用于相位检测自动聚焦的双光电二极管
专利汇可以提供用于相位检测自动聚焦的双光电二极管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 相位 检测自动聚焦图像 传感器 包含安置在 半导体 材料中的多个光电 二极管 中的第一 光电二极管 及所述多个光电二极管中的第二光电二极管。第一钉扎阱安置在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，并且所述第一钉扎阱包含第一沟槽隔离结构，其从所述半导体材料的第一表面延伸到所述半导体材料中达第一深度。第二沟槽隔离结构安置在所述半导体材料中并且环绕所述第一光电二极管及所述第二光电二极管。所述第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料中达第二深度，并且所述第二深度大于所述第一深度。，下面是用于相位检测自动聚焦的双光电二极管专利的具体信息内容。
1.一种相位检测自动聚焦图像传感器，其包括：
多个光电二极管中的第一光电二极管，所述多个光电二极管安置在半导体材料中；
所述多个光电二极管中的第二光电二极管；
第一钉扎阱，其安置在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，其中所述第一钉扎阱包含第一沟槽隔离结构，其从所述半导体材料的第一表面延伸到所述半导体材料中达第一深度，其中所述第一钉扎阱具有掺杂剂密度以当所述第一光电二极管或所述第二光电二极管中的一者包含超过图像电荷的阈值的图像电荷时在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间提供电荷溢出路径；及
第二钉扎阱，其环绕所述第一光电二极管及所述第二光电二极管，其中所述第二钉扎阱包含第二沟槽隔离结构，其中所述第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料中达第二深度，其中所述第二深度大于所述第一深度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一沟槽隔离结构安置在所述第一钉扎阱的横向边界内。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中图像电荷的所述阈值低于光电二极管饱和极限以允许所述相位检测自动聚焦。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括第三光电二极管及第四光电二极管，其中所述第一钉扎阱安置在所述第三光电二极管与第四光电二极管之间，且其中所述第二沟槽隔离结构环绕所述第一光电二极管、所述第二光电二极管、所述第三光电二极管及所述第四光电二极管。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述第一光电二极管及所述第二光电二极管具有光吸收区域，当从所述半导体材料的所述第一表面观察时，所述光吸收区域与所述第三光电二极管及第四光电二极管的光吸收区域具有相同的大小。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述第一沟槽隔离结构及第二沟槽隔离结构包含氧化物材料或金属中的至少一者，且其中所述第一沟槽隔离结构及所述第二沟槽隔离结构包含大体上相同的材料组成。
7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述第一沟槽隔离结构包含氧化物材料，且所述第二沟槽隔离结构包含氧化物材料或金属中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一钉扎阱从所述半导体材料的所述第一表面延伸到与所述第一表面相对的所述半导体材料的第二表面，且其中所述第二钉扎阱从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料的所述第二表面。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一钉扎阱仅在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间部分延伸。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其进一步包括：
第一浮动扩散部及第一转移门，所述第一转移门耦合在所述第一光电二极管与所述第一浮动扩散部之间以将来自所述第一光电二极管的图像电荷转移到所述第一浮动扩散部；
及
第二浮动扩散部及第二转移门，所述第二转移门耦合在所述第二光电二极管与所述第二浮动扩散部之间以将来自所述第二光电二极管的图像电荷转移到所述第二浮动扩散部。
11.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：
第一浮动扩散部及第一转移门，所述第一转移门耦合在所述第一光电二极管与所述第一浮动扩散部之间以将来自所述第一光电二极管的图像电荷转移到所述第一浮动扩散部；
及
第二转移门，其耦合在所述第二光电二极管与所述第一浮动扩散部之间以将来自所述第二光电二极管的图像电荷转移到所述第一浮动扩散部，其中当从所述半导体材料的所述第一表面观察时，所述第一转移门、所述第二转移门及所述第一浮动扩散部形成大体上“U”形结构。
12.一种图像传感器系统，其包括：
多个光电二极管中的第一光电二极管，所述多个光电二极管安置在半导体材料中；
所述多个光电二极管中的第二光电二极管，所述多个光电二极管安置在所述半导体材料中；
第一沟槽隔离结构，其安置在所述半导体材料中，所述第一沟槽隔离结构从所述半导体材料的第一表面延伸到所述半导体材料中达第一深度；
第二沟槽隔离结构，其安置在所述半导体材料中并环绕所述第一光电二极管及所述第二光电二极管，其中所述第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料中达第二深度，其中所述第二深度大于所述第一深度；
第一钉扎阱，其包含安置在所述第一钉扎阱的横向边界内的所述第一沟槽隔离结构，其中所述第一钉扎阱具有掺杂剂密度以当所述第一光电二极管或所述第二光电二极管中的一者包含超过图像电荷的阈值的图像电荷时在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间提供电荷溢出路径；
第二钉扎阱，其包含安置在所述第二钉扎阱的所述横向边界内的所述第二沟槽隔离结构；及
控制电路及读出电路，其耦合到所述多个光电二极管，其中所述控制电路耦合到所述多个光电二极管以控制所述多个光电二极管的图像获取，且其中所述读出电路耦合到所述多个光电二极管以从所述多个光电二极管读取图像数据。
13.根据权利要求12所述的图像传感器系统，其中图像电荷的所述阈值低于光电二极管饱和极限，且其中所述控制电路及读出电路耦合到功能逻辑以使用从所述多个光电二极管提取的不饱和图像电荷来执行相位检测自动聚焦。
14.根据权利要求12所述的图像传感器系统，其进一步包括第三光电二极管及第四光电二极管，其中所述第一沟槽隔离结构安置在所述第三光电二极管与第四光电二极管之间，且其中所述第二沟槽隔离结构环绕所述第一光电二极管、所述第二光电二极管、所述第三光电二极管及所述第四光电二极管。
15.根据权利要求12所述的图像传感器系统，其中所述第一沟槽隔离结构及第二沟槽隔离结构包含氧化物材料或金属中的至少一者，且其中所述第一沟槽隔离结构及所述第二沟槽隔离结构包含大体上相同的材料组成。
16.根据权利要求12所述的图像传感器系统，其中所述第一沟槽隔离结构包含氧化物材料，且所述第二沟槽隔离结构包含氧化物材料或金属中的至少一者。
17.根据权利要求12所述的图像传感器系统，其中所述第一沟槽隔离结构仅在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间部分延伸。
18.根据权利要求17所述的图像传感器系统，其进一步包括：
第一浮动扩散部及第一转移门，所述第一转移门耦合在所述第一光电二极管与所述第一浮动扩散部之间以将来自所述第一光电二极管的图像电荷转移到所述第一浮动扩散部；
及
第二转移门，其耦合在所述第二光电二极管与所述第一浮动扩散部之间以将来自所述第二光电二极管的图像电荷转移到所述第一浮动扩散部，其中当从所述半导体材料的所述第一表面观察时，所述第一转移门、所述第二转移门及所述第一浮动扩散部形成大体上“U”形结构。
用于相位检测自动聚焦的双光电二极管
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
415可仅存储图像数据或甚至通过应用后图像效果(例如，自动聚焦、裁剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或以其它方式)操纵图像数据。在一个实例中，读出电路411可沿读出列线一次读出一行图像数据(已说明)或可使用各种其它技术读出图像数据(未说明)，例如，串行读出或同时完全并行读出全部像素。
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