本发明涉及一种无掩膜光子电子点格栅阵列光刻系统。本发明尤其 可以应用于对半导体衬底进行成像的光刻技术。
要求临时专利申请的优先权 本专利申请要求第60/331,035号美国临时专利申请的优先权。

光刻技术是一种用于在半导体衬底上产生图像的技术。通常，如果曝 光涂布在该衬底上的抗蚀剂，则将在掩膜或"初缩掩膜版（reticle )"形 成的图像转印到半导体衬底上。要求在半导体衬底上图形化越来越小的 特征图形，这样就要求在成像该图形时使用越来越短波长的光。使用远 紫外线（UV)波长光线的光刻系统以约0.25微米的分辨率产生图形。进 一步将波长降低到193 nm可以以0.18微米和0.13孩i米的分辨率成像图 形。为了进一步提高分辨率，需要使用更短的波长，而且为了以O.l微米 或者低于0.1微米的分辨率成像图形，人们已经提出了许多4吏用更短波长 电子束的系统。
例如SCALPEL ( L.R.Harriott， S.D.Berger, J.A丄iddle， G.P.Watson， 和M.M.Mkrtchyan， J.Vac.Sci. Technology, B12,3533(1994))内的电子束 掩膜投影使用被电子照射的散射掩膜图形化衬底。尽管这种系统的分辨 率高，但是它们受到要求制造多个特殊掩膜、要求包括多个电子透镜以 及波束中各粒子之间的随机库仑相互作用的极限的制约。在High throughput electron lithography with multiple aperture pixel
by pixel enhancement of resolution concept, Journal of Vacuum Science and Technology B 16(6)， Nov/Dec 1998，p.3177描述了 一种基于传统远紫 外线缩微扫描仪-步进器、使用4X掩膜的混合光子电子阵列光刻机。在 该建议中，利用微透镜阵列形成的106- 108子光束照射4X掩膜。在缩 微后，这些子光束在光子电子变换板上聚焦。子光子束触发发出窄电子 束。该电子束单独聚焦在晶片上。利用许多波束扫描掩膜和晶片，从而 曝光整个晶片。使用光学成像系统简化成像过程，而使用最终电子图形 化过程提供改进的分辨率。此外，这种理论克服了 SCALPEL系统内存 在的库仑相互作用的相干问题。
不幸的是，因为缺少设计规则而且广泛使用诸如OPC (近光校正 (Optical Proximity Correction ))和PSM (移相掩膜)的RET (分辨率 增强技术），所以用于图像投影系统的掩膜越来越困难，而且制造昂贵。 掩膜重复的电子投影系统还极端困难，而且制造昂贵。由于形成制造集 成电路所需的多个图形，需要许多掩膜，所以制造掩膜的时间延迟和掩 膜本身的花费是半导体制造过程中的显著成本。对于其中不能将掩膜的 成本分摊到大量器件的小批量器件的情况，尤其如此。因此，最好提供
一种不需要昂贵掩膜制造半导体芯片的快速光刻设备。此外，最好提高 光刻技术可实现的分辨率。此外，这种装备最好用于直接图形化少量衬 底，例如运行原型装备，而且用于制造掩膜。
因此，最好开发一种具有高分辨率电子成像系统、简化、快速光学系 统以及大吞吐量掩膜或大规模并行写系统，但是这样做又不需要掩膜的 混合光子电子系统。

本发明提供了一种无掩膜光子电子点格栅阵列光刻系统。根据本发 明，由空间光线调制器（SLM)阵列调制的光束的大型阵列产生图形。 光束聚焦在光子电子变换器上，这样形成相应电子束阵列。将电子束阵 列聚焦到衬底上，以在涂布了电子敏感抗蚀剂的衬底上曝光要求的图形。根据本发明，利用用于光刻（printing)的方法，可以部分地实现上 述以及其他优点，该方法包括步骤：产生基本平行的光束阵列；根据要 记录到衬底上的图像的采样，调制各光束，以形成点格栅图形；将调制 的光束变换为电子束，以提供相应电子束点格^t图形；以及在执^f亍产生、 调制、变换以及扫描步骤时相对于电子束，扫描衬底，以致将图像记录 到衬底上。
本发明的另一个优点是对可运动工作台的机械不精确性进行补偿的 步骤。
根据下面的详细说明，本技术领域内的熟练技术人员容易理解本发明 的其他优点，其中通过仅描述为了实现本发明而设想的最佳方式，只对 本发明的优选实施例进行了描述和说明。正如所实现的那样，本发明可 以有其他不同实施例，而且可以在各显而易见的方面，对其许多细节进 行修改，这些修改均属于本发明范围。因此，附图和描述均被认为是说 明性的，而非限制性的。

参考附图，在附图中，具有同样参考编号表示类似的单元，附图包
括：
图1示出根据本发明实施例的光刻机。
图1A示出图1所示电子光学器件155的一个实施例。
图1B示出光子电子变换器145的变换实施例。
图1C示出电子光学器件155的另一个实施例。
图1D示出电子光学器件155的另一个实施例。
图1E示出图1D所示电子偏转器阵列。
图2是根据本发明另一个实施例的光刻机的剖视图。
風3示出倾斜扫描图形的 一个例子。
图4是根据本发明另一个实施例的光刻机的剖视图。
图5A示出针孔阵列限幅器。
图5B示出光孔阵列。具体实施方式
本发明提供了 一种包括无掩膜直接写混合光学/电子成像系统的光刻 机。可编程光学系统形成被分别聚焦到光子电子变换器上的大规才莫光束 阵列。将由聚焦光束形成的点格栅图形变换为聚焦到被涂布了电子敏感 抗蚀剂的半导体衬底上的电子束的相应点格栅图形，以利用点格栅阵列 图形使该抗蚀剂曝光。然后，在将后续图形聚焦到衬底上时，利用可运 动工作台使衬底相对于电子束阵列位移，以在衬底上建立最终全像。
在本发明的特定实施例中，本发明光刻机的光学辐射源包括：光源， 用于产生基本平行的光束阵列；以及可编程空间光线调制器，选择性地 调制光束阵列中的光束。设置微透镜阵列，用于对从光源进入光子电子 变换器的光学进行聚焦。可以在空间光线调制器和微透镜阵列之间使用 诸如光学缩微器的中继光学器件，以减小光学图像的尺寸，从而使各像 素从空间光线调制器映射到微透镜阵列的相应单元。微透镜可以是二维 阵列的衍射或折射微透镜。光子电子变换器产生对应于入射到其上的光 学图像、但是显著减小了点尺寸的点格栅阵列电子图像。然后，利用适 当电子透镜，将该电子图像聚焦到衬底上。
可运动工作台使村底在相对于电子束的一个轴线稍许倾斜的基本线 性扫描方向相对于电子束阵列运动，以致在倾斜电子束阵列扫描衬底时， 使衬底表面完全曝光。在本发明的各种实施例中，可运动工作台和阵列
结构提供替换扫描图形，包括：重叠的图形、不重叠的图形、提供冗余 度的图形以及提供各种程度的隔行扫描的图形。在电子束阵列扫描衬底 时，对光学和电子系统产生的图形进行编程，以在衬底上建立最终全像。
图1示出根据本发明实施例的光刻机。参考图1，光源105可以是连 续波激光器或脉冲激光器，它提供光辐射，准直透镜110使该光辐射准 直，然后，射束分裂器115将它反射到二维空间光线调制器（SLM)120。
空间光线调制器120对该光线进行调制，以产生对应于要求图形的平 行阵列调制光束。在本发明的一个实施例中，SLM120包括微透镜阵列， 例如可以从美国德克萨斯州的达拉斯市的德州仪器公司（TexasInstruments)获得的Model DMD。 SLM 120的^^L反射镜响应输入图 形数据信号100,以致每个SLM单元（还被称为像素）选择性地反射光 线，从而产生要求图形的平行光束。通过射束分裂器115,该平行光束返 回中继光学器件125。
中继光学器件125使每个SLM单元成像到微透镜阵列（MLA) 130 内的相应微透镜上。中继光学器件125优先保证减小光学图形的总体尺 寸，以便与相对于SLM 120具有较小优选尺寸的微透镜阵列130对应。 然而，通常，中继光学器件125的功能是使SLM120产生的光学点格栅 图形（被称为"第一中间图形，，）映射到微透镜阵列135上。因此，正如 以下所作的详细说明。正如SLM 120和微透镜阵列135的相对尺寸所要 求的那样，中继光学器件可以进行1X或者更大倍数的放大。
微透镜阵列130包括微透镜阵列，其中一个微透镜与SLM 120的每 个单元对应。每个微透镜将入射到其的光束聚焦到光子电子变换器145 上的光点140上。这样，在光子电子变换器145的表面上形成的光学点 格栅图形（被称为"第二中间图形"）与第一中间图形对应，只是其总体 尺寸被中继光学器件125放大（或者缩微），而各光束的尺寸被微透镜阵 列130的聚焦效应缩小为较小的点。
聚焦在光子电子变换器145上的点140互相良好分离，以防止各光束 之间发生串音或干扰。在优选实施例中，光子电子变换器145包括光电 阴极，响应入射光束，该光电阴极产生阵列电子源150。因此，光子电子 变换器145产生的电子源的点格栅图形（被称为第三中间图形）与聚焦 在光子电子变换器145上的第二中间图形对应。
电子光学器件155将从光子电子变换器145的各电子源出来的电子聚 焦到衬底160上的点。结果，将点格栅图形成像在衬底160上（被称为 第四中间图形）。在下面描述的各实施例中提供了电子光学器件155的不 同替换件，它们在第三中间图形与第四中间图形之间实现各种程度的缩 微。（参考图1A - 1D和相应的讨论）然而，就一切情况而论，相对于SLM 120产生的第一中间图形，显著减小第四中间图形的点的尺寸。在优选实 施例中，利用电子成像在程度160上的点165的大小具有25纳米的典型尺寸。显著减小点的尺寸导致本发明的分辨率提高。
图IA示出电子光学器件155的变换实施例。在图1A所示的变换实 施例中，电子光学器件155包括光孔阵列170和Einzel透镜阵列172。 作为用亍聚焦电子束的静电透镜，Einzel透镜众所周知。如图1A所示， Einzel透镜包括3块平行板，其中上板和下板（172A和172C )具有同 样电位。电子束分别通过3块板上的通孔，然后，聚焦到衬底160上的 点。在该实施例中，衬底160上相邻点之间的间距低于入射到光子电子 变换器145的光点之间的间距，但是各点的尺寸被显著减小，从而显著 提高分辨率。
图1B示出光子电子变换器145的变换实施例。在该变换实施例中， 将微透镜阵列130产生的第二中间图形聚焦到相应微尖端（microtip )阵 列174上。任选激活的微尖端，例如电子显微镜使用的微尖端是物理尺 寸小的尖锐电子源。响应入射光照度，每个微尖端产生电子，并由微尖 端的物理尺寸确定电子源的尺寸。这些电子源的"尖端的尖端（tipofthe tip)"在显微镜下小，而且微尖端的电子发射尖端的物理尺寸比入射到微 尖端的光点的尺寸小得多。因此，第四中间图形的点尺寸比笫二中间图 形的点尺寸小得多。因此，在该实施例中，孩吏尖端保证显著减小点尺寸， 并相应地提高分辨率。电子光学器件156将微尖端源阵列174发出的电 子聚焦为电子束阵列176，这样就在村底160上形成第四中间图形。电子 光学器件156必须对各微尖端发出的电子进行聚焦，并使它们加速到达 衬底160。这种电子光学器件众所周知，它可以包括例如与静电场组合在 一起的均匀磁场，它们二者均对准z轴（垂直于衬底的表面）。
图1C示出电子光学器件155的另一个实施例。在该实施例中，电子 光学器件155包括在电子显微技术领域公知的缩微透镜180。在该实施例 中，缩微过程可以减小第四中间图形的总体尺寸、相邻点之间的距离以 及各点的尺寸。减小各点的尺寸提高分辨率。然而，该实施例需要设计 宽视野（wide field)光学物镜，这种宽视野光学物镜可能发生变形。
图ID示出电子光学器件155的另一个实施例。图ID所示实施例与 微电子透镜阵列192组合使用电子偏转器阵列l卯。图1E进一步示出电子偏转器阵列190,它包括用于将每条电子束偏转到点"f"的四极 (quadrapole)偏转器阵列。如图所示，电子偏转器阵列l卯包括用于 通过各电子束光孔阵列以及4个围绕每个光孔设置的静电板193a、193b、 193c以及193d。对每块静电板施加电压信号，以通过点f偏转电子束。 每个微电子透镜阵列192的结构均与图1A所示Einzel透镜阵列的结构 类似，定位微电子透镜阵列192以重新准直用于形成缩微图像的电子束。 即，与第三中间图形相比，第四中间图形的总体尺寸小，而且其各点的 尺寸较小。因此，使用偏转器阵列可以减小点尺寸以及各点之间的距离 (总体图像尺寸），而无需像在图1C中那样设计宽视野物镜。
图1示出支承衬底160的机械工作台167。机械工作台167在y方向 移动村底160， y方向导致平行于第四中间图形的电子束阵列的轴线y之 一。选择从平行位置偏移，以致衬底160相对于射束阵列位移，而且在 调制该射束阵列以形成顺序点格栅图形时，该点格栅图形交织或交错， 以便在机械交叉扫描方向（x方向）不留间隙。这样，该全像被扫描到衬 底160上。有多种方式可以实现这种倾斜扫描。例如，波束可以跟踪与 中心隔离开像素宽度的轨迹，或者它们可以跟踪与中心隔离开二分之一 像素宽度的轨迹，而且扫迹上的点可以沿y轴偏移二分之一像素宽度， 导致衬底上更紧密容纳点阵列。此外，可以使其扫描线之间的间距小于1 个像素宽度的扫描图形交错。
现在，将参考图2说明本发明的另一个实施例。图2所示的光刻机包 括图1所示光刻机的上述部件，图1所示光刻机包括光源105和准直透 镜110。在该实施例中，SLM220是选择性透射空间光线调制器，与SLM 120类似，它响应图形数据信号100调制平行光束阵列。即，根据该像素 的接通或断开状态，选择性地透射或者阻断入射到每个单元或像素的光。 在"A proposal for maskless, zone-plate-arry nanolithography，， ， Smith, Henry I" J.Vac. Sci Techno. B 14(6)， Nov/Dec 1996和1999年5月4日授 予Henry I.Smith的第5，卯0，637号美国专利"Maskless Lithography Using a Multiplexed Array of Fresnel Zone Plates"中，对适于这种功能 的微型快门阵列进行了描述。仍参考图2， SLM220发出的光束225被射束成形器230整形，在该 光束传输到聚焦光学器件235之前，射束成形器230使它们变窄。聚焦 光学器件235包括用于使每条光束聚焦到光学缩微器240上的微透镜。 聚焦光学器件235将调制光束225聚焦为其大小基本等于SLM 220产生 的原始图像，然而各点尺寸被显著减小的图像。
光学缩微器240使SLM 220产生的图形的总图像尺寸减小，并进一 步减小各点的尺寸。光学缩微器240将缩微图像聚焦到光子电子变换器 145的表面上。
图2所示的配置可以使用较低成本的聚焦光学器件235,例如具有较 小数值孔径（NA)的微透镜。聚焦光学器件235可以使用几种透镜，例 如折射型或衍射型的标准透镜或微透镜。对于较小NA和较大视场 (FOV)，可以采用塑料衍射单元。这样可以实现几十厘米宽甚或更宽的 FOV。对于大NA应用，可以使用微透镜阵列（通常10微米宽）。如果 使用衍射透镜单元，则该透镜阵列可以.进一步包括光孔阵列（即，针孔 阵列），以截断衍射单元产生的高阶散射。在结合短波长光线，例如约13 nm的极远紫外线（EUV)使用时，衍射透镜尤其适合实现本发明。
文献中对微透镜阵列的例子进行了充分说明，文献包括"Microlens array with spatial varitions of the optical functions" ，Hessler et al， Pure Appl. Opt. 6(1997)673-681和"A Microlens Direct誦Write Concept for Lithography", Davidson, Mark, SPIE VOL. 3048， PP. 346。
此外，在此所称微透镜阵列，例如微透镜阵列130和聚焦光学器件235 可以是根据传统光学技术的一个透镜阵列，或串行排列的多个阵列，因 此单独阵列中的各透镜单元的光程形成复合透镜。这种排列可以产生其 数值孔径比单个透镜的阵列获得的数值孔径大的复合透镜阵列。通过层 叠各透镜阵列，可以利用机械方法组装这种复合微透镜阵列，或者利用 例如众所周知的MEMS (微电子机械系统）制造技术制造这种复合微透 镜阵列。
衍射光学元件阵列的例子是非涅耳区板。它们可以在任何波长下工 作，而且在被称为区板阵列光刻（ZPAL)的处理过程中，非涅耳区板阵歹寸已经用于光刻。在"Lithographic patterning and confocal imaging with zone plates," Gil et al， Vac. Sci. Technol. B 18(6)， Nov/Dec 2000和
"Maskless， parallel patterning with zone-plate array lithography," Carter et al， J. Vac. Sci. Technol. B 17(6)， Nov/Dec 1999中对这些阵列及 其用法进行了描述。通常，这些衍射区板阵列适合替换折射光学微透镜 阵列。
在图4所示的本发明的变换实施例中，将单独控制的激光器阵列用作 光源400,以产生入射到SLM405的光束阵列。在本发明的该实施例中， 可以将各激光调制到要求的强度（即，M级），以便更精细控制图像写 过程。光源400可以包括可以从Band Gap Engineering of Colorado获得 的垂直空腔表面发光激光器（VCSEL)的阵列。VCSEL是从芯片的顶 部、向上发光的半导体激光器。
图3示出扫描图形的一个例子。如图所示，点阵列（第四中间图形） 入射到衬底160。为了简洁起见，图3示出8宽（a-h) x6深（l-6) 的点阵列。在实现本发明时，点阵列通常包括数百、数千甚或更多的电 子束。在机械交叉扫描x方向，相邻行上各点中心之间的偏移确定x方 向上的像素尺寸（即，第一行el上第e个点与第二行e2上第e个点之 间的距离的x轴上的投影px)。为了连续覆盖衬底160，列d6上的最后 一个点必须跟踪只有一个像素在交叉扫描的x方向离开相邻列（cl)上 的第一点的切线的轨迹。利用在两次连续照射衬底160之间，给定点的 点中心之间的横跨距离，即，时间0时点f4的中心（"f4t0")与一个照 射间隔之后同一个点的中心（"f4tl")之间的距离确定机械扫描y方向 py (未示出）上的像素尺寸。通过将工作台的速度乘以照射间隔，可以 确定该3巨离。
在本发明的又一个实施例中，衬底160相对于射束阵列位移，以形成 交错图形，因为在利用脉冲激光器光源（例如准分子激光器或Q激光器） 作为光源105时，在连续照射村底160期间，每个点移动的距离比两个 相邻点之间的间距大。
利用确保精确、线性运动的任何装置，可以使衬底160运动，例如可以由Anorad Corporation of New York市售的采用线性马达和空气轴承 的传统干涉仪控制工作台使衬底160运动。此外，在本发明的变换实施 例中，可以使衬底保持静止，而使产生射束阵列的光学器件相对于衬底 位移、相对于晶片位移。
为了对任何残余不精确性，例如工作台的机械振动产生的不精确性进 行校正，引入用于对工作台移动中的不精确性进行补偿的补偿器。参考 图2,将或者作为工作台的一部分或者作为附加部件的二维干涉仪器件 235安装到工作台上，以检测其位置，并产生位置误差信号。利用大量替 换件可以补偿这些误差。首先，可以将补偿器250连接到射束成形器230 和聚焦光学器件235，以使它们移动足以对工作台位置误差进行补偿的 量。其次，可以将补偿器260连接到缩微器240，以使它移动可以补偿工 作台位置误差的量。再次，可以将补偿器连^:到可以在两个轴线上运动 的反射镜，用于改变从光源到光刻机（printer)的光学元件之一的入射 角，以对工作台位置误差进行补偿。例如，如果在射束成形器230与聚 焦光学器件235之间将光路弯曲卯度，而且定位可运动反射镜以使射束 成形器230发出的光照射聚焦光学器件235，则改变反射镜的角度可以改 变光线在聚焦光学器件235上的入射角，从而使聚焦图像位移。
在本发明的又一个实施例中，本发明的光刻机包括位于光子电子变换 器145之前的限幅器。该限幅器防止或者显著减小因为与反射的光束、 不平行光束、旁瓣等相互作用对光子电子变换器145产生的写错误。参 考图5a，限幅器500包括针孔阵列，其中针孔501与所产生的光束阵列 中的光束对应，以便照射光子电子变换器145。在图5b所示的本发明的 另一个实施例中，限幅器510包括光孔511的阵列，光孔511与光束阵 列中的光束对应，每个光孔511的宽度w至少是每条光束的波长的一半。
本发明的一个优点是不需要高阶缩小透镜。更具体地说，具有掩膜的 光刻系统通常采用其尺寸是要求的最终图形尺寸的4倍或5倍(4X或5X) 的掩膜。这样就需要使用通常被称为"步进器透镜（stepper lens )"的缩 微透镜，"步进器透镜（stepper lens)"通常非常昂贵。即使在例如"High throughput electron lithography with multiple aperture pixel by pixelenhancement of resolution concept" ， Kmit, P" J. Vac. Sci. Technol. B 16(6)， Nov/Dec 1998描述的、当前基于掩膜的混合光子电子系统中，情况 也如此。相反，当象在本发明的各实施例中那样，使用可编程无掩膜源 时，源图形与衬底之间的》文大率不受这种限制，而且对于光子光学器件 和电子光学器件，该放大率均为1。更容易设计低放大率的低变形光学器 件。因此，可以设计低变形光学器件，并可以相应地装载输入数据信号 图形。即，由于利用点尺寸确定该系统的分辨率，所以根据对光子光学 器件、电子光学器件选择的配置以及写策略，在适当时间，不需要将图 像缩微，而需要将要映射到衬底的图形数据装载到可编程源阵列。
写策略和其他设计配置对设计选择放大率产生影响。例如，如果采用 稍许转动扫描的简单线性扫描，其中格栅包括间距为D的N x N像素， 而且晶片上的地址单元的大小是d,则缩微率M为M-D/(d*N)。在某 些情况下，这样可能产生小放大率。例如，如果D-15微米、N-IOOO， d = 25nm，则M - 0.6 (小缩微率）。然而，对应于这种小缩微率的成本 和变形明显小于4X和5X步进器透镜的成本和变形。
这样就产生了更简单、更无变形的光学器件。实际上，使用与最终图 像具有同样尺寸的SLM图像，即1X放大率可以获得最佳光学器件。在 其掩膜比要求的最终图像大得多的掩膜系统中需要这种缩小单元，但是 这种缩小单元或"步进器透镜（stepperlens)"通常非常昂贵。然而，在 本发明的优选实施例中，这种单元有利。
下面的计算将说明根据本发明实施例的光刻机的吞吐量。 定义：
FOV _衬底上的视场（微米）（假定是正方形）
D-衬底上的点间距（微米）
p-衬底上的像素尺寸（微米）
ny和nx-分别是阵列内的行数和列数
N-阵列内的总点数
DR-数据速率要求（像素/秒/阵列）
FR-帧速率要求（读的阵列/秒）V-y方向上的工作台速度（微米/秒）
由于FOV-D^x，而且如果没有交错，ny=D/p，则总点数N是： N = nx*ny=(FOV/D)*(D/p)=FOV/p
对于给定的数据速率要求（DR),则要求帧速率（FR)，并因此要 求工作台速度为：
FR=DR/N=DR*p/FOV以及 V=FR*p=DR*p2/FOV
例子：
FOV = 10 mm-10000微米 DR=10万亿像素/秒=1012像素/秒 P=10腿=0.01微米
N=10000/0.01=l，000，000=>100*100阵列 FR=101G/104=106=1兆帧/秒 V=106*0.01微米=10 mm/秒
本发明适用于制造各种类型的半导体器件，特别是采用约0.18口及以 下设计规则的高密度半导体器件。
利用传统材料、方法和装置，可以实现本发明。因此，在此不详细说 明这种材料、装置和方法的细节。在上面的描述中，为了有助于全面理 解本发明，对许多特定细节进行了说明，例如特定材料、结构、化学物 质、处理过程等。然而，应该认为，不采用以上具体说明的细节，仍可 以实现本发明。在其他例子中，为了不使本发明不必要地模糊不清，所 以未对众所周知的处理过程进行了详细描述。
描述。应该明白，本发明可以用于各种其他组合和环境，而且可以在在 此描述的本发明原理范围内对其进行变更和修改。此外，本说明书是说 明性的，而非限制性的。例如，关于光线和光图像，本发明的说明书引 用光源(light source )并对光学光源（optical source)和光辐射进行了讨论。然而，在本发明人引用"光线（light)"时，本发明人包括所有波 长的电磁辐射，而并不局限于可见波长。例如，可以认为被称为紫外线、 远紫外线、极远紫外线、X射线等的所有短波长光线均包括在"光线 (light)"范围内，因为它们均指光子和电磁辐射，而且仅以辐射波长来 区别它们。