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具有动态编程校准的 存储器装置

阅读：515发布：2020-05-14

专利汇可以提供具有动态编程校准的存储器装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种存储器系统包含：存储器阵列，其包含多个存储器单元；及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器经配置以：确定与编程步阶相关联的背景记录，其中所述背景记录用于表示先前数据操作；基于所述背景记录计算触发量度，其中所述触发量度用于估计错误复原机构的实施；及基于所述触发量度产生经调整步阶。，下面是具有动态编程校准的存储器装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种存储器装置，其包括：
存储器阵列，其包含多个存储器单元；及
控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器经配置以：
确定与编程步阶相关联的背景记录，其中所述背景记录用于表示先前数据操作，基于所述背景记录计算触发量度，其中所述触发量度用于估计错误复原机构的实施，及
基于所述触发量度产生经调整步阶。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以基于存储在所述存储器阵列的操作期间发生的错误量度而确定所述背景记录。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：
计算所述触发量度，其包含用于估计实施所述错误复原机构的频率的触发速率；及基于所述触发速率产生所述经调整步阶。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：
计算所述触发量度，其包含用于表示系统触发条件与错误计数之间的关系的触发容限；及
基于所述触发容限产生所述经调整步阶。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以基于在所述存储器装置的操作期间实施处理电平校准机构以反复地校准处理电平而产生所述经调整步阶。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以基于在所述存储器装置的操作期间实施目标校准机构以校准目标量变曲线而产生所述经调整步阶。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以实施步阶校准机构以比实施所述目标校准机构更不频繁地产生所述经调整步阶。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：
确定用于控制所述经调整步阶的重复模式的滞后参数；及
基于所述滞后参数产生所述经调整步阶。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以产生所述经调整步阶以用于平衡与将数据写入于所述存储器阵列中相关联的编程时间及错误量度。
10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以产生所述经调整步阶以用于将所述触发量度维持于目标值处或目标值的范围内。
11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以产生所述经调整步阶以用于增加或减少与所述编程步阶相关联的编程时间。
12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以针对驱动填充或在驱动填充期间产生所述经调整步阶。
13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以使用用于估计错误计数的预测的估计机构计算所述触发量度。
14.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以直接从错误计数计算所述触发量度。
15.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：
基于跟踪与码字相关联的错误计数及所述编程步阶而确定所述背景记录；
确定用于表示校准所述编程步阶的阈值的触发控制曲线；及
基于比较所述触发控制曲线与所述触发量度而产生所述经调整步阶，其中所述经调整步阶用于提供所述编程步阶的经校准值。
16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：
基于所述背景记录产生累积分布函数以用于正规化所述背景记录；及基于所述累积分布函数或其处理结果计算所述触发量度。
17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以针对用来校准所述编程步阶的步阶校准机构的每一反复或实施或基于反复地更新所述累积分布函数而产生所述累积分布函数。
18.一种用于操作包含控制器及存储器单元的存储器装置的方法，其中所述方法包括：
确定与编程步阶相关联的背景记录，其中所述背景记录用于表示先前数据操作；
基于所述背景记录计算触发量度，其中所述触发量度用于估计错误复原机构的实施；
及
使用所述控制器，基于所述触发量度产生经调整步阶。
19.根据权利要求18所述的方法，其中确定所述背景记录包含在所述存储器阵列的操作内存储错误量度。
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
计算所述触发量度包含计算用于估计实施所述错误复原机构的频率的触发速率；及产生所述经调整步阶包含基于所述触发速率产生所述经调整步阶。
21.根据权利要求18所述的方法，其中：
计算所述触发量度包含计算用于表示系统触发条件与错误计数之间的关系的触发容限；及
产生所述经调整步阶包含基于所述触发容限产生所述经调整步阶。
22.根据权利要求18所述的方法，其中产生所述经调整步阶包含：产生所述经调整步阶以用于将所述触发量度维持于目标值处或目标值的范围内。
23.根据权利要求18所述的方法，其中产生所述经调整步阶包含：针对驱动填充或在驱动填充期间产生所述经调整步阶。
24.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
基于所述背景记录产生累积分布函数以用于正规化所述背景记录；且其中：
计算所述触发量度包含基于所述累积分布函数或其处理结果计算所述触发量度。
25.根据权利要求24所述的方法，其中产生所述累积分布函数包含：针对所述编程步阶的每一反复或校准反复地更新所述累积分布函数。

说明书全文

具有动态编程校准的存储器装置

[0001] 相关申请案

[0002] 本申请案含有与由布鲁斯A.李卡南(Bruce A.Liikanen)及拉里J.库德(Larry J.Koudele)同时申请的标题为“具有动态目标校准的存储器装置(MEMORY DEVICE WITH DYNAMIC TARGET CALIBRATION)”的美国专利申请案相关的标的物。相关申请案转让给美光科技有限公司(Micron Technology,Inc.)，且通过档案号10829-9200.US00来识别。本申请案的标的物以引用方式并入本文中。

[0003] 本申请案含有与由布鲁斯A.李卡南及拉里J.库德同时申请的标题为“具有动态处理电平校准的存储器装置(MEMORY DEVICE WITH DYNAMIC PROCESSING LEVEL CALIBRATION)”的美国专利申请案相关的标的物。相关申请案转让给美光科技有限公司，且通过档案号10829-9201.US00来识别。本申请案的标的物以引用方式并入本文中。

技术领域

[0004] 所揭示实施例涉及存储器装置，且特定来说，涉及具有用于与编程数据相关联的电平的动态校准的机构的存储器装置。

背景技术

[0005] 存储器系统可采用存储器装置来存储及存取信息。存储器装置可包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置或组合装置。非易失性存储器装置可包含采用“NAND”技术或逻辑门、“NOR”技术或逻辑门或其组合的快闪存储器。

[0006] 存储器装置(例如快闪存储器)利用电能连同对应阈值电平或处理电压电平来存储及存取数据。然而，快闪存储器装置的性能或特性随时间推移或因使用而改变或劣化。随时间推移，性能或特性的改变与阈值或处理电压电平相冲突，从而导致错误及其它性能问题。

[0007] 因此，需要一种具有动态目标校准机构的存储器装置。鉴于不断增加的商业竞争压力连同不断增长的消费者预期及区分市场产品的期望，越来越期望找到解决这些问题的答案。另外，降低成本、改进效率及性能且应对竞争压力的需要为找到这些问题的答案增加甚至更大压力。附图说明

[0008] 图1是根据本发明的实施例配置的具有动态编程校准机构的存储器系统的框图。

[0009] 图2说明在增量编程操作的各种状态下存储于存储器单元的电荷存储结构上的电荷。

[0010] 图3A、3B及3C说明图1中的处理电平校准机构的进程的实例。

[0011] 图4A、4B及4C说明图1中的目标校准机构的进程的实例。

[0012] 图5A及5b说明图1中的目标校准机构的进程的实例。

[0013] 图6是说明根据本发明的实施例的操作图1中的存储器系统的实例方法的流程图。

[0014] 图7是说明根据本发明的实施例的操作图1中的存储器系统的进一步实例方法的流程图。

[0015] 图8是说明根据本发明的实施例的操作图1中的存储器系统的另一实例方法的流程图。

[0016] 图9是根据本发明的实施例的包含存储器装置的系统的示意图。

具体实施方式

[0017] 如下文更详细描述，本文中所揭示的发明涉及存储器装置、具有存储器装置的系统及用于动态地校准存储器装置的编程步阶的相关方法。存储器装置可使用校准机构来动态地校准编程步阶，例如反复地存储于存储器单元中以达到所期望电荷量的增量电荷量。存储器装置可经配置以在使用(例如，操作)存储器装置的同时动态地校准编程步阶。

[0018] 为校准编程步阶，存储器装置可计算与错误复原相关联的事件的估计或预测。所述估计或所述预测可基于在校准存储器装置的各种不同方面的同时或在使用存储器装置的同时收集多个样本或结果，例如数据计数或错误率。存储器装置可动态地校准编程步阶以利用读取窗范围(RWB)且减少用于存储器装置的编程时间。RWB表示阈值电压与对应于相邻逻辑状态的电压之间的离距，且还可对应于写入数据所允许的准确度或公差范围。存储器装置可根据RWB的表示增大或减小编程步阶以减少编程时间及/或减少错误。

[0019] 足够详细地描述下文实施例以使所属领域的技术人员能够制作及使用所述实施例。然而，相关领域的技术人员将理解，本发明可具有额外实施例且本发明可在无下文参考图1到8所描述的实施例的若干细节的情况下实践。

[0020] 在下文所说明的实施例中，存储器装置是在并入基于NAND的非易失性存储媒体(例如，NAND快闪存储器)的装置的背景下进行描述。然而，除基于NAND的存储媒体外或代替基于NAND的存储媒体，根据本发明的其它实施例配置的存储器装置还可包含其它类型的合适存储媒体，例如基于NOR的存储媒体、磁性存储媒体、相变存储媒体、铁电存储媒体等。

[0021] 如本文中所使用的术语“处理”包含操纵信号及数据，例如写入或编程、读取、擦除、刷新、调整或改变值，计算结果，执行指令，组合，传送及/或操纵数据结构。术语数据结构包含布置为位、字或码字、块、文件、输入数据、系统所产生数据(例如所计算或所产生数据)及程序数据的信息。此外，如本文中所使用的术语“动态”描述在操作、使用或部署对应装置、系统或实施例期间及在运行制造商或第三方固件之后或同时发生的过程、函数、动作或实施方案。动态地发生的过程、函数、动作或实施方案可在设计、制造及初始测试、设置或配置之后或紧接其后发生。

[0022] 图1是根据本发明的实施例配置的具有动态处理电平校准机构的存储器系统100的框图。存储器系统100包含存储器装置102。如所展示，存储器装置102包含存储器阵列104(例如，NAND快闪存储器)及控制器106。存储器装置102可将存储器阵列104可操作地耦合到主机装置108(例如，上游中央处理器(CPU))。存储器阵列104可包含经配置以将数据存储于存储器阵列104中且提供对存储器阵列104中的数据的存取的电路。可将存储器阵列104提供为计算机或其它电子装置中的半导体、集成电路及/或外部可移除装置。存储器阵列104包含多个存储器区或存储器单元120。存储器单元120可为个别存储器裸片、单个存储器裸片中的存储器平面、与硅通孔(TSV)垂直连接的存储器裸片堆叠、或类似者。在一个实施例中，存储器单元120中的每一者可由半导体裸片形成且与其它存储器单元裸片一起布置于单个装置封装(未展示)中。在其它实施例中，存储器单元120中的一或多者可共同定位于单个裸片上及/或跨多个装置封装分布。存储器装置102及/或个别存储器单元120还可包含用于存取及/或编程(例如，写入)数据及其它功能(例如用于处理信息及/或与控制器106通信)的其它电路组件(未展示)，例如多路复用器、解码器、缓冲器、读取/写入驱动器、地址寄存器、数据输出/数据输入寄存器等。

[0023] 存储器单元120中的每一者包含每一存储数据的存储器单元122的阵列。存储器单元122可包含例如经配置以永久性地或半永久性地存储数据的浮动栅极、电荷陷阱、相变、铁电、磁阻及/或其它合适存储元件。存储器单元122可为可经编程到目标状态以表示信息的单晶体管存储器单元。例如，可将电荷置于存储器单元122的电荷存储结构(例如，电荷陷阱或浮动栅极)上或从存储器单元122的电荷存储结构(例如，电荷陷阱或浮动栅极)移除以将所述单元编程到特定数据状态。存储器单元122的电荷存储结构上的所存储电荷可指示所述单元的阈值电压(Vt)。例如，可将单电平单元(SLC)编程到可由二进制单位1或0表示的两种不同数据状态的目标状态。

[0024] 可将一些快闪存储器单元编程到两种以上数据状态的目标状态。例如，可编程到四种状态(例如，由二进制00、01、10、11表示)中的任一者的快闪存储器单元可用来存储2位数据，且可称为多电平单元(MLC)。可将又其它快闪存储器单元编程到八个数据状态(例如，000、001、010、011、100、101、110、111)中的任一者，从而允许将3位数据存储于单个单元中。
此类单元可称为三电平单元(TLC)。甚至更高数目个数据状态是可能的，例如在四电平单元(QLC)中发现的那些数据状态，其可经编程到16个数据状态(例如，0000、001、0010、0011、
0100、0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110、1111)中的任一者以用于存储4位数据。能够存储更高数目个数据状态的存储器单元122可提供更高密度存储器而不增加存储器单元的数目，这是因为每一单元可表示一个以上数字(例如，一个以上位)。

[0025] 可将存储器单元122布置成行(例如，各自对应于字线143)及列(例如，各自对应于位线)。每一字线143可包含一或多个存储器页124，这取决于所述字线143的存储器单元122经配置以存储的数据状态的数目。例如，各自经配置以存储两个数据状态中的一者的存储器单元122(例如，经配置以各自存储一个位的SLC存储器单元)的单个字线可包含单个存储器页124。替代地，各自经配置以存储四个数据状态中的一者的存储器单元122(例如，经配置以各自存储两个位的MLC存储器单元)的单个字线143可包含两个存储器页124。此外，在字线143内，页124可经交错使得各自经配置以存储两个数据状态中的一者的存储器单元122(例如，SLC存储器单元)的字线143可包含呈“偶-奇位线架构”的两个页(例如，其中将单个字线143的奇数列中的所有存储器单元122分组为第一页，且将同一字线143的偶数列中的所有存储器单元122分组为第二页)。当在各自经配置以存储更大数目个数据状态的存储器单元122(例如，经配置为MLC、TLC、QLC等的存储器单元)的字线143中利用偶-奇位线架构时，每个字线143的页数目可甚至更高(例如，4、6、8等)。每一列可包含耦合到共同源极的串联耦合的存储器单元122。每一串的存储器单元122可串联连接于源极选择晶体管(例如，场效应晶体管)与漏极选择晶体管(例如，场效应晶体管)之间。源极选择晶体管可共同耦合到源极选择线，且漏极选择晶体管可共同耦合到漏极选择线。

[0026] 存储器装置102可使用存储器单元122的不同分组处理数据。例如，可将存储器单元122的存储器页124分组成存储器块126。在操作中，可关于存储器装置102的各种存储器区(例如通过写入到页124及/或存储器块126的群组)写入或以其它方式编程(例如，擦除)数据。在基于NAND的存储器中，写入操作通常包含使用特定数据值(例如，具有逻辑0或逻辑1的值的串数据位)编程选定存储器页124中的存储器单元122。擦除操作类似于写入操作，唯所述擦除操作将整个存储器块126或多个存储器块126重新编程到相同数据状态(例如，逻辑0)除外。

[0027] 在其它实施例中，可将存储器单元122布置成不同于所说明实施例中展示的类型的群组及/或阶层。此外，虽然出于说明目的而在具有特定数目个存储器单元、行、列、块及存储器单元的所说明实施例中展示，但在其它实施例中，存储器单元、行、列、块及存储器单元的数目可变化，且规模可大于或小于所说明实例中展示的规模。例如，在一些实施例中，存储器装置100可包含仅一个存储器单元120。替代地，存储器装置100可包含2个、3个、4个、8个、10个或更多个(例如，16个、32个、64个或更多个)存储器单元120。虽然存储器单元120在图1中被展示为各自包含两个存储器块126，但在其它实施例中，每一存储器单元120可包含1个、3个、4个、8个或更多个(例如，16个、32个、64个、100个、128个、256个或更多个)存储器块。在一些实施例中，每一存储器块123可包含例如215个存储器页，且块内的每一存储器页可包含例如212个存储器单元122(例如，“4k”页)。

[0028] 控制器106可为微控制器、专用逻辑电路(例如，场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)或其它合适处理器。控制器106可包含处理器130，处理器130经配置以执行存储于存储器中的指令。在所说明实例中，控制器106的存储器包含嵌入式存储器132，嵌入式存储器132经配置以执行用于控制存储器系统100的操作(包含管理存储器装置102及处置存储器装置102与主机装置108之间的通信)的各种过程、逻辑流程及例程。在一些实施例中，嵌入式存储器132可包含存储例如存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。嵌入式存储器132还可包含用于存储微程序代码的只读存储器(ROM)。虽然已将图1中所说明的实例存储器装置102说明为包含控制器106，但在本发明的另一实施例中，存储器装置可不包含控制器，且可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机提供，或由与存储器装置分离的处理器或控制器提供)。

[0029] 在所说明实例中，存储器阵列104的进一步组织或细节是用页映射142表示。页映射142可表示存储器块126中的每一者的存储器页124的分组、地址、类型或其组合。例如，存储器块126中的每一者可包含对应于字线群组144的存储器页124。还例如，存储器页124可进一步对应于逻辑页类型146，例如下页(LP)148、上页(UP)150或额外页(EP)152。

[0030] 字线群组144可包含对应于用来实施处理功能(例如数据读取或写入)的一或多个字线143的存储器页124的分组。字线群组144可为用于或连接到字线143的存储器页124的分组。字线143可对应于存储器单元122的物理布局或架构。

[0031] 页类型146(例如上页150、下页148及额外页152)可以特定次序表示用于存储器页124的位的分组。页的类型可对应于存储器单元122的逻辑布局、架构或值。例如，下页148可表示存储于存储器页124或其中的存储器单元122中的第一信息位。下页148可用于SLC类型的单元、MLC类型的单元、TLC类型的单元或其组合。还例如，上页150可对应于或表示存储于存储器页124或其中的存储器单元122中的第二信息位。上页150可用于TLC或MLC类型的存储器单元122。还例如，额外页152可表示存储于存储器页124或其中的存储器单元122中的第三信息位，例如最高有效位或最低有效位。额外页152可用于TLC类型的存储器单元122。

[0032] 存储器装置102可使用处理电平154来存储或存取数据。处理电平154可包含电压或电流的阈值或操作电平。处理电平154可包含阈值电压156、读取电平电压158、编程电平电压160、编程步阶162或其组合。阈值电压156可为施加于控制栅极的电压，在所述电压下，用于存储器单元122的电路变为导电的且可测量电流。可通过控制存储器单元122的浮动栅极或电荷陷阱中保持的电荷量而影响及控制阈值电压156。存储器装置102可基于编程电平电压160将电荷量存储到存储器单元122中以表示对应数据值。存储器装置102将编程电平电压160施加于控制栅极或字线以对浮动栅极或电荷陷阱充电。浮动栅极或电荷陷阱可经电隔离，这可使存储器单元能够存储且保持电荷。

[0033] 存储器装置102可使用所存储电荷来表示数据。例如，将电荷存储于浮动栅极或电荷陷阱上可用于针对SLC类型单元存储位值0。位值1可对应于浮动栅极或电荷陷阱，而不针对SLC存储电荷。在其它类型(例如MLC、TLC或QLC)的单元中，存储器装置102可将特定量的电荷存储于浮动栅极或电荷陷阱上以表示不同位值。MLC类型的单元可具有4个不同电荷状态，TLC可具有8个不同电荷状态，且QLC可具有16个不同电荷状态。如上文所论述，所述电荷状态中的每一者可对应于唯一二进制值。

[0034] 存储器装置102可使用对应于数据值的读取电平电压158读取或确定存储于存储器单元122中的数据值。存储器装置102可将读取电平电压158施加于控制栅极且测量跨存储器单元的电流或电压以读取存储于单元中的数据。存储于浮动栅极或电荷陷阱中的电荷可屏蔽或抵消置于控制门上以用于读取或存取所存储数据的电荷量。因而，在施加读取电平电压158的情况下，所测量的跨存储器单元的电流或电压将对应于存储于浮动栅极或电荷陷阱中的电荷量。

[0035] 在存储器装置102的操作期间，装置的电特性(即，电荷保留能力)可归因于重复数据写入、擦除及/或读取而改变。重复数据操作可导致电隔离浮动栅极或电荷陷阱(例如，氧化物层)的结构的击穿或磨损。考虑改变存储器单元122的电特性，存储器装置102可移位或校准读取电平电压158。

[0036] 编程电平电压160与读取电平电压158及阈值电压156相关联。编程电平电压160、读取电平电压158、阈值电压156或其组合可对应于存储于存储器单元122中的位的数目、存储于存储器单元122中的数据的特定内容值或其组合。

[0037] 例如，经配置以将电荷存储于两个可能状态中的一者中的存储器单元122(例如，SLC存储器单元)可具有不同于结合经配置以将电荷存储于四个可能状态中的一者中的存储器单元122(例如，MLC存储器单元)或经配置以将电荷存储于八个可能状态中的一者中的存储器单元122(例如，TLC存储器单元)所使用的相关联编程电平、读取电平及阈值电压。针对各种类型的存储器单元(例如，SLC、MLC、TLC、QLC等)，编程电平电压160、读取电平电压158、阈值电压156或其组合的特定值可与可能数据值中的每一者相关联。

[0038] 存储器装置102可将电荷反复地存储于存储器单元122中以用于写入或编程操作，例如增量阶跃脉冲编程(ISPP)。编程步阶162可包含用于在每一反复中增加所存储电荷的增量或电压值。存储器装置102可通过递增地存储或增加对应于编程步阶162的电荷量而达到编程电平电压160。

[0039] 例如，图2说明在一个此增量编程操作的各种状态下存储于存储器单元的电荷存储结构上的电荷。当增量编程操作开始时，在时间210存储于存储器单元上的电荷211低于所期望目标状态250。为将存储器单元编程到所期望目标状态250，可在时间220、230及240中的每一者使用一系列编程步阶162来分别将存储于所述单元的电荷存储结构上的电荷增加为电荷222、232及242。在每一编程步阶162之后，可验证存储于电荷存储结构上的电荷以确定其是否已达到所期望目标状态250。在时间240，随着电荷241已增加到所期望目标状态250，编程操作完成。

[0040] 为将较高有效位编程到已用较低有效位编程的单元，在编程操作中使用的编程步阶162(及验证步阶)的数目可较大(例如，归因于用每一编程脉冲添加较小电荷增量)，使得将较高有效位编程到单元可比编程较低有效位需要更多时间及能量。

[0041] 可将处理电平154存储于存储器装置102、主机装置108或其组合中。例如，存储器装置102可包含控制器106上的一或多个电平寄存器164、存储器阵列104、存储器装置102的另一存储器位置或其组合以用于存储处理电平154。电平寄存器164可存储阈值电压156、读取电平电压158、编程电平电压160、编程步阶162或其组合。存储器系统100、控制器106及/或主机108可存取电平寄存器164，写入或调整电平寄存器164中的值或其组合。类似地，可将处理电平154存储于控制器106的嵌入式存储器、存储器阵列104、存储器装置102的另一存储器位置或其组合中。

[0042] 存储器装置102可进一步处理与数据的存储或存取相关联的错误。错误可对应于可在擦除、编程或写入、或读取操作期间引入的位或位单元，例如码字、页或块。除数据处理外，数据保留还可进一步引入保留错误。其它错误源可包含工艺变化、缺陷、电耦合或寄生电容耦合、电路或其中组件的特性或能力的改变、或其组合。

[0043] 存储器装置102可跟踪错误量度166。错误量度166可表示描述错误的程度、频率、量或量值、大小或数目、错误的处理推导或其组合。例如，错误量度166可包含错误计数168、错误率170或其组合。错误计数168可表示描述错误的量或量值、程度、大小或数目、或其组合。例如，错误计数168可为位错误计数(BEC)。错误率170可表示错误发生的频率或概率、错误的比例量或百分比、或其组合。例如，错误率170可包含位错误率(BER)。错误量度166可对应于存储器阵列104内的一或多个单元或分组。例如，错误量度166可针对存储器页124、存储器单元122、字线群组144、裸片或其组合中的一或多者。还例如，错误量度166可对应于页类型146，例如下页148、上页150或额外页152。可由主机装置108、控制器106或其组合计算或跟踪错误量度166。可将错误量度166存储于主机装置108、控制器106的嵌入式存储器、存储器阵列104、存储器装置102的另一存储器位置或其组合中。

[0044] 存储器系统100可利用错误复原机构172来检测及/或校正错误。存储器系统100可使用主机装置108、控制器106、存储器阵列104或其组合实施错误复原机构172。错误复原机构172可包含用于检测所存储或所存取数据中的错误且进一步用于校正错误并复原原始预期数据的过程、函数、电路或其组合。例如基于或用于一或多个码字的在线校正及总体数据复原可为错误复原机构172的实例。还例如，错误复原机构172可利用码字(例如汉明码、低密度同位校验(LDPC)码或Bose-Chauduri-Hocquenghem(BCH)码)的错误校正码(ECC)来检测及/或校正错误。

[0045] 存储器系统100可进一步产生且维持背景记录174。背景记录174可包含描述存储器装置102的历史的信息。例如，背景记录174可跟踪错误、错误率170、错误复原机构172的使用或实施、对应描述或上下文数据、处理结果或其表示、或其组合。还例如，背景记录174可跟踪与存储器装置102的各种不同方面或操作的动态校准相关联的处理结果，例如数据、电平、结果、统计表示、或其组合。可使用控制器106、主机装置108或其组合跟踪背景记录174。可将背景记录174存储于存储器阵列104、控制器106的嵌入式存储器、存储器装置102的另一存储器位置、主机装置108或其组合中。

[0046] 存储器系统100可基于反馈信息动态地计算或调整处理电平154。例如，存储器系统100可使用处理电平校准机构176连续地更新读取电平电压158。还例如，存储器系统100可使用步阶校准机构180动态地更新或调整编程步阶162。此外，存储器系统100可动态地产生或调整表示直方图的分布目标，所述直方图展示具有对应于特定逻辑值的特定测量值(例如，阈值电压电平)的存储器单元的数目。测量值可归因于氧化物层的击穿而移位。存储器系统100可使用目标校准机构178基于反馈数据动态地调整分布目标以调整测量值的移位。处理电平校准机构176、目标校准机构178及步阶校准机构180可各自为用于实施上述校准的唯一过程、方法、函数、电路、配置或其组合。下文论述关于处理电平校准机构176、目标校准机构178及步阶校准机构180的细节。

[0047] 图3A、3B及3C展示使存储器头的错误计数(沿Y轴展示)与用来自单元读取数据的读取电压(沿X轴展示)相关的图表。图3A、3B及3C展示处理电平校准机构176(图1)的进程。处理电平校准机构176可调整读取电平电压158以减少错误计数168，如图3A到图3C中所说明。虽然所述图说明其中校准机构使用经测量错误计数来校准读取电平电压的实施例，但在其它实施例中，本发明可用来鉴于其它测量特性(位错误率等)类似地校准其它处理电平(例如，编程电压、阈值电平等)。

[0048] 出于说明目的，下文使用读取电平电压158描述处理电平校准机构176。然而，应理解，可针对阈值电压156(图1)、编程电平电压160(图1)、编程步阶162(图1)或其组合实施处理电平校准机构176。

[0049] 图3A到3C说明当实施处理电平校准机构176时读取电平电压158以及对应样本及结果的循序改变、调整或校准。存储器系统100(图1)可实施处理电平校准机构176，包含读取电平电压158的反复改变、调整或校准。存储器系统100可在持续时间内进一步实施处理电平校准机构176多次以反复地调整读取电平电压158。

[0050] 图3A展示在实施处理电平校准机构176之前或在缺失实施处理电平校准机构176的情况下的实例行为。在起始或实施处理电平校准机构176时，存储器系统100可使用其中组件中的一或多者来取样数据且产生或更新测试测量集。测试测量集可包含中心结果304、第一偏移结果306、第二偏移结果308、其它结果或其组合。存储器系统100可基于使用读取电平电压158或使用来自读取电平电压158的电压偏移确定对应于一组读取操作的结果而产生或更新测试测量集。

[0051] 例如，存储器系统100可基于确定对应于使用针对存储器页124(图1)的例子的特定页类型的读取电平电压158读取或存取的数据的错误计数168而确定中心结果304。对应于读取电平电压158的原始、未调整或未校准例子的中心结果304在图3A中被表示为“O”。

[0052] 存储器系统100可基于确定对应于使用第一偏移电平316读取或存取的数据的错误计数168而类似地确定第一偏移结果306。存储器系统100可基于确定对应于使用第二偏移电平318读取或存取的数据的错误计数168而类似地确定第二偏移结果308。第一偏移电平316是由从x轴向上通往图表的垂直虚线指示。图表的对应位置被展示为定位到图3A中的中心结果304右边及上方的三角形。第二偏移电平318是由从x轴通往图表的垂直虚线指示，其中图表上的对应位置经定位到图3A中的中心结果304左边及下方。

[0053] 第一偏移电平316及第二偏移电平318可各自为用于读取或存取存储于存储器单元122(图1)的对应例子中的数据的电压电平。第一偏移电平316及第二偏移电平318可为彼此不同且不同于读取电平电压158的值。例如，第一偏移电平316可大于读取电平电压158。还例如，第二偏移电平318可小于读取电平电压158。

[0054] 还例如，第一偏移电平316、第二偏移电平318或其组合可从读取电平电压158偏移达偏移量度320。偏移量度320可表示偏移电平中的一或多者与读取电平电压158的离距或偏移量。偏移量度320可进一步表示离距或偏移的方向或符号、程度或量值、或其组合。

[0055] 实施处理电平校准机构176的存储器系统100可选择裸片、存储器块、存储器页、对应于所述页的页类型的修整或读取电平电压158、或其组合。选择可为随机的。此外，选择可作为反复过程的部分而发生。下文论述关于选择的细节。在选择之后，存储器系统100可至少针对测试测量集取样中心结果304、第一偏移结果306及第二偏移结果308。存储器系统100可使用沿相反方向从读取电平电压158偏移达偏移量度320的第一偏移电平316及第二偏移电平318两者。存储器系统100可使用中心结果304、第一偏移结果306及第二偏移结果
308来调整或校准读取电平电压158。

[0056] 存储器系统100可基于比较或平衡各种结果而调整、更新或校准读取电平电压158。存储器系统100可基于调整或更新偏移量度320而进一步校准读取电平电压158。存储器系统100可动态地进一步校准读取电平电压158。存储器系统100可另外在存储器装置102(图1)的制造、配置或设置期间或作为存储器装置102(图1)的制造、配置或设置的部分、在存储器装置102(图1)的预期部署或使用之前，使用处理电平校准机构176校准读取电平电压158。下文论述关于处理电平校准机构176的细节。

[0057] 图3B说明与图3A中所说明的读取电平电压158相较已调整或校准的读取电平电压158。图3B可表示在处理电平校准机构176的实施期间的反复或在读取电平电压158已沿图表安定或居中之前的处理电平校准机构176的实施。读取电平电压158在图3B中被说明为比图3A中更低或更靠左。然而，应理解，读取电平电压158可沿任何方向调整及调整达任何增量或值。处理电平校准机构176可例如根据存储器单元122的当前状况或特性调整读取电平电压158以减小对应存储器单元122的错误率或计数。

[0058] 可以各种方式校准读取电平电压158。例如，读取电平电压158可基于比较或平衡各种结果而递增或移位达预定量或增量。还例如，读取电平电压158可被指派对应于取样过程的一或多个结果的预定值。还例如，读取电平电压158可基于所述结果中的一或多者而由第一偏移电平316或第二偏移电平318替换。下文论述关于读取电平电压158的校准的细节。

[0059] 一旦已校准读取电平电压158，存储器系统100便可重复所述过程。例如，存储器系统100可使用读取电平电压158的经更新、经调整或经校准例子来计算新偏移电平3 3或其组合以用于处理电平校准机构176之后继或后续反复或实施。结果可经处理，且读取电平电压158可据此进一步校准。所述过程可重复，直到读取电平电压158及对应结果满足停止或中断条件。例如，当读取电平电压158对应于错误计数168的估计最小例子，从而对应于沿使错误计数与读取电平相关的图表(如图3A到图3C中所说明)的最小值点或中心点时，所述过程可停止。

[0060] 图3C可说明在处理电平校准机构176的实施之后或针对处理电平校准机构176的后续或后继实施的实例行为。如所说明，处理电平校准机构176的实施可调整或校准读取电平电压158以定位于使错误计数与读取电平相关的图表的底部或最小值相隔阈值距离处或内。处理电平校准机构176利用对应于读取电平电压158的中心结果304及对应于相应结果的一或多个偏移结果提供减少由读取引入的错误的益处。处理电平校准机构176可基于反复地测试读取电平电压158的不同可能值且比较对应错误计数而找到减少读取错误的读取电平电压158。

[0061] 存储器系统100可进一步计算错误差量度322。错误差量度322是中心结果304与偏移结果中的一或多者之间的比较。错误差量度322可为包含中心结果304、第一偏移结果306及第二偏移结果308的结果的组合之间的错误计数168的离距或差。例如，存储器系统100可计算错误差量度322作为中心结果304与第一偏移结果306及第二偏移结果308的平均值之间的差。还例如，存储器系统100可基于中心结果304与第一偏移结果306之间的差量度、中心结果304与第二偏移结果308之间的差量度或其组合计算错误差量度322。错误差量度322可为用于一或多个机构的反馈量度。例如，电平校准反馈量度302(即，进一步用作用于校准处理电平154中的一或多者的输入的值、结果、度量或其组合)可包含错误差量度322。还例如，错误差量度322可为用于实施目标校准机构178(图1)、步阶校准机构180(图1)或其组合的反馈量度。下文论述关于错误差量度322的细节。

[0062] 图4A、4B及4C展示目标校准机构178(图1)的进程。目标校准机构178可根据存储器单元的当前行为调整程序验证电平的所期望分布。图4A、4B及4C对应于包含或对应于下页148、上页150及额外页152(都在图1中展示)的TLC页。实例插图表示沿垂直方向或轴的特定修整电平的发生次数。实例插图展示沿水平方向或轴的电压电平。

[0063] 图4A展示存储器系统100(图1)的目标量变曲线402的实例。针对一组给定存储器单元122(图1)(例如页、逻辑或存储值、字线群组、字线、裸片或其组合)，目标量变曲线402是处理电平154(例如阈值电压156或读取电平电压158)(都在图1中)的发生次数的目标或所期望结果。例如，目标量变曲线402可包含程序验证(PV)目标、所期望格雷码分布、所期望写入分布或其组合。

[0064] 存储器系统100可利用目标量变曲线402来控制存储器装置102(图1)的行为、操作或过程。目标量变曲线402可指定对应于电压电平、页类型146(图1)或其组合的处理电平154(图1)的所期望或目标量或数量。存储器系统100可使用目标校准机构178(图1)进一步调整或校准目标量变曲线402。目标量变曲线402可包含每一逻辑值或对应电压电平的分布目标404。分布目标404可与对应于特定内容值、页类型146或其组合的处理电平154的一组所期望数量或发生对应。分布目标404的每一例子可对应于可能内容值的一个唯一例子。对应于分布目标404的电压电平可表示对应数据值的处理电平154的令人满意或所期望范围。

[0065] 针对例如图4A到4C中所例示的TLC页，存储器单元122中的每一者可存储三个位。三个位的存储可等于八个可能内容值0到7或位值“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”及“111”。可能内容值中的每一者是用电平识别来识别，例如图4A到4C中的L0到L1。可由存储器系统100、开发者或制造商、标准或模板、或其组合预定位值到特定电压范围的指派。目标量变曲线402可进一步包含或表示分布谷值(valley)406。分布谷值406是相邻分布目标之间的关系的表示。分布谷值406可表示两个相邻分布目标之间的交叉、离距、重叠或其组合。分布谷值406可各自在分布目标404的两个相邻例子之间，在分布目标404的两个相邻例子的边界处或其组合。分布谷值406可在分布目标404中的一或多者越过阈值电平或数量之处，在多个目标电平相遇或重叠之处或其组合。

[0066] 针对例如图4A到4C中所例示的TLC页，可存在8个谷值。分布谷值406中的每一者是用谷值识别来识别，例如图4A到3B(图4C中未展示)中的v1到v7。每一谷值可对应于针对下页148、上页150及额外页152的唯一划分或阈值，其可用来确定存储于对应单元中的内容。分布谷值406中的每一者可用于确定下页148、上页150、额外页152、对应位置处的位值或其组合。分布谷值406与唯一值及/或页类型146之间的指派或相关性可基于各种位值指派的预定次序、序列、布置或其组合。

[0067] 存储器系统100可使用边缘目标408作为参考点且动态地调整中间目标409。边缘目标408表示对应于最低及最高电压电平的分布目标404的例子。中间目标409包含边缘目标408之间的分布目标404的例子。存储器系统100可实施目标校准机构178以调整或平衡中间目标409或对应分布谷值406。

[0068] 图4B展示电平分布曲线410。电平分布曲线410可为展示具有特定经测量值(例如，图1的阈值电压156)的数个存储器单元122的直方图。电平分布曲线410可表示存储器单元122的实际计数或当前状态。目标量变曲线402可用于控制或调整过程或电平以控制或管理电平分布曲线410。例如，电平分布曲线410可包含实际程序验证状态、实际格雷码分布、实际写入分布或其组合。存储器系统100可确定且跟踪电平分布曲线410的各种信息。电平分布曲线410可随时间推移及因使用而改变。归因于改变、处理电平154的对应更新或改变、或其组合，电平分布曲线410可进一步偏离目标量变曲线402。存储器系统100可据此使用目标校准机构178调整或校准目标量变曲线402。

[0069] 图4C说明目标量变曲线402的调整、更新或校准。实施目标校准机构178的存储器系统100可产生用于替换先前目标的一或多个经调整目标420。在图4C中，例如最初在图4A中所说明的先前目标是使用虚线展示，且经调整目标420是使用短划线展示。存储器系统100可基于在电压电平中将一或多个先前目标移位或移动为更高或更低(例如，如图4A到4C中所说明那样左或右)而产生经调整目标420。存储器系统100可基于目标调整值422产生经调整目标420。目标调整值422可表示对应分布目标404的电压电平的改变的方向、量或量值、或其组合。目标调整值422可进一步对应于对应分布谷值406的深度、量值、程度或量、或其组合的改变。存储器系统100可实施目标校准机构178且调整目标量变曲线402以跨各种位值平衡分布目标404、分布谷值406或其组合。下文论述关于错误差量度322及目标校准机构178的细节。

[0070] 错误差量度322提供分布谷值406的深度或量值及对应RWB的量化表示。目标校准机构178利用错误差量度322作为反馈量度来调整或平衡分布目标404的一或多个例子提供存储器装置102的均匀使用及磨损从而延长存储器单元122的寿命的益处。

[0071] 图5A及5B是步阶校准机构180(图1)的进程的实例插图。实例插图沿垂直方向或轴表示存储于存储器单元中的电荷量。实例插图沿水平方向或轴展示时间。

[0072] 图5A说明在实施步阶校准机构180(图1)之前的存储器单元的编程操作。存储器系统100(图1)可通过将目标电荷量存储于存储器单元中来编程或写入，其中目标量值或电平表示特定内容或位值。存储器系统100可通过存储电荷量来编程或写入编程电平电压160(图1)。存储器系统100可通过在(例如针对ISPP的)反复过程中将增量电荷量存储于存储器单元中来编程或写入。例如，存储器系统100可反复地施加多个脉冲以用于增加存储于存储器单元中的电荷。存储器系统100可使用编程步阶162来递增地增加所存储电荷，直到所存储量值或电平匹配编程电平电压160。存储器系统100可针对每一脉冲或反复进行编程及验证。反复针对图5A被说明为“I1”、“I2”及“I3”。

[0073] 编程时间502是与达到编程电平电压160相关联的持续时间。编程时间502可与达到编程电平电压160所需的反复次数、用于每一反复的编程步阶162或其组合相关联。存储器系统100可实施步阶校准机构180以动态地调整或校准编程步阶162。存储器系统100可动态地增大或减小编程步阶162，此将对应地增加或减少编程时间502。下文论述关于步阶校准机构180的细节。

[0074] 图5B说明在实施步阶校准机构180(图1)之后的编程操作。为比较，例如图5A中的先前电平及步阶是用虚线说明。步阶校准机构180可产生经调整步阶504。经调整步阶504是用于替换编程步阶162的编程步阶162的经校准或经改变例子。经调整步阶504可大于或小于编程步阶162。

[0075] 动态地产生经调整步阶504以增大编程步阶162提供减少编程时间502的益处。编程步阶162的增大可减小达到编程电平电压160所需的脉冲或反复的数目，从而减少对应时间量。因此，编程步阶162的动态校准及调整改进存储器系统100的总体效率。

[0076] 此外，可基于表示错误复原机构172(图1)的触发或实施的反馈量度或其处理结果产生经调整步阶504。在产生经调整步阶504时触发错误复原机构172的考虑提供编程时间502的减少而不增大错误量度166(图1)。下文论述关于步阶校准机构180的细节。

[0077] 图6是说明根据本发明的实施例的存储器系统100(图1)的操作的实例方法600的流程图。方法600可包含处理电平校准机构176(图1)的实施。可例如由用于存储器装置102或主机装置108的处理电路(例如控制器106、存储器阵列104、用于主机装置108的处理器、其中部分或其组合(都在图1中))执行或实施处理电平校准机构176。处理电平校准机构176可包含控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合的配置。处理电平校准机构176可进一步包含存储于控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合内或使用控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合存取的一或多个方法、过程、步骤或指令、信息或其组合。

[0078] 可利用或实施处理电平校准机构176以调整处理电平154(图1)，例如读取电平电压158(图1)。处理电平校准机构176可基于确定或识别取样触发620而开始。取样触发620可表示用来提示或开始处理电平校准机构176的状态、信号、配置或结果。例如，取样触发620可包含来自主机装置108(图1)的信号或命令，例如中断服务例程。还例如，取样触发620可包含存储器装置102、存储器系统100或其组合的特定状态，例如通电或断电。还例如，取样触发620可包含操作或过程的特定数目、一天中的时间或其组合。

[0079] 在框602处，处理电平校准机构176可选择用于对存储器单元122(图1)分组以供处理的存储器页124(图1)的完全编程存储器页。选定页可对应于基于单元类型(例如SLC、MLC及TLC)的一或多个页类型。选定页可进一步对应于字线群组144中的一者及字线。可随机地、反复地选择或其组合。总体来说，基于针对每一外反复随机地选择每一裸片内的存储器块126(图1)中的一者，页选择可为随机的。此外，存储器系统100可选择存储器块126的经完全编程中的一者。可以各种方式完成存储器单元122的分组的选择。

[0080] 例如，存储器系统100可基于随机地选择包含存储器页的存储器块126中的一者而随机地选择存储器页124中的一者。存储器系统100可使用对应于下页148(图1)、上页150(图1)、额外页152(图1)或其组合的可用于对应字线群组的读取电平电压158反复地取样选定页124。因此存储器系统100可选择使得可针对相同页取样每一字线群组的所有页类型的所有修整或处理电平154。还例如，存储器系统100可随机地选择页，其是基于随机地选择包含所述选定页的存储器块126中的一者。一旦选择所述块，可针对各取样过程随机地选择所述页。换句话说，处理电平校准机构176可选择使得可针对随机页取样每一字线群组的不同页类型的修整。

[0081] 在框604处，处理电平校准机构176可获得修整或确定对应于存储器页124的处理电平154中的一或多者。例如，控制器106、主机装置108或其组合可存取电平寄存器164(图1)以获得修整或确定处理电平154中的一或多者。作为更特定实例，控制器106可确定对应于下页148、上页150、额外页152或其组合的读取电平电压158以用于根据选定页存取所存储信息。

[0082] 在框606处，处理电平校准机构176可提供一或多个偏移处理值。例如，控制器106、主机装置108或其组合可基于读取电平电压158及偏移量度320(图3)计算第一偏移电平316(图3)、第二偏移电平318(图3)或其组合。作为更特定实例，控制器106可存取存储于其中的嵌入式存储器中、从主机接收、存储于存储器阵列104上或其组合的偏移量度320。控制器106可基于将偏移量度320与读取电平电压158相加或基于根据偏移量度320沿一个方向从读取电平电压158移位而计算第一偏移电平316。控制器106可基于将偏移量度320与读取电平电压158相减或基于根据偏移量度320沿相反方向从读取电平电压158移位而进一步计算第二偏移电平318。

[0083] 在框608处，处理电平校准机构176可根据一或多个电平取样。例如，控制器106、主机装置108或其组合可确定对应于处理电平154中的一或多者或其偏移的一或多个结果，例如读取电平电压158连同第一偏移电平316、第二偏移电平318或其组合。

[0084] 作为更特定实例，控制器106、主机装置108或其组合可使用读取电平电压158确定中心结果304(图3)以用于处理对应于选定页的存储器单元122的数据。存储器系统100可使用中心结果304读取所存储数据。存储器系统100可使用ECC对所存取数据实施错误校正/检测机构以处理对应于读取电平电压158的任何错误。存储器系统100可确定对应于读取电平电压158的错误计数168(图1)以确定中心结果304。

[0085] 继续所述实例，存储器系统100可类似地计算对应于第一偏移电平316、第二偏移电平318或其组合的错误计数168。存储器系统100可确定第一偏移结果306(图3)为起因于使用第一偏移电平316存取的数据的错误计数168。存储器系统100可确定第二偏移结果308(图3)为起因于使用第二偏移电平318存取的数据的错误计数168。存储器系统100可从相同读取阈值谷值或相同MLBi修整寄存器执行4次读取。

[0086] 存储器系统100可存储一或多个错误计数或结果、对应电平、或其组合。存储器系统100可将中心结果304、第一偏移结果306、第二偏移结果308、对应处理电平或其组合存储于控制器106的嵌入式存储器、存储器阵列104、主机装置108或其组合中。

[0087] 在框610处，处理电平校准机构176可评估调整或校准处理电平154的结果。例如，存储器系统100可通过基于中心结果304、第一偏移结果306、第二偏移结果308或其组合计算电平校准反馈量度302(图3)来评估结果。存储器系统100可计算包含电平调整量度622、错误差量度322(图3)或其组合的电平校准反馈量度302。电平校准反馈量度302可表示第一偏移结果306与第二偏移结果308之间的较大值、第一偏移结果306与第二偏移结果308相对于中心结果304的差值之间的较大值或其组合。

[0088] 作为更特定实例，存储器系统100可基于比较中心结果304、第一偏移结果306、第二偏移结果308或其组合确定电平调整量度622为指示或结果。作为进一步特定实例，存储器系统100可确定电平调整量度622为第一偏移结果306与第二偏移量结果308之间的差，或为第一偏移量结果306及第二偏移量结果308的哪一者更大的指示。

[0089] 作为更特定实例，存储器系统100可基于组合中心结果304、第一偏移结果306及第二偏移结果308中的两者或更多者而计算错误差量度322。作为进一步特定实例，存储器系统100可计算错误差量度322作为第一偏移结果306与中心结果之间的差、第二偏移结果308与中心结果304之间的差或其组合。

[0090] 继续所述实例，存储器系统100还可计算错误差量度322作为中心结果304与第一偏移结果306及第二偏移结果308的组合(例如其数学推导、其逻辑组合、或其统计表示或平均值)之间的差。处理电平校准机构176可包含经配置以根据起因于框608中所表示的取样步骤的错误计数计算错误差量度322的方法、方程式、过程、电路或其组合。

[0091] 在框612处，处理电平校准机构176可确定处理电平154的更新。存储器系统100可基于各种结果产生经更新电平624。经更新电平624是读取电平电压158的新的经调整或经校准值。经更新电平624可替换读取电平电压158的先前使用例子。存储器系统100可以各种方式产生经更新电平624。例如，控制器106、主机装置108或其组合可基于各种结果产生经更新电平624。作为更特定实例，存储器系统100可产生经更新电平624作为对应于错误计数168的最低例子的读取电平电压158、第一偏移电平316或第二偏移电平318。还作为更特定实例，存储器系统100可产生经更新电平624作为读取电平电压158、第一偏移电平316及第二偏移电平318的加权平均值的结果。每一加权平均值是基于错误计数168或结果的对应例子。

[0092] 还例如，当一个以上测试电平导致相同位错误率时，存储器系统100可选择较低阈值作为经更新电平624。作为更特定实例，如果读取电平电压158及较低偏移电平两者对应于相同错误率，那么存储器系统100可选择较低偏移电平为经更新电平624。

[0093] 还例如，控制器106、主机装置108或其组合可基于根据各种结果调整处理电平154而产生经更新电平624。存储器系统100可基于用来产生样本的电平调整量度622及读取电平电压158(例如通过根据电平调整量度622移位或递增读取电平电压158)而产生经更新电平624。

[0094] 还例如，控制器106、主机装置108或其组合可基于错误差量度322(例如通过基于各种读取电平及对应错误计数、各种读取电平及对应错误计数的历史或先前例子、或其组合计算经更新电平624作为对应于最低估计错误计数的电平的预测或估计)产生经更新电平624。作为更特定实例，存储器系统100可利用曲线拟合或估计函数、斜率计算或其组合来估计对应于最小错误计数的电平。

[0095] 存储器系统100可产生经更新电平624以用于随后处理存储器页124的数据。存储器系统100可进一步产生经更新电平624以用于平衡第一偏移结果306及第二偏移结果308。存储器系统100可产生经更新电平624，以寻求将读取电平电压158居中于如图4B中所说明的最小错误计数，从而使第一偏移结果306及第二偏移结果308的对应例子在量值上类似或在彼此的阈值范围内。

[0096] 存储器系统100可确定用于取样过程的处理电平154是否居中。例如，存储器系统100可基于读取电平电压158的趋势、模式或行为产生居中状态626。居中状态626是指示读取电平电压158或读取电平电压158的调整或更新处于或接近如图3C中所说明的最小错误计数的确定或结果。

[0097] 存储器系统100可以各种方式产生居中状态626。例如，如果经更新电平624相同于读取电平电压158或在其阈值量内，那么居中状态626可指示所用读取电平电压158居中。还例如，居中状态626可基于比较当前反复及之前或先前反复的错误计数或结果而指示当前反复之前的读取电平电压158是最低的。居中状态626读取电平电压158、经更新电平624或其组合处于处理电平154的目标或所期望例子。

[0098] 还例如，存储器系统100可基于先前改变方向628及当前改变方向630产生居中状态626。先前改变方向628是用于读取电平电压158的先前例子的模式、趋势、行为或其组合。先前改变方向628可包含用于在当前反复之前的读取电平电压158的一或多个例子的斜率或其符号。存储器系统100可基于处理电平154的至少一个先前例子及处理电平154的当前例子计算先前改变方向628。

[0099] 当前改变方向630是用于读取电平电压158、经更新电平624或其组合的当前例子的模式、趋势、行为或其组合。先前改变方向628可包含用于读取电平电压158相对于读取电平电压158的先前例子或在读取电平电压158与经更新电平624之间的斜率或符号。存储器系统100可基于当前读取电平电压158及经更新电平624计算当前改变方向630。

[0100] 存储器系统100可基于比较当前改变方向630与先前改变方向628而产生居中状态626。在当前改变方向630及先前改变方向628指示错误计数168跨反复的模式或行为改变时，存储器系统100可产生居中状态626。例如，在当前改变方向630及先前改变方向628不同时，例如当取样结果在如图3C中所说明的最小值点附近或经过所述最小值点时抖动时，存储器系统100可产生居中状态626。

[0101] 存储器系统100可进一步利用其它参数来产生居中状态626。例如，存储器系统100可基于中心结果304与第一结果306之间、中心结果304与第二结果308之间、第一结果306与第二结果308之间的一或多个斜率或其组合产生居中状态626。还例如，存储器系统100可基于随时间推移对应于调整或校准的各种斜率或结果的模式或趋势产生居中状态626。存储器系统100可使用居中状态626作为旗标以中断偏移计算、取样、评估及更新步骤。相反，存储器系统100可将最终经更新电平624存储到对应于所评估存储器页124的电平寄存器164中。

[0102] 针对处理电平校准机构176的后续实施，存储器系统100可基于最初比较读取电平电压158与经更新电平624而移除居中状态626。当读取电平电压158及经更新电平624相同或在预定阈值内时，存储器系统100维持居中状态626。当读取电平电压158及经更新电平624不同或进一步分离超过预定阈值时，存储器系统100可取消或移除居中状态626。

[0103] 存储器系统100可使用经更新电平624、居中状态626或其组合来保持处理电平154或阈值中的每一者居中。经更新电平624提供用于在存储器系统100的操作期间最小化位错误率的改进性能的益处。经更新电平624及处理电平校准机构176可动态地更新读取电平电压158以针对在存储器装置102的制造、初始配置及部署之后的预期使用期间的任何改变或留心进行调整及校准。

[0104] 在框614处，处理电平校准机构176可计算增益控制632。增益控制632是经配置以动态地调整表示读取电平电压158与第一偏移电平316之间的离距、读取电平电压158与第二偏移电平318之间的离距或其组合的偏移量度320的参数。可由处理电平校准机构176使用增益控制632以通过控制偏移量度320来有效地加宽或缩窄中心样本与低/高样本之间的间隔或离距。与设定为非最优电压的读取电平电压158的偏差或偏移可增加错误计数168。因此，可基于复原极限634计算增益控制632，使得第一偏移结果306及第二偏移结果308将保持低于复原极限634。

[0105] 控制器106、主机装置108或其组合可基于反馈量度302(例如错误差量度322)计算增益控制632。存储器系统100可以各种方式计算增益控制632。例如，存储器系统100可基于每次反复基于比较错误差量度322与预定阈值或范围而递增地增加或减少一个增量而计算增益控制632。还例如，存储器系统100可基于根据包含根据错误差量度322的对应值的增益控制632的各种可能值的预定列表或表而指派值而计算增益控制632。还例如，存储器系统100可利用使用错误差量度322作为输入的预定方程式来计算增益控制632。

[0106] 作为更特定实例，存储器系统100可确定其中错误差量度322超过或满足预定阈值的读取次数。存储器系统100可例如基于裸片的错误差量度322的数学组合、统计组合或逻辑组合而组合或加总裸片的错误差量度322。经组合或经加总量度可用作预定阈值、列表或表、或方程式的输入以计算增益控制632。

[0107] 可根据目标量变曲线402(图4)计算增益控制632。可以反复方式进一步计算增益控制632。可根据如由预定方程式、表、列表、阈值或范围、机构、或其组合表示的增益控制632与电平分布曲线410(图4)之间的关系计算增益控制632。可计算增益控制632以根据如由预定方程式、表、列表、阈值或范围、机构、或其组合表示的其与所取样数据的关系而影响分布谷值406(图4)。可计算增益控制632以具有错误差量度322的最小值与最大值之间的样本。此外，可基于复原极限634计算增益控制632。复原极限634是对错误复原机构172(图1)的数据的可复原性的约束。复原极限634可基于ECC。复原极限634可描述存储器系统100可处置或校正的错误的数目。

[0108] 存储器系统100可基于增益控制632计算偏移量度320。存储器系统100可基于组合偏移量度320与增益控制632或根据增益控制632调整偏移量度320而调整或更新偏移量度320。例如，存储器系统100可使用增益控制632作为偏移量或因子。还例如，存储器系统100可根据由增益控制632指定的增量数目或方向增大或减小偏移量度320。还例如，存储器系统100可使用增益控制量632作为预定表或方程式的输入来计算偏移量度320。

[0109] 偏移量度320、增益控制632或其组合的计算、调整或更新可基于居中状态626。偏移量度320、增益控制632或其组合的计算、调整或更新可在校准裸片中的所有修整时、在已采取最小或阈值数目个样本时或其组合发生。可将取样结果、经更新电平624、居中状态626、增益控制632、电平校准反馈量度302、其处理或统计结果、或其组合存储于存储器装置
102、主机装置108或其组合中。可跨处理电平校准机构176的反复或实施存取所存储信息。

[0110] 例如，处理电平校准机构176可利用一或多个回路。作为更特定实例，反复可对应于与处理电平校准机构176相关联的所有裸片的所有读取电平修整的一个样本。读取电平电压158的更新或调整可基于反复计数达到预定阈值而发生。每一修整可在其已被取样预定次数之后获得更新。反复可根据每一裸片或整组存储器阵列104进一步重复。

[0111] 图6例如展示外回路及内回路。存储器系统100可针对外回路选择裸片或存储器页。内回路可针对选定修整或页类型取样、评估结果且确定读取电平电压158的更新。外回路可在持续时间内从多个不同块对来自内回路的结果分级。一旦已完成足够内回路测量，外回路便可调整或校准读取电平电压158。内回路、外回路或两者一起工作可反复地调整读取电平电压158，直到选定页或裸片上的页类型146中的每一者的居中状态626。

[0112] 还例如，可在持续时间内实施处理电平校准机构176多次。处理电平校准机构176的每一实施可为具有或不具有任何单独内部反复过程的反复。存储器系统100可存储用于或起因于处理电平校准机构176的每一实施的信息。

[0113] 存储器系统100可跨反复存储各种信息或存储各种信息以供其它机构(例如目标校准机构178(图1)、步阶校准机构180(图1)或其组合)存取。例如，存储器系统100可在取样阶段期间、在居中状态626之后或其组合存储每一字线群组144的每一页类型146的错误计数168、或处理结果或表示。还例如，存储器系统100可存储增益控制632、错误差量度322或其组合。存储器系统100可在实施处理电平校准机构176或其部分或反复之后、或基于实施处理电平校准机构176或其部分或反复，实施目标校准机构178、步阶校准机构180或其组合。

[0114] 存储器系统100可使用处理电平校准机构176来初始化处理电平154，动态地校准处理电平154或其组合。存储器系统100可在存储器装置102的部署或预期使用之前实施处理电平校准机构176作为存储器装置102的制造或配置的部分。存储器系统100可在存储器装置102的部署或预期使用期间且在存储器装置102的制造或配置之后，进一步动态地实施处理电平校准机构且动态地更新处理电平154。

[0115] 例如，存储器系统100可初始化且调整超过制造电平640的读取电平电压158。制造电平640可为最初经提供或经配置以用于制造存储器装置102的处理电平154的例子，例如读取电平电压158。制造电平640可为考虑存储器单元122的理想或估计行为或特性而非实际行为或特性的出厂默认值或配置默认值。

[0116] 存储器系统100可利用方法600来针对存储器装置102的每一例子将制造电平640调整为最优读取电平电压158。存储器系统100可从制造电平640开始选择、获得修整、计算与修整相关联的互补电平、取样、评估结果、且确定更新，如上文所描述。对应于居中状态626的电平可为读取电平电压158的经初始化例子以用于部署、销售、出货或预期使用。

[0117] 对于初始化，存储器系统100可识别用于表示最初在存储器阵列104的制造期间确定的处理电平154的制造电平640。存储器系统100可使用制造电平640的识别作为取样触发620来实施上文所描述的步骤。

[0118] 存储器系统100最初可在存储器阵列104的使用或部署之前且在动态地产生经更新电平624之前校准处理电平154。存储器系统100最初可使用选定存储器单元122的制造电平640确定中心结果304。存储器系统100最初可使用不同于制造电平640的偏移电平确定偏移结果。存储器系统100可基于根据中心结果304及偏移结果调整制造电平640而产生处理电平154，且替换制造电平640以用于存储器阵列104的部署或预期使用。存储器系统100可基于以快于经设计以用于部署后实施的速率的加速速率实施上文所描述的操作而初始化。

[0119] 在初始化及部署之后且在预期使用期间，存储器系统100可进一步实施处理电平校准机构176以动态地校准且优化处理电平154。存储器系统100可继续跟踪与存储器装置102、处理电平校准机构176或其组合的使用相关联的各种数据及统计数据。存储器系统100可使用跟踪数据来连续地校准处理电平154。

[0120] 读取电平电压158的动态校准提供改进存储器装置102的总体BER的益处。由处理电平校准机构176起始的每一样本可返回特定裸片及特定页类型阈值的数据。在许多这些操作内，可在闭合回路系统中加总返回信息并反馈返回信息。

[0121] 读取电平电压158的动态校准提供减少大量裸片的周期性读取电平校准或修整的益处。预计此消除或减少校准时存储器装置102的性能的突然或急剧下降。

[0122] 读取电平电压158的动态校准及将读取电平电压158维持于居中值提供在其中可使用线内硬件的正常ECC无法以其它方式校正数据的情况下减少错误复原机构172的触发事件的益处。触发事件的减少可进一步总体上改进存储器装置102的性能。

[0123] 增益控制632提供使读取电平电压158居中时的进一步准确度。可利用增益控制632来准确地设定偏移量度320，这可导致改进偏移电平与读取电平电压158之间之间隔。改进间隔可改进错误计数的跟踪，同时保持于复原极限634内。

[0124] 出于说明目的，已结合上文所例示的序列及过程描述图6中所展示的流程图。然而，应理解，方法600可不同。例如，如框614所表示的增益控制的计算可为反复过程。还例如，可在如框610中所表示的评估结果之前或作为如框610中所表示的评估结果的部分而计算增益控制。还例如，方法600可进一步包含用于在框612中触发处理电平更新、用于在框614中计算增益控制或其组合的投票系统。

[0125] 图7是说明根据本发明的实施例的存储器系统100(图1)的操作的进一步实例方法700的流程图。方法700可包含目标校准机构178(图1)的实施。目标校准机构178可连续地修改程序验证(PV)目标位置。

[0126] 可例如由用于存储器装置102或主机装置108的处理电路(例如控制器106、存储器阵列104(例如，裸片或单元)、用于主机装置108的处理器或其组合(都在图1中))执行或实施目标校准机构178。目标校准机构178可包含控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合的配置。目标校准机构178可进一步包含存储于控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合内或使用控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合存取的一或多个方法、过程、步骤或指令、信息或其组合。

[0127] 可利用或实施目标校准机构178以调整例如分布目标404中的一或多者、分布谷值406中的一或多者或其组合(都在图4中)的目标量变曲线402。可基于目标处理周期712触发或起始目标校准机构178或其部分。目标处理周期712是经设定以用于实施目标校准机构
178或其反复或部分的持续时间或特定时间。目标处理周期712可基于存储器装置102的状态、信号、配置、或处理值或结果。例如，目标处理周期712可包含或基于驱动填充间隔。

[0128] 可基于如框702中所表示的处理电平校准机构176(图1)或方法600(图6)触发或起始目标校准机构178或其部分。可基于实施或完成处理电平校准机构176或其一或多个反复或者在实施或完成处理电平校准机构176或其一或多个反复之后，实施目标校准机构178。例如，目标校准机构178或其部分可基于起因于处理电平校准机构176的居中状态626(图6)而开始。目标校准机构178可使用连续地校准处理电平154(图1)或其处理结果的处理电平校准机构176的结果或副产物(例如电平校准反馈量度302(图3)或错误量度166(图1))作为反馈度量。

[0129] 此外，目标校准机构178或其部分的实施或完成可重新触发或起始处理电平校准机构176。目标校准机构178可动态地更新可用来重新校准处理电平154(图1)的目标量变曲线402。例如，存储器系统100可基于实施目标校准机构178而复位、清除或移除居中状态626。还例如，无论是否从目标校准机构178进行任何初始化或在未从目标校准机构178进行任何初始化的情况下，可实施处理电平校准机构176。

[0130] 在框702处，目标校准机构178可获得用于存储器单元122(图1)的分组的目标量变曲线402。例如，可针对目标校准机构178以各种方式选择存储器单元122。在一个实施例中，存储器系统100可选择对应于裸片的存储器单元122。还例如，目标校准机构178可在裸片中或由裸片实施。还例如，无论页映射142(图1)如何，可在字线群组144(图1)中的每一者内独立实施目标校准机构178。

[0131] 针对存储器单元122的选定分组，存储器系统100可例如通过存取或读取来确定存储于控制器106的嵌入式存储器、存储器阵列104、主机装置108或其组合中的目标量变曲线402的当前对应例子。存储器系统100可基于含有必需信息的背景记录174(图1)进一步确定。

[0132] 存储器系统100可确定包含表示与存储器单元122的处理电平154相关联的行为或状态的分布目标404的目标量变曲线402，例如中间目标409(图4)及边缘目标408(图4)、分布谷值406或其组合。分布目标404可各自对应于存储器单元122的页类型146(图1)的特定例子、特定内容或位值、或其组合。

[0133] 分布谷值406可表示分布目标404的相邻例子之间的离距。分布谷值406可进一步表示页类型146的相邻例子、特定内容或位值的相邻例子、或其组合之间的处理电平154的离距。

[0134] 在框704处，目标校准机构178可基于反馈度量处理分布目标404。例如，存储器系统100可根据反馈度量对分布目标404或其表示分类。在一个实施例中，存储器系统100可例如通过存取或读取来确定对应于存储器单元122的反馈参数。存储器系统100可确定起因于使用处理电平154或实施处理电平校准机构176或者基于使用处理电平154或实施处理电平校准机构176计算的反馈参数。例如，存储器系统100可基于居中状态626反映处理电平154的稳定性或优化而确定反馈参数且实施目标校准机构178，如上文所论述。

[0135] 在另一实施例中，存储器系统100可确定与动态地校准存储器单元122的处理电平154相关联的反馈参数，例如错误量度166、电平校准反馈量度302或其组合。例如，存储器系统100可读取或存取错误计数168(图1)、中心结果304(图3)、错误差量度322(图3)、电平分布曲线410(图4)或其组合。

[0136] 还例如，存储器系统100可确定反馈参数，包含基于对应于存储器单元122的处理电平154的错误量度166(例如基于实施处理电平校准机构176或其修改)计算的错误差量度322。存储器系统100可读取或存取基于相关联于偏移样本的中心与平均值之间的错误量度
166的差、跨页或单元的平均值或其组合计算的错误差量度322。存储器系统100可确定对应于分布目标404中的每一者的错误差量度322或其平均值。

[0137] 错误差量度322可对应于分布谷值406或分布谷值406的特性、RWB或其组合。存储器系统100可确定错误差量度322或其导数作为谷值深度714的表示。谷值深度714表示与分布谷值406中的每一者相关联的量值或程度。谷值深度714可定量地表示分布目标404之间的离距的量值或程度。谷值深度714可进一步表示或对应于处理电平154或分布目标404中的每一者的RWB。

[0138] 存储器系统100可进一步处理目标量变曲线402。在一个实施例中，存储器系统100基于电平校准反馈量度302(例如基于错误差量度322、错误量度166或中心结果304、或其组合)处理目标量变曲线402。

[0139] 存储器系统100可确定表示分布目标404、分布谷值406或其组合的相关特性或描述的目标性能曲线716。例如，存储器系统100可根据电平校准反馈量度302确定目标性能曲线716为分布目标404、分布谷值406或其组合的排序或分类列表。

[0140] 在框706处，目标校准机构178可识别用于调整分布目标404的特定页。存储器系统100可识别高性能页718及低性能页720。存储器系统100可基于目标性能曲线716识别高性能页718及低性能页720。存储器系统100可基于比较对应于例如目标性能曲线716的分布目标404、分布谷值406或其组合的错误差量度322、错误量度166或其组合，替代地识别高性能页718及低性能页720。存储器系统100可识别高性能页718及低性能页720各自为对应于电平校准反馈量度302的最高或最低例子的页类型146的特定例子、特定位或内容值、分布目标404或中间目标409的特定例子、或其组合。

[0141] 在特定实例中，高性能页718可包含对应于错误差量度322的最低值、错误计数168的最低值或中心结果304、或其组合的分布目标404中的一或多者。低性能页720可为对应于错误差量度322的最高值、错误计数168的最高值或中心结果304、或其组合的分布目标404。

[0142] 高性能页718可表示“较低需求”的特定逻辑页，且低性能页720可表示“较高需求”的特定逻辑页。高性能页718及低性能页720可基于字线群组144内的相同页类型的分布谷值406的相关RWB。页类型的最高需求谷值可为主导错误计数168或引起比任何其它谷值更大BER损失的谷值。存储器系统100可使用错误差量度322来确定较高需求谷值及较低需求谷值、需求次序，如由目标性能曲线716所表示。

[0143] 使用电平校准反馈量度302识别的高性能页718及低性能页720提供改进跨不同页类型平衡BER的准确度的益处。错误差量度322的量值可靠地特性化分布谷值406的宽度或谷值深度714，且因这可靠地特性化RWB。例如，错误差量度322的较高值对应于较窄谷值及较小RWB。

[0144] 使用基于起因于动态校准读取电平的三个样本计算且使用增益控制632(图6)控制的错误差量度322提供改进跨不同页类型平衡BER的准确度的益处。增益控制632可有效地校准错误差量度322，使得浅谷值与深谷值之间的量度变得更容易区分。增益控制632可维持中心样本与低及高样本之间的距离以用于改进分辨率。增益控制632可通过防止样本差值过低，使得差难以区分且通过防止所述样本差值过高使得错误复原机构172(图1)的总体例子被触发且使反馈值无意义来提供错误差量度322的有效值。

[0145] 在框708处，目标校准机构178可调整由目标量变曲线402表示的PV目标。存储器系统100可通过调整分布目标404中的一或多者、分布谷值406中的一或多者或其组合来调整或校准目标量变曲线402。

[0146] 存储器系统100可产生用于替换分布目标404中的一或多者且有效地移位分布目标404的一或多个经调整目标420。经调整目标420是与页类型、位、或内容值或其组合相关联的所述组所期望数量或发生，其中电压电平不同于对应分布目标404。经调整目标420可包含具有经改变或经调整分布量或形状、对应电压电平或其组合的分布目标404的例子。

[0147] 存储器系统100可基于实施处理电平校准机构176以动态地产生经更新电平624(图6)且动态地校准处理电平154而产生经调整目标420(图4C)。存储器系统100可基于或根据错误差量度322产生经调整目标420。

[0148] 存储器系统100可基于根据错误差量度322改变或移位分布目标404、分布谷值406或其组合的一或多个例子而产生经调整目标420。例如，存储器系统100可产生对应于或用于替换高性能页718、低性能页720或其组合的目标的经调整目标420。还例如，存储器系统100可产生用于控制或平衡对应于高性能页718、低性能页720或其组合的分布谷值406、谷值深度714或其组合的经调整目标420。

[0149] 存储器系统100可产生用于如上文所论述那样选择的存储器单元122的经调整目标420。无论页映射142如何，存储器系统100可在裸片内、在字线群组144内或其组合产生经调整目标420。

[0150] 存储器系统100可以各种方式产生经调整目标420。存储器系统100可使用边缘目标408作为参考点且调整中间目标409而不调整边缘目标408。

[0151] 存储器系统100还可基于无效带区(dead-band zone)722产生经调整目标420。无效带区722可表示对应于分布目标404的处理电平154的错误量度166的阈值范围。存储器系统100可基于比较无效带区722与错误量度166而产生经调整目标420。

[0152] 例如，存储器系统100可产生对应于或用于校准中间目标409、高性能页718、低性能页720或其组合的经调整目标420。还作为更特定实例，当对应分布目标404含有无效带区722外的BER时，存储器系统100可产生经调整目标420。

[0153] 存储器系统100还可基于跨存储器单元122的页类型146平衡错误量度166而产生经调整目标420。存储器系统100可产生将跨存储器单元122的页类型146平衡且实现类似电平的BER、错误计数、谷值深度714或其组合的经调整目标420。

[0154] 存储器系统100还可基于根据目标调整值422(图4)移位或移动分布目标404而产生经调整目标420。作为更特定实例，存储器系统100可通过增大或减小对应电压电平及其阈值达目标调整值422来移位高性能页718及低性能页720。

[0155] 存储器系统100可基于预定增量或粒度计算目标调整值422。存储器系统100可基于确定对应于高性能页718与低性能页720之间的谷值深度714的组合的电压量值或量而进一步计算目标调整值422。存储器系统100可计算目标调整值422作为经估计以平衡高性能页718与低性能页720之间的谷值深度714或RWB的调整量。

[0156] 存储器系统100可进一步计算目标量变曲线402的目标调整值422为净零和。高性能页718及低性能页720的目标调整值422可为互补的，其中所述值的和是零。例如，目标调整值422可表示从高性能页718减小或取得且给予或添加到低性能页720的离距量或量值。对应于高性能页718的谷值及其相关联RWB可减小，且相同减小可用来增大对应于低性能页
720的谷值及其相关联RWB。

[0157] 因而，存储器系统100可产生对应于用于跨存储器单元122的不同页类型平衡错误量度166、谷值深度714或其组合的目标调整值422的经调整目标420。针对TLC，存储器系统100可产生对应于用于平衡及均等LP 148(图1)、UP 150(图1)与EP 152(图1)之间的BER的目标调整值422的经调整目标420。

[0158] 存储器系统100可基于错误计数168并且基于匹配RWB而产生经调整目标420以进一步执行BER调平。存储器系统100可基于跨分布目标404匹配中心样本(例如中心结果304)的错误计数168而产生经调整目标420。存储器系统100可基于跨分布目标404匹配错误差量度322而进一步产生经调整目标420。

[0159] 作为说明性实例，中心样本可用作反馈度量以通过相应地移动PV目标来等化LP/UP/XP错误率。此外，除中心样本外，可针对每一页类型匹配谷值深度。存储器系统100实施目标校准机构178可等化RWB的读取阈值电平且平衡BER的页类型。

[0160] 存储器系统100可维持恒定RWB，但管理用于改进BER及页类型BER匹配的调整。存储器系统100可使边缘目标408的PV标作为固定目标，例如图4A中被标记为L1及L7 PV目标的目标。可管理对中间目标409的PV目标(例如图4A中被标记为L2到L6的目标)的调整，使得连续地匹配页类型BER。

[0161] 继续所述说明性实例，存储器系统100可设定参考页类型724且反复地匹配其它页类型。使用TLC作为实例，参考页类型724可为LP 148、UP 150或EP 152中的一者。

[0162] 针对目标处理周期712的一个例子，存储器系统100可匹配参考页类型724与第一页类型726，第一页类型726不同于参考页类型724。因此，存储器系统100可产生对应于参考页类型724及第一页类型726的经调整目标420。

[0163] 针对目标处理周期712的另一例子，存储器系统100可匹配参考页类型724与第二页类型728，第二页类型728不同于参考页类型724及第一页类型726两者。因此，存储器系统100可产生对应于参考页类型724及第二页类型728的经调整目标420。

[0164] 作为说明性实例，存储器系统100可基于确定对应于最差情况BER的低性能页720的页类型146而产生经调整目标420。当最坏情况BER位于无效带区722外时，存储器系统100可产生用于实施净零PV目标改变的经调整目标420。

[0165] 当参考页类型724对应于低于第一页类型726的错误计数168时，参考页类型724或其相关联谷值可通过目标调整值422放弃或减小PV容限。第一页类型726的低性能页720或其相关联谷值可通过目标调整值422接收或增大PV容限。目标调整值422可为预定增量中的一或多者、或动态地计算以用于平均化两个页类型之间的PV容限的值。

[0166] 在一个实施例中，存储器系统100可产生用于替换对应于如图4A中所说明的L3/L4的参考页类型724的分布目标404的经调整目标420。经调整目标420可基于将L3/L4的分布目标404的PV容限减小达一个步阶或增量，从而减小对应谷值v4。经调整目标420可进一步用于替换对应于如图4A中所说明的L1/L2或L5/L6的第一页类型726的分布目标404。经调整目标420可基于将L1/L2或L5/L6的分布目标404的PV容限增大达一个步阶或增量，从而增加对应谷值v2或v6。

[0167] 当L3/L4给予L1/L2时，L2及L3的分布目标404可增大值且相对于图4A到4C中的插图右移。当L3/L4给予L5/L6时，L4及L5的分布目标404可减小值且相对于图4A到4C中的插图左移。

[0168] 当参考页类型724对应于高于第一页类型726的错误计数168时，参考页类型724或其相关联谷值可通过目标调整值422增加或增大PV容限。第一页类型726的高性能页718或其相关联谷值可通过目标调整值422放弃或减小PV容限。

[0169] 在一个实施例中，存储器系统100可基于将L3/L4的分布目标404的PV容限增大达一个步阶或增量而产生经调整目标420，从而增大对应谷值v4。经调整目标420可进一步基于将L1/L2或L5/L6的分布目标404的PV容限减小达一个步阶或增量，从而减小对应谷值v2或v6。

[0170] 当L3/L4取自L1/L2时，L2及L3的分布目标404可减小值且相对于图4A到4C中的插图左移。当L3/L4取自L5/L6时，L4及L5的分布目标404可增大值且相对于图4A到4C中的插图右移。

[0171] 在一个实施例中，存储器系统100可基于确定对应于最差情况BER的低性能页720的页类型146而类似地产生经调整目标420。当最坏情况BER在无效带区722外时，存储器系统100可产生用于实施中间目标409的净零PV目标改变的经调整目标420。存储器系统100可进一步基于基于错误差量度322的平均值的目标性能曲线716产生经调整目标420。

[0172] 当参考页类型724对应于低于第二页类型728的错误计数168或错误差量度322时，参考页类型724或其相关联谷值可通过目标调整值422放弃或减小PV容限。第二页类型728的低性能页720或其相关联谷值可通过目标调整值422接收或增大PV容限。

[0173] 在一个实施例中，存储器系统100可产生用于替换对应于L3/L4的参考页类型724的分布目标404的经调整目标420。经调整目标420可基于将L3/L4的分布目标404的PV容限减小达一个步阶或增量，从而减小对应谷值v4。经调整目标420可进一步用于替换对应于L2/L3、L4/L5或L6/L7的第二页类型728的分布目标404。经调整目标420可基于将L2/L3、L4/L5或L6/L7的分布目标404的PV容限增大达一个步阶或增量，从而增大对应谷值v3、v5或v7。

[0174] 当L3/L4给予L2/L3时，L3的分布目标404可增大值且相对于图4A到4C中的插图右移。当L3/L4给予L4/L5时，L4的分布目标404可减小值且左移。当L3/L4给予L6/L7时，L4、L5及L6的分布目标404可减小值且左移。

[0175] 当参考页类型724对应于高于第二页类型728的错误计数168或错误差量度322时，参考页类型724或其相关联谷值可通过目标调整值422增加或增大PV容限。第二页类型728的高性能页718或其相关联谷值可通过目标调整值422放弃或减小PV容限例如达一或多个增量或经计算以用于对两个页类型之间的PV容限求平均值的值。

[0176] 在一个实施例中，存储器系统100可基于将L3/L4的分布目标404的PV容限增大达一个步阶或增量从而增大对应谷值v4而产生经调整目标420。经调整目标420可进一步基于将L2/L3、L4/L5或L6/L7的分布目标404的PV容限减小达一个步阶或增量，从而增大对应谷值v3、v5或v7。

[0177] 当L3/L4取自L2/L3时，L3的分布目标404可减小值且相对于图4A到4C中的插图左移。当L3/L4取自L4/L5时，L4的分布目标404可增大值且右移。当L3/L4取自L6/L7时，L4、L5及L6的分布目标404可增大值且右移。

[0178] 存储器系统100可使用目标校准机构178来初始化目标量变曲线402，动态地校准目标量变曲线402或其组合。存储器系统100可在存储器装置102的部署或预期使用之前实施目标校准机构178作为存储器装置102的制造或配置的部分。存储器系统100可在存储器装置102的部署或预期使用期间且在存储器装置102的制造或配置之后，进一步动态地实施目标校准机构178且动态地产生经调整目标420且动态地更新目标量变曲线402。

[0179] 例如，存储器系统100可从每一PV目标处于如由NAND出厂设定或制造目标730定义的默认状态开始。制造目标730可为最初经提供或经配置以用于制造存储器装置102的目标量变曲线402的例子。制造目标730可为考虑存储器单元122的理想或估计行为或特性而非实际行为或特性的出厂默认值或配置默认值。出厂目标针对字线群组144的每一例子可不同。

[0180] 存储器系统100可利用方法700来将制造目标730调整为对于存储器装置102的每一例子最优的目标量变曲线402。存储器系统100可从制造目标730开始获得标的，处理目标，识别相关页或谷值，且调整目标，如上文所描述。最初实施目标校准机构178结束时的目标可为用于部署、销售、出货或预期使用的目标量变曲线402的初始化例子。此后，存储器系统100可进一步继续动态地实施目标校准机构178。

[0181] 对于初始化，存储器系统100可识别用于表示最初在制造存储器阵列104期间确定的目标量变曲线402的制造目标730。存储器系统100可使用制造目标730的识别作为触发来实施上文所描述的步骤。

[0182] 存储器系统100最初可在使用或部署存储器阵列104之前且在动态地产生经调整目标420之前，校准目标量变曲线402。存储器系统100最初可根据中心结果304及偏移结果(例如通过实施处理电平校准机构176)调整读取电平电压158。存储器系统100最初可基于在初始调整之后实施读取电平电压158而确定电平校准反馈量度302。存储器系统100可基于根据如上文所论述的反馈量度改变制造目标730的分布目标404而产生目标量变曲线402。

[0183] 存储器系统100可基于以快于经设计以用于部署后实施的速率的加速速率实施上文所描述的操作而初始化。存储器系统100可在工厂中的短时间周期内以加速速率实施处理电平校准机构176、目标校准机构178、步阶校准机构180(图1)或其组合，使得每一字线群组144将在运行客户固件之前具有经改进及加总读取阈值。

[0184] 目标量变曲线402的经调整或经校准例子(其中经调整目标420已替换对应分布目标404)可用来进一步触发处理电平校准机构176。例如，目标校准机构178可用作外回路，且处理电平校准机构176可用作内回路。处理电平校准机构176可根据或响应于目标量变曲线402的动态更新或校准而进一步更新处理电平154。

[0185] 允许使用目标校准机构178的PV目标改变可需要用相同PV目标编程裸片中的大多数块。因而，可需要块编程的几乎完全刷新。存储器系统100可据此维持两个不同PV目标编程块群组的最小集。存储器系统100可进一步使用用于处理电平校准机构176的读取阈值的单个集来恰当地操作，从而最小化BER多样性。

[0186] 存储器系统100可跨反复存储各种信息或存储各种信息以供其它机构(例如处理电平校准机构176、步阶校准机构180(图1)或其组合)存取。例如，存储器系统100可存储每一字线群组144的每一页类型146的目标量变曲线402或其阈值。还例如，存储器系统100可存储目标性能曲线716。

[0187] 基于实施目标校准机构178，存储器系统100可实施步阶校准机构180。例如，存储器系统100可利用跨页类型的RWB及BER等化来动态地调整编程存储器单元122时的编程步阶162(图1)。下文论述关于步阶校准机构180的细节。

[0188] 产生用于基于错误量度166、错误差量度322或其组合动态地校准目标量变曲线402的经调整目标420提供增加系统产品中的每一NAND裸片的耐用性(更多总体编程/擦除循环)的益处。动态平衡可确保任一页类型将不主导寿命终结准则，这被证明是过度触发速率尾部行为。每一页类型的BER可在系统产品的整个寿命内维持近似相同，且进一步最小化BER标准偏差。

[0189] 基于与错误量度166相关联的反馈度量产生用于动态地更新目标量变曲线402的经调整目标420提供平衡页类型BER的益处。存储器系统100可利用起因于处理电平校准机构176的错误量度166作为反馈量度，所述反馈量度可用作用于动态地平衡BER的处理度量。此外，来自处理电平校准机构176的处理结果的重新使用可使目标校准机构178能够以非常适量的额外固件额外负担来实施。

[0190] 出于说明目的，已结合上文所例示的序列及过程描述流程图。然而，应理解，方法700可不同。例如，框702到608可为具有从框708到框702的反馈回路的反复过程。还例如，方法700可包含针对一个驱动填充匹配参考页类型724与第一页类型726且针对后续驱动填充匹配参考页类型724与第二页类型728的一对互补过程。

[0191] 图8是说明根据本发明的实施例的存储器系统100(图1)的操作的另一实例方法800的流程图。方法800可包含步阶校准机构180(图1)的实施。步阶校准机构180可基于与存储器装置102(图1)的操作相关联的反馈度量连续地修改编程步阶162(图1)。步阶校准机构
180可在存储器装置102的整个寿命内连续地调整或校准NAND页编程时间502(图5)。

[0192] 例如，可由用于存储器装置102或主机装置108的处理电路(例如控制器106、存储器阵列104(例如裸片或单元)、用于主机装置108的处理器、其中部分或其组合(都在图1中))执行或实施步阶校准机构180。步阶校准机构180可包含控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合的配置。步阶校准机构180可进一步包含存储于控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合内或使用控制器106、存储器阵列104、主机装置108或其组合存取的一或多个方法、过程、步骤或指令、信息或其组合。可利用或实施步阶校准机构180以调整例如用于基于ISPP编程存储器单元122(图1)的编程步阶162。存储器系统100可确定且利用步阶校准机构180的背景记录174(图1)。存储器系统100实施步阶校准机构180可基于背景记录174(例如针对背景扫描数据或其推导)校准编程步阶162作为反馈度量。

[0193] 存储器系统100可在存储器装置102的操作期间确定背景记录174，例如框802中所表示。存储器系统100可以各种方式确定背景记录174。例如，存储器系统100可在存储器装置102的操作期间基于存储或跟踪与数据处理相关联的信息、性能或状态而确定背景记录174。存储器系统100可存储或跟踪相关联于或起因于在存储器阵列104的操作期间使用编程步阶162的错误量度166(图1)，例如错误计数168(图1)或错误率170(图1)或其处理结果。

[0194] 存储器系统100可跟踪与一或多个码字820相关联的错误量度166，编程步阶162用来写入数据。编程步阶162的增大可导致增大的BER。背景扫描可在其搜寻“不良数据”时读取码字820。可确定且跟踪错误量度166，例如位错误的数目。存储器系统100还可使用不同数目个错误的分级跟踪错误量度166。还作为更特定实例，存储器系统100可使用直方图类型的格式跟踪错误量度166。

[0195] 存储器系统100可通过每一裸片的存储器单元122、按照每一裸片的存储器单元122或在每一裸片的存储器单元122内实施步阶校准机构180。例如，存储器系统100可使用控制每一裸片或每一裸片内的处理电路来实施步阶校准机构180。还例如，存储器系统100可进一步实施步阶校准机构180而不限于、而不通过或根据字线群组144(图1)进行调整。相比于目标校准机构178(图1)，步阶校准机构180可通过裸片编程步阶大小调整来执行，而不通过字线群组144进行调整。

[0196] 可基于步阶处理周期822触发或起始步阶校准机构180或其部分。存储器系统100实施目标校准机构178可在步阶处理周期822期间或针对步阶处理周期822调整编程步阶162。步阶处理期间822是经设定以用于实施步阶校准机构180或其反复或部分的持续时间或特定时间。步阶处理周期822可基于存储器装置102的状态、信号、配置、或处理值或结果。
例如，步阶处理周期822可包含或基于驱动填充间隔。还例如，相比于目标处理周期712(图
7)，步阶处理周期822可为与其相同的类型、与其同时或交错、或其组合。

[0197] 可基于如框804中所表示用于连续处理电平校准的处理电平校准机构176(图1)或方法600(图6)、如框806中所表示用于连续PV目标验证的目标校准机构178(图1)或方法700(图7)、或其组合而进一步触发或起始步阶校准机构180或其部分。例如，可基于实施处理电平校准机构176以动态地校准包含读取电平电压158(图1)的处理电平154(图1)而实施步阶校准机构180。可基于读取电平电压158的居中状态626(图6)实施步阶校准机构180。

[0198] 例如，还可基于实施目标校准机构178以动态地校准目标量变曲线402(图4)而实施步阶校准机构180。当所有相关修整如裸片的读取电平电压158的居中状态626或其组合所指示般居中时，可基于实施目标校准机构178多于预定阈值次数而实施步阶校准机构180。

[0199] 此外，步阶校准机构180可比目标校准机构178更不频繁地实施。步阶校准机构180的延迟率或实施可确保处理电平154在其它情况下是稳定的，且进一步确保在动态地校准读取电平电压158、PV目标或其组合之后已收集背景记录174的足够数据点。

[0200] 在框808处，步阶校准机构180可处理背景记录174以用于校准编程步阶162。存储器系统100可处理背景记录174，例如在结构上操纵数据、在逻辑上操纵数据、在数学上操纵数据或其组合。例如，存储器系统100可基于处理背景记录174而产生累积分布函数(CDF)824。CDF 824可表示与错误量度166相关联的统计概率。CDF 824可表示错误量度166小于或等于特定值的概率。可基于或针对正规化背景记录174而产生CDF 824。

[0201] 存储器系统100可以各种方式产生CDF 824。例如，存储器系统100可反复地更新CDF 824且永久性地维持CDF 824。随着连续地确定背景记录174，存储器系统100可更新CDF 824。还例如，存储器系统100可针对步阶校准机构180的每一反复或实施产生CDF 824以校准编程步阶162而非反复地更新CDF 824且非永久性地维持CDF 824。

[0202] 还例如，存储器系统100可基于进一步处理CDF 824而进一步产生经调整函数结果828。经调整函数结果828可表示来自进一步操纵或处理CDF 824或背景记录174的处理结果，例如通过移位、逻辑或数学运算、重构或格式化CDF 824或背景记录174。

[0203] 经调整函数结果828可包含CDF 824或背景记录174的瀑布组织或格式。并且，经调整函数结果828可包含与CDF 824或背景记录174组合的一或多个预定值，例如乘法因子或加法偏移。

[0204] 在框810处，步阶校准机构180可计算用于更新或校准编程步阶162的触发。存储器系统100可基于处理反馈数据(例如针对背景扫描数据)导出触发。存储器系统100可基于计算触发量度830而导出触发。

[0205] 触发量度830是存储器单元122相对于错误复原机构172(图1)及编程步阶162的当前操作状态的表示。触发量度830可估计错误复原机构172(例如针对其可能性或其频率)的实施。触发量度830可进一步表示用于实施错误复原机构172的额外负担或离距。可基于背景记录174或其处理结果(例如CDF 824或经调整函数结果828)计算触发量度830。

[0206] 存储器系统100可以各种方式计算触发量度830。例如，触发量度830可包含触发速率832、触发容限834或其组合。

[0207] 触发速率832是实施错误复原机构172的频率或可能性的估计。触发速率832可针对各种状况或情况(例如基于改变编程步阶162)进一步估计错误量度166的预测。触发速率832可表示BER的预测。例如，触发速率832可与不可校正位错误率(UBER)相关联。还例如，触发速率832可基于与错误复原机构172相关联的错误的ECC位、码字820的速率或量度、或其组合。

[0208] 存储器系统100可使用估计机构836计算触发速率832。估计机构836可包含用于基于给定数据集预测进一步行为或模式的过程、方法、电路、配置、函数或其组合。例如，估计机构836可包含用于实施线拟合算法(例如线性或对数模式、统计可能性计算或其组合)的过程、方法、电路、配置、函数或其组合。

[0209] 存储器系统100可基于使用背景记录174或其推导(例如CDF 824或经调整函数结果828)作为估计机构836的输入而计算触发速率832。存储器系统100可根据背景记录174的模式或趋势预测或估计实施错误复原机构172的频率或可能性、错误计数168的预测或其组合。

[0210] 触发容限834是错误复原机构172的实施与对应于编程步阶162的错误量度166之间的关系的表示。例如，触发容限834可表示用于实施错误复原机构172的系统触发条件838与错误计数168之间的离距。系统触发条件838可包含用于起始错误复原机构172的预定条件，例如码字820的错误位的数目或不良或不正确例子的数目。与编程时间502相关联的改进性能可由触发容限834约束，其可为系统产品ECC复原率的量度。

[0211] 存储器系统100可基于系统触发条件838及错误量度166计算触发容限834。例如，存储器系统100可基于系统触发条件838与错误计数168之间的关系或离距(例如值之间的比或差)计算触发容限834。错误计数168可表示用于起始编程步阶162的改变的预定阈值下的位错误的数目。还例如，存储器系统100可基于系统触发条件838及错误计数168的对数表示计算触发容限834。

[0212] 存储器系统100可直接从错误计数168计算触发量度830。针对触发量度830，存储器系统100可使用可用数据而非执行线拟合及预测例如相较于触发速率832超出已收集的数据量。

[0213] 在框812处，步阶校准机构180可确定用于评估触发量度830的一或多个阈值。存储器系统100可基于确定触发控制曲线840而确定阈值。

[0214] 触发控制曲线840是用于评估触发量度830及更新或改变编程步阶162以便校准的预定阈值或范围。触发控制曲线840可包含触发速率832、触发容限834或其组合的极限、阈值或范围。例如，触发控制曲线840可包含用于起始编程步阶162的更新的概率、错误率或错误量值、或其组合。

[0215] 存储器系统100可基于比较触发量度830与触发控制曲线840而改变编程步阶162的值。开发者或设计者、制造商、用户、存储器系统100或其组合可在步阶处理周期822外预定触发控制曲线840。

[0216] 存储器系统100可通过存取存储于主机装置108或存储器装置102中的触发控制曲线840来确定触发控制曲线840。存储器系统100可基于根据滞后参数842调整触发控制曲线840的值而进一步确定触发控制曲线840。滞后参数842是用于在更新编程步阶162时控制重复模式的参数。滞后参数842可经配置以最小化沿相反方向连续地改变编程步阶162的抖动。当条件为分界线或接近极限时，滞后参数842可用来维持编程步阶162。滞后参数842可产生其中不进行更新的无效带。迟滞参数842可为与触发控制曲线840相关联的值，例如基于使用与触发控制曲线840相关联的因子、偏移或其组合的数学导数。类似于触发控制曲线
840，可在步阶处理周期822外预定滞后参数842。

[0217] 存储器系统100可基于滞后参数842调整触发控制曲线840。例如，存储器系统100可组合触发控制曲线840的预定值与滞后参数842以调整或进一步确定触发控制曲线840。触发控制曲线840的预定值可为阈值。当设定或存在滞后参数842时，触发控制曲线840可为以初始阈值为中心的范围，其中范围大小是基于滞后参数842。所述范围可基于根据滞后参数842增大及减小初始阈值(例如通过将滞后参数842或其处理导数与初始阈值相乘/相除或相加/相减)而计算。

[0218] 在框814处，步阶校准机构180可校准编程步阶162。存储器系统100可基于产生经调整步阶844作为编程步阶162的新值或例子以替换其既有值而校准编程步阶162。经调整步阶844可用于提供编程步阶162的经校准值。存储器系统100可基于触发控制曲线840及触发量度830(例如针对触发速率832或触发容限830)校准编程步阶162。存储器系统100可基于比较触发控制曲线840与触发量度830而产生用于校准编程步阶162的经调整步阶844。例如，存储器系统100可产生用于在触发速率832小于触发控制曲线840时增大编程步阶162的经调整步阶844。存储器系统100可产生用于在触发速率832大于触发控制曲线840时减小编程步阶162的经调整步阶844。当触发速率832等于触发控制曲线840或在基于滞后参数842的触发控制曲线840的范围之间时，存储器系统100可维持编程步阶162。

[0219] 还例如，存储器系统100可产生用于在触发容限834大于触发控制曲线840时增大编程步阶162的经调整步阶844。存储器系统100可产生用于在触发容限834小于触发控制曲线840时减小编程步阶162的经调整步阶844。当触发速率832等于触发控制曲线840或在基于滞后参数842的触发控制曲线840的范围之间时，存储器系统100可维持编程步阶162。

[0220] 存储器系统100可产生经调整步阶844作为用于调整编程步阶162的一或多个预定增量的正值或负值。存储器系统100可基于触发控制曲线840及触发量度830的组合(例如根据差、比或平均值)进一步产生经调整步阶844。存储器系统100可进一步产生用于增加或减少与编程步阶162相关联的编程时间502的经调整步阶844。存储器系统100可通过增大编程步阶162来减少编程时间502，且通过减小编程步阶162来增加编程时间502。此外，存储器系统100可进一步产生用于增大或减小与编程步阶162相关联的错误量度166的经调整步阶844。存储器系统100可减小编程步阶162以减小错误量度166，且以增大错误量度166为代价而增大编程步阶162。

[0221] 存储器系统100可产生用于平衡与将数据编程到存储器阵列104中相关联的编程时间502及错误量度166的经调整步阶844。存储器系统100可产生用以改进编程时间502同时维持如由触发控制曲线840表示的可接受错误电平的经调整步阶844。存储器系统100可产生用于改进编程时间502同时在存储器阵列104的操作或用户内维持触发量度830(例如以由触发控制曲线840表示的固定错误率或固定错误容限)的经调整步阶844。

[0222] 存储器系统100可使用步阶校准机构180来初始化编程步阶162，动态地校准编程步阶162或其组合。存储器系统100可在存储器装置102的部署或预期使用之前实施步阶校准机构180作为存储器装置102的制造或配置的部分。存储器系统100可在存储器装置102的部署或预期使用期间且在存储器装置102的制造或配置之后，进一步动态地实施步阶校准机构180且动态地产生经调整步阶844且动态地更新编程步阶162。

[0223] 例如，存储器系统100可从每一编程步阶处于如由NAND出厂设定或制造步阶846定义的预设状态开始。制造步阶846可为最初经提供或经配置以用于制造存储器装置102的编程步阶162的例子。制造步阶846可为考虑存储器单元122的理想或估计行为或特性而非实际行为或特性的出厂默认值或配置默认值。

[0224] 存储器系统100可利用方法800来将制造步阶846调整为编程步阶162，以平衡存储器装置102的每一例子的错误及编程时间。存储器系统100可从制造步阶846开始实施上文所描述的操作。最初实施步阶校准机构180结束时的编程步阶值可为用于部署、销售、出货或预期使用的编程步阶162的初始化例子。对于初始化，存储器系统100可识别用于表示最初在存储器阵列104的制造期间确定的编程步阶162的制造步阶846。存储器系统100可使用制造步阶846的识别作为触发来实施上文所描述的步骤。

[0225] 存储器系统100最初可在存储器阵列104的使用或部署之前且在动态地产生经调整步阶844之前校准编程步阶162。存储器系统100最初可根据中心结果304(图3)及偏移结果(例如通过实施处理电平校准机构176)而调整读取电平电压158。存储器系统100最初可例如通过实施目标校准机构178来进一步调整PV目标。可在使用制造步阶846的程序期间将数据加载或写入到存储器电路。

[0226] 存储器系统100初始可确定与制造步阶846相关联的背景记录174且基于背景记录174计算触发量度830。存储器系统100可根据触发量度830产生编程步阶162以用于如上文所描述那样更新及替换制造步阶846。

[0227] 存储器系统100可基于以快于经设计以用于部署后实施的速率的加速速率实施上文所描述的操作而初始化。存储器系统100可在工厂中的短时间周期内以加速速率实施处理电平校准机构176、目标校准机构178、步阶校准机构180(图1)或其组合，使得存储器单元122将在运行客户固件之前具有经改进及加总编程步阶。

[0228] 存储器系统100此后可进一步继续动态地实施步阶校准机构180。存储器系统100可进一步使用制造步阶846作为编程步阶162的最小阈值。在存储器装置102的制造之后，存储器系统100最初将可能增大编程步阶162。在存储器装置102的整个寿命或使用内，存储器系统100将可能减小编程步阶162以调整存储器阵列104的物理磨损或劣化。存储器系统100可使用制造步阶846作为用于动态校准的编程步阶162的下限或最小例子。存储器系统100可动态地产生用于维持编程步阶162大于或等于制造步阶846的经调整步阶844。

[0229] 编程步阶162的经调整或校准例子(其中经调整步阶844替换编程步阶162的先前例子或值)可用来进一步触发处理电平校准机构176、目标校准机构178或其组合。例如，存储器系统100可根据新编程步阶162重新调整读取电平电压158。还例如，存储器系统100可根据新编程步阶162重新调整目标量变曲线402。存储器系统100可跨页进一步利用平衡错误率及RWB来校准编程步阶162。

[0230] 存储器系统100可跨反复存储各种信息或存储各种信息以供其它机构(例如处理电平校准机构176、目标校准机构178或其组合)存取。例如，存储器系统100可存储累积分布函数、触发量度830、经调整步阶844或其组合。使用经调整函数结果828基于背景记录174处理的触发量度830提供动态地校准编程步阶162的能力。在存储器单元122的整个寿命内动态地且连续地校准编程步阶162与一般技术人员当前所知或预期完全不同。编程步阶162的动态及连续校准可通过取舍错误特性的非必需性能或过度性能以增加较短编程时间502来改进系统性能。

[0231] 产生用于动态地校准编程步阶162的经调整步阶844提供在存储器阵列104的整个寿命内改进系统产品性能的益处。编程步阶162的调整专门针对存储器阵列104的实时及实际状况或状态改进编程时间502。使用基于背景记录174使用经调整函数结果828处理的触发量度830动态地产生的经调整步阶844提供表示存储器阵列104的实时及实际状况或状态的增大准确度的益处。触发量度830的准确表示可用来更新编程时间502，同时维持可接受错误电平。

[0232] 出于说明目的，已结合上文所例示的序列及过程描述流程图。然而，应理解，方法800可不同。例如，框808到714可为具有从框814到框808的反馈回路(未展示)的反复过程。
还例如，可将框812及814组合成一个步骤。

[0233] 图9是根据本发明的实施例的包含存储器装置的系统的示意图。上文参考图1到7所描述之前述存储器装置中的任一者可并入到许多更大及/或更复杂系统中的任一者中，所述系统的代表性实例是图9中示意性地展示的系统980。系统980可包含存储器装置900、电源982、驱动器984、处理器986、及/或其它子系统或组件988。存储器装置900可包含大体上类似于上文参考图1到7所描述的那些存储器装置的特征，且可因此包含用于执行来自主机装置的直接读取请求的各种特征。所得系统980可执行各种功能中的任一者，例如存储器存储、数据处理及/或其它合适功能。据此，代表性系统980可包含但不限于手持型装置(例如，移动电话、平板计算机、数字阅读器及数字音频播放器)、计算机、车辆、电器及其它产品。系统980的组件可容纳于单个单元中或分布遍及多个互连单元(例如，通过通信网络)。系统980的组件还可包含远程装置及各种计算机可读媒体中的任一者。

[0234] 从前述内容，将明白，本文中已出于说明目的描述本发明的特定实施例，但可在不偏离本发明的情况下做出各种修改。另外，还可在其它实施例中组合或消除在特定实施例的上下文中所描述的新技术的特定方面。此外，尽管已在那些实施例的上下文中描述与新技术的特定实施例相关联的优点，但其它实施例还可展现此类优点且并非所有实施例一定需要展现此类优点以落于本发明的范围内。据此，本发明及相关技术可涵盖本文中未明确展示或描述的其它实施例。

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