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Method of producing a semiconductor component

阅读:339发布:2023-11-10

专利汇可以提供Method of producing a semiconductor component专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且In producing a semiconductor component, the use of a silicon nitride layer as an etching stencil, provides an exact positioning of various windows, relative one another, in a silicon dioxide layer, arranged on a semiconductor body. The method is particularly suitable for producing high-frequency transistors of comb structure in planar technology.,下面是Method of producing a semiconductor component专利的具体信息内容。

  • 2. The method of claim 1 wherein the silicon nitride layer is about 0.1 Mu thick and the silicon dioxide layer is at least 0.2 Mu thick.
  • 说明书全文
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