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一种带吸附结构的IGBT驱动模

阅读:560发布:2021-06-08

专利汇可以提供一种带吸附结构的IGBT驱动模专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种带 吸附 结构的IGBT驱动模 块 ,包括IGBT模块、吸附模块、吸附模块接线器和驱动模块;在IGBT 外壳 的顶部上设置有N个接线 端子 ,接线端子连接到IGBT功能芯片上;吸附模块包括环形外框,吸附模块根据接线端子的数量分成N个电容区,每个电容区内层叠布置有若干 薄膜 电容,每层薄膜电容之间首尾连接,最内一侧的薄膜电容上连接有接线板,接线板上的接线孔套接到接线端子上,最外一侧的薄膜电容通过镶嵌于环形外框内的导电片连接到吸附模块接线器上;环形外框的顶部 覆盖 有屏蔽板,屏蔽板的外边缘与环形外框 接触 ,在屏蔽板的内凹层的中部镶嵌有金属屏蔽片;在屏蔽板的内凹层内镶嵌有驱动模块,驱动模块的接线端子插入到引线接入插口内。,下面是一种带吸附结构的IGBT驱动模专利的具体信息内容。

1.一种带吸附结构的IGBT驱动模,其特征是:包括IGBT模块、吸附模块、吸附模块接线器和驱动模块;其中IGBT模块包括IGBT外壳,在IGBT外壳的顶部上设置有N个接线端子,接线端子连接到IGBT功能芯片上;所述吸附模块为一个环形结构,包括一个环形外框,所述吸附模块根据接线端子的数量分成N个电容区,每个电容区内层叠布置有若干薄膜电容,薄膜电容镶嵌于环形外框内,每层薄膜电容之间首尾连接,最内一侧的薄膜电容上连接有一个接线板,接线板上的接线孔套接到接线端子上,最外一侧的薄膜电容通过镶嵌于环形外框内的导电片连接到吸附模块接线器上,N个接线端子包括至少一个地线端子,在吸附模块接线器中,地线端子的接线板A通过导通方向朝向地线端子的二极管连接到其余端子的接线板B上;所述环形外框的顶部覆盖有一个屏蔽板,屏蔽板中部设置有一个内凹层,屏蔽板的外边缘与环形外框接触,内凹层嵌入到环形外框内,屏蔽板为绝缘材质,在屏蔽板的内凹层的中部镶嵌有一个金属屏蔽片,在屏蔽板的中部设置有N个接线端子定位孔,接线端子定位孔内壁与屏蔽板为一体结构;在屏蔽板的内凹层内镶嵌有驱动模块,驱动模块的底部设置有引线接入插口,接线端子插入到引线接入插口内,驱动模块的顶部设置有引出接线。
2.如权利要求1所述的一种带吸附结构的IGBT驱动模块,其特征是:所述环形外框、屏蔽板采用POM材料制成。
3.如权利要求1所述的一种带吸附结构的IGBT驱动模块,其特征是:所述薄膜电容包括两层按环形外框轮廓布置的金属箔,在金属箔之间填充有聚乙酯。
4.如权利要求1所述的一种带吸附结构的IGBT驱动模块,其特征是:屏蔽板的内凹层对应屏蔽板的背部设置有一个凸起部,凸起部的边缘与环形外框的内壁之间为过盈配合
5.如权利要求1所述的一种带吸附结构的IGBT驱动模块,其特征是:相邻电容区之间镶嵌有一个接地片,所述接地片嵌入在环形外框内,接地片通过电容连接到吸附模块接线器的接线板A上。

说明书全文

一种带吸附结构的IGBT驱动模

技术领域

[0001] 本实用新型涉及一种带吸附结构的IGBT驱动模块,属于IGBT制造领域。

背景技术

[0002] 在新能源交通工具领域,IGBT作为一种主要的核心功率器材,其外围的驱动以及吸收机构严重影响这IGBT模块以及其余功能件的寿命;现有技术中,IGBT模块一般是直插到驱动电路上,IGBT模块封装一般是绝缘外壳,抗屏蔽性能差,而吸收模块一般是外接到IGBT模块以及功率电路上,无法及时的吸收IGBT模块回路的电子,依旧容易导致IGBT模块的击穿。实用新型内容
[0003] 本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术中直插式IGBT模块抗干扰差,吸收效率低的技术问题,提供一种带吸附结构的IGBT驱动模块。
[0004] 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0005] 一种带吸附结构的IGBT驱动模块,包括IGBT模块、吸附模块、吸附模块接线器和驱动模块;其中IGBT模块包括IGBT外壳,在IGBT外壳的顶部上设置有N个接线端子,接线端子连接到IGBT功能芯片上;所述吸附模块为一个环形结构,包括一个环形外框,所述吸附模块根据接线端子的数量分成N个电容区,每个电容区内层叠布置有若干薄膜电容,薄膜电容镶嵌于环形外框内,每层薄膜电容之间首尾连接,最内一侧的薄膜电容上连接有一个接线板,接线板上的接线孔套接到接线端子上,最外一侧的薄膜电容通过镶嵌于环形外框内的导电片连接到吸附模块接线器上,N个接线端子包括至少一个地线端子,在吸附模块接线器中,地线端子的接线板A通过导通方向朝向地线端子的二极管连接到其余端子的接线板B上;所述环形外框的顶部覆盖有一个屏蔽板,屏蔽板中部设置有一个内凹层,屏蔽板的外边缘与环形外框接触,内凹层嵌入到环形外框内,屏蔽板为绝缘材质,在屏蔽板的内凹层的中部镶嵌有一个金属屏蔽片,在屏蔽板的中部设置有N个接线端子定位孔,接线端子定位孔内壁与屏蔽板为一体结构;在屏蔽板的内凹层内镶嵌有驱动模块,驱动模块的底部设置有引线接入插口,接线端子插入到引线接入插口内,驱动模块的顶部设置有引出接线。
[0006] 作为本实用新型的进一步改进,所述环形外框、屏蔽板采用POM材料制成。
[0007] 作为本实用新型的进一步改进,所述薄膜电容包括两层按环形外框轮廓布置的金属箔,在金属箔之间填充有聚乙酯。
[0008] 作为本实用新型的进一步改进,屏蔽板的内凹层对应屏蔽板的背部设置有一个凸起部,凸起部的边缘与环形外框的内壁之间为过盈配合
[0009] 作为本实用新型的进一步改进,相邻电容区之间镶嵌有一个接地片,所述接地片嵌入在环形外框内,接地片通过电容连接到吸附模块接线器的接线板A上。
[0010] 本实用新型的有益效果是:
[0011] 1、本实用新型一个包覆于IGBT模块外部的环形外框结构的吸附模块实现对IGBT电子的吸附,同时利用片状的电容结构,还能有效的实现对IGBT模块的屏蔽,以保证驱动电路的稳定,本结构还通过屏蔽板实现了驱动模块与IGBT模块的稳定层叠固定,也保证了屏蔽效果。
[0012] 2、POM材料具有阻燃、抗高温的特性,且易于加工,硬度也较高。
[0013] 3、过盈配合使得屏蔽板与环形外框之间的拆卸维护变为可能,且固定稳定性高。
[0014] 4、接地片可以降低相邻电容之间的干扰,降低电容之间击穿的可能性。附图说明
[0015] 下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0016] 图1是本实用新型的俯视图;
[0017] 图2是本实用新型的侧视图。
[0018] 图中:1、环形外框;2、IGBT外壳;3、接线端子;4、接线板A;5、接线板B;6、地线端子;7、薄膜电容;8、聚乙酯;9、接地片;10、吸附模块接线器;11、导电片;12、驱动模块;13、屏蔽板;14、金属屏蔽片;15、引线接入插口。

具体实施方式

[0019] 现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0020] 如图1所示,本实用新型为如图1,一种带吸附结构的IGBT驱动模块,包括IGBT模块、吸附模块、吸附模块接线器和驱动模块;其中IGBT模块包括IGBT外壳,在IGBT外壳的顶部上设置有N个接线端子,接线端子连接到IGBT功能芯片上;吸附模块为一个环形结构,包括一个环形外框,环形外框采用POM制成,吸附模块根据接线端子的数量分成N个电容区,相邻电容区之间镶嵌有一个接地片,接地片嵌入在环形外框内,每个电容区内层叠布置有若干薄膜电容,薄膜电容包括两层按环形外框轮廓布置的金属箔,在金属箔之间填充有聚乙酯,薄膜电容镶嵌于环形外框内,每层薄膜电容的首尾之间通过导电片导通,最内一侧的薄膜电容上连接有一个接线板,接线板上的接线孔套接到接线端子上,最外一侧的薄膜电容通过镶嵌于环形外框内的导电片连接到吸附模块接线器上,N个接线端子包括至少一个地线端子,在吸附模块接线器中,地线端子的接线板A通过导通方向朝向地线端子的二极管连接到其余端子的接线板B上,接地片通过电容连接到吸附模块接线器的接线板A上;如图2,环形外框的顶部覆盖有一个由POM材料制成的屏蔽板,屏蔽板中部设置有一个内凹层,屏蔽板的外边缘与环形外框接触,屏蔽板的内凹层对应屏蔽板的背部设置有一个凸起部,凸起部的边缘与环形外框的内壁之间为过盈配合使得内凹层嵌入到环形外框内,屏蔽板为绝缘材质,在屏蔽板的内凹层的中部镶嵌有一个金属屏蔽片,在屏蔽板的中部设置有N个接线端子定位孔,接线端子定位孔内壁与屏蔽板为一体结构;在屏蔽板的内凹层内镶嵌有驱动模块,驱动模块的底部设置有引线接入插口,接线端子插入到引线接入插口内,驱动模块的顶部设置有引出接线。
[0021] 通过本结构,驱动模块和吸附模块并连,IGBT驱动模块在通断过程中,一部分的电能会进入到并联的吸附模块中,随后对多层的薄膜电容进行充能,从而降低电能冲击对驱动模块带来的影响,同理,断路过程中,驱动模块返回的电能也可以被薄膜电容吸收;吸收完成后,电能最后会通过接地进行释放;同时,本结构得益于多层的薄膜电容,产生了一个多层的屏蔽结构,配合屏蔽板,可以有效降低IGBT中的高频电流对驱动模块带来的影响;高频电流产生的磁场最后会直接磁化薄膜电容,并通过薄膜电容进行消耗,不会进入到驱动模块内。
[0022] 以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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