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光电流 传感器屏蔽罩

阅读：644发布：2024-02-18

专利汇可以提供光电流传感器屏蔽罩专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种光电流传感器屏蔽罩，其主要技术特点是：包括屏蔽外壳和两个定位块，被测导体穿过屏蔽外壳并通过套装在被测导体上的两个定位块与屏蔽外壳固定在一起，在屏蔽外壳内的被测导体上安装有光电流传感器，该光电流传感器与被测导体内的光缆相连接。本实用新型设计合理，将光CT和被测导体安装在由高导磁率材料制成的屏蔽罩内，有效地屏蔽掉被测导体附近其他导体电流磁场的影响，在现场实施装设过程中，只需停电一次将环网柜打开并安装光CT后即可使用，具有不需要校正、安装方便、施工效率高等特点，可广泛应用在电力系统自动化检测等领域。，下面是光电流传感器屏蔽罩专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种光电流传感器屏蔽罩，其特征在于：包括屏蔽外壳和两个定位块，被测导体穿过屏蔽外壳并通过套装在被测导体上的两个定位块与屏蔽外壳固定在一起，在屏蔽外壳内的被测导体上安装有光电流传感器，该光电流传感器与被测导体内的光缆相连接。
2.根据权利要求1所述的光电流传感器屏蔽罩，其特征在于：所述的屏蔽外壳由两个半圆形壳体扣装在一起并在两个半圆形壳体的侧面结合处通过螺钉固定在一起，在屏蔽外壳的两端面分别设有用于安装被测导体的导体穿孔。
3.根据权利要求1所述的光电流传感器屏蔽罩，其特征在于：所述的定位块包括两个半圆形柱体，两个半圆形柱体通过侧面设有的螺孔并通过螺钉固装在一起形成一中部设有导体安装槽的圆柱体，被测导体安装在导体安装槽内，两个定位块安装在屏蔽外壳的导体穿孔处。
4.根据权利要求1至3任一项所述的光电流传感器屏蔽罩，其特征在于：所述的屏蔽外壳由高导磁率材料制成。
5.根据权利要求4所述的光电流传感器屏蔽罩，其特征在于：所述的高导磁率材料为铍镆合金或硅钢合金。

说明书全文

光电流 传感器屏蔽罩

技术领域

[0001] 本实用新型属于电力自动化检测领域，尤其是一种光电流传感器屏蔽罩。

背景技术

[0002] 在电力系统自动化检测过程中，光电流传感器(光CT)必须要进行带负荷校正才能正常使用，因此，在配电网系统环网柜中装设光电流传感器时，就需要停电2至3次才能使用，这对电力用户的生产影响很大，在一定程度上限制了光电流传感器这项新型技术的应用和推广。现有的光电流传感器之所以需要校正，这是由于被测导体受附近其他被测导体电流磁场的影响，如图6所示，在应用现场，A、B和C是被测导体，其内电流在磁光晶体K中产生的磁场分是Ha、Hb和Hc，以B被测导体为例，附近被测导体A和C内电流在磁光晶体K中产生的磁场分别是Ha和Hc，正是由于Ha和Hc的存在，使得以磁光晶体K为核心的光CT必须经过校正，去除Ha和Hc的干扰，使磁光晶体的偏光角度只与Hb有关，才能实现正确的电流测量，其他两只被测导体电流测量情况与之类似。综上所述，现有的光电流传感器容易受附近其他被测导体电流磁场的影响，需要停电多次进行带负荷校正处理过程，存在安装不便、施工效率低等问题。发明内容

[0003] 本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种不需要校正处理、安装方便且施工效率高的光电流传感器屏蔽罩。

[0004] 本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案实现的：

[0005] 一种光电流传感器屏蔽罩，包括屏蔽外壳和两个定位块，被测导体穿过屏蔽外壳并通过套装在被测导体上的两个定位块与屏蔽外壳固定在一起，在屏蔽外壳内的被测导体上安装有光电流传感器，该光电流传感器与被测导体内的光缆相连接。

[0006] 而且，所述的屏蔽外壳由两个半圆形壳体扣装在一起并在两个半圆形壳体的侧面结合处通过螺钉固定在一起，在屏蔽外壳的两端面分别设有用于安装被测导体的导体穿孔。

[0007] 而且，所述的定位块包括两个半圆形柱体，两个半圆形柱体通过侧面设有的螺孔并通过螺钉固装在一起形成一中部设有导体安装槽的圆柱体，被测导体安装在导体安装槽内，两个定位块安装在屏蔽外壳的导体穿孔处。

[0008] 而且，所述的屏蔽外壳由高导磁率材料制成。

[0009] 而且，所述的高导磁率材料为铍镆合金、硅钢合金或其他屏蔽材料。

[0010] 本实用新型的优点和积极效果是：

[0011] 本实用新型设计合理，将光CT和被测导体安装在由高导磁率材料制成的屏蔽罩内，有效地屏蔽掉被测导体附近其他被测导体电流磁场的影响，在现场实施装设过程中，不需要校正电流，只需停电一次将环网柜打开并安装光CT后即可使用，从而使光CT装设过程对现场供电影响降至较低程度，实现无校正过程电流采样检测，可广泛应用在电力系统自动化检测等领域。附图说明

[0012] 图1是本实用新型的使用状态图；

[0013] 图2是图1的的内部结构示意图；

[0014] 图3是屏蔽外壳的结构示意图；

[0015] 图4是定位块的结构示意图；

[0016] 图5是本实用新型的工作原理图；

[0017] 图6是现有光CT的工作原理图。

具体实施方式

[0018] 以下结合附图对本实用新型实施例做进一步详述：

[0019] 一种光电流传感器屏蔽罩，如图1及图2示，包括屏蔽外壳2和两个定位块3，被测导体1穿过屏蔽外壳并通过套装在被测导体上的两个定位块与屏蔽外壳固定在一起，在屏蔽外壳内的被测导体上安装有光电流传感器4，该光电流传感器与被测导体内的光缆5相连接。如图3所示，屏蔽外壳由两个半圆形壳体6扣装在一起并在两个半圆形壳体的侧面结合处通过螺钉8固定在一起，在屏蔽外壳的两端面分别设有导体穿孔7，被测导体通过两个导体穿孔穿过屏蔽外壳，该屏蔽外壳由高导磁率材料制成，该高导磁率材料可以使用铍镆合金、硅钢合金或其他屏蔽材料。如图4所示，每个定位块包括两个半圆形柱体9，两个半圆形柱体通过侧面设有的螺孔并通过螺钉11固装在一起形成一中部设有导体安装槽10的圆柱体，被测导体安装在导体安装槽内并通过两个半圆形圆柱固定，两个定位块安装在屏蔽外壳内侧的导体穿孔处，从而将被测导体、定位块及屏蔽外壳固定在一起。

[0020] 本实用新型的工作原理如图5所示，光CT和被测导体安装在光电流传感器屏蔽罩外，非被测导体的干扰磁场不能穿透屏蔽罩进入被测导体的磁光晶体，使得磁光晶体的偏光角度只与被测导体内电流有关，从而实现正确的电流测量，而不需要进行校正。例如，被测导体A内电流在磁光晶体K中产生的磁场仅为Ha，不会产生Hb和Hc磁场，被测导体B和被测导体C也是一样。

[0021] 需要强调的是，本实用新型所述的实施例是说明性的，而不是限定性的，因此本实用新型并不限于具体实施方式中所述的实施例，凡是由本领域技术人员根据本实用新型的技术方案得出的其他实施方式，例如，屏蔽外壳也可以是椭圆、方形或其他形状，定位块也可以是椭圆、方形或其他形状，定位块也可以安装在屏蔽外壳外侧的导体穿孔处，同样属于本实用新型保护的范围。

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