロジ ー、シニア・スタッフ・クォーターズ、タ ワー 19、フラット ６ビー