专利汇可以提供一种室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了微纳 电子 和 自旋电子学 材料的 半导体 器件制备技术领域的一种室温p型 磁性 半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件。所述基于室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件是一种基于室温p型磁性半导体和n型Si的p‑n结和p‑n‑p双重结器件,在n型Si上下表面 镀 有p型磁性半导体 薄膜 ,形成了Au/p‑CoFeTaBo/n‑Si/p‑CoFeTaBo/Au结构的p‑n‑p结器件,具有明显的整流效应;所述电控磁器件是在单晶 硅 表面依次镀上一层Cr膜、Au膜、一层p型磁性半导体薄膜和HfO2绝缘 氧 化物薄膜;该电控磁器件通过外加 门 电压 产生的 电场 效应对其磁学性能进行有效调控:并与以Si为 基础 的半导体易实现兼容。,下面是一种室温p型磁性半导体p‑n‑p结器件和电控磁器件专利的具体信息内容。
1.一种基于室温p型磁性半导体p-n-p结器件和电控磁器件,其特征在于,包括基于室温p型磁性半导体p-n结、p-n-p双重结器件和电控磁器件的结构;所述室温p型磁性半导体p-n-p结器件是一种基于p型磁性半导体和n型Si的p-n-p双重结器件,在n型Si上下表面镀有室温p型磁性半导体薄膜,然后分别在n-Si和两层薄膜表面镀金膜电极,连接铜引线,形成了Au/p-CoFeTaBo/n-Si/p-CoFeTaBo/Au结构的p-n-p双重结器件;该p-n-p双重结器件具有明显整流效应,与目前以Si为基础的半导体更易于实现兼容;
所述电控磁器件是在单晶硅表面依次镀上一层Cr膜和Au膜作为底电极,在Au膜表面依次沉积一p型磁性半导体薄膜和HfO2绝缘氧化物薄膜;在绝缘氧化物薄膜和Au层膜之间施加门电压进行磁学性能的调控。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
基于双表面拓扑超导特性的约瑟夫森器件及制备方法 | 2020-05-08 | 363 |
一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法 | 2020-05-17 | 315 |
具有铁磁性B掺杂g-C3N4二维超薄纳米片的制备方法 | 2020-05-21 | 24 |
磁电隔离器、磁存储器、磁电流传感器和磁温度传感器 | 2020-05-23 | 392 |
一种通过极化方向调控霍尔效应的结构 | 2020-05-23 | 536 |
基于F-P标准具的瞬态高分辨率光谱仪 | 2020-05-20 | 290 |
一种电子自旋瞬态信息的探测方法及装置 | 2020-05-16 | 371 |
层结构非对称的MXene及其衍生的异质结 | 2020-05-21 | 140 |
非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用 | 2020-05-14 | 227 |
NANOSCALE ELECTRONIC SPIN FILTER | 2020-05-25 | 949 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。